发明创造名称：射频功率放大器及其封装方法
外观设计名称：
决定号：42255
决定日：2019-10-21
委内编号：4W109103
优先权日：
申请（专利）号：201110025537.X
申请日：2011-01-24
复审请求人：
无效请求人：广州慧智微电子有限公司
授权公告日：2015-02-18
审定公告日：
专利权人：深圳飞骧科技有限公司
主审员：姜海
合议组组长：苏青
参审员：郭晓宇
国际分类号：H04N5/38，H01L25/065，H01L21/98
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：权利要求要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别特征，但上述区别特征被其他现有技术公开，且二者所起的作用相同，在上述现有技术结合的基础上得到权利要求要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本无效宣告请求涉及国家知识产权局授权公告的专利号为201llOO25537.X、名称为“射频功率放大器及其封装方法”的发明专利（下称本专利），申请日为2011年01月24日，授权公告日为2015年02月18日，专利权人原为国民技术股份有限公司、后变更为深圳飞骧科技有限公司。本专利授权公告时的权利要求书的内容如下：
“1. 一种射频功率放大器，其特征在于，包括：
CMOS前级功率放大器，用于对输入功率进行初步放大；
GaAs和/或SiGe后级功率放大器，用于对所述CMOS前级功率放大器的输出功率进行放大；
该射频功率放大器还包括与所述GaAs和/或SiGe后级功率放大器相连的切换开关，所述切换开关用于作为信号通道开关和/或用于负载阻抗调整，所述切换开关为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关中的任意一种或多种的组合。
2. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器还包括偏置/控制模块，所述偏置/控制模块用于给所述CMOS前级功率放大器、GaAs和/或SiGe后级功率放大器提供偏置和控制信号。
3. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器还包括偏置/控制模块，所述偏置/控制模块用于给所述CMOS前级功率放大器、GaAs和/或SiGe后级功率放大器、切换开关提供偏置和控制信号。
4. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器还包括与所述CMOS前级功率放大器相连的CMOS偏置电路。
5. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器为三级放大器，CMOS前级功率放大器提供第一级和第二级放大器，GaAs和/或SiGe后级功率放大器提供第三级放大器。
6. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器为三级放大器，CMOS前级功率放大器提供第一级放大器，GaAs和/或SiGe后级功率放大器提供第二级和第三级放大器。
7. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器为三级放大器，CMOS前级功率放大器提供第一级放大器，SiGe后级功率放大器提供第二级放大器，GaAs后级功率放大器提供第三级放大器。
8. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器为三级放大器，CMOS前级功率放大器提供第一级放大器，GaAs后级功率放大器提供第二级放大器，SiGe后级功率放大器提供第三级放大器。
9. 根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：
所述射频功率放大器为m n级放大器，CMOS前级功率放大器提供前m级放大器，GaAs和/或SiGe后级功率放大器提供后n级放大器，m、n为自然数，且m n大于3。
10. 一种射频功率放大器的封装方法，其中，所述射频功率放大器包括基板、CMOS裸片、GaAs裸片和/或SiGe裸片以及PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片，其中，所述CMOS裸片为所述射频功率放大器的前级功率放大器，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片为所述射频功率放大器的后级功率放大器，所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片为所述射频功率放大器的切换开关，所述PHEMT裸片、SOI裸片、SOS裸片分别为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关，所述切换开关与所述后级功率放大器相连关，所述切换开关用于作为信号通道开关和/或用于负载阻抗调整，所述切换开关为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关中的任意一种或多种的组合，其特征在于，使所述CMOS裸片、GaAs裸片和/或SiGe裸片、PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片设置在所述基板上。
