发明创造名称：一种驱动电路、驱动电路的驱动方法和显示装置
外观设计名称：
决定号：201362
决定日：2020-01-17
委内编号：1F265684
优先权日：
申请（专利）号：201710329014.1
申请日：2017-05-11
复审请求人：惠科股份有限公司 重庆惠科金渝光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：彭海良
合议组组长：王玮玮
参审员：马燕
国际分类号：G09G3/36
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征是本领域技术人员基于其掌握的本领域惯用技术手段容易想到的，则该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710329014.1，发明名称为“一种驱动电路、驱动电路的驱动方法和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司。本申请的申请日为2017年05月11日，公开日为2017年07月04日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年07月27日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件2：CN1991963A，公开日为2007年07月04日。
驳回决定所针对的文本是：2018年06月06日提交的权利要求第1-4项，申请日2017年05月11日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-8页、说明书摘要及摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种驱动电路，其特征在于，包括：
信号输出模块，所述信号输出模块包括N个输出端，用于逐级输出栅极驱动信号至N条扫描线；
多个开关模块，每个所述开关模块对应一条扫描线，且每个所述开关模块的控制端与第i-1条扫描线电连接，第一连接端与对应的第i条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接，其中，N为正整数，i为大于1，小于或等于N的正整数；
所述开关模块为薄膜晶体管；
其中，所述开关模块为N型薄膜晶体管，所述栅极驱动信号的电压值大于所述N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值，所述N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值；
所述信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域；
所述开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域，所述扫描线的首端与所述信号输出模块的对应的输出端电连接；
所述开关模块的个数和所述扫描线的条数相同；
第一个开关模块的第一连接端与对应的第一条扫描线电连接，控制端与最后一条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关模块为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管。
3.一种驱动电路的驱动方法，适用于权利要求1-2任一项所述的驱动电路，其特征在于，包括：
信号输出模块通过N个输出端逐级输出栅极驱动信号至N条扫描线；
当所述信号输出模块输出栅极驱动信号至第i-1条扫描线时，所述第i-1条扫描线通过第i条扫描线对应的开关模块的控制端将所述开关模块打开，其中，每个开关模块对应一条扫描线；
所述开关模块将所述开关模块的第二连接端的所述驱动电路的第一电平信号通过第一连接端输送至第i条扫描线，其中，N为正整数，i为大于1，小于或等于N的正整数；
所述开关模块为薄膜晶体管；
其中，所述开关模块为N型薄膜晶体管，所述栅极驱动信号的电压值大于所述N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值，所述N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值；
所述信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域；
开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域，扫描线的首端与信号输出模块的对应的输出端电连接；
当信号输出模块扫描到最后一条扫描线时，最后一条扫描线通过第一条扫描线对应的第一个开关模块的控制端打开第一个开关模块，第一个开关模块将第二连接端的第一电平信号通过第一连接端输送至第一条扫描线，以使第一条扫描线能够进行预充电。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：
显示面板；以及如权利要求1-2任一项所述的驱动电路。”
