发明创造名称：量子点阵列光谱传感器
外观设计名称：
决定号：41616
决定日：2019-08-30
委内编号：4W108776
优先权日：
申请（专利）号：201611199807.8
申请日：2016-12-22
复审请求人：
无效请求人：芯视界（北京）科技有限公司
授权公告日：2018-10-26
审定公告日：
专利权人：杭州盗火者科技有限公司
主审员：张鑫
合议组组长：李礼
参审员：陈凯
国际分类号：G01J3/28
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与本领域最接近的现有技术相比所存在的区别特征属于本领域的常用技术手段，则该权利要求所限定的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
全文：
本无效宣告请求涉及国家知识产权局于2018年10月26日授权公告的201611199807.8号、名称为“量子点阵列光谱传感器”的发明专利（下称本专利），其申请日是2016年12月22日，专利权人为杭州盗火者科技有限公司。本专利授权公告时的权利要求书内容如下：
“1. 一种量子点阵列光谱传感器，其特征在于，其包括：量子点胶体阵列薄膜(2)和阵列光电探测器(5)；
所述量子点胶体阵列薄膜(2)用于承载量子点胶体阵列(3)；所述量子点胶体阵列(3)包括多个量子点胶体单元，不同的量子点胶体单元的吸收或透射光谱均不相同；
所述量子点胶体阵列薄膜(2)承载有量子点胶体阵列(3)的一面与阵列光电探测器(5)的感光面(6)相对设置；待测光谱的被测光(1)照射至量子点胶体阵列薄膜(2)后，穿过量子点胶体阵列(3)的透射光(4)被感光面(6)探测到。
2. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述感光面(6)的数量不小于量子点胶体单元的数量，每个量子点胶体单元均对应一个感光面(6)，被测光(1)穿过每个量子点胶体单元形成的透射光(4)投影到对应的感光面(6)上。
3. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述量子点胶体单元的数量不小于感光面(6)的数量，每个感光面(6)均对应一个量子点胶体单元，感光面(6)用于探测其对应量子点胶体单元被穿过的透射光(4)。
4. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述感光面(6)和量子点胶体单元一一对应，每个量子点胶体单元均对应一个感光面(6)，被测光(1)穿过每个量子点胶体单元形成的透射光(4)投影到对应的感光面(6)上。
5. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，量子点胶体阵列(3)的吸收或透射光谱覆盖从紫外波段到红外波段。
6. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述量子点胶体单元由硫化镉和硒化镉的混合纳米颗粒分散在聚乙烯醇缩丁醛树脂中组成；不同的量子点胶体单元具有不同的纳米颗粒的粒径或/和纳米颗粒的混合比例。
7. 根据权利要求1-4任一项所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上。”
针对上述专利权，无效宣告请求人芯视界（北京）科技有限公司（下称请求人）于2019年04月24日向国家知识产权局提出无效宣告请求，其理由是本专利权利要求1-7不符合专利法第22条第2款和专利法第22条第3款的规定，请求宣告本专利全部无效。随同其无效宣告请求书，请求人提交了如下证据：
证据1：“A colloidal quantum dot spectrometer”, Jie Bao& Moungi G.Bawendi，NATURE，VOL 523 2 JULY 2015，及其中文译文，以及中国科学院文献情报中心出具的编号为2019-096号文献提供证明复印件共18页；
证据2：申请公布号为CN104583760A的中国发明专利申请，其申请公布日为2015年04月29日。
