发明创造名称：用于电阻式存储器的高速感测
外观设计名称：
决定号：42591
决定日：2019-12-04
委内编号：4W107662
优先权日：2010-06-01
申请（专利）号：201180026444.7
申请日：2011-05-31
复审请求人：
无效请求人：苹果电脑贸易（上海）有限公司
授权公告日：2015-09-16
审定公告日：
专利权人：高通股份有限公司
主审员：杜宇
合议组组长：熊婷
参审员：牛晓丽
国际分类号：G11C7/06，G11C11/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条、专利法第26条第3、4款、专利法实施细则第20条第2款、专利法第22条第2、3款
决定要点
：如果权利要求的技术方案与对比文件公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而该区别技术特征在其他对比文件中没有公开，也不能获得任何技术启示，也没有证据表明上述区别技术特征属于本领域的公知常识，而且该区别技术特征使该权利要求的技术方案产生了有益效果，则该权利要求的技术方案相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本专利的专利号为201180026444.7，优先权日为2010年06月01日，申请日为2011年05月31日，授权公告日为2015年09月16日，名称为“用于电阻式存储器的高速感测”，专利权人为高通股份有限公司。本专利授权公告时的权利要求书如下：
“1. 一种存储器设备，其包含：
感测电路，其包含：
第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，
其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电阻式存储器元件表示存储于所述存储器单元中的数据值，且所述第二单端输出电压指示所述第一电阻式存储器元件的所述数据值。
3. 根据权利要求2所述的设备，其中所述第一电阻式存储器元件表示存储于磁阻式随机存取存储器MRAM单元或自旋转移力矩MRAM STT-MRAM单元中的所述数据值。
4. 根据权利要求1所述的设备，其中所述第二放大器级未经配置以执行差分放大。
5. 根据权利要求1所述的设备，其中所述第二放大器级进一步包含耦合于电压供应器与接地之间的增益装置。
6. 根据权利要求5所述的设备，其中所述增益装置包含第一n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包含对所述第一单端输出电压作出响应的栅极。
7. 根据权利要求6所述的设备，其中所述第二单端输出电压为当启用读取线时在所述第一NMOS晶体管的漏极处所读取的电压。
8. 根据权利要求7所述的设备，其中所述晶体管为p沟道金属氧化物半导体PMOS 晶体管，其包含对所述参考电压作出响应的栅极、耦合到所述电压供应器的漏极及耦合到所述第一NMOS晶体管的所述漏极的源极；且其中所述增益装置进一步包含第二NMOS晶体管，其包含对所述读取线作出响应的栅极、耦合到所述第一NMOS晶体管的源极的漏极及耦合到所述接地的源极。
9. 根据权利要求6所述的设备，其中响应于所述第一电阻式存储器元件具有第一电阻，所述第二单端输出电压大致上等于接地电压，且其中响应于所述第一电阻式存储器元件具有第二电阻，所述第二单端输出电压大致上等于供应电压。
10. 根据权利要求6所述的设备，其中所述第一NMOS晶体管的所述栅极直接耦合到第一电阻负载，且其中对应于所述第一电流的初始值的所述第一单端输出电压的初始电压由所述第二放大器级放大。
11. 根据权利要求1所述的设备，其进一步包含用以存储所述第二单端输出电压的锁存器。
12. 根据权利要求1所述的设备，其中所述感测电路集成于至少一个半导体裸片中。
13. 根据权利要求12所述的设备，其进一步包含选自由机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元及计算机组成的群组的装置，所述感测电路集成到所述装置中。
14. 一种存储器设备，其包含：
感测电路，其包含：
第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，
其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点。
15. 根据权利要求14所述的设备，其中：
所述第二单端输出电压的数据低操作点处于当所述第一单端输出电压的第一值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第一数据值时供应到所述第二放大器级的接地电压；且
所述第二单端输出电压的数据高操作点处于当所述第一单端输出电压的第二值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第二数据值时供应到所述第二放大器级的供应电压。
16. 根据权利要求14所述的设备，其进一步包含第三放大器级，所述第三放大器级经配置以接收所述第二单端输出电压且以产生第三单端输出电压，其中：
所述第三单端输出电压的数据低操作点处于当所述第一单端输出电压的第一值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第一数据值时供应到所述第三放大器级的接地电压；且
所述第三单端输出电压的数据高操作点处于当所述第一单端输出电压的第二值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第二数据值时供应到所述第三放大器级的供应电压。
17. 根据权利要求16所述的设备，其中所述第二放大器级及所述第三放大器级中的每一者以大致上不多于一个栅极延迟的时间间隔产生输出。
18. 一种存储器设备，其包含：
感测电路，其包含：
第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，
其中所述第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变。
19. 根据权利要求18所述的设备，其中：
所述第一单端输出电压的第一值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第一数据值；
所述第一单端输出电压的第二值对应于存储于所述第一电阻式存储器元件处的第二数据值；且
在差分小于随着过程按比例缩放而增加的差分放大电压偏移时，发起所述平衡点的所述立即改变的所述第一电流的所述改变启用所述第二放大器级的操作。
20. 一种存储器设备，其包含：
感测电路，其包含：
第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，
其中所述第一放大器级的操作电流为参考电阻对的平均电流，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
21. 一种感测电路，其包含：
第一放大器装置，其用于基于传递通过电阻式存储器单元的第一电流而产生第一单端输出电压；及
第二放大器装置，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压表示所述电阻式存储器单元的数据输出，
其中所述第二放大器装置包含响应于参考电压的晶体管。
22. 根据权利要求21所述的感测电路，其中所述电阻式存储器单元包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元，且其中所述第一电流表示存储于所述MRAM单元中的数据值。
23. 根据权利要求21所述的感测电路，其中所述用于放大所述第一单端输出电压的第二放大器装置包含耦合于电压供应器与接地之间的增益装置。
24. 根据权利要求23所述的感测电路，其中所述增益装置包括n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有对所述第一单端输出电压作出响应的栅 极。
25. 根据权利要求24所述的感测电路，其中所述第二单端输出电压为当启用读取线时在所述NMOS晶体管的漏极处所读取的电压。
26. 根据权利要求23所述的感测电路，其中响应于传递通过所述电阻式存储器单元的所述第一电流具有第一值，所述第二单端输出电压大致上等于接地电压，且其中响应于传递通过所述电阻式存储器单元的所述第一电流具有第二值，所述第二单端输出电压大致上等于供应电压。
27. 根据权利要求21所述的感测电路，其进一步包含用以存储所述第二单端输出电压的装置。
28. 根据权利要求21所述的感测电路，其进一步包含用于放大所述第二单端输出电压的装置。
29. 一种感测数据值的方法，其包含：
放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值；及
基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的p沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
30. 根据权利要求29所述的方法，其中所述电流的初始改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变。
31. 根据权利要求29所述的方法，其中放大所述第一单端输出电压包含基于所述所存储数据值而将所述第一单端输出电压放大到接地电压或放大到供应电压。
32. 根据权利要求31所述的方法，其中在包含具有对所述第一单端输出电压作出响应的栅极的n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管的放大器级处执行放大所述第一 单端输出电压。
33. 根据权利要求32所述的方法，其进一步包含当启用读取线时在所述NMOS晶体管的漏极处读取所述第二单端输出电压。
34. 根据权利要求33所述的方法，其进一步包含响应于所述电阻式存储器元件具有第一电阻而在大致上等于所述接地电压的第一电压电平下呈现所述第二单端输出电压，以及响应于所述电阻式存储器元件具有第二电阻而在大致上等于所述供应电压的第二电压电平下呈现所述第二单端输出电压。
35. 根据权利要求29所述的方法，其中所述电阻式存储器元件表示磁阻式随机存取存储器MRAM或自旋转移力矩MRAM STT-MRAM的单元中的所述所存储数据值。
36. 根据权利要求29所述的方法，其进一步包含锁存所述第二单端输出电压。
37. 根据权利要求29所述的方法，其进一步包含放大所述第二单端输出电压。
38. 根据权利要求37所述的方法，其中在集成到电子装置中的存储器感测电路处执行所述第一单端输出电压的所述放大。
39. 一种感测数据值的方法，其包含：
第一步骤，其用于将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值；及
第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，且其中所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生。
40. 根据权利要求39所述的方法，其中在集成到电子装置中的放大器电路处执行所述第一步骤及所述第二步骤。
41. 一种感测数据值的方法，其包含：
接收包括对应于半导体装置的设计信息的数据文件；及
根据所述设计信息来制作所述半导体装置，其中所述半导体装置包含：
数据单元，其包括基于电阻的存储器元件；
第一放大器级，其耦合到所述数据单元，其中所述第一放大器级将通过所述基于电阻的存储器元件的电流转换成第一单端输出电压；及
第二放大器级，其放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压。
42. 根据权利要求41所述的方法，其中所述数据文件具有GDSII格式。
43. 根据权利要求41所述的方法，其中所述数据文件包括GERBER格式。”
苹果电脑贸易（上海）有限公司（下称请求人）于2018年08月13日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是：本专利说明书（对应于权利要求1-43）不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-43不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1-43不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1、14、18、20、21、29、39及41不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。请求宣告本专利权利要求1-43无效，同时提交了如下证据：
附件1：本专利的授权公告文本；
附件2：本专利的公开文本。
经形式审查合格，专利复审委员会于2018年08月14日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及证据副本转给了专利权人，同时成立合议组对本案进行审查。
2018年09月13日，请求人补充提交了无效理由以及如下证据：
证据1：专利号为US7031212B2的美国专利说明书及中文译文，授权公告日为2006年04月18日；
证据2：公开号为CN101221807A中国发明专利申请公布说明书，公开日2008年07月16日；
证据3：专利号为US6438051B1的美国专利说明书及中文译文，授权公告日为2002年08月20日；
证据4：公开号为US2002/0000840A1的美国专利说明书及中文译文，公开日为2002年01月03日；
证据5：公开号为CN1366677A中国发明专利申请公开说明书，公开日2002年08月28日；
证据6：专利号为US7813166B2的美国专利说明书及中文译文，授权公告日为2010年10月12日。
请求人认为：
1、本专利说明书不符合专利法第26条第3款的规定
根据本专利说明书的记载本专利要解决的技术问题是：如何减少存储器读取数据值的时间，提高系统的吞吐量。本专利主要采用的技术手段是：采用第一放大器级将通过存储器单元112的第一电阻式存储器元件114的电流116转换成第一单端输出电压120，第二放大器级130经配置以放大第一放大器级110的第一单端输出电压120以产生第二单端输出电压140。其中，响应于第一电阻式存储器元件114具有第一电阻，第二单端输出电压140大致上等于接地电压。另一方面，响应于第一电阻式存储器元件114具有第二电阻，第二单端输出电压140大致上等于第二放大器级130的供应电压。然而本专利说明书并未记载：第一放大器级如何实现根据存储器元件114的电流116转换成第一“单端”输出电压120，以及如何设定第一电阻或第二电阻的值，以实现第二放大器级响应于不同的电阻输出不同的电压。因此，本专利的说明书并未作出清楚、完整的说明，本领域技术人员根据说明书的内容，无法实现本专利权利要求1-43的技术方案。
2、权利要求1-43不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定
2.1权利要求1-13
权利要求1限定了特征“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求1的记载，不清楚如何实现“将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”。
权利要求1记载了特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压 以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器级的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现，更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。
权利要求1记载了特征“其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”，然而没有记载上述晶体管如何耦接于“第二放大器级”，因而无法确定其结构，以及如何响应参考电压。 因此，权利要求1不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求2-13也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.2权利要求14-17
权利要求14限定了特征“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求14的记载，不清楚如何实现“将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”。
权利要求14限定了特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器级的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现，更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。
权利要求14限定了“其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点”，并没有定义该“平衡点”含义，且也没有任何实现方式的说明，因而本领域技术人员不清楚上述特征的含义。
基于类似的理由，权利要求14的从属权利要求15-17也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.3权利要求18-19
权利要求18限定了特征“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求18的记载，不清楚如何实现“将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”。
权利要求18限定了特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器级的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现， 更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。
权利要求18限定了“其中所述第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变”，并没有定义该“平衡点”含义，且也没有任何实现方式的说明，因而本领域技术人员不清楚上述特征的含义。 因此，权利要求18不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求19也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.4权利要求20