11. 根据权利要求10所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
所述CMOS裸片与所述基板电连接；所述CMOS裸片与所述GaAs裸片和/或SiGe裸片电连接，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片与所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片电连接。
12. 根据权利要求10所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
使所述CMOS裸片设置在所述基板上且与所述基板电连接；
使所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片设置于所述CMOS裸片上方，且所述GaAs裸片和/或SiGe裸片与所述CMOS裸片电连接；
使所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片与所述基板电连接。
13. 根据权利要求10所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
所述CMOS裸片设置在基板上，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片设置在所述CMOS裸片上方，且所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片与所述CMOS裸片连接，所述CMOS裸片与基板电连接。
14. 根据权利要求13所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片与所述CMOS裸片通过铜柱连接。
15. 根据权利要求10所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片设置在基板上，所述CMOS裸片设置在所述GaAs裸片和/或SiGe裸片、所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片上方，且所述CMOS裸片与所述GaAs裸片和/或SiGe裸片、所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片相连，所述CMOS裸片与基板相连。
16. 根据权利要求15所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：
所述CMOS裸片通过铜柱与所述GaAs裸片和/或SiGe裸片、所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片相连，所述CMOS裸片通过铜柱与基板相连。
17. 根据权利要求10至16任一项所述的射频功率放大器的封装方法，其特征在于：电连接通过绑定线的方式实现。”
针对本专利，广州慧智微电子有限公司（下称请求人）于2019年06月25日向国家知识产权局提出无效宣告请求。请求人认为：1、权利要求1-17得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。2、权利要求1、10缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。3、本专利说明书公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定，涉及权利要求1、10。4、权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。同时提交的证据如下：
证据1：CN1436398A；
证据2：TW200522545A；
证据3：CN101917167A；
证据4：CN201717849U；
证据5：CN101533792A。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年06月26日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及所附证据副本转给专利权人，同时成立合议组对本案进行审查。
合议组于2019年07月08日向双方当事人发出口头审理通知书，定于2019年09月17日举行口头审理。
请求人于2019年07月25日提交了补充意见陈述书，再次提交了前述证据1-5，并补充提交了证据6：US20080283993A1及其中文译文。
