发明创造名称：阻抗匹配网络及等离子体处理设备
外观设计名称：
决定号：201604
决定日：2020-01-19
委内编号：1F263894
优先权日：
申请（专利）号：201410460933.9
申请日：2014-09-11
复审请求人：北京北方华创微电子装备有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周璞
合议组组长：赵露泽
参审员：王喆
国际分类号：H03H7/38，H01J37/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征中的一部分被另外的对比文件公开且给出结合的技术启示、其余部分是本领域的公知常识，则在该最接近的对比文件基础上结合该另外的对比文件和本领域公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410460933.9，名称为“阻抗匹配网络及等离子体处理设备”的发明专利申请（下称本申请）。申请人由北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更为北京北方华创微电子装备有限公司。本申请的申请日为2014年09月11日，公开日为2016年04月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月17日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年09月11日提交的说明书摘要、说明书第1-48段、摘要附图、说明书附图图1-6、权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阻抗匹配网络，包括第一连接端、第二连接端和接地端，其特征在于，还包括第一电感、第二电感、第一可变电容和第二可变电容，其中：
所述第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接；
所述第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接；
所述第二电感和所述第一可变电容并联后，一端与所述接地端连接，另一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间。
2. 根据权利要求1所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述第一连接端连接电源，所述第二连接端连接负载；或者，
所述第一连接端连接负载，所述第二连接端连接电源。
3. 根据权利要求2所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源为中频电源或者低频电源。
4. 根据权利要求3所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为100KHz～800KHz。
5. 根据权利要求4所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为400KHz±10％。
6. 根据权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF。
7. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括一个权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配网络；所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；或者，所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
8. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括两个权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配网络；其中，一个所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；且，另一个所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
9. 根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。
10. 根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。”
驳回决定中所引用的对比文件为：
对比文件1：CN1773848A，公开日为2006年05月17日；
对比文件2：CN102377404A，公开日为2012年03月14日；
对比文件3：CN103166595A，公开日为2013年06月19日。
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件1（CN1773848A）的区别技术特征在于：第二电感和第一可变电容并联。该区别技术特征已被对比文件2（CN102377404A）公开且给出了结合的启示，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-6的附加技术特征部分已被对比文件1公开，其余为公知常识，因此，权利要求2-6不具备创造性。独立权利要求7、8与对比文件1的区别技术特征均在于：（1）第二电感和第一可变电容并联；（2）阻抗匹配网络的第二连接端与第二电极连接，第一连接端与第二功率源相连。其中，区别技术特征（1）已被对比文件2公开且给出了结合的启示，区别技术特征（2）已被对比文件3（CN103166595A）公开且给出了结合的启示，在对比文件1的基础上结合对比文件2-3得到权利要求7、8的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求7、8不具备创造性。