发明创造名称：阵列基板及其制作方法
外观设计名称：
决定号：201382
决定日：2020-01-16
委内编号：1F276472
优先权日：
申请（专利）号：201710807260.3
申请日：2017-09-08
复审请求人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：代云丽
合议组组长：崔双魁
参审员：张少鹏
国际分类号：G02F1/1362，G02F1/1335，G02F1/1339，H01L27/12，H01L21/77
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的技术内容相比，存在某些区别技术特征，而这些区别技术特征或者能够从对比文件中获得技术启示，或者属于本领域的惯用技术手段，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710807260.3、名称为“阵列基板及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2017年09月08日，公开日为2017年12月19日。申请人为深圳市华星光电半导体显示技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月28日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1、5不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。在驳回决定的其他说明部分还指出权利要求2-4、6-8也不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。在驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN105974636A，公开日为2016年09月28日。
驳回决定所依据的文本为申请人于申请日2017年09月08日提交的说明书第1-62段、说明书附图图1-6、说明书摘要、摘要附图，以及于2018年11月27日提交的权利要求第1-8项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、覆盖所述衬底基板(10)及TFT层(20)的保护层(30)、设于所述保护层(30)上的色阻层(40)、覆盖于所述色阻层(40)和保护层(30)上的有机平坦层(50)、及设于所述有机平坦层(50)上的BPS遮光层(60)；
所述BPS遮光层(60)包括：黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)；所述有机平坦层(50)在与至少部分黑色矩阵(61)对应的区域形成有第一凹槽(51)，所述黑色矩阵(61)填充所述第一凹槽(51)；
所述色阻层(40)在与所述第一凹槽(51)对应的区域形成有第二凹槽(52)，所述黑色矩阵(61)还填充所述第二凹槽(52)。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT层(20)包括：多条平行间隔排列的扫描线(21)、多条平行间隔排列的与所述扫描线(21)垂直的数据线(22)、以及多个阵列排布的TFT(23)。
3. 如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽(51)形成于所述数据线(22)的上方、或所述扫描线(21)的上方、或所述数据线(22)和扫描线(21)的上方。
4. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方。
5. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在衬底基板(10)上形成TFT层(20)；
步骤2、在衬底基板(10)及TFT层(20)上覆盖保护层(30)，在所述保护层(30)上形成色阻层(40)；
步骤3、在所述色阻层(40)上形成一层有机薄膜，并通过一道光罩制程图案化所述有机薄膜，得到有机平坦层(50)、及形成于所述有机平坦层(50) 中的第一凹槽(51)；
步骤4、在所述有机平坦层(50)上涂布BPS材料，并对所述BPS材料进行图案化，得到黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)，至少部分黑色矩阵(61)所在的区域与所述第一凹槽(51)相对应并填充所述第一凹槽(51)；
所述步骤2还包括：在所述色阻层(40)中形成第二凹槽(52)，所述步骤3中所述第一凹槽(51)形成在与所述第二凹槽(52)对应的区域。
6. 如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中所述的TFT层(20)包括：多条平行间隔排列的扫描线(21)、多条平行间隔排列的与所述扫描线(21)垂直的数据线(22)、以及多个阵列排布的TFT(23)。
7. 如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽(51)形成于所述数据线(22)的上方、或所述扫描线(21)的上方、或所述数据线(22)和扫描线(21)的上方。
8. 如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方。”
