发明创造名称：用于提高衬底载体的性能的方法
外观设计名称：
决定号：200933
决定日：2020-01-16
委内编号：1F269966
优先权日：2009-12-02
申请（专利）号：201510436976.8
申请日：2010-11-12
复审请求人：维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：宋霖
合议组组长：吴海涛
参审员：窦明生
国际分类号：H01L21/683，H01L21/66
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别特征未被其它对比文件公开，也并非本领域的公知常识，而且基于该区别技术特征，上述权利要求的技术方案能够产生有益的技术效果，那么该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510436976.8、发明名称为“用于提高衬底载体的性能的方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司，申请日为2010年11月12日，优先权日为2009年12月02日，分案申请提交日为2015年07月23日，公开日为2015年12月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月28日以本申请权利要求1-29不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：分案提交日2015年07月23日提交的说明书第1-50段，说明书附图图1A-5，说明书摘要、摘要附图和权利要求第1-29项。驳回决定引用了三篇对比文件，即:
对比文件1：CN1965390A，公开日为2007年05月16日；
对比文件2：CN101054718A，公开日为2007年10月17日；
对比文件3：CN101120434A，公开日为2008年02月06日。
驳回决定的具体理由是：（1）独立权利要求1相对于对比文件1具有区别技术特征，但是该区别技术特征在对比文件3中公开，因此，权利要求1相对于对比文件1及对比文件3的结合不具备创造性；（2）从属权利要求2-27的附加技术特征或被对比文件2所公开，或在对比文件3中公开，或在对比文件1中公开，或属于本领域的公知常识，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-27也不具备创造性；（3）独立权利要求28相对于对比文件1具有区别技术特征，但是该区别技术特征在对比文件3中公开，因此，权利要求28相对于对比文件1及对比文件3的结合不具备创造性；（4）独立权利要求29相对于对比文件1具有区别技术特征，但是该区别技术特征在对比文件3中公开，因此，权利要求29相对于对比文件1及对比文件3的结合不具备创造性。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质。
2. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。
3. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。
4. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。
5. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。
6. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中凹口的物理性质包括衬底载体的局部深度。
7. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部热导率。
8. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部发射率。
9. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部机械特性。
10. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数包括性能指标。
11. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数选自由以下参数构成的组：在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电学参数以及在衬底上沉积的层的电光参数。
12. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中关联所述测量参数包括使特定位置中的沉积的层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。
13. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料。
14. 根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料在离散的局部化区域中被去除。
15. 根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料被去除以形成连续的等值线。
16. 根据权利要求13所述的衬底载体，其中通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。
17. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区 域包括向衬底载体添加材料。
18. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率。
19. 根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。
20. 根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。
21. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率。
22. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性。
23. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的深度等值线。
24. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的热等值线。
25. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。
26. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学强度。
27. 根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学发射波长。
28. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述层的参数；
c.使与衬底上的位置对应的测量参数与衬底载体的物理性质关联，以获得与所述衬底载体上的位置对应的衬底载体的多个物理性质；和
d.修改与衬底的位置对应的衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数。
29. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积至少一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述至少一层的温度依赖处理参数；
c.使在衬底上沉积的所述至少一层的测量的参数与衬底载体的深度关联，以根据衬底载体的多个深度获得多个测量参数；和
d.在多个位置处修改衬底载体的深度，以根据衬底载体上的对应位置获得在所述衬底上沉积的所述至少一层的期望的参数。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月28日向国家知识产权局提出了复审请求，陈述了意见，提交了权利要求书的全文替换页（共24项权利要求）。其请求复审的主要理由为：（1）对比文件1没有公开 “把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联”、“响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质”。（2）无法将对比文件1和3的技术方案组合起来以获得权利要求1所要求保护的技术方案。
复审请求人于2018年12月28日提交的修改后的权利要求书的内容如下：
“1. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
2. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括向衬底载体添加材料，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
3. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口 的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
4. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
5. 一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的 局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
6. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。
7. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。
8. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。
9. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。
10. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述测量参数包括性能指标。
11. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述测量参数选自由以下参数构成的组：在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电学参数以及在衬底上沉积的层的电光参数。
12. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中关联所述测量参数包括使特定位置中的沉积的层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。
13. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中材料在离散的局部化区域中被去除。
14. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中材料被去除以形成连续的等值线。
15. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。
16. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。
17. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。
18. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的深度等值线。
19. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的热等值线。
20. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。
21. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中测量参数包括光学强度。
22. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中测量参数包括光学发射波长。
23. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述层的参数；
c.使与衬底上的位置对应的测量参数与衬底载体的物理性质关联，以获得与所述衬底载体上的位置对应的衬底载体的多个物理性质；和
d.修改与衬底的位置对应的衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数。
24. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积至少一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述至少一层的温度依赖处理参数；
c.使在衬底上沉积的所述至少一层的测量的参数与衬底载体的深度关联，以根据衬底载体的多个深度获得多个测量参数；和
d.在多个位置处修改衬底载体的深度，以根据衬底载体上的对应位置获得在所述衬底上沉积的所述至少一层的期望的参数。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
经过前置审查，原审查部门坚持驳回决定。前置审查意见认为：（1）权利要求1-5的修改超出了原始记载的范围，不符合专利法第33条的规定。（2）对比文件1中公开包括拱状凹部3b的衬底载体，且拱状凹部3b的高度及直径比与晶片保持器表面上的温度差ΔT相关联，可以响应于温度差ΔT而调整拱状凹部3b的高度及直径比以使晶片保持器表面的温度均匀，由此使晶片2表面的温度分布更为均匀。虽然对比文件1未公开测量及响应的是衬底的上表面的层的参数，但对比文件3公开了：首先把沉积在所述晶圆W的上表面的光刻胶图案的线宽与所述热板140的所述温度相关联，算出与线宽测定的位置对应的各热板区域R1～R5的温度校正值，该温度校正值使基片面内的线宽成为均匀，并适当地进行各热板区域R1～R5的温度设定（即响应于所述光刻胶图案的线宽而修改所述热板140的局部化区域R1-R5的温度，即公开了测量及响应衬底的上表面的层的参数）。可见对比文件3中给出了测量晶圆表面上的层的参数而校正衬底载体的物理参数以调整晶圆表面温度的启示，在对比文件3的启示下，本领域技术人员有动机通过测量对比文件1的晶片表面上的层的参数的方式来调整凹部的物理参数，由此调整晶片的表面温度，使晶片表面的温度分布更为均匀。并且，对比文件1公开了修改凹部3b的高度H（即局部深度），同时，高度H的改变也将会引起局部机械特性的改变，也就是说对比文件1中公开了修改衬底载体的局部深度或局部机械特性，而通过去除或增加材料来修改凹部的高度是本领域的常用技术手段。对比文件1中修改凹部3b的高度H目的在于减小温度差，使热量均匀传递，在此基础上，修改凹部3b的局部热导率或发射率以更好地实现减小温度差，使热量均匀传递是本领域的常用技术手段，并未取得预料不到的技术效果。综上，复审请求人的意见陈述不成立，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月11日发出复审通知书，指出权利要求1-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体为：（1）独立权利要求1-5、23、24相对于对比文件1具有区别技术特征，而该区别技术特征对于本领域技术人员来说属于公知常识，因此，权利要求1-5相对于对比文件1与本领域公知常识的结合都不具备创造性；（2）从属权利要求6-22的附加技术特征或在对比文件2中公开，或属于本领域的公知常识，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求6-22也不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年09月25日提交了意见陈述书，并对申请文件进行修改，提交了权利要求书的全文替换页（共24项权利要求），具体修改为：在独立权利要求1-5中加入特征“面对并”，在独立权利要求23、24中加入“所述衬底载体具有面对并支撑所述衬底的底面的凹口”。复审请求人在意见陈述书中指出：对比文件1中为晶片收容机构的背面侧形成有的凹部3b，仅仅公开的是凹部3b的高度和/或高度/宽度比与保持器3自身的表面上的温度之间的关系，本申请所涉及的是面对并支撑衬底的凹部。因此，本领域技术人员不可能根据对比文件1容易的想到本申请的技术方案。
复审请求人于2019年09月25日提交的修改后的权利要求书的内容如下：
“1. 一种衬底载体，包括面对并支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
2. 一种衬底载体，包括面对并支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括向衬底载体添加材料，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
3. 一种衬底载体，包括面对并支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述 凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
4. 一种衬底载体，包括面对并支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
5. 一种衬底载体，包括面对并支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质，
其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性，
其中所述凹口的物理性质包括下列中的一个：
衬底载体的局部深度，所述衬底载体的局部热导率，衬底载体的 局部发射率，和衬底载体的局部机械特性。
6. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。
7. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。
8. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。
9. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。
10. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述测量参数包括性能指标。
11. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述测量参数选自由以下参数构成的组：在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电学参数以及在衬底上沉积的层的电光参数。
12. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中关联所述测量参数包括使特定位置中的沉积的层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。
13. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中材料在离散的局部化区域中被去除。
14. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中材料被去除以形成连续的等值线。
15. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。
16. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。
17. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。
18. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的深度等值线。
19. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的热等值线。
20. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。
21. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中测量参数包括光学强度。
22. 根据权利要求1-5中任一项所述的衬底载体，其中测量参数包括光学发射波长。
23. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层，所述衬底载体具有面对并支撑所述衬底的底面的凹口；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述层的参数；
c.使与衬底上的位置对应的测量参数与衬底载体的物理性质关联，以获得与所述衬底载体上的位置对应的衬底载体的多个物理性质；和
d.修改与衬底的位置对应的衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数。
24. 一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积至少一层，所述衬底载体具有面对并支撑所述衬底的底面的凹口；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述至少一层的温度依赖处理参数；
c.使在衬底上沉积的所述至少一层的测量的参数与衬底载体的深度关联，以根据衬底载体的多个深度获得多个测量参数；和
d.在多个位置处修改衬底载体的深度，以根据衬底载体上的对应位置获得在所述衬底上沉积的所述至少一层的期望的参数。”
经审查，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1. 关于审查文本
复审请求人在答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文修改替换页（包括24项权利要求）。经审查上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，本复审请求审查决定依据的审查文本为：复审请求人于2019年09月25日答复复审通知书时提交的权利要求第1-24项；于分案提交日2015年07月23日提交的说明书第1-50段，说明书附图图1A-5，说明书摘要和摘要附图。
2. 关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别特征未被其它对比文件公开，也并非本领域的公知常识，而且基于该区别技术特征，上述权利要求的技术方案能够产生有益的技术效果，那么该权利要求具备创造性。
本复审请求审查决定引用了驳回决定中的相同的对比文件：
对比文件1：CN1965390A，公开日为2007年05月16日；
对比文件2：CN101054718A，公开日为2007年10月17日；
对比文件3：CN101120434A，公开日为2008年02月06日。
2.1权利要求1所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求1请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：该结构包括晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），其具有支撑多个衬底的底面的凹部3b（即凹口），所述凹部3b的高度H（相当于局部化区域的至少一个物理性质，即衬底载体的局部化深度）：图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)（相当于测量参数）之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）测量衬底上层的参数，响应于测量参数而修改凹口的局部化区域的至少一个物理性质，修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料；（2）所针对凹口为面对衬底。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员会对比文件1的技术启示下考虑在进行温度测定后，改变凹部的高度，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数，同时，去除材料是本领域常采用的改变凹部深度的一种技术手段。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得改善衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且也不属于本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求1的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2权利要求2所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求2请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：该结构包括晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），其具有支撑多个衬底的底面的凹部3b（即凹口），所述凹部3b的高度H（相当于局部化区域的至少一个物理性质，即衬底载体的局部化深度）：图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)（相当于测量参数）之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对。
权利要求2所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）测量衬底上层的参数，响应于测量参数而修改凹口的局部化区域的至少一个物理性质，修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中添加材料；（2）所针对凹口为面对衬底。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变凹部的高度，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数，同时，添加材料是本领域常采用的改变凹部深度的一种技术手段。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求2的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3权利要求3所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求3请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：该结构包括晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），其具有支撑多个衬底的底面的凹部3b（即凹口），所述凹部3b的高度H（相当于局部化区域的至少一个物理性质，即衬底载体的局部化深度）：图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)（相当于测量参数）之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对。
权利要求3所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）测量衬底上层的参数，响应于测量参数而修改凹口的局部化区域的至少一个物理性质，修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率；（2）所针对凹口为面对衬底。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变热导率，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求3的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4权利要求4所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求4请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：该结构包括晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），其具有支撑多个衬底的底面的凹部3b（即凹口），所述凹部3b的高度H（相当于局部化区域的至少一个物理性质，即衬底载体的局部化深度）：图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)（相当于测量参数）之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对。