从属权利要求9-10的附加技术特征已被对比文件3公开，因此权利要求9-10也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月25日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求第1-10项的全文替换页。主要修改为：将说明书中记载的“所述第一电感、所述第二电感、所述第一可变电容和所述第二可变电容构成T形的阻抗匹配网络”加入原权利要求1中。复审请求人认为：对比文件2图8中的电容电感组合应当从整体上考虑，本领域技术人员不能想到将其中单独的感性元件Lp10应用于对比文件1；本申请实际解决的技术问题为如何构建一个基本对称的T型匹配网络，以使得阻抗匹配网络输入输出倒置；本申请应用于中低频而对比文件1应用于高频。因而本申请具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种阻抗匹配网络，包括第一连接端、第二连接端和接地端，其特征在于，还包括第一电感、第二电感、第一可变电容和第二可变电容，其中：
所述第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接；
所述第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接；
所述第二电感和所述第一可变电容并联后，一端与所述接地端连接，另一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间；
所述第一电感、所述第二电感、所述第一可变电容和所述第二可变电容构成T形的阻抗匹配网络。
2. 根据权利要求1所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述第一连接端连接电源，所述第二连接端连接负载；或者，
所述第一连接端连接负载，所述第二连接端连接电源。
3. 根据权利要求2所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源为中频电源或者低频电源。
4. 根据权利要求3所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为100KHz～800KHz。
5. 根据权利要求4所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为400KHz±10％。
6. 根据权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF。
7. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括一个权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配网络；
所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；或者，
所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
8. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括两个权利要求1-6任一项所述的阻抗匹配网络；
其中，一个所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；且，另一个所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
9. 根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。
10. 根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了T型阻抗匹配网络的输入端连接交流电流源，与本申请相同，因此，本领域技术人员可直接毫无疑义地确定VC3连接接地端，同时T型阻抗匹配网络底端接地也是本领域的常用技术手段；由于权利要求1只涉及阻抗匹配网络的结构和连接方式，并不涉及适用于何种频率的交流源，因此申请人争辩的适用于何种电源问题并不存在；同时本申请说明书中明确说明了在采用上述电感电容的连接结构的基础上，第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，第一可变电容的范围为500pF～1500pF，第二可变电容的范围为300pF～1500pF时阻抗匹配范围才基本相同，才可实现输入输出倒置，在权利要求1只涉及电容电感的连接方式的特征下，其解决的技术问题只限于阻抗网络的基本作用，即调整阻抗，本申请与对比文件1的区别在于设置第二电感和第一可变电容并联，其实际解决的技术问题是如何调整阻抗，对比文件2公开了在T型阻抗网络的底端设置固定值的电感与可变电容并联来调整阻抗，那么本领域技术人员有启示去给对比文件1中的T型阻抗网络底端的VC3并联一个固定电感来调整阻抗，因此坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08 月27 日向复审请求人发出复审通知书，其中引用了驳回决定中的对比文件1-3，并指出：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）本次通知书并未将对比文件2中单独的感性元件Lp10应用于对比文件1。对比文件2中，电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端连接在T型阻抗匹配网络的中间点，另一端通过Cp2连接接地点，上述结构正是为大范围调整阻抗而设计，为了提高阻抗调整的范围，本领域技术人员有动机将对比文件2中的上述结构“电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端通过可变电容Cp2连接接地点”应用于对比文件1，从而获得由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，同时，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识。