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：1）平坦层是有机平坦层；2）色阻层在与第一凹槽对应的区域形成有第二凹槽，黑色矩阵还填充第二凹槽。上述区别特征属于本领域的公知常识。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）权利要求5与对比文件1的区别技术特征为：1）平坦层是有机平坦层，形成平坦层的材料是有机薄膜；通过光罩制程图案化平坦层；2）步骤2还包括：在色阻层中形成第二凹槽，步骤3中第一凹槽形成在与第二凹槽对应的区域。上述区别特征属于本领域的公知常识。因此，权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在其他说明部分还指出了：（3）从属权利要求2-4、6-8的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域的惯用技术手段，同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月14日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，在驳回决定针对文本的基础上，将技术特征“所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方；所述第一衬垫部(41)由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成”补入权利要求1、5中，删除从属权利要求4、8，并相应修改权利要求的序号和引用关系。修改后的独立权利要求1、4如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、覆盖所述衬底基板(10)及TFT层(20)的保护层(30)、设于所述保护层(30)上的色阻层(40)、覆盖于所述色阻层(40)和保护层(30)上的有机平坦层(50)、及设于所述有机平坦层(50)上的BPS遮光层(60)；
所述BPS遮光层(60)包括：黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)；所述有机平坦层(50)在与至少部分黑色矩阵(61)对应的区域形成有第一凹槽(51)，所述黑色矩阵(61)填充所述第一凹槽(51)；
所述色阻层(40)在与所述第一凹槽(51)对应的区域形成有第二凹槽(52)，所述黑色矩阵(61)还填充所述第二凹槽(52)；
所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方；
所述第一衬垫部(41)由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成。
4. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在衬底基板(10)上形成TFT层(20)；
步骤2、在衬底基板(10)及TFT层(20)上覆盖保护层(30)，在所述保护层(30)上形成色阻层(40)；
步骤3、在所述色阻层(40)上形成一层有机薄膜，并通过一道光罩制程图案化所述有机薄膜，得到有机平坦层(50)、及形成于所述有机平坦层(50) 中的第一凹槽(51)；
步骤4、在所述有机平坦层(50)上涂布BPS材料，并对所述BPS材料进行图案化，得到黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)，至少部分黑色矩阵(61)所在的区域与所述第一凹槽(51)相对应并填充所述第一凹槽(51)；
所述步骤2还包括：在所述色阻层(40)中形成第二凹槽(52)，所述步骤3中所述第一凹槽(51)形成在与所述第二凹槽(52)对应的区域；
所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方；
所述第一衬垫部(41)由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成。”
复审请求人认为：1）对比文件1公开了在平坦层中形成第一沟道和第二沟道，并未公开该沟道能够形成于色阻膜中，且对比文件1中彩色滤光膜由并列排布的红色色阻膜、绿色色阻膜、蓝色色阻膜构成，之间并无凹槽；2）对比文件1中的色阻膜相互之间没有堆叠，未给出第一衬垫部由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成的技术启示。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年10月09日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。复审通知书认为：（1）权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：1）平坦层是有机平坦层；2）色阻层在与第一凹槽对应的区域形成有第二凹槽，黑色矩阵还填充第二凹槽；3）所述第一衬垫部由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成。上述区别特征属于本领域的惯用技术手段。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）权利要求4与对比文件1的区别技术特征为：1）平坦层是有机平坦层，形成平坦层的材料是有机薄膜，并通过光罩制程图案化所述有机薄膜；2）还包括在色阻层中形成第二凹槽，第一凹槽形成在与第二凹槽对应的区域；3）所述第一衬垫部由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成。上述区别特征属于本领域的惯用技术手段。因此，权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）从属权利要求2-3、5-6的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域的惯用技术手段，同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见，合议组认为：1）对比文件1中并列排布的色阻膜之间虽然没有凹槽，但是当需要进一步降低黑矩阵的高度时，本领域技术人员能够有动机想到在色阻层中与平坦层的第一凹槽对应的区域进一步形成第二凹槽，并且这在技术实施上也没有任何障碍；2）采用不同颜色的色阻堆叠形成色阻层是本领域的惯用技术手段，其选择和使用对本领域技术人员来说是显而易见的，技术效果可以预期，不需要付出创造性劳动。