权利要求20限定了特征“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求20的记载，不清楚如何实现“将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”。
权利要求20限定了特征“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器级的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现，更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。 因此，权利要求20不清楚，也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.5权利要求21-28
权利要求21限定了特征“第一放大器级，其用于基于传递通过电阻式存储器单元的第一电流而产生第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求21的记载，不清楚如何实现“基于传递通过电阻式存储器单元的第一电流而产生第一单端输出电压”。
权利要求21限定了特征“第二放大器装置，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器装置的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现，更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。
权利要求21记载了特征“其中所述第二放大器装置包含响应于参考电压的晶体管”，然而没有记载上述晶体管如何耦接于“第二放大器装置”，因而无法确定其结构，以及如何响应参考电压。 因此，权利要求21不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求22-28也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.6权利要求29-38
权利要求29限定了特征“放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求29的记载，不清楚如何实现上述特征。
权利要求29限定了特征“基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的P沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值”，然而权利要求并未记载如何配置参考电阻，使其中的第一电阻元件表示低逻辑数据值，第二电阻元件表示高逻辑数据值。因而本领域技术人员根据权利要求29的记载，不清楚如何实现上述特征。 因此，权利要求29不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求30-38也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.7权利要求39-40
权利要求39限定了特征“第一步骤，其用于将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求39的记载，不清楚如何实现“将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值”。
权利要求39限定了特征“第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，其中所述第二单元输出电压至少部分地基于参考电压产生”，然而没有记载该具体实现方式，因而本领域技术人员不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。 因此，权利要求39不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求40也不符合专利法第26条第4款的规定。
2.8权利要求41 -43
权利要求41限定了特征“第一放大器级，其耦合到所述数据单元，其中所述第一放大器级将通过所述 基于电阻的存储器元件的电流转换成第一单端输出电压”，然而并未记载其实现方式，本领域技术人员根据权利要求41的记载，不清楚如何实现“将通过所述基于电阻的存储器元件的电流转换成第一单端输出电压”。
权利要求41记载了特征“第二放大器级，其放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”，然而没有记载该第二放大器级的实现方式，本领域技术人员不清楚其如何实现，更不清楚如何配置使其“产生第二单端输出电压”。因此，权利要求41不清楚。
基于类似的理由，从属权利要求42-43也不符合专利法第26条第4款的规定。
3、权利要求1-43得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定
3.1权利要求1-13
权利要求1中“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”、“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压” 得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构且采用特定连接方式的第一、第二放大器级，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求1中简单记载了基本功能的第一、第二放大器级，以及第二放大器级中单个部件的感测电路所涵盖的全部具体实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求1的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求1得不到说明书支持。
从属权利要求2-13存在同样的问题。
3.2权利要求14 -17
权利要求14中“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”、“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构特定功能且采用特定连接方式的第一、第二放大器级，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求14简单记载了基本功能的第一、第二放大器级，以及仅简单限定了第二放大器级的电压平衡点的感测电路所涵盖的任意实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求14的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求14得不到说明书支持。
从属权利要求15-17存在同样的问题。
3.3权利要求18-19
权利要求18中“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”、“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构特定功能且采用特定连接方式的第一、第二放大器级，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求18简单记载了基本功能的第一、第二放大器级，以及仅简单限定了第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变所涵盖的任意实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求18的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求18得不到说明书支持。
从属权利要求19存在同样的问题。
3.4权利要求20
权利要求20中“第一放大器级，其经配置以将通过存储器单元的第一电阻式存储器元件的第一电流转换成第一单端输出电压”、“第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构特定功能且采用特定连接方式的第一、第二放大器级，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求20简单记载了基本功能的第一、第二放大器级，以及仅简单限定了第一放大器级的操作电流为参考电阻对的平均电流所涵盖的任意实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求20的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求20得不到说明书支持。
3.5权利要求21-28
权利要求21中“第一放大器装置，其用于基于传递通过电阻式存储器单元的第一电流而产生第一单端输出电压”、“第二放大器装置，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构且采用特定连接方式的第一、第二放大器装置，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求21中简单记载了基本功能的第一、第二放大器装置，以及第二放大器装置中单个部件的感测电路所涵盖的全部具体实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求21的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求21得不到说明书支持。
从属权利要求22-28存在同样的问题。
3.6权利要求29-38
权利要求29中“放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值”、“基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的P沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构且采用特定连接方式的参考电路，其与第一、第二放大器级共同以特定的操作方式实现存储数据的输出，其中，参考电阻以及负载装置均在电路结构中具有特定的设置，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求29的上述特征所涵盖的所有具体方式均能能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求29的上述特征无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求29得不到说明书支持。
从属权利要求30-38存在同样的问题。
3.7权利要求39-40
权利要求39中的“第一步骤，其用于将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值”、“第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值”得不到说明书支持。
本专利说明书记载了具有特定结构且采用特定连接方式的第一、第二放大器级以特定的操作方式实现存储数据的输出，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求39简单仅记载了基本功能的操作方式所涵盖的所有具体方式均能能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求39的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求39得不到说明书支持。
从属权利要求40存在同样的问题。
3.8权利要求41-43
权利要求41中“第一放大器级，其耦合到所述数据单元，其中所述第一放大器级将通过所述基于电阻的存储器元件的电流转换成第一单端输出电压”、“第二放大器级，其放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压”得不到说明书的支持。
本专利说明书记载了具有特定结构且采用特定连接方式的第一、第二放大器级，而本领域技术人员难以预见采用如权利要求41中简单记载了基本功能的第一、第二放大器级，以及第二放大器级中单个部件的感测电路所涵盖的全部具体实现方式均能够实现本专利的技术方案，解决其技术问题。因此，权利要求41的技术方案整体无法从说明书充分公开的内容得到或概括得出，权利要求41得不到说明书支持。
从属权利要求42-43存在同样的问题。
4、权利要求1、14、18、20、21、29、39及41缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定
本专利要解决的技术问题是：如何减少存储器读取数据值的时间，提高系统的吞吐量。为解决上述技术问题，本专利说明书记载了具有特定结构特定功能且采用特定连接方式的第一、第二放大器级（或第一、第二放大器装置）（数据电路感测电路、增益电路），因此，第一、第二放大器级（或第一、第二放大器装置）的具体结构，以及相互的连接关系以及操作方式均为要解决其技术问题所不可缺少的必要技术特征。因而权利要求1、14、18、20、21、29、39、41均没有完整记载上述技术特征，因此1、14、18、20、21、29、39、41缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。
5.权利要求1-13、21-28、39-40修改超范围，不符合专利法第33条的规定。
5.1权利要求1-13，21-28
权利要求1包括修改的特征“其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”，然而上述晶体管如何耦接于“第二放大器级”没有记载在原权利要求书和说明书中，且权利要求1并未限定其在电路中的具体结构，因而其涵盖了所有的实现结构，然而本专利说明书仅记载了在电路中具有特定耦接方式的晶体管252，因而该涵盖任意实现方式的晶体管无法从原说明书和权利要求书的记载中直接地、毫无疑义地确定。因此，权利要求1修改超范围。基于类似的理由，权利要求21同样修改超范围
基于相同的理由，权利要求2-13，22-28也不符合专利法第33条的规定。
5.2权利要求39-40修改超范围，不符合专利法第33条的规定。
权利要求39包括修改的特征“其中所述第二单元输出电压至少部分地基于参考电压产生”，上述特征并未记载在原说明书和权利要求书中，且权利要求39并未限定输出电压的具体产生方式，因而其涵盖了所有的产生方式，然而说明书仅记载了特定方式，因而该涵盖任意实现方式的特征无法从原说明书和权利要求书的记载中直接地、毫无疑义地确定。 因此，权利要求39修改超范围。
基于类似的理由，权利要求40同样修改超范围。
6、权利要求1-43不具备新颖性和创造性
6.1权利要求1、2、3、4、11、21、22、27、39、40相对于证据1不具备新颖性
6.2权利要求1-13不具备创造性
6.2.1权利要求1
6.2.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求1与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管”。
证据3公开了上述区别技术特征。权利要求1相对于证据2和证据3的结合、相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别技术特征。权利要求1相对于证据2和证据4的结合、相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别技术特征，权利要求1相对于证据2和证据1的结合、相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.2.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求1与证据5相比，至多存在区别：“第二放大器级产生第二单端输出电压”。
证据3公开了上述区别技术特征。权利要求1相对于证据5和证据3的结合、相对于证据5、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别技术特征。权利要求1相对于证据5和证据4的结合、相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别技术特征。权利要求1相对于证据5和证据1的结合、相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.2.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求1的所有技术特征被证据1公开，即使专利权人认为权利要求1与证据1相比，存在区别：如(1)“参考电压”(2)电阻式存储器单元。上述区别特征(1)被证据3或4所公开，上述区别特征(2)被证据2或5所公开，此外，上述区别特征(1)和(2)也属于本领域的公知常识。
因此，权利要求1相对于证据1结合证据2或证据5，证据1结合证据2或5结合公知常识，证据1结合证据3或4，证据1结合证据3或4结合公知常识，证据1结合证据2或5结合证据3或4，证据1结合公知常识均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.2.2权利要求2-13
权利要求2的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2、证据5所公开。
权利要求3的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2所公开。
权利要求4、6、7的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据4所公开。
权利要求5、8的附加技术特征是公知常识，或分别被证据3、证据4、或证据1结合公知常识所公开。
权利要求9、10的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2、证据4所公开。
权利要求11的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3所公开。
权利要求12、13的附加技术特征是公知常识，或被证据6所公开。
6.3权利要求14-17不具备创造性
6.3.1权利要求14
6.3.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求14与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点”。
