发明创造名称：装备有电极的透明基片
外观设计名称：
决定号：41770
决定日：2019-10-10
委内编号：4W108600
优先权日：
申请（专利）号：02805525.X
申请日：
复审请求人：
无效请求人：李甜甜
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：法国圣戈班玻璃厂
主审员：刘利芳
合议组组长：熊洁
参审员：周亚娜
国际分类号：H01L31/0392
外观设计分类号：
法律依据：专利法实施细则第20条第1款、第21条第2款，
决定要点
：如果本领域技术人员可以根据权利要求书记载的内容清楚地判断权利要求的保护范围，则权利要求的保护范围是清楚的。
全文：
本无效宣告请求审查决定是依据北京市高级人民法院（2018）京行终3199号行政判决书重新作出的。
本专利的专利号为02805525.X，优先权日为2001年01月31日，申请日为2002年01月23日，授权公告日为2007年07月18日。本专利授权公告时的权利要求书如下：
“1．一种透明基片，它装备有一电极并且包括一个钼基的导电层Mob，该钼基的导电层的厚度至多为500nm，其特征在于，所述基片配备有至少一个阻挡层用于阻挡碱金属元素，该阻挡层被插入到所述基片和所述电极之间，该阻挡层基于电介质材料，该电介质材料选自至少一种下述化合物：氮化硅或者氮氧化硅，氮化铝或者氮氧化铝，氧化硅或者碳氧化硅，并且该阻挡层的厚度至少为120nm并且至多为300nm。
2．如权利要求1所述的基片，其特征在于，所述基片是玻璃材质的。
3．如权利要求1所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至多为400nm。
4．如权利要求3所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至多为200nm。
5．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为20nm。
6．如权利要求5所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为50nm。
7．如权利要求6所述的基片，其特征在于，所述钼基的导电层Mob的厚度至少为80nm。
8．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述阻挡层的厚度至少为150nm。
9．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述阻挡层的厚度至多为200nm。
10．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，所述电极包括至少一个不同于所述钼基的导电层的“补偿”型导电层。
11．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层层中的至少一层的厚度至少为10nm并且最多为300nm。
12． 如权利要求11所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层中的至少一层的厚度至少为40nm。
13． 如权利要求11所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层中的至少一层的厚度在50-200nm之间。
14．如权利要求10所述的基片，其特征在于，该“补偿”型导电层包括至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢。
15．如权利要求14所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层M在所述钼基的导电层Mob的下面。
16．如权利要求10所述的基片，其特征在于，该“补偿”型导电层包括至少一个以至少一个下述金属：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf的氮化物为基的“补偿”型导电层M'N，所述氮化物在氮含量方面可以低于化学计量配比，等于化学计量配比或者高于化学计量配比。
17．如权利要求16所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层M’N在所述钼基的导电层Mob的下面和/或上面。
18．如权利要求16所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层包括至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢，并且所述以氮化物为基的“补偿”型导电层M’N位于所述的以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M和所述钼基的导电层Mob之间。
19．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述“补偿”型导电层包括：至少一个以金属或金属合金为基的“补偿”型导电层M，所述金属或金属合金选自下述之一：Cu，Ag，Ta，Cr，NiCr，钢，和/或至少一个以至少一个下述金属：Ta，Zr，Nb，Ti，Mo，Hf的氮化物为基的“补偿”型导电层M’N，并且所述电极包括下述层顺序之一：M/Mob/M’N；M/M’N/Mob；M/Mob；M’N/Mob；Mob/M’N。
20．如权利要求10所述的基片，其特征在于，所述电极的导电层的总厚度小于或者等于600nm。