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年10月16日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，在前次审查所针对文本的基础上，将技术特征“通过一道仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩对黑色光阻材料进行图案化，去除除黑色矩阵(61)、主隔垫物(62)、及辅助隔垫物(63)以外的黑色光阻材料，形成BPS遮光层(60)”补入权利要求1、4中。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、覆盖所述衬底基板(10)及TFT层(20)的保护层(30)、设于所述保护层(30)上的色阻层(40)、覆盖于所述色阻层(40)和保护层(30)上的有机平坦层(50)、及设于所述有机平坦层(50)上的BPS遮光层(60)；
所述BPS遮光层(60)包括：黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)；所述有机平坦层(50)在与至少部分黑色矩阵(61)对应的区域形成有第一凹槽(51)，所述黑色矩阵(61)填充所述第一凹槽(51)；
所述色阻层(40)在与所述第一凹槽(51)对应的区域形成有第二凹槽(52)，所述黑色矩阵(61)还填充所述第二凹槽(52)；
所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方；
所述第一衬垫部(41)由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成；
通过一道仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩对黑色光阻材料进行图案化，去除除黑色矩阵(61)、主隔垫物(62)、及辅助隔垫物(63)以外的黑色光阻材料，形成BPS遮光层(60)。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT层(20)包括：多条平行间隔排列的扫描线(21)、多条平行间隔排列的与所述扫描线(21)垂直的数据线(22)、以及多个阵列排布的TFT(23)。
3. 如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽(51)形成于所述数据线(22)的上方、或所述扫描线(21)的上方、或所述数据线(22)和扫描线(21)的上方。
4. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在衬底基板(10)上形成TFT层(20)；
步骤2、在衬底基板(10)及TFT层(20)上覆盖保护层(30)，在所述保 护层(30)上形成色阻层(40)；
步骤3、在所述色阻层(40)上形成一层有机薄膜，并通过一道光罩制程图案化所述有机薄膜，得到有机平坦层(50)、及形成于所述有机平坦层(50)中的第一凹槽(51)；
步骤4、在所述有机平坦层(50)上涂布BPS材料，并对所述BPS材料进行图案化，得到黑色矩阵(61)、以及设于所述黑色矩阵(61)上的主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)，至少部分黑色矩阵(61)所在的区域与所述第一凹槽(51)相对应并填充所述第一凹槽(51)；
所述步骤2还包括：在所述色阻层(40)中形成第二凹槽(52)，所述步骤3中所述第一凹槽(51)形成在与所述第二凹槽(52)对应的区域；
所述色阻层(40)具有第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)，所述第一衬垫部(41)的厚度大于所述第二衬垫部(42)，所述主隔垫物(62)与辅助隔垫物(63)分别对应位于所述第一衬垫部(41)和第二衬垫部(42)的上方；
所述第一衬垫部(41)由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成；
通过一道仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩对黑色光阻材料进行图案化，去除除黑色矩阵(61)、主隔垫物(62)、及辅助隔垫物(63)以外的黑色光阻材料，形成BPS遮光层(60)。
5. 如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中所述的TFT层(20)包括：多条平行间隔排列的扫描线(21)、多条平行间隔排列的与所述扫描线(21)垂直的数据线(22)、以及多个阵列排布的TFT(23)。
6. 如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽(51)形成于所述数据线(22)的上方、或所述扫描线(21)的上方、或所述数据线(22)和扫描线(21)的上方。”