驳回决定的具体理由是：1、权利要求1和对比文件2的区别为：（1）本申请开关的栅极和第一连接端分别连接第i-1和第i条扫描线，而对比文件2中的TFT2_2n的栅极和第一连接端分别连接第n和n 2条扫描线（其中的第n条扫描线相当于本申请第i-1条扫描线）；（2）N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值；（3）信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域。所述开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域，所述扫描线的首端与所述信号输出模块的对应的输出端电连接；（4）第一个开关模块的第一连接端与对应的第一条扫描线电连接，控制端与最后一条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接。然而区别特征（1）-（4）均为本领域技术人员在对比文件2的基础上的常规设置，因此权利要求1相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。 2、从属权利要求2的附加技术特征属于本领域的惯用技术手段。因此权利要求2同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。 3、权利要求3为适用于权利要求1或2所述驱动电路的驱动方法，其与对比文件2进一步的区别均为本领域技术人员在对比文件2的基础上的常规设置，因此权利要求3相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。 4、权利要求4为包括权利要求1或2所述驱动电路的显示装置，然而显示面板已经被对比文件2公开，因此在权利要求1-2不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月08日向国家知识产权局提出了复审请求，未对权利要求进行修改，陈述了驳回针对的权利要求具备创造性的理由。
复审请求人认为：(1)本申请与对比文件2对于关断TFT2_n 4的问题采用的技术手段不同，本领域技术人员不容易从对比文件2的基础上想到本申请的方案；(2)关断开关模块TFT_n 2的方法很多，由于本申请中涉及开关模块TFT_n 2的开启电压和第一电压提供线输出电压的相对关系，本领域不容易想到“将开关模块TFT_n 2的控制端开启电压提升至大于第一电压提供线给出的高栅电压”；（3）本申请相对于对比文件2结构简单，走线少，避免了对比文件2中两交流电时需调整错误导致系统异常的风险；（4）本申请不仅适用于同一列所有像素极性均相同的情况，将权利要求1中的方案进行变型则可实现在像素极性翻转的显示面板的预充电。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1和对比文件2的区别为：（1）本申请开关的栅极和第一连接端分别连接第i-1和第i条扫描线，N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值，而对比文件2中的TFT2_n的栅极和第一连接端分别连接第n和n 2条扫描线（其中的第n条扫描线相当于本申请第i-1条扫描线）；（2）信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域。所述开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域；（3）开关模块的个数和扫描线的个数相同，第一个开关模块的第一连接端与对应的第一条扫描线电连接，控制端与最后一条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接。然而区别特征（1）-（3）均为本领域技术人员在对比文件2的基础上的常规设置，因此权利要求1相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2的附加技术特征属于本领域的惯用技术手段。因此权利要求2同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。 3、权利要求3为适用于权利要求1或2所述驱动电路的驱动方法，其与对比文件2进一步的区别均为本领域技术人员在对比文件2的基础上的常规设置，因此权利要求3相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。 4、权利要求4为包括权利要求1或2所述驱动电路的显示装置，然而包括显示面板的LCD装置已经被对比文件2公开，因此在权利要求1-2不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5、合议组针对复审请求人的意见陈述进行了详细答复。