21． 如权利要求20所述的基片，其特征在于，所述总厚度小于或者等于500nm。
22．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，该电极的每平方的电阻Rr小于或者等于2Ω/r。
23．如权利要求22所述的基片，其特征在于，该电极的每平方的电阻Rr小于或者等于0.45Ω/r。
24． 如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，该阻挡层形成用于光学目的的多层涂镀层的一部分，该多层涂镀层包括至少两层具有不同折射率的介电物质层。
25． 如权利要求24所述的基片，其特征在于，它包括具有1.9至2.3之间高折射率的层和1.4至1.7的低折射率的层的交迭。
26． 如权利要求25所述的基片，其特征在于，所述层的交迭按照如下顺序：Si3N4/SiO2或者Si3N4/SiO2/ Si3N4。
27． 如权利要求24所述的基片，其特征在于，在蓝-绿色的或者粉红色的反射中，用于光学目的的所述多层的成分组成至少部分控制该基片在反射中的比色反应。
28．如权利要求16所述的基片，其特征在于，在蓝-绿色的或者粉红色的反射中，所述以氮化物为基的“补偿”型导电层M’N的氮的化学计量配比至少部分控制该基片在反射中的比色反应。
29．如权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于，厚度为2至15nm的可见的TiN吸附薄层介于所述阻挡层和所述电极之间，因此在蓝-绿色的或粉红色的反射中，可以控制该基片在反射中的比色反应。
30．根据权利要求1至4中任一项所述的基片，其特征在于， 它包含一层黄铜矿吸附在该电极上面。
31．一种将根据权利要求1至29中任一项所述的基片用作太阳能电池的电极的应用。
32．一种将根据权利要求30所述的基片用作制造太阳能电池的应用。
33．一种太阳能电池，其特征在于，它包括如权利要求30所述的基片。”
针对上述专利权，李甜甜（下称请求人）于2014年08月20日向原专利复审委员会提出了无效宣告请求，请求宣告本专利全部无效。无效理由为：权利要求1-33不符合专利法实施细则第20条第1款的规定；权利要求1、31-33不符合专利法实施细则第21条第2款的规定；说明书不符合专利法第26条第3款的规定；权利要求1-33不符合专利法第26条第4款的规定；权利要求1-33不符合专利法第22条第3款的规定。请求人同时提交了如下证据：
证据1：The Influence of Na On the Growth of Gu(In,Ga)Se2 Layers for Thin Film Solar Cells， Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 491， by Karin Granath，1999，复印件共24页，（下称对比文件1）；
证据2：美国专利文献US4485146A，公开日为1984年11月27日，复印件共6页，（下称对比文件2）；
证据3：欧洲专利文献EP0604801A2，公开日为1994年07月06日，复印件共8页，（下称对比文件3）；
证据4：美国专利文献US4798660A，公开日为1989年01月17日，复印件共6页，（下称对比文件4）；
证据5：中国专利文献CN1218577A，公开日为1999年6月2日，复印件共12页，（下称对比文件5）；
证据6：本专利授权公告文本；
证据7：本专利公开文本。
经形式审查合格，原专利复审委员会于2014年09月02日受理了上述无效宣告请求并将无效宣告请求书及所附所有证据的副本均转给了专利权人，同时成立合议组对该案进行审查。
请求人于2014年09月22日提交意见陈述及补充证据。请求人再次提交了证据1-7的复印件，并提交了对比文件1经公证认证的文本，提交了对比文件1、3、4的全文中文译文以及对比文件2的部分中文译文。请求人在意见陈述中明确，无效理由和具体意见陈述以此次提交的为准。
请求人认为：（1）权利要求1-33不符合专利法实施细则第20条第1款的规定。
（2）权利要求1、31-33不符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
（3）说明书不符合专利法第26条第3款的规定。
（4）权利要求1-33不符合专利法第26条第4款的规定。
（5）针对权利要求1-33不具备创造性的理由，请求人具体认为：对比文件1公开了一种薄膜太阳能电池，权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于阻挡层材料的不同，而对比文件2公开了一种碱金属阻挡层，其由氧化硅制成，厚度大约100nm；因此，本领域技术人员在对比文件1和2公开的内容的基础上能够得到权利要求1的技术方案。类似地，权利要求1与对比文件3或者与对比文件4之间的区别技术特征均在于权利要求1具备阻挡层，在对比文件2公开了氧化硅可以作为碱金属阻挡层的前提下，本领域技术人员可以将对比文件3或者对比文件4分别与对比文件2结合，从而得到权利要求1的技术方案。与对比文件2类似，对比文件5也公开了一种有氮化硅或氧化硅作为阻挡层的技术方案，因此，本领域技术人员也可以将对比文件1与对比文件5结合，从而得到权利要求1的技术方案，或者对比文件3、4分别与对比文件5结合并结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案。权利要求1不具备创造性。权利要求2-7在权利要求1不具备创造性的基础上结合对比文件1、3、4至少之一不具备创造性；权利要求8、9在权利要求1不具备创造性的基础上结合证据5不具备创造性；权利要求22、23在权利要求1不具备创造性的基础上结合公知常识不具备创造性；权利要求10-21以及权利要求28在权利要求1不具备创造性的基础上结合公知常识不具备创造性；权利要求24-27和权利要求29-30在权利要求1不具备创造性的基础上结合对比文件1或者结合公知常识不具备创造性；权利要求31-33在权利要求1不具备创造性的基础上结合对比文件1或者结合公知常识不具备创造性。请求人在意见陈述中对上述理由进行了具体陈述。