相比于本申请的T形阻抗匹配网络，可变电容Cp1的存在进一步增大了阻抗的调整范围，当希望采用更少的器件或不需要过大的调整范围时，自然也可以不设置可变电容Cp1或选择合适的可变电容型号并将其容抗调整为很低数值，从而获得本申请的T形阻抗匹配网络，上述过程对于本领域技术人员而言不存在技术障碍，是容易想到的且技术效果可以预期。（2）本申请说明书第4-5段明确指出了本申请要解决的技术问题，提供阻抗调整范围大、精度高的阻抗匹配网络，同时，权利要求1请求保护由电容电感的连接方式构成的技术方案，这种连接方式并不能确保输入输出倒置，因而输入输出倒置不是其要解决的技术问题。关于输入输出倒置，本申请说明书中明确记载了在某一特定实施例中，当第一电感选为300μH，第二电感为150μH，第一可变电容的范围为500pF～1500pF，第二可变电容的范围为300pF～1500pF时，阻抗匹配范围才相差不大，才可实现意见陈述所言的输入输出倒置。同时，结合对比文件1-2而获得的由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，相对于本申请的T形阻抗匹配网络而言，仅在接地端增加了一个可变电容Cp1，并且，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识，增加的可变电容进一步扩展了阻抗匹配网络的调整范围，其同样可以实现在一定的参数范围下输入输出倒置时阻抗匹配相差不大，不会对意见陈述所言的输入输出倒置的实现产生影响。（3）权利要求1请求保护由电容电感的连接方式构成的技术方案，基于本领域技术人员的认识，这种电容电感的连接方式并不是只能用于中低频电源，其是否只能用于中低电源取决于多种因素，尤其是各部件的参数选择。同样，对比文件1、2公开的电容电感的连接方式，其是否只能用于高频电源也取决于包含参数选择在内的多种因素。本领域技术人员在面对如何扩展阻抗调整范围的技术问题时，可以在对比文件1、2的连接方式中获得启示，不需要付出创造性劳动。因此，本申请不具备创造性。
复审请求人于2019年09 月27 日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求第1-9项的全文替换页。具体修改为，将原权利要求6的附加技术特征以及说明书第36段中的“所述阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用”加入权利要求1。复审请求人认为：对比文件1在电容VC4的右侧还具有电感L3，对比文件2在Lpo1和Cp1并联之后，接地之前，还串联了电容Cp2，因而在对比文件1和对比文件2结合之后，只能获得相比于本申请电路增加了电感L3和电容Cp2的电路，而不能获得本申请电路。并且，本申请的阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用。因此，本申请具备突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
提交意见陈述时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种阻抗匹配网络，包括第一连接端、第二连接端和接地端，其特征在于，还包括第一电感、第二电感、第一可变电容和第二可变电容，其中：
所述第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接；
所述第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接；
所述第二电感和所述第一可变电容并联后，一端与所述接地端连接，另一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间；
所述第一电感、所述第二电感、所述第一可变电容和所述第二可变电容构成T形的阻抗匹配网络；
所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，所述阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用。
2. 根据权利要求1所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述第一连接端连接电源，所述第二连接端连接负载；或者，
所述第一连接端连接负载，所述第二连接端连接电源。
3. 根据权利要求2所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源为中频电源或者低频电源。
4. 根据权利要求3所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为100KHz～800KHz。
5. 根据权利要求4所述的阻抗匹配网络，其特征在于，所述电源频率范围为400KHz±10％。
6. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括一个权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络；
所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；或者，
所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
7. 一种等离子体处理设备，包括用于产生等离子体的第一电极和第一功率源，用于放置晶片的第二电极和第二功率源，其特征在于，还包括两个权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络；
其中，一个所述阻抗匹配网络的所述第一连接端与所述第一电极连接，所述第二连接端与所述第一功率源相连；且，另一个所述阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连。
8. 根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。