复审请求人于2019年09月20日提交了意见陈述书，未对权利要求进行修改，复审请求人认为：（1）本申请权利要求1中开关模块与对应扫描线的连接关系和作用与对比文件中第二N型薄膜晶体管与对应扫描线的连接关系和作用不同；（2）虽然对比文件2具有避免第n 4条栅线所连接的第一薄膜晶体管TFT打开从而避免对像素预充电的启示，但该对比文件并未给出悬空第一N型薄膜晶体管的栅极致使其不被充电的启示；虽然“向第n 4条栅线输入较小的电压甚至不向第n 4条栅线输入电压能够避免第n 4条栅线所连接的第一N型薄膜晶体管被打开”是公知常识，但结合该公知常识对对比文件2的电路设置和控制方式进行更改的方案没有动机和依据；并且若不对TFT_n 2进行导通，电路设置需要大量的更改；（3）对比文件2公开了高栅电压Vh高于第二N型薄膜晶体管阈值电压，在此基础上很难想到将高栅电压Vh的数值设置为小于第二N型薄膜晶体管电压。因此权利要求1-4具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
(一)、审查文本的认定
复审请求人在复审阶段没有修改申请文件，本复审请求审查决定所依据的文本为：2018年06月06日提交的权利要求第1-4项，申请日2017年05月11日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-8页、说明书摘要及摘要附图。
（二）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征是本领域技术人员基于其掌握的本领域惯用技术手段容易想到的，则该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
权利要求1请求保护一种驱动电路，对比文件2公开了一种液晶显示器件及其驱动方法，并具体公开了（说明书第5-8页、附图4）：将扫描脉冲提供到栅线GL_1至GL_i的栅驱动电路102（必然包含i个输出端，用于逐级输出栅极驱动信号至i条扫描线）；栅线的首端必然与栅驱动电路102的对应的输出端电连接；第二N型薄膜晶体管TFT2_n（相当于开关模块）的栅极与第n条栅线（相当于第i-1条扫描线，因此公开了每个开关模块对应一条扫描线）连接，源极与电压提供线Lon1连接，漏极与n 2条栅线连接，第二N型薄膜晶体管TFT2_n 2的栅极与第n 2条栅线连接，源极与电压提供线Lon2连接，漏极与n 4条栅线连接。响应于提供到第n条栅线GL_n的扫描脉冲SP,连接到GL_n的第n个第二薄膜晶体管TFT2_n将来自第一电压提供线Lon1的高栅电压Vh提供到第（n 2）条栅线GL_n 2(由此可知，扫描脉冲SP的电压值必然大于第二薄膜晶体管TFT2_n的控制端的开启电压值)从而导通连接到第（n 2）条栅线GL_n 2的第一薄膜晶体管；这时连接到第（n 2）条栅线GL_n 2的第（n 2）个第二薄膜晶体管TFT_n 2导通，以便于低栅电压V1从第二电压提供线Lon2提供到第（n 4）条栅线GL_n 4以使与第（n 4）条栅线GL_n 4连接的第一薄膜晶体管TFT1截止；本发明的预充电电路具有简单的结构并且与薄膜晶体管一起形成在阵列板上，且适用于COG(玻璃上芯片)型液晶板。
权利要求1和对比文件2的区别为：（1）本申请开关的栅极和第一连接端分别连接第i-1和第i条扫描线，N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值，每个开关模块的第二连接端均与第一电平信号输出端电连接，而对比文件2中的TFT2_n的栅极和第一连接端分别连接第n和n 2条扫描线（其中的第n条扫描线相当于本申请第i-1条扫描线），且TFT_n和TFT_n 2连接不同的电压；（2）信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域。所述开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域；（3）开关模块的个数和扫描线的个数相同，第一个开关模块的第一连接端与对应的第一条扫描线电连接，控制端与最后一条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接。
权利要求1相对于对比文件2实际解决的技术问题是：如何应用于相邻行极性相同的普通显示电路且使得预充电电路结构更简单，以及如何设置各模块。
对于区别技术特征（1），对比文件2中适用于n行和n 2行数据极性相同(即行反转)的情况，而对于普通的非行反转显示电路，即n行和n 1行数据极性是相同的时候，本领域技术人员容易想到在给n行充电的时候给n 1行进行预充电，即将对比文件2中TFT2_n的栅极和第一连接端分别连接第n和n 1条扫描线, 对比文件2公开了“便于低栅电压V1从第二电压提供线Lon2提供到第（n 2）条栅线GL_n 2以使与第（n 4）条栅线GL_n 4连接的第一薄膜晶体管TFT1截止”，即对比文件2给出了仅打开预充电那一行，其它行均截止的启示，并且正如本领域所公知只要不向第n 4条栅线输入大于第一开关TFT开启电压的电压均可以避免第n 4条栅线所连接的第一开关TFT被打开，也就是说在面对避免第n 4条栅线所连接的第一开关TFT打开的问题时，本领域技术人员能够想到向第n 4条栅线输入较小的电压甚至不向第n 4条栅线输入电压，因此本领域技术人员在面对如何使得预充电电路结构更简单的问题时有动机使得第二薄膜晶体管TFT2_n 2关断，从而不向第n 4条栅线输入电压，另外NMOS管的栅极电压小于开启电压时NMOS管关断为本领域的公知常识，即本领域技术人员有动机使得N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于第一电平信号的电压值，另外本领域技术人员在面对无需TFT2_n和TFT2_n 2同时开启，即无需Lon1和Lon2输入不同的电压时，有动机使其连接相同的电压输出端,即使得每个模块均连接第一电平信号输出端；