原专利复审委员会该案合议组于2014年10月11日将请求人提交的上述补充理由和证据副本全部转送给专利权人。
2014年10月17日，专利权人针对无效请求提交答复意见。专利权人认为：权利要求1-33符合专利法实施细则第20条第1款的规定；权利要求1、31-33符合专利法实施细则第21条第2款的规定；权利要求1-33符合专利法第26条第4款关于权利要求是否得到说明书支持的规定；说明书符合专利法第26条第3款的规定。关于权利要求1的创造性，本领域技术人员没有动机在选择对比文件2的阻挡层材料SiO2的同时选用对比文件1中的Al2O3的厚度，阻挡层厚度的选择要考虑光学目的的标准，且对比文件1、2也没有公开“阻挡层被插入到基片和电极之间”的特征，权利要求1相对于对比文件1、2的结合具备创造性；类似地，对比文件3与对比文件2的结合，或者对比文件4与对比文件2的结合也无法得到权利要求1的技术方案。对于对比文件1、4、5分别结合对比文件5评述权利要求1创造性的理由，专利权人认为，对比文件5中的阻挡层作用是防止遭受气候影响所设置，没有给出使用其来阻挡碱金属的技术启示，因此，权利要求1相对于上述对比文件的结合也具备创造性。在此基础上，权利要求2-33也具备创造性。
2014年11月26日，专利权人提交意见陈述，认为请求人提交的外文证据的中文译文超出了审查指南规定的期限。同时，专利权人对对比文件1-4的部分中文译文的准确性提出了异议并提交了其认为准确的相应译文。
2014年12月18日，原专利复审委员会该案合议组向双方当事人发出了口头审理通知书，定于2015年02月04日举行口头审理，并将专利权人的上述两次意见陈述转送给请求人。
口头审理如期举行，双方当事人均出席了该次口头审理。在口头审理过程中：
请求人认为专利权人在无效阶段的意见陈述书中署名的代理人与当庭出席人员不同；专利权人认为，专利代理事务中受委托的是代理机构，个人不能接受委托，本无效程序中的原来的代理人虽与当前出席口头审理的人员不同，但代理机构并未变化，专利权人的代理机构可以于口头审理后三日内提交代理人的变更证明。双方当事人对合议组成员和书记员没有回避请求。请求人明确其无效理由以及证据的具体使用方式与其于2014年09月22日提交的第二次意见陈述保持一致。
专利权人对对比文件2-5的真实性没有异议。关于对比文件1，专利权人认为，其是一份学术论文，公众可获得的时间是有质疑的；请求人在提交无效请求时的没有进行公证认证的对比文件1的复印件中没有国际出版号，公证员也没有能力证明文章的发表时间。而且，经公证认证的对比文件1有摘要，第4章和第7章，不像是同一份文件，且两章的页码编排和排版也不相同，专利权人无法认可对比文件1的真实性。对于对比文件1-4中文译文的准确性，合议组及双方当事人当庭确认：专利权人对请求人提交的中文译文没有异议的，以请求人提交的为准，在专利权人2014年11月26日提出异议的部分，以专利权人提交的中文译文为准。专利权人当庭提交公知常识性证据如下：
反证1：《光伏技术与工程手册》，封面、版权页、第414-421页、第446页，复印件共11页，机械工业出版社，2011年7月第一次印刷；
专利权人当庭出示了反证1的原件。专利权人主张其使用反证1证明本专利的创造性，突破了现有技术的一些固有思维，突破了一种技术障碍，解决了一些现有技术中长期没有解决的技术问题。请求人当庭对反证1进行核实，没有对其真实性提出异议；请求人认为，反证1载明其为2011年7月第1次印刷，晚于本专利的优先权日，不能作为本专利的公知常识性证据。专利权人认为，反证1中援引的文献58、60、61均为上世纪90年代的刊物，可以证明相关技术属于本领域的公知常识。
对于对比文件1公开的内容，专利权人认为，对比文件1中使用氧化铝作为钠阻挡层的技术方案是对比文件1的比较例，其结论是Na对薄膜太阳能电池具有有益的效果，而本专利是要避免Na扩散，对比文件给出的是相反的教导。对此请求人认为，对比文件1公开的无钠基底的实施例就是为了防止钠从玻璃基底向外扩散，对比文件1也公开了钠阻挡层可以设置在玻璃和钼层之间。关于对比文件2，专利权人认为，对比文件2使用的是非晶硅太阳能电池，并非CIGS型的电池，二者无法结合。对此，请求人认为，对比文件2公开了使用阻挡层阻挡碱金属离子的技术手段，本领域技术人员可以将其与对比文件1结合。双方当事人基于请求人提出的各无效理由充分发表了各自的意见。
2015年03月09日，请求人提交了对比文件1的原件，合议组于当日组织请求人和专利权人对对比文件1进行了质证，专利权人对对比文件1的真实性表示认可。
原专利复审委员会于2015年04月02日作出第25568号无效宣告请求决定（下称第25568号决定），认为：
1、本决定针对的文本是授权公告文本。对比文件1-5可以作为现有技术评价本专利的创造性。关于中文译文，专利权人对请求人提交的中文译文没有异议的，以请求人提交的为准，专利权人于2014年11月26日提出异议的部分，以专利权人提交的中文译文为准。关于专利权人提交的反证1，合议组不予接受。