结合上述证据，请求人认为：权利要求1-7相对于证据1或证据2不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；权利要求1相对于证据1与公知常识的结合或证据1与证据2的结合或证据2与公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2和3的附加技术特征被证据1与公知常识的结合或证据2与公知常识的结合公开，从属权利要求4-7的附加技术特征被证据1或证据2公开，因此也均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了上述无效宣告请求，并于2019年05月06日向双方当事人发出无效宣告请求受理通知书，并将无效宣告请求书及其所附附件副本转送给专利权人。
国家知识产权局依法成立合议组，对上述无效宣告请求进行审查。
本案合议组于2019年05月23日向双方当事人发出口头审理通知书，告知双方当事人本案定于2019年07月03日举行口头审理。
专利权人于2019年06月12日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，在授权权利要求书的基础上，删除了原权利要求7，将原权利要求7中的附加技术特征补入原权利要求1中，形成新的权利要求1，将原权利要求2中的“所述感光面（6）的数量不小于量子点交替单元的数量”修改为“所述感光面（6）的数量大于量子点胶体单元的数量”形成新的权利要求2，将原权利要求3中的“所述量子点胶体单元的数量不小于感光面（6）的数量”修改成“所述量子点胶体单元的数量大于感光面（6）的数量”形成新的权利要求3。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种量子点阵列光谱传感器，其特征在于，其包括：量子点胶体阵列薄膜(2)和阵列光电探测器(5)；
所述量子点胶体阵列薄膜(2)用于承载量子点胶体阵列(3)；所述量子点胶体阵列(3)包括多个量子点胶体单元，所述量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上不同的量子点胶体单元的吸收或透射光谱均不相同；
所述量子点胶体阵列薄膜(2)承载有量子点胶体阵列(3)的一面与阵列光电探测器(5)的感光面(6)相对设置；所述量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上；待测光谱的被测光(1)照射至量子点胶体阵列薄膜(2)后，穿过量子点胶体阵列(3)的透射光(4)被感光面(6)探测到。
2. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述感光面(6)的数量大于量子点胶体单元的数量，每个量子点胶体单元均对应一个感光面(6)，被测光(1)穿过每个量子点胶体单元形成的透射光(4)投影到对应的感光面(6)上。
3. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述量子点胶体单元的数量大于感光面(6)的数量，每个感光面(6)均对应一个量子点胶体单元，感光面(6)用于探测其对应量子点胶体单元被穿过的透射光(4)。
4. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述感光面(6)和量子点胶体单元一一对应，每个量子点胶体单元均对应一个感光面(6)，被测光(1)穿过每个量子点胶体单元形成的透射光(4)投影到对应的感光面(6)上。
5. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，量子点胶体阵列(3)的吸收或透射光谱覆盖从紫外波段到红外波段。
6. 根据权利要求1所述的量子点阵列光谱传感器，其特征在于，所述量子点胶体单元由硫化镉和硒化镉的混合纳米颗粒分散在聚乙烯醇缩丁醛树脂中组成；不同的量子点胶体单元具有不同的纳米颗粒的粒径或/和纳米颗粒的混合比例。”
专利权人在意见陈述书中认为：对请求人所提交有关证据1的中文译文的部分内容的准确性提出异议，同时指出证据1和2均未公开本专利方案中的量子点胶体阵列薄膜，也未公开本专利方案中的所述量子点胶体阵列薄膜紧贴于阵列光电探测器的感光面上的技术特征，修改后的权利要求1的技术方案也无法从证据1和证据2中获得量子点胶体阵列薄膜2将量子点胶体阵列3与外界环境隔离的技术启示，也没有任何证据可以证明前述区别特征属于本领域的公知常识。因此权利要求1具备新颖性和创造性。从属权利要求2-6的附加技术特征也未被证据1和证据2公开，因此也均具备新颖性和创造性。