证据3公开了上述区别技术特征。权利要求14相对于证据2和证据3的结合、相对于证据2和证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别技术特征，权利要求14相对于证据2和证据4的结合、相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别技术特征，权利要求14相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.3.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求14与证据5相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求14相对于证据5和证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求14相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别技术特征，权利要求14相对于证据5和证据1的结合、相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.3.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求14与证据1相比，存在的区别技术特征为：将所述第二放大器级设置为具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点。而该区别技术特征为本领域的公知常识。 即使专利权人认为权利要求14与证据1相比，还存在区别：如电阻式存储器单元，上述区别特征被证据2或5所公开，此外，上述区别特征也属于本领域的公知常识。因此，权利要求14相对于证据1结合公知常识，证据1结合证据2或5结合公知常识，均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.3.2权利要求15-17
权利要求15的附加技术特征是公知常识，或分别被证据2、证据4所公开。
权利要求16的附加技术特征是公知常识。
权利要求17的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据4所公开。
6.4权利要求18-19不具备创造性
6.4.1权利要求18
6.4.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求18与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.4.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求18与证据5相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)其中所述第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据5和证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求18相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.4.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求18与证据1相比，存在的区别技术特征为：“其中所述第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变”。而该区别技术特征为本领域的公知常识。 即使专利权人认为权利要求18与证据1相比，还存在区别：如电阻式存储器单元，上述区别特征被证据2或5所公开，此外，上述区别特征也属于本领域的公知常识。因此，权利要求18相对于证据1结合公知常识，证据1结合证据2或5结合公知常识， 均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.4.2权利要求19
权利要求19的附加技术特征是公知常识，或分别被证据2、证据4所公开。
6.5权利要求20不具备创造性
6.5.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求20与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第一放大器级的操作电流为参考电阻对的平均电流，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据2和证据3的结合、相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据2和证据4的结合、相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据2和证据1的结合、相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.5.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求20与证据5相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据5和证据3、相对于证据5、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据5和证据4、相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求20相对于证据1和证据5、相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.5.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求20与证据1相比，存在的区别技术特征为：其中所述第一放大器级的操作电流为参考电阻对的平均电流，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。而该区别技术特征为本领域的公知常识。而该区别技术特征为本领域的公知常识。即使专利权人认为权利要求20与证据1相比，还存在区别：如电阻式存储器单元，上述区别特征被证据2或5所公开，此外，上述区别特征也属于本领域的公知常识。因此，权利要求20相对于证据1结合公知常识，证据1结合证据2或5结合公知常识， 均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.6权利要求21-28不具备创造性
6.6.1权利要求21
6.6.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求21与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器装置，以产生第二单端输出电压”和(2)“其中所述第二放大器装置包含响应于参考电压的晶体管”。
证据3公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据2和证据3的结合、相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据2和证据4的结合、相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据2和证据1的结合、相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.6.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求21与证据5相比，至多存在区别：“第二放大器级产生第二单端输出电压”。
证据3公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据5和证据3的结合、相对于证据5和证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据5和证据4的结合、相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别特征。权利要求21相对于证据5和证据1的结合、相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.6.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求21的所有技术特征被证据1公开，即使专利权人认为权利要求21与证据1相比，存在区别：如(1)“参考电压”(2)电阻式存储器单元，上述区别特征(1)被证据3或4所公开，上述区别特征(2)被证据2或5所公开，此外，上述区别特征(1)和(2)也属于本领域的公知常识。因此，权利要求21相对于证据1结合证据2或证据5，证据1结合证据2或5结合公知常识，证据1结合证据3或4，证据1结合证据3或4结合公知常识，证据1结合证据2或5结合证据3或4，证据1结合公知常识均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.6.2权利要求22-28
权利要求22的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2所公开。
权利要求23的附加技术特征是公知常识，或分别被证据3、证据4、证据1结合公知常识所公开。
权利要求24、25的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据4所公开。
权利要求26的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2、证据4所公开。
权利要求27的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据5所公开。
权利要求28的附加技术特征是公知常识。
6.7权利要求29-38不具备创造性
6.7.1权利要求29
6.7.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求29与证据2相比，至多存在区别：（1)“产生第二单端输出电压”，(2)“基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的P沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置”和(3)其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.7.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求29与证据5相比，至多存在区别：(1)“产生第二单端输出电压”，(2)“基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的P沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置”和(3)其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据5、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求29相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.7.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求29与证据1相比，至多存在区别：(1)其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。该区别技术特征为本领域的公知常识。 即使专利权人认为权利要求29与证据1相比，还存在区别：如电阻式存储器单元，上述区别特征(2)被证据2或5所公开。此外，上述区别特征也属于本领域的公知常识。因此，权利要求20相对于证据1结合公知常识，证据1结合证据2或5，证据1结合证据2或5结合公知常识，均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.7.2权利要求30-38
权利要求30、37的附加技术特征是公知常识。
权利要求31的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2、证据4所公开。
权利要求32、33的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据4所公开。
权利要求34的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2、证据4所公开。
权利要求35的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据2所公开。
权利要求36的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据3、证据4所公开。
权利要求38的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据6所公开。
6.8权利要求39-40不具备创造性
6.8.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求39与证据2相比，至多存在区别：(1)“产生第二单端输出电压”和(2)“所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生”。
证据3公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据2和证据3的结合、、相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据2和证据4的结合、相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据2和证据1的结合、相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.8.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求39与证据5相比，至多存在区别：(1)“产生第二单端输出电压”和(2)“所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生”。
证据3公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据5和证据3的结合、相对于证据5、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据4公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据5和证据4的结合、相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
证据1公开了上述区别特征。权利要求39相对于证据5和证据1的结合、相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.8.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求39的所有技术特征被证据1公开，即使专利权人认为权利要求39与证据1相比，存在区别：如(1)“参考电压”和(2)电阻式存储器单元，上述区别特征(1)被证据3或4所公开，上述区别特征(2)被证据2或5所公开，此外，上述区别特征(1)和(2)也属于本领域的公知常识。 因此，权利要求39相对于证据1结合证据2或证据5，证据1结合证据2或5结合公知常识，证据1结合证据3或4，证据1结合证据3或4结合公知常识，证据1结合证据2或5结合证据3或4，证据1结合公知常识均不具备专利法第22条第3款的创造性。
6.8.2权利要求40
权利要求40的附加技术特征是公知常识，或分别被证据1、证据6所公开。
6.9权利要求41-43不具备创造性
6.9.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求41与证据2相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”， (2)“接收包括对应于半导体装置的设计信息的数据文件；及根据所述设计信息来制作所述半导体装置”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据2、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据2、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据2、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.9.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求41与证据5相比，至多存在区别：(1)“第二放大器级，产生第二单端输出电压”，(2)“接收包括对应于半导体装置的设计信息的数据文件；及根据所述设计信息来制作所述半导体装置”。
上述区别特征被证据3结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据5、证据3和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据4结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据5、证据4和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
上述区别特征被证据1结合公知常识所公开。权利要求41相对于证据5、证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.9.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求41与证据1相比，至多存在区别：(1)“接收包括对应于半导体装置的设计信息的数据文件；及根据所述设计信息来制作所述半导体装置”。而通过相应的设计信息的数据文件来制造半导体装置是本领域技术人员的常规技术手段。因此本领域技术人员可以结合证据1和公知常识以进一步得到权利要求41技术方案的启示。因此，权利要求41相对于证据1和公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6.9.2权利要求42-43
权利要求42-43的附加技术特征是公知常识。
2018年09月20日，合议组将请求人于2018年09月13日提交的意见陈述书及其附件转送给专利权人。