2、关于专利法实施细则第20条第1款：
权利要求1请求保护一种透明基片，其对透明基片的构造、构成基片的相关层之间的位置关系、相应的材料选择和材料的厚度范围进行了限定，权利要求1的技术方案中各技术特征表述清楚，技术特征之间的关系明确，本领域技术人员可以清楚地判断权利要求1的保护范围。具体地，“装备有一电极”中本领域技术人员可以理解“一”为泛指，并非限定电极的数量；钼基导电层的厚度范围以及电介质的含量，本领域技术人员可以理解为能够实现相应功能的数值选择，权利要求中的限定是清楚的；“被插入”限定了基片、阻挡层和电极之间依次排列的关系，其含义是清楚的；电介质的材料选择权利要求1中已经明确限定为六种材料中的至少之一，阻挡层的厚度必然不会属于材料的备选；本专利中Mob即为钼基的导电层，“电极包括一个钼基的导电层”表明钼基的导电层是电极的一部分，其限定也是清楚的。
权利要求10中的“不同于”，根据说明书的记载，本领域技术人员可以理解为其是指“组成材料”的不同，不会导致不清楚；权利要求14、16、19中“以……为基”本领域技术人员可以理解是指以其所限定的材料为基础的含义，不会导致不清楚；权利要求15、30中的“上面”、“下面”的含义本领域技术人员可以理解为处于相关层的某个方向上，基于本专利的技术方案不会理解为在表面。
因此，上述权利要求的保护范围清楚，请求人的相应理由不成立。基于此，所有其他权利要求也不存在保护范围不清楚的情况。
3、关于专利法实施细则第21条第2款：
权利要求1要解决的技术问题是通过插入适当厚度的电介质层从而降低钼层的厚度同时不影响其性能。因此，对于钼基导电层厚度的下限，本领域技术人员可以明了在保证性能的范围内倾向于采用较薄的厚度，权利要求1中已经限定了钼层的厚度上限，解决了降低钼层厚度的问题，权利要求1不缺少必要技术特征。此外，对于请求人认为的从实施例1-7可以看出钼层厚度低于500nm时需要使用多层电极结构的观点，合议组认为，实施例1a中明显单层钼层的厚度为200nm，远小于500nm。请求人关于权利要求1缺少必要技术特征的理由不成立。基于相同理由，请求人关于权利要求31-33缺少必要技术特征的理由也不成立。
4、请求人关于权利要求1-33不符合专利法第26条第4款规定的理由不成立。
5、请求人认为本专利说明书公开不充分、不符合专利法第26条第3款的规定的无效理由不能成立。
6、关于专利法第22条第3款：
（1）权利要求1的技术方案在对比文件1和2的基础上不是显而易见的，权利要求1相对于对比文件1结合对比文件2具备创造性；
（2）权利要求1的技术方案在对比文件3、4分别结合对比文件2的基础上均不是显而易见的，权利要求1相对于对比文件3、4分别结合对比文件2具备创造性；
（3）本领域技术人员不可能将对比文件5分别与对比文件1、3、4相结合，更无法得到权利要求1的技术方案，权利要求1相对于对比文件1、3、4分别结合对比文件5具备创造性。
（4）由于请求人提出的所有权利要求1不具备创造性的理由均不成立，因此，请求人提出的权利要求2-30不具备创造性的理由也不成立。
（5）权利要求31-33直接或间接引用了权利要求1-29，由于请求人提出的所有权利要求1-29不具备创造性的理由均不成立，因此，请求人提出的权利要求31-33不具备创造性的理由也不成立。
据此，第25568号决定宣告维持028055253X号发明专利权有效。
请求人对上述决定不服，向法院提起行政诉讼，诉称：
1、第25568号决定对于本专利权利要求16、18、28中的“化学计量配比”是否清楚，是否符合专利法实施细则第20条第1款的规定未予评述，存在漏审情形。
2、本专利全部权利要求不具备创造性，不符合专利法第22条第3条的规定：
本专利权利要求1相对于对比文件1和2的结合不具备创造性。创造性的判断应采用三步法，第25568号决定中并未采用该方法即得出权利要求1具备创造性的结论，这一作法有误。本专利与对比文件1并不存在相反的技术教导，第25568号决定中的相关认定有误。
本专利权利要求1相对于对比文件4和2的结合不具备创造性。权利要求1相对于对比文件4所存在的区别技术特征，即“对比文件4未公开在基片和电极层之间配备阻挡层用于阻挡碱金属，未公开阻挡层插入到基片和电极之间，未公开的材料选择及其厚度范围”，对比文件2中已给出技术启示，本领域技术人员容易想到将二者相结合从而得到权利要求1，第25568号决定中的相关认定有误。
基于与权利要求1相同的理由，其他权利要求亦均不具备创造性，第25568号决定中的相关认定亦同样有误。
3、权利要求1、31、32、33缺少必要技术特征。权利要求1中记载了钼基导电层厚度至多为500nm，但对于该导电层厚度的下限并未限定，而当该下限过小时，并无法实现本发明的发明目的，因此，权利要求1缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第21条第2款的规定。基于同样的理由，权利要求31、32、33亦不符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
北京知识产权法院作出（2015）京知行初字第4002号行政判决，其中认为：
1、第25568号决定存在漏审情形。请求人所提无效理由中包括专利法实施细则第20条第1款，而在针对该条款的具体理由中，请求人明确提出权利要求16、18、28中“化学计量配比”的限定不清楚。但第25568号决定在对该条款进行审理时，未对“化学计量配比”是否清楚进行评述，该做法已构成漏审，属于程序违法。