本案合议组于2019年06月17日向请求人发出转送文件通知书，将专利权人于2019年06月12日提交的意见陈述书及其附件副本转给了请求人。
请求人于2019年07月02日提交了意见陈述书，认为专利权人于2019年06月12日提交的权利要求书全文修改替换页中对权利要求2、3的修改不符合无效程序中对权利要求修改方式的规定，不应当被接受。请求人还针对专利权人于2019年06月12日提交的意见陈述中的意见进行了答复。
口头审理如期举行，请求人委托专利代理人陈涛、张宝瑜、闫宇以及公民代理人孙常库出席了本次口头审理，专利权人委托公民代理人王肖隆、陈明烨、廖青松出席了本次口头。在口头审理过程中，合议组当庭将请求人于2019年07月02日提交的意见陈述书转给专利权人并明确告知双方当事人，经审查专利权人于2019年06月12日提交的权利要求书中的修改方式不符合审查指南的相关规定的规定，合议组不予接受。本次口头审理以本专利授权公告文本为基础进行审查，双方均无异议。专利权人对请求人提交的所有证据的真实性、公开时间无异议，但对证据1的中文译文提出异议，当庭经双方认可，证据1中文译文第[0016]段第6行“0.5mm”和第8行“covering”的翻译以专利权人的译文为准，其余部分均以请求人的译文为准，双方均无异议。请求人明确其无效宣告请求的理由和范围为：权利要求1-7不具备专利法第22条第2款规定的新颖性和专利法第22条第3款规定的创造性。评述新颖性和创造性时的证据使用方式与请求书的书面意见一致。针对具体的无效理由，双方都充分发表了意见。
2019年07月10日，请求人再次提交了口审代理词，专利权人也于同日提交了意见陈述书，其中所陈述的具体意见与当庭发表的意见一致。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查基础
专利权人于2019年06月12日提交的权利要求书修改替换页中，在本专利授权公告文本的基础上，将权利要求7的附加技术特征补入到权利要求1中并相应删除权利要求7，同时将权利要求2、3中的“不小于”修改为“大于”，经审查，专利权人对于权利要求2、3的修改方式不符合审查指南的相关规定，合议组不予接受。因此，本案的审查基础是本专利授权公告的权利要求第1-7项。
2、关于证据
请求人提交的证据1－2，专利权人对其真实性未提出异议，合议组经审查未发现影响其真实性的明显缺陷，因此证据1－2的真实性可以确认。证据1－2的公开日期均早于本专利申请日，其可以作为评价本专利是否具备新颖性和创造性的证据使用。专利权人对证据1提出了译文异议，当庭经双方认可，其中证据1中文译文第[0016]段第6行“0.5mm”和第8行“covering”的翻译以专利权人的译文为准，其余部分以请求人的译文为准。
3、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
具体到本案：
3.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1要求保护一种量子点阵列光谱传感器，证据2公开了一种光谱仪装置，与本专利属于相同的技术领域，其具体公开了以下技术内容（参见证据2说明书第[0135]-[0152]段及附图6-10B）：量子点（QD或半导体纳米晶体）作为新型过滤材料，导致很好的适应性且提供有前途的解决方案。参见图6，其示出了用于半导体纳米晶体光谱仪的光学测量机构。所示例的半导体纳米晶体光谱仪可简单地由一套半导体纳米晶体吸收滤光片和每个半导体纳米晶体滤光片后面的用于测量光强度的光探测器组成。在测量期间，一次输送一个地将光源发送通过一套半导体纳米晶体吸收滤光片，并且透射的光强度由每个滤光片后的光探测器记录。参见图8A和8B，半导体纳米晶体滤光片可制备在盖板片上，其保持成分纳米晶体的透射光谱。在图8A中，盖板片上的195个半导体纳米晶体滤光片示出为每个滤光片可由CdS或CdSe半导体纳米晶体制造，其埋设在由盖板片支撑的薄聚乙烯基丁缩醛膜中。在该示例中，在不失去一般性的情况下选择了230nm光谱范围（390nm-620nm），并且所用的195个不同的半导体纳米晶体滤光片由195个不同种类之中的半导体纳米晶体制造，其尺寸和成分各异。参见图10A，可集成半导体纳米晶体光谱仪。不同的半导体纳米晶体可以以不同的方式（例如通过喷墨印刷或接触转移印刷）印刷在探测器阵列（例如CCD/CMOS传感器）上，或者可分开制备成独立的过滤膜，然后装配在探测器阵列上。图10B示出了一个示例，其中用约150个不同半导体纳米晶体和PMMA聚合物制造的半导体纳米晶体滤光片阵列集成为CCD照相机。