2018年09月28日，专利权人针对上述无效宣告请求提交了意见陈述书，专利权人认为：（1）本专利说明书均给出了清楚、完整的说明，本领域技术人员根据本专利说明书的记载，即可实现本专利权利要求1-43所对应的技术方案，因此，本专利说明书符合专利法第26条第3款的规定。（2）权利要求1-43保护范围清楚，能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。（3）权利要求1、14、18、20、21、29、39、41不缺少必要技术特征，符合专利法实施细则第20条第2款的规定。
2018年10月19日，合议组将专利权人于2018年09月28日提交的意见陈述书及其附件转送给请求人。
2018年11月05日，专利权人针对请求人于2018年09月13提交的意见陈述书及附件提交了意见陈述书。专利权人认为：（1）本专利说明书均给出了清楚、完整的说明，本领域技术人员根据本专利说明书的记载，即可实现本专利权利要求1-43所对应的技术方案，因此，本专利说明书符合专利法第26条第3款的规定。（2）权利要求1-43保护范围清楚，能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。（3）权利要求1、14、18、20、21、29、39、41不缺少必要技术特征，符合专利法实施细则第20条第2款的规定。（4）权利要求1-13、21-28、39-40的修改未超出原始公开的范围，符合专利法第33条的规定。（5）权利要求1-13、21-28、39-40相对于证据1符合专利法第22条第2款的规定。（6）请求人所主张的证据组合方式均无法影响本专利权利要求1-43的创造性。因此，权利要求1-43具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款的规定。同时专利权人针对请求人提交的证据1、证据3、证据4提出译文异议，并对有异议的部分提交了中文译文。
专利复审委员会本案合议组于2018年12月06日向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2019年01月25日举行口头审理。
2019年01月10日，合议组将专利权人于2018年11月05日提交的意见陈述书及其附件转送给请求人。
口头审理如期举行，双方当事人均出席了本次口头审理。在口头审理过程中明确了如下事项：
1、请求人明确无效理由为：本专利说明书不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-43保护范围不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1-43得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1、14、18、20、21、29、39、41不符合专利法实施细则第20条第2款的规定；权利要求1-13、21-28、39-40不符合专利法第33条的规定；权利要求1、2、3、4、11、21、22、27、39、40不符合专利法第22条第2款的规定；权利要求1-43不符合专利法第22条第2、3款的规定。
2、请求人当庭提交3份公知常识性证据（编号续前）：
证据7：《CMOS模拟电路设计》第二版英文版，电子工业出版社，2006年06月第2版、2006年06月第1次印刷，以及中文译文；
证据8：《CMOS大规模集成电路设计》第三版英文版，机械工业出版社，2005年05月第1版第1次印刷，以及中文译文；
证据9：《电子技术基础》模拟部分（第三版），高等教育出版社，1979年03月第1版，1988年05月第3版，1998年08月第10次印刷。
3、专利权人对证据1-5、7-9的真实性和公开日期无异议，认可证据7-9可以作为公知常识性证据；专利权人认为证据6的公开时间晚于本专利的优先权日；专利权人对证据1、3、4的中文译文有异议。请求人表示放弃证据6以及与其相关的无效理由；关于中文译文异议，请求人表示证据1的第3栏第38-40行的中文译文以其提交的为准，除此之外的其他中文译文以专利权人提交的为准。专利权人表示认可请求人关于中文译文的意见。
4、关于本专利的方案和证据1-5、7-9公开的内容及其与本专利方案的对比，双方当事人当庭进一步充分陈述了各自的意见，口头审理结束之后合议组不再接受双方当事人的任何意见和证据。
2019年02月03日，专利权人提交了意见陈述书。
2019年02月13日，请求人提交了意见陈述书。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查基础
由于专利权人在无效宣告请求程序中没有对专利文件进行修改，本次无效宣告审查决定所依据的文本为本专利的授权公告文本。
2、证据认定
证据1-5为专利文献，专利权人对其真实性和公开日期无异议，合议组也未发现影响其真实性的瑕疵，因此对其真实性和公开日期予以认可。由于其公开日早于本专利优先权日，因此证据1-5可作为现有技术评述本专利的新颖性和创造性。
证据7-9为教科书类书籍，属于公开出版物，专利权人对其真实性和公开日期无异议，并认可证据7- 9可作为公知常识性证据，合议组亦未发现影响证据7- 9真实性和公开日期的瑕疵，故合议组认可证据7-9的真实性和公开日期，且证据7-9为公开日期在本专利申请日之前的教科书，因此证据7-9可作为公知常识性证据使用。
3、关于专利法第26条第3款
专利法第26条第3款：说明书应当对发明或者实用新型作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准；必要的时候，应当有附图。摘要应当简要说明发明或者实用新型的技术要点。
根据本专利说明书公开的内容（本专利说明书第0018段）：感测电路100包括耦合到第二放大器级130的第一放大器级110。第一放大器级110经配置以将通过存储器单元112的第一电阻式存储器元件114的电流116转换成第一“单端”输出电压120。与包括彼此进行比较的两个信号的差分信号相比较，可在将信号与固定电压(例如，接地电压)进行比较时将所述信号称为单端的。第二放大器级130经配置以放大第一放大器级110的第一单端输出电压120以产生第二单端输出电压140。第二单端输出电压140指示第一电阻式存储器元件114的数据值。响应于第一电阻式存储器元件114具有第一电阻，第二单端输出电压140大致上等于接地电压。另一方面，响应于第一电阻式存储器元件114具有第二电阻，第二单端输出电压140大致上等于第二放大器级130的供应电压。本领域技术人员可知，通过第一放大器级来实现电流到第一单端输出电压的转换，相应于第一电阻式存储元件具有的第一电阻或第二电阻，以在第二放大器级的输出端产生不同的第二单端输出电压，并且根据本专利说明书的上述记载，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及第一电阻式存储元件。本领域技术人员根据本专利说明书中的具体实施例能够实现本专利权利要求的技术方案，本专利说明书对本专利权利要求保护的技术方案进行了清楚完整的说明，本专利说明书符合专利法第26条第3款的规定。
关于专利法第26条第4款
专利法第26条第4款规定：权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
（1）关于权利要求1-13，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及第一电阻式存储元件。本领域技术人员根据本专利说明书中的具体实施例可以理解权利要求1的技术方案，因此权利要求1的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求1保护的技术方案，权利要求1能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求1符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（2）关于权利要求14-17，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及第一电阻式存储元件。并且权利要求14已经明确记载了第二放大器级具有平衡点，该平衡点是在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电平之间的大约一半处，本领域技术人员能够清楚平衡点的含义，并清楚如何进行设置。综上所述，权利要求14的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求14保护的技术方案，权利要求14能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求14符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（3）关于权利要求18-19，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及第一电阻式存储元件。并且权利要求18已经明确记载了第二放大器级具有平衡点，该平衡点是在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电平之间的大约一半处，本领域技术人员能够清楚平衡点的含义，并清楚如何进行设置。综上所述，权利要求18的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求18保护的技术方案，权利要求18能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求18符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（4）关于权利要求20，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及第一电阻式存储元件。本领域技术人员根据本专利说明书中的具体实施例能够实现本专利权利要求的技术方案，因此权利要求20的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求20保护的技术方案，权利要求20能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求20符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（5）关于权利要求21-28，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器装置以及电阻式存储元件。并且权利要求21已经明确记载了第二放大器级包含相应于参考电压的晶体管，本领域技术人员能够清楚楚如何设置该晶体管。综上所述，权利要求21的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求21保护的技术方案，权利要求21能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求21符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（6）关于权利要求29-38，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何获得第一单端电压，以及如何设置电阻式存储元件。并且权利要求29已经明确记载了放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值；及基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的p沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。本领域技术人员能够清楚如何设置第二单端输出电压指示所存储数据值，以及如何设置参考电阻。综上所述，权利要求29的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求29保护的技术方案，权利要求29能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求29符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（7）关于权利要求39-40，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何获得第一单端电压，以及如何设置电阻式存储元件。并且权利要求39已经明确记载了将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值；及放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，且其中所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生。本领域技术人员能够清楚如何设置第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值、如何设置第二单端输出电压指示所存储数据值，以及如何基于参考电压产生第二单端输出电压。综上所述，权利要求39的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求39保护的技术方案，权利要求39能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求39符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
（8）关于权利要求41-43，参见本决定第3点“关于专利法第26条第3款”的评述，本领域技术人员清楚如何设置第一、第二放大器级以及基于电阻的存储元件。本领域技术人员根据本专利说明书中的具体实施例能够实现本专利权利要求的技术方案，因此权利要求41的保护范围是清楚的，并且本领域技术人员根据说明书记载能够得到或概括得到权利要求41保护的技术方案，权利要求41能够得到说明书的支持，因此，本专利权利要求41符合专利法第26条第4款的规定。基于引用关系其从属权利要求也是清楚的，也能够得到说明书的支持。
5、关于专利法实施细则第20条第2款
专利法实施细则第20条第2款规定：独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。
本专利所要解决的技术问题是：减少使感测放大器感测表示所存储数据值的电压已从参考电压分歧以识别所存储数据值的时间。放大表示流动通过电阻式存储器元件的电流电平的第一单端电压输出的增益级或放大器在各轨之间快速地驱动第二单端输出电压(即，到供应电压的电平或接地的电平)，以快速地提供输出以识别所存储数据值。权利要求1、14、18、20、21、41已经清楚地限定了第一、二放大器级、电阻式存储器元件连接关系，也限定了由第一单端电压输出由第二放大器级放大产生第二单端输出电压，通过这样的设置，第二放大器级执行单端输出电压放大，而非差分放大，在不等待相应输入电压安定且不等待输出电压从参考电压分歧的情况下，电流的改变快速地导致第一单端输出电压的改变。电流及单端输出电压的改变又导致第二单端输出电压的立即或大致上立即改，第二放大器级可使得能够在无与差分感测放大器或其它差分电压比较相关联的延迟的情况下产生第二单端输出电压，从而能够解决本专利要解决的技术问题。因此权利要求1、14、18、20、21、41中对技术方案的记载能够解决本专利所要解决的技术问题，并获得了相应的技术效果，因此，本专利权利要求1、14、18、20、21、41并不存在缺少解决其技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
权利要求29、39已经清楚地限定了第一、二单端输出电压、电阻式存储器元件之间的关系，也限定了将第一单端电压输出放大产生第二单端输出电压，基于与权利要求1、14、18、20、21、41相同的理由，权利要求29、39也不存在缺少解决其技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
6、关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
（1）本专利原说明书第0031段记载了：增益电路250（类似于参考电流感测电路202的路径210及220以及数据电流感测电路240的数据路径241）包括P-FET负载252及读取启用晶体管253。增益装置260被说明为第一NMOS晶体管260，其中漏极耦合到P-FET负载252的源极，源极耦合到读取启用晶体管253的漏极，且栅极耦合到第二参考节点264。增益装置260对第一单端输出电压249作出响应。在一个实施例中，P-FET负载252具有对参考电压作出响应的栅极、耦合到电压供应器201的漏极及耦合到第一NMOS晶体管260的漏极的源极。读取启用晶体管253的栅极耦合到读取线227，以将第一NMOS晶体管260的源极选择性地耦合到接地。当启用读取线227时，在NMOS增益晶体管260的漏极处读取第二单端输出电压259。由上述内容可以直接地、毫无疑义地确定说明书记载的第二放大器装置必然包含响应于参考电压的晶体管，因此，权利要求1、21中作出的相应修改并未超出原说明书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
基于相同的理由，权利要求1、21其各自的从属权利要求也符合专利法第33条的规定。
（2）本专利原说明书第0031段记载了：增益电路250（类似于参考电流感测电路202的路径210及220以及数据电流感测电路240的数据路径241）包括P-FET负载252及读取启用晶体管253。增益装置260被说明为第一NMOS晶体管260，其中漏极耦合到P-FET负载252的源极，源极耦合到读取启用晶体管253的漏极，且栅极耦合到第二参考节点264。增益装置260对第一单端输出电压249作出响应。在一个实施例中，P-FET负载252具有对参考电压作出响应的栅极、耦合到电压供应器201的漏极及耦合到第一NMOS晶体管260的漏极的源极。读取启用晶体管253的栅极耦合到读取线227，以将第一NMOS晶体管260的源极选择性地耦合到接地。当启用读取线227时，在NMOS增益晶体管260的漏极处读取第二单端输出电压259。由上述内容可以直接地、毫无疑义地确定说明书记载的第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生，因此，权利要求39中作出的相应修改并未超出原说明书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
基于相同的理由，权利要求39的从属权利要求也符合专利法第33条的规定。
7、关于专利法第22条第2款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
7.1关于权利要求1
权利要求1保护一种存储器设备，证据1公开了一种双读取级读出放大器，并公开了以下技术特征（参见证据1中文译文第1、2、5栏、图1、3）：本发明涉及存储器单元读出放大器，特别地，可应用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器.更特别地，本发明涉及读出放大器，所述读出放大器包括直接或间接链接至存储单元的读取节点，连接至读取节点并且包括用于在读取节点处供应读取电流的装置的第一激活分支，和链接至第一激活分支的一个节点的数据输出，所述节点处呈现代表存储器单元的传导状态的电压。