复审请求人认为：1）对比文件1未公开沟道能够形成于色阻膜中，且彩色滤光膜之间并无凹槽，色阻膜相互之间也没有堆叠；2）对比文件1采用的光罩是包括多种不同透光率的多段式调整光罩，而本申请采用的是仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩，成本低，制作难度更小，良率更高。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年03月14日和2019年10月16日先后提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以复审请求人于申请日2017年09月08日提交的说明书第1-62段、说明书附图图1-6、说明书摘要、摘要附图，以及于2019年10月16日提交的权利要求第1-6项为基础作出。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的技术内容相比，存在某些区别技术特征，而这些区别技术特征或者能够从对比文件中获得技术启示，或者属于本领域的惯用技术手段，则该权利要求不具备创造性。
具体到本案：
1、权利要求1请求保护一种阵列基板，对比文件1公开了一种阵列基板，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第[0042]-[0061]段、附图4-11）：从图10-11可以看出，下基板10包括TFT阵列基板11，TFT阵列基板11包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的TFT阵列层、在TFT阵列层上形成钝化层；在TFT阵列基板11上形成彩色滤光膜层12，具体包括红色色阻膜121、绿色色阻膜122及蓝色色阻膜123，蓝色色阻膜123比红色色阻膜121与绿色色阻膜122高约0.2微米（说明书第49段）；在彩色滤光膜层12上涂布一层透明光阻材料，经图案化处理后，形成数条与扫描线、数据线相对应的第一沟道131及第二沟道133，以及位于所述第一沟道131内的数个凸台132，剩下的透明光阻材料形成平坦层13（说明书第50段）；在平坦层13和彩色滤光膜层12上形成黑色光阻材料，提供透光率有变化的多段式调整光罩并利用该光罩对黑色光阻材料经图案化处理后，对应数条第一沟道131与第二沟道133得到部分伸入所述第一、第二沟道的黑色矩阵141，同时对应数个凸台132得到位于所述黑色矩阵141上的主隔垫物142与辅助隔垫物143；如图8所示，主隔垫物142对应位于蓝色色阻膜123上方，辅助隔垫物143对应红色色阻膜121、绿色色阻膜122的上方。由于黑色光阻材料中对应第一沟道131与第二沟道133的部分具有深入第一沟道131与第二沟道133的黑色矩阵141，降低了每一子像素区域周边的黑色矩阵141的高度，因此降低了相邻子像素之间的壁垒，提高了平坦性，有利于液晶在面板内均匀扩散。
将权利要求1的技术方案与对比文件1相比可以知道，对比文件1中的下基板10对应本申请的阵列基板，对比文件1中的钝化层对应本申请中覆盖衬底基板及TFT层的保护层，对比文件1中的彩色滤光膜层12对应本申请中的色阻层，对比文件1中的黑色光阻材料对应本申请中的BPS遮光层；对比文件1中的蓝色色阻膜123对应本申请的第一衬垫部，红色色阻膜121与绿色色阻膜122对应本申请的第二衬垫部，第一衬垫部的厚度大于第二衬垫部，主隔垫物与辅助隔垫物分别对应位于第一衬垫部和第二衬垫部的上方；对比文件1中的第一沟道131及第二沟道133对应本申请的第一凹槽，黑色矩阵141填充第一凹槽。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：1）平坦层是有机平坦层；2）色阻层在与第一凹槽对应的区域形成有第二凹槽，黑色矩阵还填充第二凹槽；3）所述第一衬垫部由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成；4）通过一道仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩对黑色光阻材料进行图案化，去除除黑色矩阵、主隔垫物、及辅助隔垫物以外的黑色光阻材料，形成BPS遮光层。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1实际解决的技术问题是：选择合适的平坦层材料；进一步降低黑矩阵高度，有利于液晶在面板内均匀扩散；提供主、辅助隔垫物之间的高度差并简化制程难度；形成所需结构的遮光层。
针对区别技术特征1），对本领域技术人员来说，采用有机绝缘材料制作平坦层是本领域的惯用技术手段，其选择和使用是显而易见的。
针对区别技术特征2），对比文件1已经公开了在平坦上形成凹槽、黑矩阵填充平坦层上的凹槽从而降低黑矩阵高度，有利于液晶在面板内均匀扩散。在此启示下，根据实际需要，为了进一步降低黑矩阵的高度，也就是使更多的黑矩阵材料伸入到凹槽中，而在色阻层中与平坦层的第一凹槽对应的区域形成有第二凹槽，黑矩阵材料在填充第一凹槽的时候同时填充第二凹槽，是本领域技术人员容易想到并实施的，不存在任何技术障碍，不需要付出创造性劳动。
针对区别技术特征3），对本领域技术人员来说，第一衬垫部采用两个不同颜色的色阻堆叠形成色阻层是本领域的惯用技术手段，其除了可以增加主隔垫物的高度，即提供主、辅助隔垫物之间的高度差，还因为存在两种不同颜色所以可以实现更好的滤光效果，并且一定程度上有利于简化制程难度，降低生产成本，上述特征的选择和使用都是显而易见的，不需要付出创造性劳动。
针对区别技术特征4），对比文件1中公开了采用多段式调整光罩对光阻材料进行图案化从而形成黑色矩阵的内容，其中多段式调整光罩的透光率有变化是为了形成高度不同的遮光结构，对本领域技术人员来说，当所需要形成的遮光结构高度一致时，也仅需要光罩的透光率为完全透光和完全不透光两种形式，那么根据实际需要选择普通的光罩是容易想到并实施的，其属于本领域的惯用技术手段。