由证据2公开的内容可知，证据2中的光谱仪包括半导体纳米晶体吸收滤光片和每个半导体纳米晶体滤光片后面的用于测量光强度的光探测器，其中半导体纳米晶体为量子点，且图8A示出了由195个不同的半导体纳米晶体滤光片构成的阵列，每个滤光片可由CdS或CdSe半导体纳米晶体制造，其埋设在由盖板片支撑的薄聚乙烯基丁缩醛膜中，证据2中由半导体纳米晶体吸收滤光片构成的阵列相当于权利要求1中的量子点胶体阵列；证据2中每个半导体纳米晶体滤光片后面的用于测量光强度的光探测器构成的探测器阵列相当于权利要求1中的阵列光电探测器；证据2中半导体纳米晶体滤光片可制备在盖板片上，盖板片上的195个半导体纳米晶体滤光片示出为每个滤光片可由CdS或CdSe半导体纳米晶体制造，其埋设在由盖板片支撑的薄聚乙烯基丁缩醛膜中，其中证据2中的盖板片相当于权利要求1中的量子点胶体阵列薄膜用于承载量子点胶体阵列；证据2中所用的195个不同的半导体纳米晶体滤光片由195个不同种类之中的半导体纳米晶体制造，其尺寸和成分各异，相当于权利要求1中量子点胶体阵列包括多个量子点胶体单元，不同的量子点胶体单元的吸收或透射光谱均不相同；证据2中在测量期间，一次输送一个地将光源发送通过一套半导体纳米晶体吸收滤光片，并且透射的光强度由每个滤光片后的光探测器记录，相当于权利要求1待测光谱的被测光照射至量子点胶体阵列薄膜后，穿过量子点胶体阵列的透射光被感光面探测到。
专利权人认为：证据2中的滤光片暴露在盖板片上，盖板片不能将量子点胶体阵列与外界环境隔离，因此，证据2中的盖板片不能相当于权利要求1中的薄膜。
对此，合议组认为：权利要求1中仅限定了“量子点胶体阵列薄膜用于承载量子点胶体阵列”，并没有具体限定量子点胶体阵列薄膜的种类、是否密封等技术特征。虽然说明书第[0029]段记载了“量子点胶体阵列薄膜2的作用在于承载量子点胶体阵列3并将量子点胶体阵列与外界环境隔离”，此处所指与外界环境隔离是指通过薄膜结构使量子点胶体阵列与外界环境隔离，而非专利权人所称是由于“承载有量子点胶体阵列的一面与阵列光电探测器的感光面相对设置”而获得的与外界环境隔离这一效果。如前所述，证据2中的盖板片用于承载薄聚乙烯基丁缩醛膜，而薄聚乙烯基丁缩醛膜中埋设由CdS或CdSe半导体纳米晶体制造的半导体纳米晶体滤光片，即证据2中的盖板片也是用于承载量子点胶体阵列的，其与权利要求1中的量子点胶体阵列薄膜的作用相同，同时证据2中的半导体纳米晶体滤光片埋设在薄聚乙烯基丁缩醛膜中，其结构也能够实现与外界环境隔离，因此，证据2中的盖板片能够相当于权利要求1中的量子点胶体阵列薄膜，专利权人的意见合议组不予支持。
权利要求1与证据2相比，区别技术特征在于：权利要求1中量子点胶体阵列薄膜承载有量子点胶体阵列的一面与阵列光电探测器的感光面相对设置。
基于该区别技术特征可知，权利要求1实际解决的技术问题是：如何减小量子点胶体阵列与阵列光电探测器的感光面之间的距离。
专利权人认为：证据2并未公开量子点胶体阵列承载在量子点胶体阵列薄膜的具体位置，也未公开量子点胶体阵列薄膜承载量子点胶体阵列的一面与阵列光电探测器的感光面相对设置的方式。尤其是，证据2中公开的“喷墨印刷方式或接触转移印刷”等“印刷”技术，将造成“印刷”的“半导体纳米晶体”即量子点材料直接暴露在外界环境中，无法形成将“半导体纳米晶体”即量子点材料与外界隔离的技术效果。
对此，合议组认为：首先，根据本专利说明书第[0029]段的记载“量子点胶体阵列薄膜2的作用在于承载量子点胶体阵列3并将量子点胶体阵列与外界环境隔离，阵列光电探测器5可以是安装一壳体上，然后将量子点胶体阵列薄膜2紧贴于阵列光电探测器5上，同时，需要保证量子点胶体阵列薄膜承载量子点胶体阵列3的一面与阵列光电探测器5的感光面相对设置，即在上述紧贴的情况下，可以认为量子点胶体阵列3与感光面6接触”可知，将量子点胶体阵列与外界环境隔离是量子点胶体阵列薄膜所起到的作用，而将量子点胶体阵列薄膜承载有量子点胶体阵列的一面与阵列光电探测器的感光面相对设置的目的使得量子点胶体阵列与阵列光电探测器之间的距离尽可能小。其次，证据2进一步公开了（参见证据2说明书第[0148]及[0152]段）：集成的半导体纳米晶体光谱仪可通过在用于光谱仪的探测器阵列上印刷可溶液支撑的半导体纳米晶体而制造，以进一步有利于简化设计和对光学和对准的最小需求。