9. 根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体设备为电感耦合等离子体刻蚀设备。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年09月27日答复复审通知书时提交了意见陈述书和权利要求第1-9项的全文替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：申请日2014年09月11日提交的说明书摘要、说明书第1-48段、摘要附图、说明书附图图1-6，2019年09月27日提交的权利要求第1-9项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征中的一部分被另外的对比文件公开且给出了结合的技术启示、其余部分是本领域的公知常识，则在该最接近的对比文件基础上结合该另外的对比文件和本领域公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN1773848A，公开日为2006年05月17日；
对比文件2：CN102377404A，公开日为2012年03月14日；
对比文件3：CN103166595A，公开日为2013年06月19日。
其中对比文件1作为最接近的现有技术。
权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性:
2.1. 权利要求1请求保护一种阻抗匹配网络。对比文件1公开了一种阻抗匹配网络，包括（参见说明书第5页第16行至第6页第14行及附图10）：该电力装置中的阻抗匹配装置包括电感L2，可变电容VC3和VC4，由附图10可知，L2一端与输入侧检测器44相连，另一端与VC4连接；VC4另一端通过电感L3连接负载42；可变电容VC3一端连接在L2与VC4之间，即对比文件1公开了一种阻抗匹配网络，第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接，第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接，第一可变电容一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间，并且，电感L2、可变电容VC3、VC4构成T形的阻抗匹配网络。
由此可见，权利要求1与对比文件1相比区别技术特征为：T形的阻抗匹配网络还包括第二电感，第二电感和第一可变电容并联后一端与接地端连接。所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用。基于以上区别技术特征，权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题是：如何提高阻抗的调整范围并进一步扩展其匹配能力。
对于以上区别技术特征，对比文件2公开了一种T型阻抗匹配网络，并具体公开了（参见附图8）：电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端连接在T型阻抗匹配网络的中间点，另一端通过Cp2连接接地点，即对比文件2公开了第二电感和第一可变电容并联，并作为T形的阻抗匹配网络的一部分，由此可见，上述区别技术特征已经被对比文件2公开，且作用相同，都是为大范围调整阻抗而设计，即对比文件2给出了将上述区别技术特征用于对比文件1以解决上述问题的启示。具体而言，为了提高阻抗调整的范围，本领域技术人员有动机将对比文件2中的“电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端通过可变电容Cp2连接接地点”应用于对比文件1，从而获得由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，同时，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识。相比于本申请的T形阻抗匹配网络，可变电容Cp1的存在进一步增大了阻抗的调整范围，其同样可以实现在一定的参数范围下输入输出倒置时阻抗匹配相差不大，从而实现输入端和输出端颠倒使用，当希望采用更少的器件或不需要过大的调整范围时，自然也可以不设置可变电容Cp1或选择合适的可变电容型号并将其容抗调整为很低数值，从而获得本申请的T形阻抗匹配网络，上述过程对于本领域技术人员而言不存在技术障碍，是容易想到的，且技术效果可以预期。对于一个由电容、电感连接而成的具有特定结构的阻抗匹配网络而言，其阻抗、相频特性、幅频特性的计算方式是本领域的公知常识，且具体数值由电容和电感参数取值决定。通过调整匹配网络的电容和电感值来使阻抗特性满足特定需求，只需将阻抗的对应特性与需求参数联立方程并求解参数范围即可，基于此，设置第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，均为本领域技术人员的常规选择，且技术效果可以预期。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及公知常识以得到权利要求1所请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2. 权利要求2对权利要求1作了进一步的限定。其附加技术特征已经被对比文件1公开了（参见附图10）：T型阻抗匹配网络一端通过输入侧检测器44连接电源，另一端连接负载；同时本领域技术人员也可以根据需要使负载和电源位置互换，属于本领域技术人员的常用技术手段。因此，权利要求2在引用权利要求1不具备创造性的基础上，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3. 权利要求3-5的附加技术特征中：对于一个由电容、电感连接而成的具有特定结构的阻抗匹配网络而言，其阻抗、相频特性、幅频特性的计算方式是本领域的公知常识，且具体数值由电容和电感参数取值决定。通过调整匹配网络的电容和电感值来使该阻抗匹配网络适用于中、低频电源或使阻抗特性满足其他特定需求，只需将阻抗的对应特性与需求参数联立方程并求解参数范围即可，基于此，使电源频率范围为100KHz～800KHz或是400KHz±10％均为本领域技术人员的常规选择，且技术效果可以预期。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求3-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4. 