请求人认为：1、权利要求1-17得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。2、权利要求1、10缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。3、本专利说明书公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定，涉及权利要求1、10。4、权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性，其中创造性组合方式如下：（1）以证据1为最接近的现有技术，权利要求1相对于证据1与公知常识的结合、证据1与证据3及公知常识的结合、证据1与证据4及公知常识的结合、证据1与证据3和证据4及公知常识的结合不具备创造性；权利要求10相对于证据1与公知常识的结合、证据1与证据3及公知常识的结合、证据1与证据4及公知常识的结合、证据1与证据3和证据4及公知常识、证据1与证据6及公知常识的结合、证据1与证据3和证据6及公知常识的结合、证据1与证据4和证据6及公知常识的结合、证据1与证据3、证据4和证据6及公知常识的结合不具备创造性；（2）以证据2为最接近的现有技术，权利要求1相对于证据2与公知常识的结合、证据2与证据1及公知常识的结合、证据2与证据3及公知常识的结合、证据2与证据4及公知常识的结合、证据2与证据1和证据3及公知常识的结合、证据2与证据1和证据4及公知常识的结合、证据2与证据3和证据4及公知常识的结合、证据2与证据1、证据3和证据4及公知常识的结合不具备创造性；权利要求10相比证据2与公知常识的结合、证据2与证据6及公知常识的结合、证据2与证据1及公知常识的结合、证据2与证据1和证据6及公知常识的结合、证据2与证据3及公知常识的结合、证据2与证据3和证据6及公知常识的结合、证据2与证据4及公知常识的结合、证据2与证据4和证据6及公知常识的结合、证据2与证据1和证据3及公知常识的结合、证据2与证据1、证据3和证据6及公知常识的结合、证据2与证据1和证据4及公知常识的结合、证据2与证据1、证据4和证据6及公知常识的结合、证据2与证据3和证据4及公知常识的结合、证据2与证据3、证据4和证据6及公知常识的结合、证据2与证据1、证据3和证据4及公知常识的结合、证据2与证据1、证据3、证据4和证据6及公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求2-9、11-17的附加技术特征或被证据公开或属于本领域的公知常识，因此也不具备创造性。
合议组于2019年07月30日向专利权人发出转送文件通知书，将请求人于2019年07月25日提交的意见陈述和证据副本转送给专利权人。
专利权人分别于2019年08月12日和2019年09月12日提交了意见陈述书，认为请求人提出的无效理由均不能成立，本专利符合专利法及实施细则的相关规定。
合议组于2019年08月27日向请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2019年08月12日提交的意见陈述转送给请求人。
口头审理如期举行，双方当事人均出席了本次口头审理。口头审理过程中确认了以下事项：
1、双方当事人对合议组成员无回避请求，对对方出庭人员的身份和资格无异议。
2、合议组当庭专利权人于2019年09月12日提交的意见陈述转送给请求人。请求人表示当庭进行答复。
3、专利权人对请求人提交的证据1至6的真实性、公开时间及证据6中文译文准确性无异议。
4、请求人明确其无效理由以2019年07月25提交的补充意见为准，双方当事人在坚持各自书面意见的基础上均充分陈述了意见。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查基础
本无效宣告请求审查决定的基础是本专利的授权公告文本。
（二）证据认定
请求人提交的证据1、证据3和证据6是专利文献，专利权人对上述证据的真实性、公开时间无异议，对证据6的中文译文的准确性无异议。经核实，合议组对上述证据予以认可。上述证据的公开时间早于本专利的申请日，可以作为评价本专利创造性的现有技术使用，证据6的内容以请求人提交的中文译文为准。
（三）专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
1、权利要求1要求保护一种射频功率放大器。证据1公开了一种功率放大器模块，并具体公开了（参见证据1说明书第1页第1-2段，第6页第2段，第8页第3段，图4、9）：本发明涉及在移动体通信系统中所使用的便携终端机用功率放大器模块、特别涉及寻求对大负载变动具有高破坏耐量的蜂窝式电话系统用功率放大器模块。功率放大器模块一般由2级或3级单元放大器构成。图4为示出有关放大器41、42、43全部是由GaAs-HBT或SiGe-HBT构成的三级功率放大器模块（相当于权利要求1的射频功率放大器）的本发明的一实施例的示图。从端子1输入的信号在初级放大器41、级间放大器42及最终级放大器43中分别进行放大并从端子2输出。放大器41、42、43的无功电流由具备与图1相同的电流镜构成的偏置电路45供给。输出功率，按照由端子9输入的输出功率控制电压，通过控制放大器41、42、43的各个功率增益而进行调整。