不同的半导体纳米晶体可以以不同的方式（例如通过喷墨印刷或接触转移印刷）印刷在探测器阵列（例如CCD/CMOS传感器）上。由此可见，证据2公开了两种制作光谱仪的方式，一种方式为通过半导体纳米晶体滤光片制备在盖板片上，再装配在探测器阵列上，另一种方式为通过在用于光谱仪的探测器阵列上印刷可溶液支撑的半导体纳米晶体，且证据2公开了相比于盖板片的方式，在用于光谱仪的探测器阵列上印刷可溶液支撑的半导体纳米晶体的方式能够简化设计和利于光学对准，即证据2给出了为了简化设计和光学对准，将量子点胶体单元与阵列光电探测器的感光面的距离设置为尽可能小的技术启示，在该技术启示的教导下，本领域技术人员容易想到，将量子点胶体阵列薄膜承载有量子点胶体阵列的一面与阵列光电探测器的感光面相对设置，以尽可能的减小量子点胶体与阵列光电探测器的感光面之间的距离，该种设置方式为本领域技术人员的公知常识，无需付出创造性劳动，且该设置方式也没有带来任何预料不到的技术效果。
因此，在证据2的基础上结合本领域公知常识，得到权利要求1的技术方案的，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.2权利要求2、3、4不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2、3、4分别引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征分别就感光面的数量与量子点交替单元的数量进行了进一步限定。
证据2公开了（参见证据2说明书第[0136]-[0137]段）：半导体纳米晶体光谱仪可简单地有一套半导体纳米晶体吸收滤光片和每个半导体纳米晶体滤光片后面的用于测量光强度的光探测器组成。在测量期间，一次输送一个地将光源发送通过一套半导体纳米晶体吸收滤光片，并且透射的光强度由每个滤光片后的光探测器记录。即证据2公开了感光面和量子点胶体单元一一对应，数量相同，且被测光(1)穿过每个量子点胶体单元形成的透射光(4)投影到对应的感光面(6)上，感光面(6)用于探测其对应量子点胶体单元被穿过的透射光(4)。
而对于“感光面的数量大于量子点胶体单元的数量”以及“量子点胶体单元的数量大于感光面的数量”的情况，本领域技术人员能够知晓，只要能够利用足够数量的量子点胶体单元和对应的感光面组合得到足够多的信息来重构待测光的光谱，量子点胶体单元的数量和对应感光面的数量可以相同，也可以不同。在量子点胶体单元的数量和感光面的数量相同的情况下，本领域技术人员容易想到将量子点胶体单元和感光面一一对应。在量子点胶体单元的数量大于感光面的情况下，会导致穿过部分量子点胶体单元的光未被感光面检测，此时，虽然这部分量子点胶体单元被闲置，但光谱检测不会受到任何影响。在感光面的数量大于量子点胶体单元的情况下，会导致部分待测光在没有穿过量子点胶体单元的情况下即到达感光面，此时，只需使相应的感光面不输出信号，就能够不对光谱检测造成任何影响。
专利权人认为：感光面数量与量子点胶体数量不同时，具有特殊的技术效果。
对此，合议组认为：根据说明书第[0033]和[0034]段的记载可知，当感光面的数量大于量子点胶体数量时，未被对应上的感光面无信号输出，当量子点胶体单元的数量大于感光面的数量时，未被对应上的量子点胶体单元不被探测，专利权人在意见陈述中例举的技术效果均没有记载在说明书中，合议组不予认可。
因此，本领域技术人员能够知晓，只要互相对应的量子点胶体单元和感光面足够多，就能够实现光谱检测，感光面和量子点胶体单元的实际数量是否相同不会对光谱检测的功能造成任何影响，在此基础上，本领域技术人员完全可以根据实际的制造条件，来任意地选择感光面的数量是等于、大于还是小于量子点胶体单元的数量，属于本领域技术人员的常规选择。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求2、3和4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征为：量子点胶体阵列(3)的吸收或透射光谱覆盖从紫外波段到红外波段。
证据2进一步公开了（参见证据2说明书第[0135]段）：通过简单的调谐这样材料的尺寸、形状和成分恰好在波长从深UV至远IR的宽范围上。