图1示出典型读出放大器SA1的架构。在图1和本申请的其余部分中，通过以“TP”开头的元件符号来表示PMOS型晶体管，而通过以“TN”开头的元件符号来表示NMOS型晶体管。读出放大器SAI包括控制级CTLST1、具有读取节点RND的读取级RDST1，和具有输出节点SOUT的输出级OUTST，所述三个级由电压Vcc电气地供电。
控制级CTLST1包括串联的晶体管TP1、TP2、TN1，和与晶体管TN1并联的晶体管TN2。晶体管TP1在其源极接收电压Vcc，在其栅极接收参考电压Vref，并且其漏极连接至晶体管TP2的源极。晶体管TP2在其栅极接收信号ENABLE，并且其漏极连接至晶体管TN1、TN2的漏极，所述晶体管TN1、TN2的源极接地。晶体管TN1的栅极连接至读取节点RND，并且晶体管TN2的栅极接收信号ENABLE。读取级RDST1包括晶体管TP3和与晶体管TP3串联的共源共栅晶体管TN3。晶体管TP3在其源极接收电压Vcc，并且在其栅极接收电压Vref。晶体管TP3的漏极连接至晶体管TN3的漏极，在所述漏极处呈现施加至输出级OUTST的电压VMID1。晶体管TN3的源极连接至读取节点RND，在所述读取节点RND处呈现电压VSENSE。晶体管TN3的栅极接收从控制级的晶体管TP2的漏极输出的共源共栅电压VC1。读取级RDST1还包括预载晶体管TP4，所述预载晶体管TP4的源极接收电压Vee，其栅极接收预载控制信号PRE，并且其漏极链接至晶体管TN3的漏极。
当达到电压VSENSE的已确定值时，晶体管TN1变为接通。电压VC1下降，并且稳定在某一值，由此使得，首先，晶体管TP1、TN1的电流相等，其次，晶体管TN3供应至读取节点的电流对应于晶体管FGT在位线中时间的电流Icell。
图3示出根据本发明的读出放大器SA2。与图1相关的上述元件以相同元件符号表示。
读出放大器SA2包括控制级CTLST2、读取级RDST2Z和输出级OUTST。所述输出级与图1中的输出级相同。如上文所述，读出放大器由激活信号ENABLE、锁存信号LATCH和预载信号PRE控制，并且包括链接至存储器单元MCELL的读取节点RND，以及根据存储器单元的传导状态通过1（Vcc）或0（接地（ground））传递逻辑信号DATA的输出SOUT。
如上文所述，控制级CTLST2包括以相同方式布置的晶体管TP1、TP2、TN1、TN2。因此，晶体管TP1在其源极接收电压Vcc。，并且在其栅极接收电压Vref，晶体管TN2、TP2在其栅极接收信号ENABLE，并且晶体管TN1的栅极连接至读取节点RND。
类似于典型读出放大器的级RDST1，读取级RDST2包括由信号PRE驱动的预载晶体管TP4，以及串联的晶体管TP3、TN3，从而形成第一激活分支。晶体管TP3在其源极接收电压Vcc，并且在其栅极接收电压Vref，晶体管TN3在其栅极接收从晶体管TN1的漏极输出的控制电压VC1，并且其源极连接至读取节点RND。如上文所述，电压VMID1从晶体管TN3的漏极（即，晶体管TP3的漏极）输出，并且施加至级OUTST。所述电压VMID1代表存储器单元的传导状态，从而代表存储器单元中所存储的数据。
证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求1的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求1与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求1所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。由于证据1没有完全公开权利要求1的技术方案，权利要求1与证据1存在区别，权利要求1与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同，因此权利要求1相对于证据1符合专利法第22条第2款关于新颖性的规定。
7.2关于权利要求2、3、4、11
权利要求2、3、4、11是独立权利要求1的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备新颖性无效理由是在权利要求1不具备新颖性基础上提出的，因此，鉴于权利要求1不具备新颖性不成立，权利要求2、3、4、11不具备新颖性无效理由也不成立。
7.3关于权利要求21
权利要求21保护一种感测电路，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求21的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求21与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求21所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。由于证据1没有完全公开权利要求21的技术方案，权利要求21与证据1存在区别，权利要求21与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同，因此权利要求21相对于证据1符合专利法第22条第2款关于新颖性的规定。
7.4关于权利要求22、27
权利要求22、27是独立权利要求21的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备新颖性无效理由是在权利要求21不具备新颖性基础上提出的，因此，鉴于权利要求21不具备新颖性不成立，权利要求22、27不具备新颖性无效理由也不成立。
7.5关于权利要求39
权利要求39保护一种感测数据值的方法，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求39的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求39与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求39所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。由于证据1没有完全公开权利要求39的技术方案，权利要求39与证据1存在区别，权利要求39与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同，因此权利要求39相对于证据1符合专利法第22条第2款关于新颖性的规定。
7.6关于权利要求40
权利要求40是独立权利要求39的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备新颖性无效理由是在权利要求39不具备新颖性基础上提出的，因此，鉴于权利要求1不具备新颖性不成立，权利要求40不具备新颖性无效理由也不成立。
8、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
8.1关于权利要求1
8.1.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求1保护一种存储器设备，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（参见证据2说明书第4、5、7、8、14、15、16、20、21页、图1-19）：根据本发明的一种半导体存储器器件包括在两条布线之间具有可变电阻元件的存储器单元（相当于权利要求1的第一电阻式存储器元件）、读出线、以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路（相当于权利要求1的感测电路）。
另外，在本实施例中，读出放大器电路包括差动(differential)读出放大器，该差动读出放大器具有第一和第二差动输入，而且将参考电压供应给其第二差动输入。读出放大器电路还包括上拉(pull-up)部分、读选通晶体管(readgatetransistor)以及阈值校正部分。
上拉部分把第一差动输入上拉至恒定电压。
读选通晶体管被连接在读出线和第一差动输入之间。如果对应于单元电流、读出线电位下降到低于初始电压，则这一晶体管导通。
阈值校正部分生成电压，通过接通或者断开给定晶体管的二极管连接，来生成从初始电压校正的电压，给定晶体管的阈值电压对所述读出线的电位的影响将被消除。然后，该部分把校正后的电压施加到读选通晶体管的控制端。
图16是在预充电状态下的读出放大器的电路图；
图17是在放电状态下的读出放大器的电路图；
图18是在动态保持状态下的读出放大器的电路图；
图19是在读出开始状态下的读出放大器的电路图；
图14A图示了源极线读驱动器7S、位线读出放大器7B、源极线写驱动器10S和位线写驱动器10B的电路配置，以及这些电路与存储器单元之间的连接的示例。图14B图示了位线读出放大器7B的放大的视图。
根据本实施例的位线读出放大器7B包括5个PMOS晶体管71P、72P、73P、74P以及75P；4个NMOS晶体管71N、74N、75N以及76N；反相器INV；电容器C以及差动读出放大器DAMP。
差动读出放大器DAMP是读出放大器的放大电路。把参考电压VREF馈送到反相的输入“-”，以及把输入电压VIN馈送到其非反相的输入“ ”
图19所示的PMOS晶体管74P和NMOS晶体管74N均导通。这形成了存储器单元MC(M，M)的单元电流Icell的流动路径。因此，与隧道磁致电阻元件TMR的电阻相当的单元电流Icell从供应源、即输入电压VIN流出。单元电流Icell通过均导通的NMOS晶体管75N和74N流至存储器单元MC(M，M)。
此时，根据单元电流Icell的量值，NMOS晶体管75N的漏极电位(输入电压VIN)相对其源极电位而变化。输入电压VIN的设置节点适合于把单元电流Icell（相当于权利要求1的第一电流）变换成电压。其电位取决于单元电流。
通过下列设置，补偿输入电压VIN的电压降。即，PMOS晶体管74P导通。然后，通过PMOS晶体管74P和被二极管连接的PMOS晶体管75P（相当于权利要求1的第一放大器极），把电流I供应到输入电压VIN。
另一方面，差动读出放大器DAMP接收依赖于单元电流Icell和参考电压VREF的输入电压VIN，作为差动输入。该放大器DAMP把两个差动输入之间的差放大，以生成输出VOUT。由图12所示的电能生成器12生成参考电压VREF，并且将其馈送至差动读出放大器DAMP的反相输入“-”。当单元电流流经处于高和低电阻状态之间的中间电阻状态的隧道磁致电阻元件TMR时，生成等于输入电压VIN的值的参考电压VREF。
由上可知，权利要求1与证据2相比存在以下区别：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级包含响应于参考电压的晶体管。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求1的第二放大器级仅接收第一放大器级的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器级感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器级直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求1的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构，（参见证据3中文译文第1-4栏、图1-5）：本发明的目的是提供一种稳定直接感测存储器架构，其对直接感测电路提供过程、电压和温度（PVT）补偿以增加制造产量，且独立于制造容限而扩展所述直接感测电路的操作电压和温度范围。
图5图示如图2中说明的V_x产生器电路，所述V_x产生器电路响应于V_blref输入信号且产生V_x输出信号，V_x输出信号作为控制输入施加到DRAM阵列中的每一SDS感测放大器。
图1图示稳定直接感测（SDS）放大器电路的基本实施方案，所述放大器电路不具有任何增益且具有简单反相器输出。此电路与类似于图3的模仿偏置产生器电路结合提供了对由PVT变化造成的问题的解决方案。在此实施方案中，输出锁存器是简单反相器INV，且使用受控电流源PFET晶体管T14来将电流注入DL节点或从DL节点汲取电流。从电流源供应的电流量由V_x参考输入控制，所述参考输入由类似于图3的模仿偏置产生器电路提供。
参见图1，在位线_0和位线_1处的位线输入分别连接到NFET装置T18、T20。使用额外的串联NFET装置T17、T19来选择偶数或奇数位线用于感测。
图1的电路提供单端感测放大器，其中放大器基本上是共同源极NFET配置T18或T20，具有由PFET T14提供的可调整电流源负载。PFET电流源被自动调整以使NFET放大器T18或T20处于操作范围中，以提供叠加于位线预充电电压上的小信号的最大放大。类似于图3的模仿偏置产生器电路提供此操作点调整，且使用少量晶体管提供直接单端感测操作。
图3是输出补偿参考电压V_x的模仿稳定偏置产生器电路，所述补偿参考电压是对图2的受控电流源晶体管T10的栅极的输入。此参考电压用以使图2的稳定直接感测（SDS）放大器电路的切换点稳定。
参见图2，使用PFET电流供应装T10来选通电流进入节点DL，所述PFET电流供应装置的栅极处于输入V_x，即来自图3的模仿偏置产生器电路的参考输入。具有VPX（高于VDD的DC电压）的串联NET T6将第一节点DL连接到第二节点MDQGATE且连接到输出反相器锁存器电路10，包括输出到输入连接的反相器INV_1、INV_2。
输出锁存器电路的2个反相器的相对强度关于弱反馈反相器设定大小。具有弱反馈反相器的锁存器的切换点表现为更像单个反相器，且其切换点由如图3中的输出锁存器模仿电路更准确地预测。使用恢复FET T11来初始化输出锁存器10。
图2的SDS电路通过将节点DL以电阻性方式藕合到节点MDQGATE而提供节点DL上的数据信号的放大。当节点DL电平响应于1数据位线信号而下降时，由INV_1和INV_2形成的锁存器放大MDQGATE电平而不会有节点DL的全加载影响。此增益电路或等效增益电路必须在图3的模仿电路中准确地表示以提供准确的V_x电压。
图2的SDS电路和图3的偏置电路提供跟踪电路，所述跟踪电路通过感测放大器提供DC增益以在MDQGATE节点处提供放大的信号。增益是通过由NTET T6和其栅极上的VPX形成的电阻性隔离来实现。跟踪电路可被设计成跟踪DL节点或放大的MDQGATE节点。图6示出DL节点与MDQGATE节点之间的近似2x的增益，且此增益在V_x偏置电平中反映。
在图3中，模仿输出反相器锁存器24包括反相器25和26，且连接到MON节点以模拟图2的SDS电路中的输出反相器锁存器的加载。在图3中，反相器25的输出从目标节点断开以防止目标电压的潜在更改，但在其它实施方案中可以连接到目标节点。MON节点提供参考电压，偏置电路使用所述参考电压来调整V_x电压电平以使位线切换点匹配于输出反相器/锁存器跳变点电压。
证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求1的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求1与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求1所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求1的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器，（参见证据4中文译文第0005、0012、0027-0030段、图3）：在以下描述中，参考在金属氧化物半导体（MOS）晶体管技术中使用的常规术语。举例来说，术语“栅极”指示MOS晶体管的控制电极或输入电极，术语“漏极”指示负载电极或输出电极，且术语“源极，指示源电极或输出电极。此外，术语“非易失性”存储器指示当电力供应关断时不会丢失所存储数据的存储器，例如只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）。
鉴于这些缺陷，本发明的目的是克服上文提到的缺陷且提供具有简单比较器方案的感测放大器，其在扩展电压范围上具有良好切换性能。
如图3中所示，感测放大器包括具有共同源极放大器的比较器电路CMP，所述放大器是通过简单N沟道MOS晶体管N2和充当有源负载的相关P沟道MOS晶体管P5而获得。PM0s晶体管P5类似于PMOS晶体管P2维持于饱和。在此说明性实施方案中，PMOS晶体管P5由电压VDREF驱动，所述电压也驱动PMOS晶体管P2。另外，存在由启用信号EN驱动的P沟道MOS晶体管P6。当启用信号EN为低时，PMOS晶体管P6允许将形成共同源极放大器的晶体管漏极带到供应电压电平VDD。
如图3中所示，如果参考电流IREF在由通过如上所述的稳态电流IP获得的极化电压VB控制的具有NMOS晶体管N1的分支中镜像，那么其将迫使用于所选单元的位线BL的极化。因此，以下两种事件会随之发生。
（1）所选单元的电流高于参考电流IREF，因此晶体管N1将其输出电压VDCELL自动调整到极接近于预定电压电平VBL的电平。
（2）单元在其浮动栅极上捕获负电荷，因此单元电流相对于参考电流IREF极低，且因此晶体管N1的漏极上的输出电压VDCELL由电流IREF充电直到供应电压电平VDD。
证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求1的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求1与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求1所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求1的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1（具体内容参见7.1.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求1保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求1的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求1相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.1.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求1保护一种存储器设备，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（参见证据5说明书第3、12、14页、图1-19）：随着非易失存储器密度的持续增加以及其速度要求的不断提高，影响速度性能的每一项因素都变得愈加关键。本发明目的在于，提供一种快速而且不对工艺过敏的读出放大器。