作为放大器41、42的放大器件，至少有一个是利用Si-MOSFET也可以得到同样的放大及保护功能（从证据1公开的内容可知，放大器41、42至少有一个是利用Si-MOSFET，公开了Si-MOSFET前级功率放大器用于对输入功率进行初步放大；放大器41、42、43全部是由GaAs-HBT或SiGe-HBT构成，公开了GaAs和/或SiGe后级功率放大器，用于对前级功率放大器的输出功率进行放大）。在图9中，示出采用本发明的功率放大器模块的移动体通信机的另一实施例的整体框图。在功率放大器模块109中，按着上述控制电压进行增益控制，形成发送输出信号。此发送功率的一部分经滤波器117和功率耦合器110反馈到上述微处理器CPU108进行上述指定的功率控制。121是用来将终端切换为发送或接收状态的天线开关。
权利要求1与证据1相比的区别特征是：（1）前级功率放大器是CMOS；（2）该射频功率放大器还包括与所述GaAs和/或SiGe后级功率放大器相连的切换开关，所述切换开关用于作为信号通道开关和/或用于负载阻抗调整，所述切换开关为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关中的任意一种或多种的组合。基于上述区别特征所能达到的效果可以确定，权利要求1实际解决的技术问题是如何控制信号通道和负载阻抗调整。
对于区别特征（1），证据1已经公开了放大器41、42可作为前级功率放大器并可以采用Si-MOSFET，本领域技术人员都知晓，CMOS指互补式金属氧化物半导体，是一种集成电路制程，可在硅晶圆上制作出PMOS（p-type MOSFET）和NMOS（n-type MOSFET），由于PMOS和NMOS在特性上互补，因此称为CMOS；而MOSFET是一种广泛使用在模拟电路和数字电路的的场效应晶体管，CMOS制程中的核心器件就是MOSFET；专利权人在口头审理中亦承认CMOS是常用的MOSFET工艺。另外，本领域中也经常使用CMOS作为放大器，因此本领域技术人员在证据1的基础上很容易想到采用CMOS作为前级功率放大器，不会产生预料不到的技术效果。
对于区别特征（2），证据3公开了一种射频功率放大器功率合成电路，并具体公开了（参见证据3说明书第0003、0010段）：对于传统的射频功率放大器功率合成电路中的开关来说，大多采用昂贵的GaAS工艺中的PHEMT管来设计，以满足低插损、高隔离度、高过功率能力及高击穿电压等指标要求。可见，证据3公开了使用PHEMT切换开关连接GaAS并进行切换控制，而PHEMT开关用于作为信号通道开关和负载阻抗调整是显而易见的；另外，SOI开关、SOS开关是本领域常见的切换开关，选择其中任意一种或多种的组合，不会产生预料不到的技术效果。
因此，在证据1的基础上结合证据3和本领域公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2进一步限定权利要求1，证据1公开了：由电流源29、晶体管23、24、28和GaAs-HBT22组成偏置电路系统（参见证据1说明书第4页最后一段）；放大器41、42、43的无功电流由偏置电路供给，按照由端口9输入的输出功率控制电压，通过控制放大器41、42、43的各个功率增益而进行调整（参见证据1说明书第6页第2段）。可见，证据1公开了设置偏置／控制模块来对各级功率放大器提供偏置和控制信号。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3进一步限定权利要求1，证据1已经公开了设置偏置电路对各级功率放大器提供偏置和控制信号（出处同上），在证据1的启示下，本领域技术人员容易想到设置偏置／控制模块对切换开关提供偏置和控制信号。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4进一步限定权利要求1，证据1已经公开了设置偏置电路对各级功率放大器提供偏置和控制信号（出处同上），在证据1的启示下，本领域技术人员容易想到进一步将偏置电路设置为与CMOS前级功率放大器相连的CMOS偏置电路。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求5-8进一步限定权利要求1，分别限定了三级放大器的具体组成，证据1已经公开了（出处同上）：功率放大器模块为三级放大器，放大器41、42、43全部是由GaAs-HBT或SiGe-HBT构成，放大器41、42也可以至少有一个是利用Si-MOSFET工艺制成，可见，证据1公开了Si-MOSFET放大器可以是第一级和/或第二级放大器，GaAs或SiGe放大器可以是第二级和/或第三级放大器，而且本领域技术人员都知晓CMOS就是常用的MOSFET工艺之一。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求5-8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求9进一步限定权利要求1，证据1已经公开了（出处同上）：功率放大器模块为三级放大器，放大器41、42、43全部是由GaAs-HBT或SiGe-HBT构成，放大器41、42也可以至少有一个是利用Si-MOSFET工艺制成。