因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合本领域惯用技术手段得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，因此，该权利要求所请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：（1）参见前面的评述可知，对于在色阻膜中进一步设置凹槽、采用色阻堆叠形成色阻层、以及选择普通光罩形成遮光层，这些设置和选择都是显而易见的，技术实施上不存在任何困难，不需要付出创造性劳动；（2）参见前面对区别技术特征4）的评述可知，对比文件1中已经公开了采用多段式调整光罩对光阻材料进行图案化从而形成黑色矩阵的内容，多段式调整光罩的透光率有变化是为了形成高度不同的遮光结构，当所需要形成的遮光结构高度一致时，也仅需要光罩的透光率为完全透光和完全不透光两种形式，从而本领域技术人员选择普通的光罩是容易想到并实施的，因此，复审请求人的意见陈述不能被支持。
因此，对于复审请求人的意见，合议组不予支持。
2、权利要求4要求保护一种阵列基板的制作方法。对比文件1公开了一种液晶显示面板的制作方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第[0042]-[0061]段、附图4-11）：液晶面板的制作方法可得到下基板10，下基板10包括TFT阵列基板11，TFT阵列基板11包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的TFT阵列层、在TFT阵列层上形成钝化层；在TFT阵列基板11上形成彩色滤光膜层12，具体包括红色色阻膜121、绿色色阻膜122及蓝色色阻膜123，蓝色色阻膜123比红色色阻膜121与绿色色阻膜122高约0.2微米；在彩色滤光膜层12上涂布透明光阻材料，经图案化处理后，形成数条与扫描线、数据线相对应的第一沟道131及第二沟道133，以及位于所述第一沟道131内的数个凸台132，剩下的透明光阻材料形成平坦层13；在平坦层13和彩色滤光膜层12上形成黑色光阻材料，提供多段式调整光罩并利用该光罩对黑色光阻材料经图案化处理后，其中多段式调整光罩上各图案部的透光率依次增大，对应数条第一沟道131与第二沟道133得到部分伸入所述第一、第二沟道的黑色矩阵141，同时对应数个凸台132得到位于所述黑色矩阵141上的主隔垫物142与辅助隔垫物143，其中主隔垫物142高于辅助隔垫物143的高度，辅助隔垫物143高于黑色矩阵141的高度；如图8所示，主隔垫物142对应位于蓝色色阻膜123上方，辅助隔垫物143对应红色色阻膜121、绿色色阻膜122的上方。由于黑色光阻材料中对应第一沟道131与第二沟道133的部分具有深入第一沟道131与第二沟道133的黑色矩阵141，降低了每一子像素区域周边的黑色矩阵141的高度，因此降低了相邻子像素之间的壁垒，提高了平坦性，有利于液晶在面板内均匀扩散。
权利要求4要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：1）平坦层是有机平坦层，形成平坦层的材料是有机薄膜，并通过光罩制程图案化所述有机薄膜；2）还包括在色阻层中形成第二凹槽，第一凹槽形成在与第二凹槽对应的区域；3）所述第一衬垫部由相邻的两个不同颜色的色阻堆叠而成；4）通过一道仅具有完全透光和完全不透光两种透过率的普通光罩对黑色光阻材料进行图案化，去除除黑色矩阵、主隔垫物、及辅助隔垫物以外的黑色光阻材料，形成BPS遮光层。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求4实际解决的技术问题是：选择合适的平坦层材料；进一步降低黑矩阵高度，有利于液晶在面板内均匀扩散；以及提供主、辅助隔垫物之间的高度差并简化制程难度；形成所需结构的遮光层。
结合前面对权利要求1的评述，上述区别技术特征1）-4）对本领域技术人员来说都属于本领域的惯用技术手段，其选择和使用是显而易见的，不需要付出创造性劳动。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域惯用技术手段得出权利要求4的技术方案是显而易见的，因此权利要求4不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求2是权利要求1的从属权利要求，权利要求5是权利要求4的从属权利要求。对比文件1进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0043]-[0045]段）：TFT阵列基板11具有数条扫描线、数条数据线，数条扫描线与数条数据线相互垂直交叉，将TFT阵列基板11划分成数个子像素区域；对应于每一个子像素区域，在第一衬底基板上形成栅极、有源层、源极及漏极共同构成的TFT，从而形成TFT阵列层，TFT阵列层包括数个阵列排布的与数个子像素区域相对应的TFT。多条数据线平行间隔排列，多条扫描线平行间隔排列，是本领域的惯用技术手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2、5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求3是权利要求2的从属权利要求，权利要求6是权利要求5的从属权利要求。对比文件1进一步公开了以下技术特征（参见说明书第[0050]段、附图4-11）：将对应于扫描线上方的透明光阻材料部分去除形成于扫描线相对应的第一沟道131，将对应于数据线上方的透明光阻材料去除形成第二沟道133，即公开了第一凹槽形成于数据线和扫描线的上方。此外，根据实际需要，将该凹槽仅形成于数据线或扫描线的上方，对本领域技术人员来说也是容易想到并实施的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3、6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-6均不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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