2、本专利权利要求1相对于对比文件1与2的结合具备创造性，第25568号决定认定本专利权利要求1相对于对比文件1与2的结合具备创造性的认定方法及认定结论均无误；请求人认为本专利权利要求1相对于对比文件4与2的结合不具备创造性的主张不成立；请求人认为其他权利要求不具备创造性的主张都不成立。
3、本专利权利要求1、31、32、33不符合专利法实施细则第21条第2款的规定。钼基层的厚度下限属于本专利的必要技术特征，本专利权利要求1未对其进行限定，因此，权利要求1缺少必要技术特征，基于相同理由，权利要求31、32、33亦缺少该必要技术特征。
因此，判决如下：一、撤销专利复审委员会作出的第25568号决定；二、专利复审委员会就该无效宣告请求重新作出审查决定。
请求人对上述判决不服，提出上诉，请求纠正上述判决关于本专利创造性的结论。
北京市高级人民法院作出（2018）京行终3199号行政判决，其中认为：
1、关于权利要求1相对于对比文件1与2的结合是否具备创造性：
三步法只是在判断要求保护的发明相对于现有技术是否显而易见时通常采用的方法，而非必须采用的唯一方法；如果在具体案件中，作为“最接近的现有技术”的对比文件与涉案专利具有相反的技术教导，则本领域技术人员通常不会想到采用涉案专利的技术构思对现有技术进行改进，在这种情况下无法适用三步法。对比文件1与本专利权利要求1存在相反的技术教导，权利要求1相对于对比文件1与2的结合不是显而易见的，从而具备创造性。
2、关于权利要求1相对于对比文件4与2的结合是否具备创造性：
请求人认为权利要求1相对于对比文件4的区别技术特征虽然未被其在无效程序中提交的对比文件2的相关内容所公开，但被对比文件2的其他部分所公开，因此主张将该“其他部分”内容作为对比文件用以判断本专利权利要求1的创造性，与法不符。对于该主张不予支持。
因此，判决如下：驳回上诉，维持原判。
（2018）京行终3199号行政判决生效后，国家知识产权局重新成立合议组继续对该无效宣告请求进行审理（案件编号为4W108600）。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于专利权人的代理人
请求人在口头审理当庭提出异议，认为专利权人在无效程序的意见陈述阶段的代理人与出席口头审理的代理人不一致。
对此，合议组认为，专利权人在2014年10月17日和11月26日提交意见陈述时，其意见陈述书载明的专利代理机构为“中国专利代理（香港）有限公司”，代理人为“苏娟”，其专利代理机构和代理人信息与本专利授权阶段的相一致。在口头审理时，专利权人提交了“专利权无效宣告程序授权委托书”，其中载明专利代理机构同为“中国专利代理（香港）有限公司”，指定代理人为“曹若”、“董均华”和“李江”，即专利权人方出席口头审理的人员。2015年02月05日，专利权人提交著录项目变更申报书，请求将原代理人“苏娟”变更为“董均华”和“曹若”。由上述案情可知，虽然专利权人在无效程序的口头审理前注明的代理人为“苏娟”，但其代理机构自始未发生变化，根据专利代理条例的相关规定，专利代理程序中的受委托方为专利代理机构，专利代理人由专利代理机构指定。因此，意见陈述书与出席口头审理人员不一致不会影响代理关系的存续，也不会影响意见陈述的效力，对于请求人的异议，合议组不予认可。
2、本决定依据的文本和相关证据
专利权人在无效程序中没有对专利文件进行修改，因此，本决定针对的文本是授权公告文本。
对比文件2-5为专利文献，专利权人对其真实性没有异议，合议组经核实，也未发现上述证据存在明显影响其真实性的瑕疵，因此，合议组认可对比文件2-5的真实性，其公开日期均早于本专利的优先权日，可以作为现有技术评价本专利的创造性。
请求人提交了对比文件1的原件，专利权人经核实对对比文件1的真实性没有异议，合议组经核实，认可其原件的真实性以及对比文件1的经公证认证的部分与原件的一致性。关于对比文件1是否公开及其公开日期，对比文件1的原件摘要页记载有“?Karin Granath 1999”字样以及ISSN号以及ISBN号，并记载有“Printed in Sweden by Reklam & Katalogtryck, Uppsala 1999”字样。基于此，合议组认为，对比文件1的原件具有版权标识“?”以及国际出版号，并有明确文字表明其于1999年于瑞典乌普萨拉由Reklam & Katalogtryck印刷。因此，在无明确反证的前提下，可以认定对比文件1属于公开出版物，且其公开日期最迟为1999年12月31日。综上，合议组认可对比文件1的真实性，其作为公开出版物，出版日期早于本专利的优先权日，可以作为现有技术证据评价本专利的创造性。
关于请求人提交的外文证据的中文译文，合议组认为，请求人在2014年08月20日提交请求时提交了外文证据即证据1-4，根据审查指南的规定，请求人应当在提出外文证据的一个月之内提交中文译文。根据专利审查指南对于期限的规定，到期日当日为公休日时，期限顺延至公休结束后的第一个工作日，2014年09月20日为星期六，因此，其提交中文译文的到期日应当顺延至下一星期一，即2014年09月22日。因此，请求人于该日提交的中文译文符合专利审查指南的相关规定，合议组予以接受。关于中文译文的准确性，经双方当事人当庭确认，专利权人对请求人提交的中文译文没有异议的，以请求人提交的为准，专利权人于2014年11月26日提出异议的部分，以专利权人提交的中文译文为准。
关于专利权人提交的反证1，合议组认为，其版权页记载的第一次印刷日为2011年7月，晚于本专利优先权日多年，将其作为本专利的公知常识性证据显然失当。虽然专利权人主张反证1中引用的某些文献的公开日期早于本专利的优先权日，但专利权人并未提交该些文献的完整形式及其相应的中文译文，无法判断该些文献记载的具体内容，更无法判断其内容是否属于本领域的公知常识。因此，专利权人提交的反证1不属于本专利的公知常识性证据，其提交日期超出了专利权人的举证期限，合议组不予接受。