本发明另一目的在于，生成一种用于读出放大器的基准电压，不受读出放大器基准单元中阈值电压变化的影响，但仍可正确跟随主存储器阵列内目标存储单元中的变化。
本发明还有一目的在于，提供一种对紧凑的EEPROM存储结构中的布局变化进行补偿的基准单元。
一具有基准单元电路的单端读出放大器可满足上述目的，该基准单元电路其结构与主存储器阵列结构呈镜像对称，但并非取决于浮动栅极所存储电荷的正确测定结果来建立一基准电压。读出放大器的基准电压取决于以其基准单元为源的电流电平。该电流电平进而取决于基准单元的阈值电压、结构特性以及物理布局。由于基准单元的结构与目标存储器阵列结构相类似，所以基准电压跟随该目标存储器阵列整个寿命的变化。为了对主存储器阵列内目标存储单元的物理布局进行更好的跟随，目前的基准单元电路包括两个不同的基准单元布局。第一基准单元布局与偶数行目标存储单元布局相对应，第二基准单元布局与奇数行目标存储单元布局相对应。这允许对主存储器阵列目标单元的单元布局变动进行更为密切的跟随。
基准单元的阈值电压，因此其电流源容量，也取决于其浮动栅极的电荷量。如上所述，浮动栅极上的电荷对存储单元建立一阈值电压，确定其提供多少电流来响应其控制栅极所加上的电压。但申请人发现，依赖浮动栅极来建立基准单元阈值电压可能引入意想不到的差错。
图10中，目标存储单元123其读出电流值利用第一跨导放大器137变换为V读出线135上的电压表示。同样，基准单元131输出的基准电流由第二跨导放大器141变换为V基准线139上的电压表示值。V读出线135和V基准线139的表示性电压电位接着由差分放大器143比较，并将结果置于读出放大输出线sa_out145上。应理解，线145上的sa_out输出通常会被放大锁存。
基准单元131的电流利用第二复合跨导放大器141变换为V基准线139的表示性电压电位。为了更好地平衡读出电路121，第二复合跨导放大器具有与第一复合跨导放大器137相同的结构，并起到与上述同样方式的作用。此外，由相同稳恒电流源147供给所述第一和第二复合跨导放大器137和141两者。
将V读出线135和V基准线139电位加到差分放大器143。差分放大器143包括由串联连接的p-MOS晶体管171和n-MOS晶体管173所组成的第一支路以及由串联连接的p-MOS晶体管175和n-MOS晶体管177所组成的第二支路。第一和第二支路并联连接在Vcc和电流漏极179之间。p-MOS晶体管171其漏极与p-MOS晶体管171和175的控制栅极连接。V读出线135与n-MOS晶体管173的控制栅极耦合，而V基准线139则与n-MOS晶体管177的控制栅极耦合。p-MOS晶体管177的漏极是差分放大器143中线145上的输出sa_out。
证据5公开的技术方案是用于EEPROM非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求1的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求1与证据5的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据5公开的EEPROM非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求1的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据5的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求1所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，权利要求1与证据5的区别技术特征在于：权利要求1具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.1.1）、证据4（具体内容参见8.1.1）、证据1（具体内容参见7.1.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求1保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求1的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求1相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.1.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求1保护一种存储器设备，证据1公开了一种双读取级读出放大器，由上可知，权利要求1与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见7.1.1），因此，权利要求1与证据1的区别技术特征在于：权利要求1具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.1.1）、证据3（具体内容参见8.1.1）、证据4（具体内容参见8.1.1）、证据5（具体内容参见8.1.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求1保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求1的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求1相对于证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.2权利要求2-13
权利要求2-13是独立权利要求1的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求1不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据1-5以及本领域的公知常识评述权利要求2-13的附加技术特征，因此，鉴于权利要求1不具备创造性的无效理由不成立，权利要求2-13不具备创造性的无效理由也不成立。
8.3权利要求14
8.3.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求14保护一种存储器设备，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求14与证据2相比存在以下区别：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二放大器级具有在所述第二单端输出电压的高电压电平与所述第二单端输出电压的低电压电平之间的大约一半的平衡点。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求14保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求14的第二放大器级仅接收第一放大器级的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器级感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器级直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求14的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求14的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求14与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求14的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求14所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求14的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求14的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求14与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求14的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求14所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求14的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求14的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求14与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求14的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求14所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开权利要求14的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求14保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求14的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求14相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.3.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求14保护一种存储器设备，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求14与证据5相比存在以下区别：权利要求14具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求14保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.3.1）、证据4（具体内容参见8.3.1）、证据1（具体内容参见8.3.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求14保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求14的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求14相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.3.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求14保护一种存储器设备，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求14与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.3.1），因此，权利要求14与证据1的区别技术特征在于：权利要求14具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求14保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.3.1）、证据5（具体内容参见8.3.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求14保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求14的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求14相对于证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.4权利要求15-17
权利要求15-17是独立权利要求14的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求14不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据1-4以及本领域的公知常识评述权利要求15-17的附加技术特征，因此，鉴于权利要求14不具备创造性的无效理由不成立，权利要求15-17不具备创造性的无效理由也不成立。
8.5权利要求18
8.5.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求18保护一种存储器设备，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求18与证据2相比存在以下区别：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压， 其中所述第一电流的改变发起所述第二单端输出电压的平衡点的立即改变。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求18保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求18的第二放大器级仅接收第一放大器级的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器级感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器级直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求18的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求18的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求18与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求18的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求18所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求18的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求18的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求18与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求18的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求18所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求18的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求18的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求18与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求18的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求18所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开权利要求18的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求18保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求18的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求18相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.5.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求18保护一种存储器设备，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求18与证据5相比存在以下区别：权利要求18具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求18保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.5.1）、证据4（具体内容参见8.5.1）、证据1（具体内容参见8.5.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求18保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求18的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求18相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.5.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求18保护一种存储器设备，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求18与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.5.1），因此，权利要求18与证据1的区别技术特征在于：权利要求18具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求18保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.5.1）、证据5（具体内容参见8.5.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求18保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求18的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求18相对于证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.6权利要求19
