发明创造名称：等离子处理装置及方法
外观设计名称：
决定号：201213
决定日：2020-01-15
委内编号：1F298889
优先权日：2014-05-26
申请（专利）号：201510271217.0
申请日：2015-05-25
复审请求人：松下知识产权经营株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张月
合议组组长：徐颖
参审员：杨万里
国际分类号：H01J37/32,H01L21/67,H01L21/683
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其它对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且现有技术中没有给出将该区别技术特征应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，该区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具有创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201510271217.0，名称为“等离子处理装置及方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为松下知识产权经营株式会社，申请日为2015年05月25日，优先权日为2014年05月26日，公开日为2015年12月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年05月21日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年05月25日提交的说明书第1-100段、说明书附图图1-4、说明书摘要、摘要附图；2018年11月30日提交的权利要求第1-7项。驳回引用的对比文件为：
对比文件1：CN103460350A，公开日为2013年12月18日；
对比文件3：US2009040682A1，公开日为2009年02月12日。
驳回理由具体为：
（1）权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：在载置所述搬运载体的载置区域具有气体供给孔，气体供给部，通过经由所述工作台的气体供给孔供给气体，来辅助所述搬运载体从工作台脱离；所述工作台具备电极部，所述电极部由载置并静电吸附所述搬运载体的静电吸附部和配置在所述静电吸附部下方侧的电极部主体构成，所述静电吸附部的上表面形成有多个所述气体供给孔，在所述电极部主体上形成有用于冷却所述工作台的冷媒流路；基板从所述工作台脱离时，在向所述处理室内导入除气用气体来去除所述基板及所述搬运载体的残留电荷的除电处理中或之后，经由多个所述气体供给孔供给气体来辅助所述搬运载体从所述工作台脱离，罩以能够在上升位置与下降位置之间升降的方式设于所述工作台的上方，覆盖被罩于所述工作台的所述搬运载体的所述框架和所述保持片，在所述罩处于所述下降位置的状态下所述基板通过所述等离子体被分割为独立芯片，在所述罩从所述下降位置移动到所述上升位置后进行所述除电处理。由此确定本申请实际要解决的技术问题是：如何使搬运载体容易与工作台分离。对比文件3公开了在基片与工作台之间通入气体以使基片容易与工作台脱离，在对比文件3公开的内容的基础上，本领域技术人员经过合乎逻辑的推理，容易想到将上述技术特征应用于具有搬运载体的基片处理装置中，并在载置所述搬运载体的载置区域具有气体供给孔，然后设置气体供给部，设置多个气体供给孔，通过经由所述工作台的气体供给孔供给气体，来辅助所述搬运载体从工作台脱离，以及先对基板进行除电，在除电过程中或之后，再经由多个气体供给孔供给气体来辅助搬运载体从工作台脱离，这不需要付出创造性劳动。另外，对本领域技术人员来说，采用除电气体产生等离子体的方式对静电吸附在工作台上的基板以及搬运载体进行除静电，以及在下电极部主体上设置用于冷却工作台的冷媒流路，以及采用可升降罩在等离子体处理期间覆盖在搬运载体的框架和保持片上防止框架和保持片受到热辐射均是本领域惯用手段，属于公知常识。本领域技术人员通过合乎逻辑的推理可以得出在罩处于下降的位置时，对基板进行等离子体处理，在上升位置时进行除电处理，这不需要付出创造性劳动。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域公知常识并经过合乎逻辑的推理，得到权利要求1对本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。权利要求2-4的附加技术特征是本领域技术人员根据需要而设置的，权利要求5和6的附加技术特征是本领域的公知常识，因而权利要求2-6也不具备创造性。