权利要求6请求保护一种等离子体处理设备，其包括权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络。对比文件1公开了一种阻抗匹配网络，包括（参见说明书第5页第9行至第6页第14行及附图10）：该电力装置中的阻抗匹配装置包括电感L2，可变电容VC3和VC4，由附图10可知，L2一端与输入侧检测器44相连，另一端与VC4连接；VC4另一端通过电感L3连接负载42；可变电容VC3一端与接地端连接，另一端连接在L2与VC4之间；在高频电源和由负载形成的等离子体处理室之间安装有阻抗匹配装置，对于该阻抗匹配装置来说，通过使高频电源的阻抗和作为负载的等离子体处理室的阻抗相匹配，而能够使从负载向高频电源的反射电力变成最小，从而使供给至负载的电力为最大，即对比文件1公开了一种等离子体处理设备，第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接，第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接，第一可变电容一端与所述接地端连接，另一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间，由于负载是等离子体处理室，其必然连接电极，即一端连接电极。
由此可见，权利要求6与对比文件1相比区别技术特征为：①T形的阻抗匹配网络还包括第二电感，第二电感和第一可变电容并联后一端与接地端连接，所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，所述阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用；②阻抗匹配网络的第二连接端与第二电极连接，第一连接端与第二功率源相连。基于以上区别技术特征，权利要求6的技术方案实际所要解决的技术问题是：如何提高阻抗的调整范围以及如何提高等离子体处理设备的工作效率。
对于以上区别技术特征①，对比文件2公开了一种T型阻抗匹配网络，并具体公开了（参见附图8）：电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端连接在T型阻抗匹配网络的中间点，另一端通过Cp2连接接地点，即对比文件2公开了第二电感和第一可变电容并联，并作为T形的阻抗匹配网络的一部分，由此可见，上述区别技术特征已经被对比文件2公开，且作用相同，都是为大范围调整阻抗而设计，即对比文件2给出了将上述区别技术特征用于对比文件1以解决上述问题的启示。具体而言，为了提高阻抗调整的范围，本领域技术人员有动机将对比文件2中的“电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端通过可变电容Cp2连接接地点”应用于对比文件1，从而获得由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，同时，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识。相比于本申请的T形阻抗匹配网络，可变电容Cp1的存在进一步增大了阻抗的调整范围，其同样可以实现在一定的参数范围下输入输出倒置时阻抗匹配相差不大，当希望采用更少的器件或不需要过大的调整范围时，自然也可以不设置可变电容Cp1或选择合适的可变电容型号并将其容抗调整为很低数值，从而获得本申请的T形阻抗匹配网络，上述过程对于本领域技术人员而言不存在技术障碍，是容易想到的且技术效果可以预期。对于一个由电容、电感连接而成的具有特定结构的阻抗匹配网络而言，其阻抗、相频特性、幅频特性的计算方式是本领域的公知常识，且具体数值由电容和电感参数取值决定。通过调整匹配网络的电容和电感值来使阻抗特性满足特定需求，只需将阻抗的对应特性与需求参数联立方程并求解参数范围即可，基于此，设置第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，均为本领域技术人员的常规选择，且技术效果可以预期。
对于以上区别技术特征②，对比文件3公开了一种等离子体设备，并具体公开了（参见说明书第[0004]-[0005]段及附图2）：该等离子体设备中，第一阻抗匹配器一端连接高频电源，另一端连接静电卡盘6，第二阻抗匹配器一端连接低频电源，另一端连接电感耦合线圈8，即对比文件3公开了一种等离子体设备，阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连，由此可见，上述区别技术特征已经被对比文件3所公开，且作用相同，都是为了提高等离子体处理设备的工作效率，即对比文件3给出了将上述区别技术特征用于对比文件1以解决上述问题的启示。
因此，在权利要求1-5所述的阻抗匹配网络不具备创造性的基础上，在对比文件1的基础上结合对比文件2-3及公知常识以得到权利要求6所请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5. 权利要求7请求保护一种等离子体处理设备，其包括权利要求1-5任一项所述的阻抗匹配网络。对比文件1公开了一种阻抗匹配网络，包括（参见说明书第5页第9行至第6页第14行及附图10）：该电力装置中的阻抗匹配装置包括电感L2，可变电容VC3和VC4，由附图10可知，L2一端与输入侧检测器44相连，另一端与VC4连接；VC4另一端通过电感L3连接负载42；可变电容VC3一端与接地端连接，另一端连接在L2与VC4之间；在高频电源和由负载形成的等离子体处理室之间安装有阻抗匹配装置，对于该阻抗匹配装置来说，通过使高频电源的阻抗和作为负载的等离子体处理室的阻抗相匹配，而能够使从负载向高频电源的反射电力变成最小，从而使供给至负载的电力为最大，即对比文件1公开了一种等离子体处理设备，第一电感一端与所述第一连接端连接，另一端与所述第二可变电容连接，第二可变电容一端与所述第二连接端连接，另一端与所述第一电感连接，第一可变电容一端与所述接地端连接，另一端连接在所述第一电感与所述第二可变电容之间，由于负载是等离子体处理室，其必然连接电极，即一端连接电极。