对于区别技术特征（2），对比文件2公开了预充电电路具有简单的结构并且与薄膜晶体管一起形成在阵列板上，而将输出模块设置于栅极覆晶薄膜上是本领域常用的方式；所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域是本领域技术人员为了简化设置工艺，而且不影响显示区域透光率容易想到的设置；
对于区别技术特征（3），由于本申请中相邻扫描线的极性不变化，而且本领域常见的扫描方式是按帧来扫描的，因此一帧中最后一条扫描线打开的时序与下一帧第一条扫描的时序是连续的，而且两条扫描线的极性相同，因此本领域技术人员容易想到采用本帧最后一条扫描线来给下一帧第一条扫描线充电，即将第一个开关模块的第一连接端与对应的第一条扫描线电连接，控制端与最后一条扫描线电连接，第二连接端与所述驱动电路的第一电平信号输出端电连接，从而使得开关模块的个数和扫描线的个数相同。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域公知常识从而得到权利要求1请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1， N型金属-氧化物半导体场效应晶体管(即NMOS管)为本领域常用的晶体管，因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3请求保护一种驱动电路的驱动方法，对比文件2公开了一种液晶显示器件及其驱动方法，并具体公开了（说明书第5-8页、附图4）：将扫描脉冲提供到栅线GL_1至GL_i的栅驱动电路102（必然包含i个输出端，以及逐级输出栅极驱动信号至i条扫描线的步骤）；栅线的首端必然与栅驱动电路102的对应的输出端电连接；第二N型薄膜晶体管TFT2_n（相当于开关模块）的栅极与第n条栅线（相当于第i-1条扫描线，因此公开了每个开关模块对应一条扫描线）连接，源极与电压提供线Von1连接，漏极与n 2条栅线连接。响应于提供到第n条栅线GL_n的扫描脉冲SP,连接到GL_n的第n个第二薄膜晶体管TFT2_n将来自第一电压提供线Lon1的高栅电压Vh提供到第（n 2）条栅线GL_n 2(由此可知，扫描脉冲SP的电压值必然大于第二薄膜晶体管TFT2_n的控制端的开启电压值)从而导通连接到第（n 2）条栅线GL_n 2的第一薄膜晶体管，相当于公开了步骤：当所述信号输出模块输出栅极驱动信号至第n条扫描线时，所述第n条扫描线通过第n 2条扫描线对应的开关模块的控制端将所述开关模块打开，开关模块将所述开关模块的第二连接端的所述驱动电路的第一电平信号Von1通过第一连接端输送至第n 2条扫描线；这时连接到第（n 2）条栅线GL_n 2的第（n 2）个第二薄膜晶体管TFT_n 2导通，以便于低栅电压V1从第二电压提供线Lon2提供到第（n 4）条栅线GL_n 4以使与第（n 4）条栅线GL_n 4连接的第一薄膜晶体管TFT1截止；本发明的预充电电路具有简单的结构并且与薄膜晶体管一起形成在阵列板上。
权利要求3和对比文件2的区别为：（1）第i-1条扫描线通过第i条扫描线对应的开关模块的控制端将所述开关模块打开，将所述开关模块的第二连接端的驱动电路的第一电平信号通过第一连接端输送至第i条扫描线而并非输送至第i 1条扫描线；N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于所述第一电平信号的电压值；（2）信号输出模块设置于栅极覆晶薄膜上，所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域。所述开关模块设置于扫描线的末端位置处的非显示区域；（3）当信号输出模块扫描到最后一条扫描线时，最后一条扫描线通过第一条扫描线对应的第一个开关模块的控制端打开第一个开关模块，第一个开关模块将第二连接端的第一电平信号通过第一连接端输送至第一条扫描线，以使第一条扫描线能够进行预充电。
权利要求3相对于对比文件2实际解决的技术问题是：如何应用于相邻行极性相同的显示电路且使得预充电电路结构更简单，以及如何设置各模块。
对于区别技术特征（1），对比文件2中适用于n行和n 2行数据极性相同(即行反转)的情况，对于普通的非行反转显示电路，即n行和n 1行数据极性相同的时候，本领域技术人员容易想到在给n行充电的时候给n 1行进行预充电；对比文件2公开了“便于低栅电压V1从第二电压提供线Lon2提供到第（n 2）条栅线GL_n 2以使与第（n 4）条栅线GL_n 4连接的第一薄膜晶体管TFT1截止”，即对比文件2给出了仅打开预充电那一行，其它行均截止的启示，并且正如本领域所公知只要不向第n 4条栅线输入大于第一开关TFT开启电压的电压均可以避免第n 4条栅线所连接的第一开关TFT被打开，也就是说在面对避免第n 4条栅线所连接的第一开关TFT打开的问题时，本领域技术人员能够想到向第n 4条栅线输入较小的电压甚至不向第n 4条栅线输入电压，因此本领域技术人员在面对如何使得预充电电路结构更简单的问题时有动机使得第二薄膜晶体管TFT2_n 2关断，从而不向第n 4条栅线输入电压，另外NMOS管的栅极电压小于开启电压时NMOS管关断为本领域的公知常识，即本领域技术人员有动机使得N型薄膜晶体管的控制端的开启电压值大于第一电平信号的电压值；