（2）权利要求7与对比文件1的区别技术特征是：所述工作台具备电极部，所述电极部由载置并静电吸附所述搬运载体的静电吸附部和配置在所述静电吸附部下方侧的电极部主体构成，所述静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔，在所述电极部主体上形成有用于冷却所述工作台的冷媒流路；第四工序，为了解除所述搬运载体的静电吸附并且降低所述搬运载体与所述工作台之间的残留吸附力，进行以下的除电处理：通过向所述处理室内导入除电用气体来去除所述基板及所述搬运载体的残留电荷，在所述第四工序中或所述第四工序结束后，通过从配置在所述静电吸附部的多个气体供给孔供给气体，来辅助所述搬运载体与所述工作台分离，所述等离子体处理方法还具备以下工序：在第三工序之前使配置于所述工作台上方的罩下降而覆盖被载置于所述工作台的所述搬运载体的所述框架和所述保持片；及在所述第三工序之后和所述第四工序之前使所述罩上升。由此确定本申请实际要解决的技术问题是：如何使搬运载体容易与工作台分离。对比文件3公开了在接触晶片的静电吸附后，对晶片与工作台之间进行残留吸附力的除电处理和通过在工作台上的气体供给孔供给气体来辅助晶片与工作台分离的技术特征。在对比文件3公开的内容的基础上，本领域技术人员经过合乎逻辑的推理，容易想到将上述技术特征应用于具有搬运载体的基片处理装置中，并在静电卡盘上表面设置多个气体供给孔，设置气体辅助分离搬运载体与工作台的步骤在第四工序中或第四工序后，这不需要付出创造性劳动。另外，对本领域技术人员来说，采用除电气体产生等离子体的方式对静电吸附在工作台上的基板以及搬运载体进行除静电，在下电极部主体上设置用于冷却工作台的冷媒流路是本领域惯用手段，属于公知常识。本领域技术人员通过合乎逻辑的推理可以得出让罩在处于下降的位置时，对基板进行等离子体处理，在上升位置时进行除电处理，这不需要付出创造性劳动。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域公知常识并经过合乎逻辑的推理，得到权利要求7对本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种等离子处理装置，具备：
处理室；
等离子源，在所述处理室内产生等离子体；
搬运载体，具有保持基板的保持片和以包围所述基板的方式安装在保持片上的框架；
工作台，设置在所述处理室内，在载置所述搬运载体的载置区域具有气体供给孔；
静电吸附部，设置在所述工作台内，对所述搬运载体进行静电吸附；
气体供给部，通过经由所述工作台的气体供给孔供给气体，来辅助所述搬运载体从工作台脱离；及
罩，以能够在上升位置与下降位置之间升降的方式设于所述工作台的上方，覆盖被载置于所述工作台的所述搬运载体的所述框架和所述保持片，
所述等离子处理装置的特征在于，
所述工作台具备电极部，所述电极部由载置并静电吸附所述搬运载体的静电吸附部和配置在所述静电吸附部下方侧的电极部主体构成，
所述静电吸附部的上表面形成有多个所述气体供给孔，在所述电极部主体上形成有用于冷却所述工作台的冷媒流路，
在使通过所述等离子体被分割为独立芯片的所述基板从所述工作台脱离时，在向所述处理室内导入除电用气体来去除所述基板及所述搬运载体的残留电荷的除电处理中或之后，经由多个所述气体供给孔供给气体来辅助所述搬运载体从所述工作台脱离，
在所述罩处于所述下降位置的状态下所述基板通过所述等离子体被分割为独立芯片，
在所述罩从所述下降位置移动到所述上升位置后进行所述除电处理。
2. 根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述气体供给孔形成在载置于所述工作台的搬运载体的保持片中的、与未被所述基板及所述框架覆盖的露出区域对应的所述载置区域的位置。
3. 根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述气体供给孔形成在载置于所述工作台的搬运载体的保持片中的、与所述框架对应的所述载置区域的位置。
4. 根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述气体供给孔形成在载置于所述工作台的搬运载体的保持片中的、与所述基板的非元件化区域对应的所述载置区域的位置。
5. 根据权利要求4所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述基板的非元件化区域为基板的外周部。
6. 根据权利要求4所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述基板的非元件化区域为形成在基板上的测试图案。
7. 一种等离子处理方法，对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理，所述搬运载体由环状框架和保持片构成，所述等离子处理方法的特征在于包含如下工序：