由此可见，权利要求7与对比文件1相比区别技术特征为：①T形的阻抗匹配网络还包括第二电感，第二电感和第一可变电容并联后一端与接地端连接，所述第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，所述阻抗匹配网络的输入端和输出端可颠倒使用；②阻抗匹配网络的第二连接端与第二电极连接，第一连接端与第二功率源相连。基于以上区别技术特征，权利要求7的技术方案实际所要解决的技术问题是：如何提高阻抗的调整范围以及如何提高等离子体处理设备的工作效率。
对于以上区别技术特征①，对比文件2公开了一种T型阻抗匹配网络，并具体公开了（参见附图8）：电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端连接在T型阻抗匹配网络的中间点，另一端通过Cp2连接接地点，即对比文件2公开了第二电感和第一可变电容并联，并作为T形的阻抗匹配网络的一部分，由此可见，上述区别技术特征已经被对比文件2公开，且作用相同，都是为大范围调整阻抗而设计，即对比文件2给出了将上述区别技术特征用于对比文件1以解决上述问题的启示。具体而言，为了提高阻抗调整的范围，本领域技术人员有动机将对比文件2中的“电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端通过可变电容Cp2连接接地点”应用于对比文件1，从而获得由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，同时，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识。相比于本申请的T形阻抗匹配网络，可变电容Cp1的存在进一步增大了阻抗的调整范围，其同样可以实现在一定的参数范围下输入输出倒置时阻抗匹配相差不大，当希望采用更少的器件或不需要过大的调整范围时，自然也可以不设置可变电容Cp1或选择合适的可变电容型号并将其容抗调整为很低数值，从而获得本申请的T形阻抗匹配网络，上述过程对于本领域技术人员而言不存在技术障碍，是容易想到的且技术效果可以预期。对于一个由电容、电感连接而成的具有特定结构的阻抗匹配网络而言，其阻抗、相频特性、幅频特性的计算方式是本领域的公知常识，且具体数值由电容和电感参数取值决定。通过调整匹配网络的电容和电感值来使阻抗特性满足特定需求，只需将阻抗的对应特性与需求参数联立方程并求解参数范围即可，基于此，设置第一电感为300μH，所述第二电感为150μH，所述第一可变电容的范围为500pF～1500pF，所述第二可变电容的范围为300pF～1500pF，均为本领域技术人员的常规选择，且技术效果可以预期。
对于以上区别技术特征②，对比文件3公开了一种等离子体设备，并具体公开了（参见说明书第[0004]-[0005]段及附图2）：该等离子体设备中，第一阻抗匹配器一端连接高频电源，另一端连接静电卡盘6，第二阻抗匹配器一端连接低频电源，另一端连接电感耦合线圈8，即对比文件3公开了一种等离子体设备，阻抗匹配网络的所述第二连接端与所述第二电极连接，所述第一连接端与所述第二功率源相连，由此可见，上述区别技术特征已经被对比文件3所公开，且作用相同，都是为了提高等离子体处理设备的工作效率，即对比文件3给出了将上述区别技术特征用于对比文件1以解决上述问题的启示。
因此，在权利要求1-5所述的阻抗匹配网络不具备创造性的基础上，在对比文件1的基础上结合对比文件2-3及公知常识以得到权利要求7所请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6. 权利要求8对权利要求6作了进一步的限定。对比文件3还公开了（参见说明书第[0004]-[0005]段及附图2）：运用等离子体刻蚀工艺的等离子体设备中包含电感耦合线圈8。因此，在其引用的权利要求6不具备创造性的基础上，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7 .权利要求9对权利要求7作了进一步的限定。对比文件3还公开了（参见说明书第[0004]-[0005]段及附图2）：运用等离子体刻蚀工艺的等离子体设备中包含电感耦合线圈8。因此，在其引用的权利要求7不具备创造性的基础上，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
对比文件1中的电感L3是可调电感，对比文件2中的电容Cp2是可调电容，这种调节作用只会提升调节范围和匹配能力，而不会降低调节范围和匹配能力，当希望采用更少的器件或不需要过大的调整范围时，自然也可以不设置可变电感L3和可变电容Cp1或选择合适的型号并将其感抗容抗调整为很低数值，从而获得本申请的T形阻抗匹配网络，上述过程对于本领域技术人员而言不存在技术障碍。同时，对比文件2的T型阻抗匹配网络包括：电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端连接在T型阻抗匹配网络的中间点，另一端通过Cp2连接接地点，即对比文件2公开了第二电感和第一可变电容并联，并作为T形的阻抗匹配网络的一部分，且其作用也是为大范围调整阻抗而设计，为了提高阻抗调整的范围，本领域技术人员有动机将对比文件2中的“电感Lp10与可变电容Cp1并联，且一端通过可变电容Cp2连接接地点”应用于对比文件1，从而获得由第一、第二电感，第一、第二可变电容以及可变电容Cp1构成的T形阻抗匹配网络，同时，可变电容的容抗可以根据需求调整变化，其型号也可以根据需求而选择，这是本领域的公知常识。相比于本申请的T形阻抗匹配网络，可变电容Cp1的存在进一步增大了阻抗的调整范围，因此其同样可以实现在一定的参数范围下输入输出倒置时阻抗匹配相差不大，从而实现颠倒使用。综上，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持，本申请不具备创造性。
基于上述事实和理由，本案合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月17日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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