对于区别技术特征（2），对比文件2公开了预充电电路具有简单的结构并且与薄膜晶体管一起形成在阵列板上，而将输出模块设置于栅极覆晶薄膜上是本领域常用的方式；所述多个开关模块设置于阵列基板的非显示区域是本领域技术人员为了简化设置工艺，而且不影响显示区域透光率容易想到的设置；
对于区别技术特征（3），由于本申请中相邻扫描线的极性不变化，而且本领域常见的扫描方式是按帧来扫描的，因此一帧中最后一条扫描线打开的时序与下一帧第一条扫描的时序是连续的，而且两条扫描线的极性相同，因此本领域技术人员容易想到采用本帧最后一条扫描线来给下一帧第一条扫描线充电。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域公知常识从而得到权利要求3请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，在其引用的权利要求1-2均不具备创造性的情况下，权利要求3不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求4请求保护一种包括如权利要求1-2任一项所述驱动电路的显示装置，对比文件2公开了LCD装置包括显示面板（参见附图3），因此在权利要求1-2不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）、关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人提出的上述意见，合议组认为：
（1）对比文件2中的预充电开关与本申请中的开关模块的区别为，开关元件与栅极线相对应的标号不同，然而该不同仅是元件名称上的差异，从元件的连接关系和功能来看对比文件2中的预充电开关与本申请中的开关模块实质相同,例如对比文件2中TFT2_n（相当于本申请中的M2）栅极连接上级栅线GL_n（相当于本申请中的Gate i-1）, 源极与电压提供线Von1连接，漏极与上级栅线GL_n 2连接，从而实现当扫描脉冲输出至上级栅线GL_n时，对栅线GL_n 2进行预充电，即本申请和对比文件2中的开关模块均是利用上级扫描线中的扫描脉冲导通下级扫描线对应的开关模块从而对下级扫描线预充电，因此元件名称上差异并不影响元件的实质功能；
（2）使电路更加简单为本领域的普遍追求，因此本领域技术人员在面对对比文件2中采用两个交流栅导通电压配合的预充电电路时通常需要面对如何使得该电路更加简单的问题，正如复审请求人在意见陈述书中所述“向第n 4条栅线输入较小的电压甚至不向第n 4条栅线输入电压能够避免第n 4条栅线所连接的第一N型薄膜晶体管被打开”是公知常识，并且对比文件2公开了避免第n 4条栅线所连接的第一薄膜晶体管TFT打开从而避免对像素预充电的启示，因此本领域技术人员有动机采用本领域的上述公知常识来实现对比文件2中希望实现的上述功能，即“向第n 4条栅线输入较小的电压或者不向第n 4条栅线输入电压（即悬空与第n 4条栅线连接的第一N型薄膜晶体管的栅极）”从而避免第n 4条栅线所连接的第一薄膜晶体管TFT打开；
另外正如本领域所公知若需不对第二N型薄膜晶体管进行导通，此时只需使得第二N型薄膜晶体管栅极电压小于其阈值电压，即只需对提供到第二N型薄膜晶体管栅极的电压大小或者对第二N型薄膜晶体管的阈值电压进行调整即可，并且由于此时不需不向第n 4条栅线输入电压，即无需Lon2提供低电压V1时，本领域技术人员在简化电路结构时有动机使Lon1和Lon2均连接相同的电压输出端,即均连接第一电平信号输出端，该调整为本领域技术人员采用技术手段“不向第n 4条栅线输入电压”从而实现电路结构简化时的常规调整，不需要创造性的劳动；
（3）复审请求人强调对比文件2公开了高栅电压Vh高于第二N型薄膜晶体管电压，在此基础上很难想到将高栅电压Vh的数值设置为小于第二N型薄膜晶体管电压，然而对比文件2中用一种相对复杂的方式（开启TFT2_n 2向GL_n 4输入低电压）获得了更加可靠的截止，但是本领域技术人员完全明了，基于使得电路结构简化这一本领域的普遍技术追求，也可以采用不向第n 4条栅线输入电压，即使得第二薄膜晶体管TFT2保持截止的方式来获得简化的截止电路，即舍弃可靠性而选择简便、或者舍弃简化性来选择可靠均是本领域技术人员可以做出的常规选择，其完全可以根据实际需求从二者选一，不属于创造性的改进；由于使得薄膜晶体管栅极接收到的电压小于其阈值电压从而使得薄膜晶体管截止为本领域的公知常识，而本领域技术人员在采用使得第二薄膜晶体管TFT2保持截止的方式来获得简化的截止电路时，有动机设置对比文件2中的高栅电压Vh小于第二薄膜晶体管的阈值电压，采用该设置在对于对比文件2进行改进时，并不受对比文件2中记载的高栅电压Vh与第二N型薄膜晶体管阈值电压相对大小关系的限制。
综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月27日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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