在证据1的启示下，本领域技术人员容易想到根据放大功率的实际需求来进一步选择前级和后级放大器的具体级数，限定为射频功率放大器为m＋n级放大器，CMOS前级功率放大器提供前m级放大器，GaAs和／或SiGe后级功率放大器提供后n级放大器，m、n为自然数，且m＋n大于3，这些只是本领域常规选择，不会取得预料不到的技术效果。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求10要求保护一种射频功率放大器的封装方法，证据1已经公开了功率放大器模块为三级放大器，放大器41、42、43全部是由GaAs-HBT或SiGe-HBT构成，放大器41、42也可以至少有一个是利用Si-MOSFET工艺制成，具体参见前述第1点。
权利要求10与证据1相比的区别特征是：（1）射频功率放大器的封装方法，射频功率放大器还包括基板，所述CMOS裸片、GaAs裸片和/或SiGe裸片、PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片设置在所述基板上；（2）CMOS裸片是前级功率放大器；（3）PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片为所述射频功率放大器的切换开关，PHEMT裸片、SOI裸片、SOS裸片分别为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关，所述切换开关与所述后级功率放大器相连关，所述切换开关用于作为信号通道开关和/或用于负载阻抗调整，所述切换开关为PHEMT开关、SOI开关、SOS开关中的任意一种或多种的组合。基于上述区别特征所能达到的效果可以确定，权利要求10实际解决的技术问题是如何封装放大器以及如何控制信号通道和负载阻抗调整。
对于区别特征（1），证据6公开了一种裸片堆叠封装的方法（参见证据6中文译文第0003、0031段，附图1-6）：封装基板301，第一个裸片302和第二个裸片304具有不同生产率，例如第一个裸片302和第二个裸片304采用不同工艺技术制造时。例如，第一个裸片302可以是互补金属硅（CMOS）装置、绝缘体硅（S0I）装置、体半导体装置、硅锗（SiGe）装置、砷化嫁（GaAs）装置，第二个裸片304的装置类型与第一个裸片302不同。作为一个具体实施例，第一个裸片302是CMOS类型装置，第二个裸片304可以是非COMS类型装置，如SOI装置、SiGe装置、GaAs装置或体半导体装置，如微机电系统（MEMS）装置。在一个具体实施方式中，可以根据裸片302和304的生产率确定封装内的裸片302和304堆叠顺序。例如，将较高生产率的裸片堆叠在较低生产率的裸片下方，以改善整体封装生产率、成本、制造时间或其中任意组合。即，证据6公开了在半导体领域中CMOS、GaAs和SiGe、S0I等裸片在基板上进行封装。
对于区别特征（2），证据1已经公开了放大器41、42可作为前级功率放大器并可以采用Si-MOSFET，本领域技术人员都知晓，CMOS指互补式金属氧化物半导体，是一种集成电路制程，可在硅晶圆上制作出PMOS（p-type MOSFET）和NMOS（n-type MOSFET），由于PMOS和NMOS在特性上互补，因此称为CMOS；而MOSFET是一种广泛使用在模拟电路和数字电路的的场效应晶体管，CMOS制程中的核心器件就是MOSFET；专利权人在口头审理中承认CMOS是常用的MOSFET工艺。另外，本领域中也经常使用CMOS作为放大器，因此本领域技术人员在证据1的基础上很容易想到采用CMOS作为前级功率放大器，不会产生预料不到的技术效果。
对于区别特征（3），证据3公开了一种射频功率放大器功率合成电路，并具体公开了（参见证据3说明书第0003、0010段）：对于传统的射频功率放大器功率合成电路中的开关来说，大多采用昂贵的GaAS工艺中的PHEMT管来设计，以满足低插损、高隔离度、高过功率能力及高击穿电压等指标要求。可见，证据3公开了使用PHEMT切换开关连接GaAS并进行切换控制，而PHEMT开关用于作为信号通道开关和负载阻抗调整是显而易见的；另外，SOI开关、SOS开关是本领域常见的切换开关，选择其中任意一种或多种的组合，不会产生预料不到的技术效果。
因此，在证据1的基础上结合证据3、证据6和本领域公知常识得到权利要求10的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求10不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、权利要求11进一步限定权利要求10，证据6已经公开了所述CMOS裸片与所述基板电连接、所述CMOS裸片与所述GaAs裸片和／或SiGe裸片电连接（具体出处同上），在证据6的启示下，本领域技术人员容易想到选择GaAs裸片和／或SiGe裸片与PHEMT裸片／S0I裸片／SOS裸片电连接。