3、关于专利法实施细则第20条第1款
专利法实施细则第20条第1款规定，权利要求书应当说明发明的技术特征，清楚、简要地表述请求保护的范围。
如果本领域技术人员可以根据权利要求书记载的内容清楚地判断权利要求的保护范围，则权利要求的保护范围是清楚的。
请求人认为：权利要求1中“装备有一电极”电极数目不清楚，“钼基导电层的厚度至多为500nm”中当导电层的厚度为零或接近于零时是否在保护范围内，“被插入”含义本领域技术人员无法理解，“该阻挡层基于电介质材料”中电介质材料含量接近于零时是否符合“基于电介质材料”的定义，电介质材料如何选择不清楚，“：”后引领的阻挡层的厚度范围也作为电介质材料的选择对象造成表述不清楚，“Mob”含义不清楚，“电极”与“包括一个钼基的导电层Mob”之间的关系不清楚，因此权利要求1保护范围不清楚。基于此，权利要求2-33保护范围也不清楚。此外，权利要求10中“不同于”的具体含义不清楚，权利要求14、19中“包括至少一个以……为基的……”中“为基”含义不清楚，权利要求15中“下面”含义不清楚，权利要求16中除了“为基”含义不清楚之外“化学计量配比”不清楚，权利要求29（应为权利要求30）中“上面”含义不清楚，此外引用该些权利要求的相应权利要求也存在类似缺陷。
对此，合议组认为，判断权利要求的保护范围是否清楚，应当基于权利要求书的内容，将权利要求书限定的技术方案作为一个整体，结合本领域技术人员的理解进行判断。权利要求1请求保护一种透明基片，其对透明基片的构造、构成基片的相关层之间的位置关系、相应的材料选择和材料的厚度范围进行了限定，权利要求1的技术方案中各技术特征表述清楚，技术特征之间的关系明确，本领域技术人员可以清楚地判断权利要求1的保护范围。具体地，“装备有一电极”中本领域技术人员可以理解“一”为泛指，并非限定电极的数量；钼基导电层的厚度范围以及电介质的含量，本领域技术人员可以理解为能够实现相应功能的数值选择，权利要求中的限定是清楚的；“被插入”限定了基片、阻挡层和电极之间依次排列的关系，其含义是清楚的；电介质的材料选择权利要求1中已经明确限定为六种材料中的至少之一，阻挡层的厚度必然不会属于材料的备选；本专利中Mob即为钼基的导电层，“电极包括一个钼基的导电层”表明钼基的导电层是电极的一部分，其限定也是清楚的。
权利要求10中的“不同于”，根据说明书的记载，本领域技术人员可以理解为其是指“组成材料”的不同，不会导致不清楚；权利要求14、16、19中“以……为基”本领域技术人员可以理解是指以其所限定的材料为基础的含义，不会导致不清楚；权利要求15、30中的“上面”、“下面”的含义本领域技术人员可以理解为处于相关层的某个方向上，基于本专利的技术方案不会理解为在表面；权利要求16中的“化学计量配比”这一概念本身是常用的、清楚的，而且在说明书实施例中（参见实施例8、8a、8b）还对如何调整该配比作了举例说明，本领域技术人员能够理解其含义，不会导致权利要求16不清楚。
因此，上述权利要求的保护范围清楚，请求人的相应理由不成立。基于此，所有其他权利要求也不存在保护范围不清楚的情况。
4、关于专利法实施细则第21条第2款
专利法实施细则第21条第2款规定，独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。
判断一特征是否为必要技术特征，既需着眼于发明所声称解决的技术问题，也不能忽视发明的基本技术效果，前者是在后者基础上的进一步改进，在基本技术效果无法获得的情况下，发明所声称解决的技术问题也难以实现。
请求人认为，独立权利要求1中钼基导电层的厚度应同时有上限及下限，但权利要求1中仅记载了上限500nm，对于下限并未涉及，因此缺少必要技术特征；基于同样的理由，权利要求31、32、33也缺少必要技术特征，不符合专利法实施细则第21条第2款的规定。
对此，合议组认为：本专利为解决“材料成本太高，……钼靶比较昂贵”的技术问题，有必要对钼基层的上限进行限定，但本专利在解决前述技术问题的同时，必然需要考虑钼基层在该技术方案中的基本导电功能，及“确保较薄的钼层保留了其所有的效果（见本专利说明书第2页第5段）”。在本专利对钼基导电层的厚度仅设定了上限、未设定下限的情况下，其下限的数值存在多种可能性，包括厚度过薄的情形。因在厚度过薄的情况下将无法实现基本的导电功能，相应地，也无法解决本专利所想解决的钼基层过厚、成本过高的问题，因此钼基层的厚度下限属于本专利的必要技术特征，权利要求1未对其进行限定，因此缺少必要技术特征。基于同样的理由，权利要求31、32、33也缺少该必要技术特征。
5、关于专利法第26条第4款
专利法第26条第4款规定，权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。
如果权利要求的技术方案是本领域技术人员能够从说明书的记载的内容中直接得到或者得出的，则权利要求符合以说明书为依据的规定。