第一工序，将保持有所述基板的所述搬运载体载置于所述工作台；
第二工序，使载置于所述工作台的所述搬运载体静电吸附在所述工作台上，所述工作台具备电极部，所述电极部由载置并静电吸附所述搬运载体的静电吸附部和配置在所述静电吸附部下方侧的电极部主体构成，所述静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔，在所述电极部主体上形成有用于冷却所述工作台的冷媒流路；
第三工序，通过对所述基板进行等离子处理来将所述基板分割为独立芯片；及
第四工序，为了解除所述搬运载体的静电吸附并且降低所述搬运载体与所述工作台之间的残留吸附力，进行以下的除电处理：通过向所述处理室内导入除电用气体来去除所述基板及所述搬运载体的残留电荷，
在所述第四工序中或所述第四工序结束后，通过从配置在所述静电吸附部的多个气体供给孔供给气体，来辅助所述搬运载体与所述工作台分离，
所述等离子体处理方法还具备以下工序：
在第三工序之前使配置于所述工作台上方的罩下降而覆盖被载置于所述工作台的所述搬运载体的所述框架和所述保持片；及
在所述第三工序之后和所述第四工序之前使所述罩上升。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年08月29日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改权利要求书。复审请求人认为：（1）对比文件1的工件支架13和对比文件3的静电卡盘不同于本申请的工作台。本申请的电极部主体上形成有用于冷却工作台的冷媒流路。（2）本申请基板从工作台脱离时的控制是：导入除电气体→除电处理中或之后→供给脱离辅助气体→使基板从工作台脱离。对比文件3中晶片从静电卡盘脱离时的控制是：供给脱离辅助气体→（在供给解卡气体期间）对静电卡盘施加解卡电压→检测并判定气体量→使晶片从静电卡盘脱离。对比文件3中晶片加工后的控制处理的内容、流程、步骤等均完全不同于本申请。（3）关于罩的升降，本领域的公知常识是进行除电处理后再升起罩，而本申请是先升起罩在除电处理。本申请能够使搬运载体免受来自罩的辐射热。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年09月06日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）在等离子体处理基板的领域，基板载台作为下电极设置冷媒流路用于在等离子体处理中冷却基板是本领域惯用手段。（2）在搬运基板时采用等离子或除电电压来除静电均是本领域惯用手段，在对比文件3公开的内容的基础上，本领域技术人员可以通过合乎逻辑的推理选择最适合搬运基板的方法及顺序，来选择除电和通辅助气体的顺序，这不需要付出创造性劳动。（3）对比文件1也已经公开了要防止热损伤搬运载体框架的前提下，本领域技术人员可以通过合乎逻辑的推理选择先升起已经被等离子辐射加热的罩，降低罩的残余热对搬运载体造成损伤，再为搬运基板作准备（即升起罩后再除电通辅助搬运气体）。因此坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时未修改申请文件，因而本复审决定所针对的文本与原审查部门驳回决定所针对的文本相同，即：申请日2015年05月25日提交的说明书第1-100段、说明书附图图1-4、说明书摘要、摘要附图；2018年11月30日提交的权利要求第1-7项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其它对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且现有技术中没有给出将该区别技术特征应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，该区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具有创造性。
本复审决定引用驳回决定引用的对比文件，即：
对比文件1：CN103460350A，公开日为2013年12月18日；
对比文件3：US2009040682A1，公开日为2009年02月12日。
2.1、权利要求1-6符合专利法第22条第3款的规定。