因此，当其引用的权利要求10不具备创造性时，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、权利要求12进一步限定权利要求10，证据6公开了（参见证据6中文译文第0018-0039段）：通过导电藕合元件建立第二个裸片和第一个裸片的电连接，并且如图1-6所示，可以利用线接合的方式，将第一个裸片或第二个裸片均可以与衬底电连接；具体的第一个裸片可以是CMOS类型装置的，第二个裸片可以是非CMOS类型，例如SOI装置，SiGe装置或GaAS装置，且可将第二个裸片设置在第一个裸片的上方。在证据6的启示下，本领域技术人员容易想到使所述PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片设置于所述CMOS裸片上方、使所述PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片与所述基板电连接。因此，当其引用的权利要求10不具备创造性时，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、权利要求13进一步限定权利要求10，证据6公开了（参见证据6中文译文第0018-0039段）：所述CMOS裸片设置在基板上，所述GaAs裸片和／或SiGe裸片设置在所述CMOS裸片上方，且所述GaAs裸片和／或SiGe裸片与所述CMOS裸片连接，所述CMOS裸片与基板电连接。此外，证据6还公开了可设置第三个裸片，并将该第三个裸片设置在第一个裸片上方，且与第一个裸片和半导体衬底电连接（参见证据6中文译文第0021-0022段）。在证据6的启示下，本领域技术人员容易想到使PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片设置于所述CMOS裸片上方、使所述PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片与所述CMOS裸片电连接。因此，当其引用的权利要求10不具备创造性时，权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11、权利要求14进一步限定权利要求13，证据6公开了（参见证据6中文译文第0018-0039段）：第一个裸片包括多个导电裸片容纳区域，导电藕合元件306附着到第二个裸片304且在导电裸片容纳区域410处电藕合到第一个裸片302；导电藕合元件306包括导电引线、垫、焊珠、引脚、柱以及用于建立导电连接的其他结构或其中任意组合，在一个具体实施方式中，导电耦合元件为倒装芯片凸块。而铜是柱形倒装常用的封装材料，在证据6的启示下，本领域技术人员容易想到将GaAs裸片和／或SiGe裸片以及PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片与所述CMOS裸片通过铜柱连接，这是本领域的常规设置。因此，当其引用的权利要求13不具备创造性时，权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12、权利要求15进一步限定权利要求10，证据6公开了（参见证据6中文译文第0018-0039段）：第一个裸片可以是CMOS类型装置的，第二个裸片可以是非CMOS类型，例如SOI装置，SiGe装置或GaAs装置，且可将第二个裸片设置在第一个裸片的上方；并且在实际中可以根据成品率来确定堆叠方式；以及可以利用线接合的方式，将第一个裸片与衬底电连接；第一个裸片包括多个导电裸片容纳区域，导电藕合元件306附着到第二个裸片304且在导电裸片容纳区域410处电藕合到第一个裸片302，倒装芯片安装装置503的第一个裸片508藕合到第二个裸片504。在证据6的启示下，本领域技术人员容易想到可以根据实际情况或需求设置CMOS裸片在所述GaAs裸片和／或SiGe裸片、所述PHEMT裸片／SOI裸片／SOS裸片上方的方式，这是本领域的常规设置。因此，当其引用的权利要求10不具备创造性时，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13、权利要求16进一步限定权利要求15，参见对权利要求14的评述理由，通过铜柱连接裸片和基板是本领域的常规设置。因此，当其引用的权利要求15不具备创造性时，权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14、权利要求17进一步限定权利要求10至16，证据6公开了（参见证据6中文译文第0029段）：导电藕合元件306包括导电引线。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
鉴于请求人提出的权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性的无效理由成立，合议组对请求人提出的其他无效理由和证据组合方式不再进行审理。
三、决定
宣告201110025537.X号发明专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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