请求人认为，根据说明书各实施例的记载，当权利要求1中Mob层的厚度小于500nm时，如果没有其他导电层，则无法实现本发明的目的,实施例1和实施例1bis显示Mob厚度在200nm时，其效果无法实现发明目的，属于“坏点”；说明书中仅提及了氧化硅和氮化硅作为阻挡层的实施例，本领域技术人员不知道其他类型的电介质材料是否能够实现发明目的。权利要求2中“所述基片是玻璃材质的”因为“钼基导电层厚度至多为500nm”无法实现发明目的的缺陷依然存在，权利要求2也得不到说明书支持。权利要求3-9、11-13中对钼基导电层厚度或者阻挡层的厚度进行了限定，但是实施例并未涵盖上述权利要求中限定的取值范围，本领域技术人员无法判断是否所有厚度范围都能实现所需效果。权利要求10中，“至少一个”涵盖了过大范围，且也未对补偿性导电层的材料进行限定，因此无法实现发明的目的；类似地，权利要求14-21和28也存在该缺陷。在上述理由的基础上，其他所有权利要求均不符合专利法第26条第4款的规定。
对此，合议组认为：关于权利要求1、2，实施例1bis是单层导电层，且其厚度小于500nm，但是，其并非请求人所谓的“坏点”，该实施例的电导率小于1，其性能已在所需的范围内（说明书第1页第4段、第8页第4段），因此，单层的Mob厚度小于500nm时可以实现发明的效果。关于阻挡层的材料，说明书中已经明确记载了权利要求书中限定的所有材料都可以作为阻挡层材料的备选，权利要求中的限定的材料是以说明书为依据的。关于权利要求3-9、11-13中的数值范围，说明书中已经给出了该数值范围的内相关实施例，本领域技术人员可以在满足技术效果的前提下选择合适的数值，且该些数值范围已记载在说明书中，因此，该些数值范围的限定是以说明书为依据的。关于权利要求10、14-21、28，说明书已经给出了一个或两个补偿性导电层的实施例，因此“至少一个”是得到说明书支持的；关于其材料，说明书也已明确记载补偿性导电层的材料最好选择成本低于钼的材料，因此，本领域技术人员可以基于说明书的记载选择合适的材料以实现发明目的，权利要求10、14-21、28均能够得到说明书的支持。基于此，请求人关于权利要求1-33不符合专利法第26条第4款规定的理由不成立。
6、关于专利法第26条第3款
专利法第26条第3款规定，说明书应当对发明作出清楚、完整的说明，以所属技术领域的技术人员能够实现为准。
如果本领域技术人员可以清楚地确定说明书记载的内容的含义，则说明书对发明作出了清楚的说明，符合专利法第26条第3款的规定。
请求人认为，说明书中“腐蚀对较厚的层的损害作用大于对较薄的层的损害作用”明显与事实不符，有理由相信本专利的理论基础是否正确；其次，实施例4-6中采用了Tin电极层，本领域技术人员无法确认其成分。因此，本专利权利要求1-33对应的说明书的内容公开不充分，不符合专利法第26条第3款的规定。
对此，合议组认为，本领域技术人员可以明确确认腐蚀对较厚的层的损害“小于”对较薄层的损害，说明书中的记载应为明显笔误；同时，本专利中为了使用较薄的层避免被腐蚀从而使用了隔离层，显然是因为较薄的层容易被腐蚀所以才采用该手段。因此，本领域技术人员可以明确判断该内容。其次，实施例4-6中的“Tin”明显是TiN的笔误，实施例1-8中明确使用了TiN，而且对本领域技术人员来说，TiN也是常见的用作阻挡层的材料。综上，请求人认为本专利说明书公开的不充分的无效理由不能成立。
7、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项现有技术记载的技术内容给出了改进该现有技术的相反的教导，则本领域技术人员无法从该现有技术或其他现有技术中得到启示对该现有技术的技术方案进行改进，权利要求相对于该些现有技术具备突出的实质性特点和显著的进步。
7.1、权利要求1
7.1.1、使用对比文件1结合对比文件2评述权利要求1的创造性的理由：
权利要求1请求保护一种在基片和包含钼基导电层的电极之间插入一用于阻挡碱金属元素的电介质层的透明基片。其要解决的技术问题在于：电介质层作为阻挡层，阻挡基片中的碱金属元素向电极甚至吸收剂层扩散，防止对电极和吸收剂层的侵蚀。
对比文件1是一项关于“钠对薄膜太阳能电池CIGS吸收层生长情况的影响”的研究的学位论文，其公开的内容包括：钠可对CIGS基底吸收层的结构特性产生有益效果，可以增大晶粒，平整表面，并对电学特性产生有益影响。具体地，向CIGS层补给钠有两种方式：一是从钠钙玻璃基底使钠穿过钼薄膜补给，或者通过钠前驱体在钼薄膜上沉积后再向沉积在钠前驱体上的CIGS层补给（参加对比文件1中文译文第4页第20-31行）。为了研究NaF前驱体对钠补给的影响，对比文件1采用了多种薄膜太阳能电池的构造方式（对比文件1中文译文第25页第2段给出了a、b、c、d四种结构）。在d结构中，即采用钠扩散阻挡层形成无钠衬底的结构中，以Al2O3作为钠扩散阻挡层覆盖在钠钙玻璃上形成基底，电池的结构为基底/钼/CIGS层……（对比文件1中文译文第17页倒数第1段至18页第1段，以及第24页、25页）。对比文件1记载，采用Na扩散阻挡层，不采用NaF时，钠钙玻璃上的CIGS沉积层没有发现任何晶体结构；同时，直接在钠钙玻璃上沉积CIGS薄膜的晶体取向度也较高（对比文件1中文译文第24页、25页，表III）。亦即，根据对比文件1的记载，如果上述对CIGS层进行钠补给的两个渠道都被阻断，则无法形成有效的CIGS结晶层，而只要向CIGS层补给钠，则其生长效果均会变优。
由上述内容可知，对比文件1认为，Na可以对CIGS薄膜太阳能电池产生有益的影响，如果隔绝从钠钙玻璃和其他途径的Na的补给，则无法获得较好性能的CIGS薄膜太阳能电池。因此，本领域技术人员从对比文件1中得到的教导是：为了生长出较好性能的薄膜太阳能电池，应当通过钠钙玻璃基底或者其他方式对吸收层进行钠的补给，在钠钙玻璃上使用钠扩散阻挡层是应当避免使用的方式。而且，虽然对比文件1提及Na穿过钼电极层，但其并未对Na对钼电极是否存在影响有任何揭示。
对比文件2公开了一种无定形太阳能电池，其指出从电极泄露出来的碱金属离子可能会扩散至无定形硅中，从而降低转化效率。为了解决该问题，对比文件2采用在钠钙玻璃表面上形成氧化硅层薄膜用以阻止碱金属离子扩散。