由此可见，权利要求5的附加技术特征已经被证据2公开了，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征为：所述量子点胶体单元由硫化镉和硒化镉的混合纳米颗粒分散在聚乙烯醇缩丁醛树脂中组成；不同的量子点胶体单元具有不同的纳米颗粒的粒径或/和纳米颗粒的混合比例。
证据2进一步公开了（参见证据2说明书第[0088]、[0135]、[0145]-[0146]段）：形成纳米晶体的半导体可包括例如CdS、CdSe或其混合。在图8A中，盖板片上的195个半导体纳米晶体滤光片示出为每个滤光片可由CdS或CdSe半导体纳米晶体制造，其埋设在由盖板片支撑的薄聚乙烯基丁缩醛膜中。在该示例中，在不失去一般性的情况下选择了230nm光谱范围（390nm-620nm），并且所用的195个不同的半导体纳米晶体滤光片由195个不同种类之中的半导体纳米晶体制造，其尺寸和成分各异。在该示例中，在不失去一般性的情况下选择了230nm光谱范围（390nm-620nm），并且所用的195个不同的半导体纳米晶体滤光片由195个不同种类之中的半导体纳米晶体制造，其尺寸和成分各异。
由此可见，权利要求6的附加技术特征已经被证据2公开了，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求7引用权利要求1-4中任一项，其进一步限定的附加技术特征为：所述量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上。
专利权人认为：本专利中的“紧贴”设置，可以保证量子点胶体阵列与阵列光电探测器的感光面接触，使量子点胶体阵列与感光面之间的光学距离无限接近于0，从而保证量子点胶体阵列与感光面组成的非成像光学系统不因为入射光相对垂直轴的角度分布产生探测噪声；此外，“紧贴”的设置还可以尽量保证量子点胶体阵列在薄膜与阵列光电探测器之间与空气分离，从而更好地与外界环境隔离。证据2中公开的“印刷”或“装配”方式，其表明的都是与“探测器阵列”的关系，而非与“阵列光电探测器感光面”的关系，都没有公开薄膜紧贴于阵列光电探测器的感光面上。因此，证据2并未公开“所述量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上”。
对此，合议组认为：首先，根据本专利说明书第[0029]段的记载“阵列光电探测器5可以是安装一壳体上，然后将量子点胶体阵列薄膜2紧贴于阵列光电探测器5上，同时，需要保证量子点胶体阵列薄膜承载量子点胶体阵列3的一面与阵列光电探测器5的感光面相对设置，即在上述紧贴的情况下，可以认为量子点胶体阵列3与感光面6接触”可知，本专利中将“将量子点胶体阵列薄膜2紧贴于阵列光电探测器5上，同时量子点胶体阵列薄膜承载量子点胶体阵列3的一面与阵列光电探测器5的感光面相对设置”的情况认为是“量子点胶体阵列3与感光面6接触”，从本专利中权利要求及说明书的记载中均不能直接、毫无疑义的确定权利要求7中的“紧贴”是紧贴于阵列光电探测器5的感光元件的感光面。而如前所述，证据2进一步公开了将半导体纳米晶体材料印刷在探测器阵列上的方式，即证据2给出了将量子点胶体单元与阵列光电探测器的感光面的距离设置为尽可能小的技术启示，在该技术启示的教导下，本领域技术人员容易想到，将量子点胶体阵列薄膜(2)紧贴于阵列光电探测器(5)的感光面(6)上，以尽可能的减小量子点胶体与阵列光电探测器的感光面之间的距离。 其次，即使如专利权人所言，权利要求7中的“紧贴”是紧贴于阵列光电探测器5的感光元件的感光面，在证据2给出的将量子点胶体单元与阵列光电探测器的感光面的距离设置为尽可能小的技术启示下，本领域技术人员也容易想到将探测器表面的保护层去除，以进一步减小量子点胶体单元与阵列光电探测器的感光元件的感光面之间的距离，无需付出创造性劳动。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-7不具备创造性，应予以全部无效。因而，本决定中不再对请求人提出的其他证据组合方式进行评述。
基于以上事实和理由，本案合议组依法做出如下审查决定。
三、决定
宣告201611199807.8号发明专利权全部无效。
当事人对本决定不服的，可以根据专利法第46条第2款的规定，自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。根据该款的规定，一方当事人起诉后，另一方当事人作为第三人参加诉讼。
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