独立权利要求1要求保护一种等离子处理装置，对比文件1公开了一种用于对半导体晶圆进行等离子切割的方法和设备（等离子处理装置），并具体公开了（参见说明书第0055-0058、0064、0068-0069段，图4、6、7和15）：真空处理室10；高密度等离子源12，用于产生高密度等离子；工件支架13（工作台，设置在处理室内），用于支撑工件1A；将基板1附接到粘合带5（搬运载体的保持片，保持基板）并且又安装在刚性框架6（搬运载体的框架，以包围基板的方式安装在保持片上）中，以形成工件1A；静电吸附盘16（静电吸附部，工作台的电极部）设置在工作支架13上（静电吸附盘16可看做工作台的一部分），由一个或多个电极33构成，对其施加高压19，能够实现高的吸附力（对搬运载体进行静电吸附）；当工件1A处于用于等离子处理的位置时，保护框架6以免暴露于等离子7，为了保护框架6，保护盖环20（罩）放置在框架6上方（设置于工作台的上方，覆盖被载置于工作台的搬运载体的框架和保持片），盖环20不接触框架6；RF功率源14，用于将RF功率通过工件支架13（电极主体部，工作台的电极部，在静电吸附部下方侧）耦合到工件1A；使用图4所示的反应等离子蚀刻处理7来蚀刻掉基板1的无保护区域，留下被分隔成单独裸片8的器件2（基板通过等离子体被分割成独立芯片）。
权利要求1和对比文件1相比，其区别技术特征是：（1）工作台在载置搬运载体的载置区域具有气体供给孔，气体供给部，通过经由工作台的气体供给孔供给气体，来辅助搬运载体从工作台脱离，静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔，在使通过等离子体被分割为独立芯片的基板从工作台脱离时，在向处理室内导入除电用气体来去除基板及搬运载体的残留电荷的除电处理中或之后，经由多个气体供给孔供给气体来辅助搬运载体从工作台脱离；（2）罩能够在上升位置与下降位置之间升降，罩处于下降位置的状态下用等离子体分割基板，罩从下降位置移动到上升位置后进行除电处理；（3）在电极部主体上形成有用于冷却工作台的冷媒流路。由此确定，权利要求1相对于对比文件1实际要解决的技术问题是：（1）在气体除电时降低搬运载体受到的热损伤；（2）根据操作需求上下移动罩，防止罩对搬运载体的热辐射；（3）冷却工作台。
关于区别技术特征（1），对比文件3公开了一种解卡方法，并具体公开了（参见说明书第0054-0055和0061-0068段）：解卡气体供给孔160（气体供给孔）穿过下电极124（工作台）和静电卡盘130（工作台的静电吸附部）设置在静电卡盘130上（在载置基板的载置区域具有气体供给孔，静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔）；解卡气体管162的第一端连接到解卡气体供给孔160，第二端连接到气体供给部168；解卡气体经由解卡气体管162和解卡供给孔160供给到晶片W的背面（通过经由工作台的气体供给孔供给气体），解卡气体有助于分离晶片W和静电卡盘（辅助基板从工作台脱离）；在等离子处理时，冷却气体经由解卡气体供给孔160供给到晶片W背面，在等离子处理后（在基板从工作台脱离时），中断卡定电压，继续供给解卡气体作为冷却气体（经由气体供给孔供给气体来辅助晶片W从工作台脱离），然后给静电电极132施加第一解卡电压减小晶片W和静电电极132之间的静电力，随后施加第二解卡电压完全去除晶片W和静电电极132之间的静电力，随着第一和第二解卡电压减小静电力（在去除基板的残留电荷的除电处理中），解卡气体从晶片W和静电卡盘130之间泄露（经由气体供给孔供给气体来辅助基板从工作台脱离），当解卡气体泄漏量大于一定量时，控制器159中断第二解卡电压，升起多个升降杆170，晶片W从静电卡盘130解卡，没有损坏。可见，对比文件3至少没有公开向处理室导入除电用气体来除电，也就是没有公开气体除电，其除电手段和本申请不相同。本申请为了解决气体除电时，由于静电吸附用电极产生的静电吸附被解除，工作台对搬运载体的冷却处于不充分的状态，基板及搬运载体由于除电放电被加热，搬运载体有可能受到热损伤，通过供给装卸用气体辅助搬运载体与工作台分离，减小除电处理时除电放电中供给的高频电力，或者缩短除电放电的处理时间，或者两者，由此够降低搬运载体受到的热损伤。因而本申请的脱离用气体是用于降低搬运载体在气体除电中受到的热损伤。由于对比文件3不涉及气体除电，不涉及气体除电放电时产生的热损伤，不涉及本申请要解决的技术问题，因而无法给出解决本申请要解决的技术问题的技术启示。本领域技术人员没有动机将对比文件3结合至对比文件1来解决上述技术问题。并且，在气体除电处理中，通过导入脱离用气体来降低除电放电的热损伤也不是本领域的公知常识。本申请在气体除电放电时供给气体，能够减小除电放电中供给的高频电力，缩短除电放电时间，降低除电放电时的热损伤，具有有益的技术效果。本领域技术人员得到上述区别技术特征（1）不是显而易见的。
关于区别技术特征（2），在本领域中等离子处理完成后，通常升起基板，使其脱离工作台后移除处理室，这是本领域技术人员的常用技术手段。在如对比文件1的使用罩的情况下，本领域技术人员容易想到在进行等离子处理时，将罩设置在较低的位置，也就是下降位置，而在等离子处理后，将罩升起以便于升起基板以脱离工作台，也就是移动到上升位置。并且对比文件1还公开了要防止罩对基板的热损伤（参见说明书第0060-0061段），本领域技术人员容易想到在等离子处理后（包括进行除电处理前）就升起罩，以避免罩对基板造成热损伤。因而基于对比文件1和上述常用技术手段，本领域技术人员使罩能够在上升位置与下降位置之间升降，罩处于下降位置的状态下用等离子体分割基板，罩从下降位置移动到上升位置后进行除电处理，是显而易见的。