综上可得，对比文件1倾向于促使碱金属由玻璃基板通过电极层（即钼层）到达吸收层（即CIGS层）中，本领域技术人员不可能将对比文件2公开的碱金属阻挡层应用到对比文件1中。对权利要求1而言，对比文件1给出了相反的教导。请求人认为本领域技术人员可以将对比文件1、2结合的主张没有依据，合议组不予认可。因此，对本领域技术人员来说，权利要求1的技术方案在对比文件1和2的基础上不是显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7.1.2、分别以对比文件3、4作为最接近的现有技术结合对比文件2评述权利要求1的创造性的理由：
请求人认为，对比文件3、4均公开了透明基板上设置相应厚度的钼层的技术方案，两份现有技术与权利要求1的区别技术特征均在于权利要求1具备阻挡层。对比文件2公开了使用100纳米厚的氧化硅层形成于钠钙玻璃的表面从而阻挡碱金属离子扩散的技术方案，因此本领域技术人员可以将使用氧化硅阻挡层的技术手段应用到对比文件3或对比文件4中，从而得到权利要求1的技术方案，权利要求1不具备创造性。
对此，合议组认为，对比文件3（中文译文第4页第20-23行）公开了一种太阳能电池结构，包括玻璃衬底10，背触点由沉积在衬底上的钼金属层12构成，厚度为0.2微米（200nm）。对比文件4（中文译文第4页18-20行）公开了一种光伏电池10，其使用钠钙玻璃作为基片，后部触点由一个沉淀在基片12上的金属层14组成，金属层14为钼薄膜，厚度为0.2-2.0微米（200-2000nm）。由此可见，对比文件3、4均未公开在基片和电极层之间配备阻挡层用于阻挡碱金属元素，未公开阻挡层插入到基片和电极之间，也未公开阻挡层的材料选择及其厚度范围。
对于上述区别，如上述所述，对比文件2公开了在玻璃基板上形成氧化硅薄膜以阻止碱金属离子扩散的技术手段。但是，对比文件2是涉及一种无定形硅太阳能电池，其氧化硅薄膜阻挡碱金属离子的目的是防止对无定形硅的转化效率造成影响。而对比文件3、4均是CIS类型的太阳能电池，本领域技术人员并不明了这种太阳能电池中玻璃基底中的碱金属离子是否会对其性能造成影响，是否需要阻止其扩散。因此，本领域技术人员不可能将对比文件2中用来阻挡碱金属离子向无定形硅扩散的阻挡层应用在CIS类型的太阳能电池中，更不可能确定将该阻挡层设置在CIS类型的太阳能电池中的哪个部位上。因此，对本领域技术人员来说，权利要求1的技术方案在对比文件3、4分别结合对比文件2的基础上均不是显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7.1.3、分别以对比文件1、3、4为最接近的现有技术，结合对比文件5评述权利要求1的创造性的理由
请求人认为，（1）对比文件5公开了一种阻挡层从Al2O3、Si3N4、TiN、SiOx中选材制造，其厚度是按100nm至2微米的厚度沉积。因此，对比文件5公开了阻挡层的具体材料，其作用也与对比文件2中的相同。因此，本领域技术人员可以将对比文件1与对比文件5结合得到权利要求1的技术方案。（2）如上所述，权利要求1与对比文件3、4的区别技术特征均在于在于权利要求1具备阻挡层。对比文件5公开了阻挡层从Al2O3、Si3N4、TiN、SiOx中选材制造，其厚度是按100nm至2微米的厚度沉积；虽然对比文件5中公开的阻挡层的作用是作为耐候层，但本领域技术人员能够理解的是不含碱金属的耐候层当然地可以用于阻挡碱金属的扩散。因此，通过对比文件3或者对比文件4分别与对比文件5结合并结合本领域的公知常识得到权利要求1对本领域技术人员来说是显而易见的。
对此，合议组认为，对比文件1、3、4公开的内容及其给出的教导均在7.1.1和7.1.2部分详细分析，在此不再赘述。对于对比文件5，其公开了一种耐气候的太阳能模块，其阻挡层4的作用在于防止潮气的侵入。由此可见，对比文件5公开的阻挡层并未涉及任何阻挡碱金属离子扩散的内容，本领域技术人员在对比文件5公开的基础上不可能想到将其中公开的材料分别应用到对比文件1、3、4中来实现对玻璃基板上碱金属离子的阻挡。因此，本领域技术人员不可能将对比文件5分别与对比文件1、3、4相结合，更无法得到权利要求1的技术方案。请求人的理由不成立。
7.2、权利要求2-30
请求人认为，权利要求2-30作为权利要求1的从属权利要求，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，结合对比文件1、3-5公开的内容，权利要求2-30也不具备创造性。
对此，合议组认为，如上所述，请求人提出的所有权利要求1不具备创造性的理由均不成立，因此，请求人提出的权利要求2-30不具备创造性的理由也不成立。
7.3、权利要求31-33
请求人认为，权利要求31-33直接或间接引用了权利要求1-29，在此基础上，并结合对比文件1公开的基片用于太阳能电池的用途和相应的太阳能电池的内容，权利要求31-33也不具备创造性。
对此，合议组认为，如上所述，请求人提出的所有权利要求1-29不具备创造性的理由均不成立，因此，请求人提出的权利要求31-33不具备创造性的理由也不成立。
综上所述，请求人提出的关于权利要求1-33不具备创造性的理由均不成立。
综合以上理由，合议组做出如下决定。
三、决定
宣告02805525.X号发明专利的权利要求1、31、32、33无效，在权利要求2-30的基础上继续维持该专利有效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