权利要求4所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）测量衬底上层的参数，响应于测量参数而修改凹口的局部化区域的至少一个物理性质，修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率；（2）所针对凹口为面对衬底。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变发射率，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求4的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5权利要求5所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求5请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：该结构包括晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），其具有支撑多个衬底的底面的凹部3b（即凹口），所述凹部3b的高度H（相当于局部化区域的至少一个物理性质，即衬底载体的局部化深度）：图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)（相当于测量参数）之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对。
权利要求5所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）测量衬底上层的参数，响应于测量参数而修改凹口的局部化区域的至少一个物理性质，修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中改变局部机械特性；（2）所针对凹口为面对衬底。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变凹部的高度，以获得最优的技术效果，而改变了凹部高度即改变了局部的机械特性，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数，同时，去除材料是本领域常采用的改变凹部深度的一种技术手段。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求5的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6从属权利要求6-22所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求6-22都从属于权利要求1-5，在所引用的权利要求具备创造性的情况下，权利要求6-22也均具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7权利要求23所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求23请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4-7页，以及附图1-4）：通过下述处理制造晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体）；使生长膜形成在由晶片保持器支撑的晶片表面上（即公开了在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层）；图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％ 的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下。凹部空间与温度差以及热传导率之间具有关系（相当于多个物理性质）。
权利要求23所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）修改与衬底的位置对应的物理性质；（2）衬底载体具有面对并支撑衬底的底面的凹口。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变凹部的高度，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量衬底上层的参数。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求23的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8权利要求24所要求保护的技术方案符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求24请求保护一种衬底载体。对比文件1为最接近的现有技术，其公开了一种气相生长装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0029-0073，以及附图1-10）：通过下述处理制造晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体）；使生长膜形成在由晶片保持器支撑的晶片表面上（即公开了在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层）；通过下述处理制造晶片保持器3与托座4（保持器3与托座4相当于衬底载体），图3是表示形成在晶片保持器3中的拱状凹部3b的高度H(mm) 和晶片保持器表面上的温度差ΔT(℃)之间关系的图形，在高度H是0.9～2.5mm的范围内(高度和直径的比H/D是0.5 0～1.50％的范围内)，则温度差ΔT在5℃以下；本申请使得晶片面内的整个区域的温度均匀，可以使具有良好均匀性的薄膜气相生长的效果。
权利要求24所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）本申请测量及关联的是衬底上至少一层的参数, 根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数，修改衬底深度；（2）衬底载体具有面对并支撑衬底的底面的凹口。基于该区别技术特征，权利要求实际解决的技术问题是使得衬底生长表面处温度更均匀或达到更准确的预定温度分布。
针对区别技术特征（1）：对比文件1给出了凹部高度与晶片保持器表面上的温度差之间的关系，并且公开了高度与热量、热传导率等之间具有一定的关系，在已知这种关系的情况下，当为了获得更好的均匀性的薄膜气相生长时，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下会考虑在进行温度测定后，改变凹部的高度，以获得最优的技术效果，即响应于测量参数而修改凹口的一物理性质，而根据实际测量需要，可以测量和关联至少一层的参数, 根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数。因此，区别技术特征（1）属于公知常识。
针对区别技术特征（2）：对比文件1公开了凹部3b，但是其位于晶片保持器3的下部，其背对晶片2，并不面对晶片2。根据其高度与温度差的关系，本领域技术人员可以根据需要改变其物理性质，但是这种改变不是针对面对晶片的凹部的改变。而针对面对晶片的凹部的局部深度等物理性质的改变，可以改进衬底生长表面处温度的均匀性，即通过修改面对衬底的凹部的物理性质而获得衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，在对比文件1中并没有公开上述区别技术特征（2），并且这并不是本领域的公知常识。对比文件2公开了一种晶片承载器，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。对比文件3公开了一种衬底载体，没有公开面对衬底的凹口物理性质的修改，即没有公开区别技术特征（2）。
综上所述，基于上述区别技术特征（2）及上述区别技术特征（2）给本申请权利要求24的方案带来的改进衬底表面温度均匀性从而提高衬底载体性能的技术效果，该权利要求相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合而言具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本申请权利要求1-24相对于对比文件1-3及本领域的公知常识的结合具备创造性。
本复审决定仅针对驳回理由进行审查，至于申请文件中是否存在其它不符合专利法及专利法实施细则的缺陷，留待后续程序审查。
三、针对前置和驳回决定的意见
在本申请说明书中，对局部热导率或发射率、局部深度等进行了表述（参见说明书【0029】、【0035】-【0039】），因此，在权利要求中加入修改衬底载体的局部发射率或机械特性等技术特征，没有超出原始记载的范围，修改符合专利法第33条的规定。在复审阶段，复审请求人对权利要求进行了修改，修改后的权利要求有别于对比文件1-3，并且区别技术特征不属于公知常识，并能获得有益的技术效果，因此，修改后的权利要求1-24相对于对比文件1-3与本领域公知常识的结合具备创造性。
基于此，合议组作出如下决定。
四、决定
撤销国家知识产权局于2018年09月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在于2019年09月25日答复复审通知书时提交的权利要求第1-24项，于分案提交日2015年07月23日提交的说明书第1-50段、说明书附图图1A-5、说明书摘要和摘要附图的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