权利要求19是独立权利要求18的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求18不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据2、4以及本领域的公知常识评述权利要求19的附加技术特征，因此，鉴于权利要求18不具备创造性的无效理由不成立，权利要求19不具备创造性的无效理由也不成立。
8.7权利要求20
8.7.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求20保护一种存储器设备，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求20与证据2相比存在以下区别：第二放大器级，其经配置以放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第一放大器级的操作电流为参考电阻对的平均电流，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求20保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求20的第二放大器级仅接收第一放大器级的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器级感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器级直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求20的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求20的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求20与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求20的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求20所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求20的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求20的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求20与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求20的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求20所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求20的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求20的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求20与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求20的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求20所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开权利要求20的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求20保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求20的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求20相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.7.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求20保护一种存储器设备，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求20与证据5相比存在以下区别：权利要求20具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求20保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.7.1）、证据4（具体内容参见8.7.1）、证据1（具体内容参见8.7.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求20保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求20的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求20相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.7.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求20保护一种存储器设备，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求20与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.7.1），因此，权利要求20与证据1的区别技术特征在于：权利要求20具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求20保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.7.1）、证据5（具体内容参见8.7.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求20保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求20的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求20相对于证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.8权利要求21
8.8.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求21保护一种感测电路，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求21与证据2相比存在以下区别：第二放大器装置，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压表示所述电阻式存储器单元的数据输出，其中所述第二放大器装置包含响应于参考电压的晶体管。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求21保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求21的第二放大器装置仅接收第一放大器装置的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器装置感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器装置直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求21的第二放大器装置，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求21的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求21与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求21的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求21所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求21的第二放大器装置，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求21的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求21与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求21的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求21所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求21的第二放大器装置，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求21的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求21与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求21的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求21所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开权利要求21的第二放大器装置，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求21保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求21的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求21相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.8.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求21保护一种感测电路，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求21与证据5相比存在以下区别：权利要求21具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器装置，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器装置。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求21保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.8.1）、证据4（具体内容参见8.8.1）、证据1（具体内容参见8.8.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求21保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求21的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求21相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.8.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求21保护一种感测电路，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求21与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.8.1），因此，权利要求21与证据1的区别技术特征在于：权利要求21具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器装置，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器装置。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求21保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.8.1）、证据3（具体内容参见8.8.1）、证据4（具体内容参见8.8.1）、证据5（具体内容参见8.8.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求21保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求21的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求21相对于证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.9权利要求22-28
权利要求22-28是独立权利要求21的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求1不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据1-5以及本领域的公知常识评述权利要求22-28的附加技术特征，因此，鉴于权利要求21不具备创造性的无效理由不成立，权利要求22-28不具备创造性的无效理由也不成立。
8.10权利要求29
8.10.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求29保护一种感测数据值的方法，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求29与证据2相比存在以下区别：放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值；及基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的p沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求29保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求29仅接收第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一单端输出电压本身被直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求29的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求29与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求29的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求29所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求29的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求29与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求29的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求29所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求29的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求29与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求29的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求29所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求29保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求29的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求29相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.10.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求29保护一种感测数据值的方法，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求29与证据5相比存在以下区别：权利要求29具有电阻式存储器元件，放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值；及基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的p沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值，而证据5没有公开电阻式存储器元件和参考电阻，也没有公开仅以第一单端输出电压产生第二单端输出电压。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求29保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.10.1）、证据4（具体内容参见8.10.1）、证据1（具体内容参见8.10.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求29保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求29的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求29相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.10.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求29保护一种感测数据值的方法，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求29与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.10.1），因此，权利要求29与证据1的区别技术特征在于：权利要求29具有电阻式存储器元件，放大对应于表示所存储数据值的通过电阻式存储器元件的电流的第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值；及基于参考电阻对的平均电流而偏置针对所述电流的p沟道金属氧化物半导体PMOS负载装置，其中所述参考电阻对中的第一电阻元件经配置以表示低逻辑数据值，且所述参考电阻对中的第二电阻元件经配置以表示高逻辑数据值，而证据5没有公开电阻式存储器元件和参考电阻，也没有公开仅以第一单端输出电压产生第二单端输出电压。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求29保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.10.1）、证据5（具体内容参见8.10.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求29保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求29的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求29相对于证据1、证据2、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.11权利要求30-38
权利要求30-38是独立权利要求29的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求29不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据1-4以及本领域的公知常识评述权利要求30-38的附加技术特征，因此，鉴于权利要求29不具备创造性的无效理由不成立，权利要求30-38不具备创造性的无效理由也不成立。
8.12权利要求39
8.12.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求39保护一种感测数据值的方法，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求39与证据2相比存在以下区别：第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，且其中所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求39保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求39仅接收第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一单端输出电压本身被直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求39的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求39与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求39的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求39所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求39的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求39与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求39的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求39所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求39的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求39与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求39的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求39所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求39保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求39的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求39相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.12.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求39保护一种感测数据值的方法，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求39与证据5相比存在以下区别：权利要求39具有第一步骤，其用于将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值；及第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，且其中所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生。而证据5没有公开电阻式存储器元件，也没有公开第一、二步骤。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求39保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.12.1）、证据4（具体内容参见8.12.1）、证据1（具体内容参见8.12.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求39保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求39的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求39相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.12.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求39保护一种感测数据值的方法，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求39与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.12.1），因此，权利要求39与证据1的区别技术特征在于：权利要求39具有第一步骤，其用于将第一电阻负载施加到电流以产生第一单端输出电压，其中所述第一单端输出电压表示在电阻式存储器元件处的所存储数据值；及第二步骤，其用于放大所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压，其中所述第二单端输出电压指示所述所存储数据值，且其中所述第二单端输出电压至少部分地基于参考电压产生。，而证据5没有公开电阻式存储器元件，也没有公开第一、二步骤。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求39保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1、证据2（具体内容参见8.12.1）、证据3（具体内容参见8.12.1）、证据4（具体内容参见8.12.1）、证据5（具体内容参见8.12.2）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求39保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求39的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求39相对于证据1、证据2、证据3、证据4、证据5和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.13权利要求40
权利要求40是独立权利要求39的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求39不具备创造性的基础上提出的，分别使用证据1和本领域的公知常识评述权利要求40的附加技术特征，因此，鉴于权利要求39不具备创造性的无效理由不成立，权利要求40不具备创造性的无效理由也不成立。
8.14权利要求41
8.14.1以证据2作为最接近的现有技术
权利要求41保护一种感测数据值的方法，证据2公开了一种半导体存储器、读出放大器电路（具体内容参见8.1.1），由上可知，权利要求41与证据2相比存在以下区别：第二放大器级，其放大所述第一放大器级的所述第一单端输出电压以产生第二单端输出电压。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求41保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
权利要求41的第二放大器级仅接收第一放大器级的第一单端输出电压，并将第一单端输出电压放大以产生第二单端输出电压，其没有使用差分电路对两个差分信号进行差分放大，由于没有执行差分放大，避免了执行差分放大产生的延迟，从而使第一放大器级感测输出的第一单端输出电压本身被第二放大器级直接迅速放大，提高电阻式存储器的读取速度。而证据2的差动读出放大器DAMP需要接收作为差分输入的输入电压VIN信号和参考电压VREF信号，将输入电压VIN信号和参考电压VREF信号进行差分放大后获得输出读出结果VOUT，由于证据2使用了差分放大电路进行差分放大，其无法避免执行差分放大产生的延迟，因此证据2没有公开权利要求41的第二放大器级，即证据2没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据3公开了一种稳定直接感测存储器架构（具体内容参见8.1.1），证据3公开的技术方案是用于DRAM（即动态随机存储器）存储器单元读出放大器，权利要求41的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求41与证据3的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据3公开的DRAM存储器是其电容是否有电荷来表示存储数据“0”或数据“1”，而权利要求41的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，并且还需要刷新电路进行刷新以保持存储的数据，由此可见，DRAM存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据3的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求41所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据3没有公开权利要求41的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据4公开了一种具有扩展供应电压范围的感测放大器（具体内容参见8.1.1），证据4公开的技术方案是用于只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求41的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求41与证据4的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据4公开的读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和电可更改只读存储器（EAROM）的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求41的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据4的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求41所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据4没有公开权利要求41的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1）, 证据1公开的技术方案是用于EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元读出放大器，权利要求41的技术方案是用于电阻式存储器元件的放大器，权利要求41与证据1的放大器虽然都用于存储器单元，但两者针对的存储器单元类型不同，证据1公开的EEPROM、FLASH.EEPROM或其他非易失性存储器的存储器单元属于浮栅晶体管存储器，其是通过改变存储单元晶体管的阈值来选择存储数据“0”或数据“1”，而权利要求41的电阻式存储器是通过改变存储单元的电阻值来选择存储数据“0”或数据“1”，由此可见，浮栅晶体管存储器和电阻式存储器存储数据的工作原理完全不同，相应的两者感测读取方式也不相同，两者面临的技术问题并不相同，导致两者的整体技术方案的构思不同，采用的电路结构不相同，证据1的技术方案不用于电阻式存储器，其解决的技术问题与权利要求41所解决的减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题不同，两者采用的技术手段不同，取得的技术效果也不相同。因此，证据1没有公开权利要求41的第二放大器级，从而没有公开上述区别技术特征，本领域技术人员也不能从中获得任何相关的技术启示。
由上可知，证据2、证据3、证据4、证据1均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，而且证据2、证据3、证据4、证据1所公开的技术方案彼此之间差异较大，本领域技术人员不能显而易见地得到将证据2与证据3、证据4、证据1任意结合的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求41保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求41的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求41相对于证据2、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.14.2以证据5作为最接近的现有技术
权利要求41保护一种感测数据值的方法，证据5公开了一种非易失存储器高速读出用基准单元（具体内容参见8.1.2），由上可知，权利要求41与证据5相比存在以下区别：权利要求41具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据5没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求41保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据5、证据3（具体内容参见8.14.1）、证据4（具体内容参见8.14.1）、证据1（具体内容参见8.14.1）均没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合的基础上不能显而易见地得到权利要求41保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求41的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求41相对于证据5、证据3、证据4、证据1和本领域的公知常识任意结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.14.3以证据1作为最接近的现有技术
权利要求41保护一种感测数据值的方法，证据1公开了一种双读取级读出放大器（具体内容参见7.1.1），由上可知，权利要求41与证据1解决的技术问题、采用的技术手段、获得的技术效果均不相同（具体内容参见8.14.1），因此，权利要求41与证据1的区别技术特征在于：权利要求41具有电阻式存储器元件，以及用于电阻式存储器元件的第一、二放大器级，而证据1没有公开电阻式存储器元件、第一、二放大器级。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求41保护的技术方案实际解决的技术问题是：减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的技术问题。
由上可知，证据1没有公开上述区别技术特征，也没有给出任何相关的技术启示，并且目前也没有证据表明上述区别是本领域的公知常识。本领域技术人员在证据1和本领域的公知常识结合的基础上不能显而易见地得到权利要求41保护的技术方案，同时，上述区别技术特征使权利要求41的技术方案获得了减小对电阻式存储器中所存储数据的读取延迟，实现高速感测的有益技术效果。因此，权利要求41相对于证据1和本领域的公知常识结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
8.15权利要求42-43
权利要求42-43是独立权利要求41的从属权利要求。请求人对于上述权利要求不具备创造性的无效理由是在权利要求41不具备创造性的基础上提出的，分别使用本领域的公知常识评述权利要求42-43的附加技术特征，因此，鉴于权利要求41不具备创造性的无效理由不成立，权利要求42-43不具备创造性的无效理由也不成立。
综上所述，鉴于请求人提出的本专利权利要求1-43不符合专利法规定的所有无效理由均不能成立，本专利应予维持。
三、决定
维持200780037367.9号发明专利权有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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