关于区别技术特征（3），在本领域中，在工作台的电极中设置冷媒流路以冷却工作台，是本领域的常用技术手段。在对比文件1公开了额外的冷却通过使用ESC来提供（参见说明书第0066段）的基础上，本领域技术人员容易想到采用惯用的冷媒流路来冷却ESC（工作台）。
因此，本领域技术人员在对比文件1、3和公知常识的基础上得到权利要求1不是显而易见的。权利要求1降低了搬运载体在气体除电中受到的热损伤，具有有益的技术效果，与对比文件1、3和公知常识相比，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
由于独立权利要求1具备创造性，引用独立权利要求1的从属权利要求2-6同样也具备创造性。
2.2、权利要求7符合专利法第22条第3款的规定。
独立权利要求7要求保护一种等离子处理方法，对比文件1公开了一种用于对半导体晶圆进行等离子切割的方法（等离子处理方法）和设备，并具体公开了（参见说明书第0055-0058、0064、0068-0069段，图4、6、7和15）：将基板1附接到粘合带5（搬运载体的保持片）并且又安装在刚性框架6（搬运载体的环装框架）中，以形成工件1A，将工件1A转移到处理室10中（对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理）；（第一工序）当将工件1A转移到处理室10中时，将其放置到升降结构17（工作台）上并从转移臂40上移开；（第二工序）一般在半导体处理中，使用静电吸盘16来对基板施加向下的力（使载置于工作台的搬运载体静电吸附在工作台上）；静电吸附盘16（静电吸附部，工作台的电极部）设置在工作支架13上（静电吸附盘16可看做工作台的一部分），由一个或多个电极33构成，对其施加高压19，能够实现高的吸附力（对搬运载体进行静电吸附）；RF功率源14，用于将RF功率通过工件支架13（电极主体部，工作台的电极部，在静电吸附部下方侧）耦合到工件1A；（第三工序）使用图4所示的反应等离子蚀刻处理7来蚀刻掉基板1的无保护区域，留下被分隔成单独裸片8的器件2（基板通过等离子体被分割成独立芯片）；当工件1A处于用于等离子处理的位置时，保护框架6以免暴露于等离子7，为了保护框架6，保护盖环20（罩）放置在框架6上方（覆盖被载置于工作台的搬运载体的框架和保持片），盖环20不接触框架6。
权利要求7和对比文件1相比，其区别技术特征是：（1）静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔，第四工序，为了解除搬运载体的静电吸附并且降低搬运载体与工作台之间的残留吸附力，进行以下的除电处理：通过向处理室内导入除电用气体来去除基板及搬运载体的残留电荷，在第四工序中或第四工序结束后，通过从配置在静电吸附部的多个气体供给孔供给气体，来辅助搬运载体与工作台分离；（2）在第三工序之前，使罩下降，在第三工序之后和第四工序之前使罩上升；（3）在电极部主体上形成有用于冷却工作台的冷媒流路。由此确定，权利要求7相对于对比文件1实际要解决的技术问题是：（1）在气体除电时降低搬运载体受到的热损伤；（2）根据操作需求上下移动罩，防止罩对搬运载体的热辐射；（3）冷却工作台。
关于区别技术特征（1），对比文件3公开了一种解卡方法，并具体公开了（参见说明书第0054-0055和0061-0068段）：解卡气体供给孔160（气体供给孔）穿过下电极124（工作台）和静电卡盘130（工作台的静电吸附部）设置在静电卡盘130上（静电吸附部的上表面形成有多个气体供给孔）；在等离子处理时，冷却气体经由解卡气体供给孔160供给到晶片W背面，在等离子处理后，中断卡定电压，继续供给解卡气体作为冷却气体（通过从配置在静电吸附部的气体供给孔供给气体来辅助基板与工作台分离），然后给静电电极132施加第一解卡电压减小晶片W和静电电极132之间的静电力，随后施加第二解卡电压完全去除晶片W和静电电极132之间的静电力（第四工序，为了解除基板静电吸附并且降低基板与工作台之间的残留吸附力，通过施加解卡电压来去除基板的残留载荷），随着第一和第二解卡电压减小静电力（在第四工序中），解卡气体从晶片W和静电卡盘130之间泄露（通过从配置在静电吸附部的气体供给孔供给气体来辅助基板与工作台分离），当解卡气体泄漏量大于一定量时，控制器159中断第二解卡电压，升起多个升降杆170，晶片W从静电卡盘130解卡，没有损坏。可见，对比文件3至少没有公开向处理室导入除电用气体来除电，也就是没有公开气体除电，其除电手段和本申请不相同。本申请为了解决气体除电时，由于静电吸附用电极产生的静电吸附被解除，工作台对搬运载体的冷却处于不充分的状态，基板及搬运载体由于除电放电被加热，搬运载体有可能受到热损伤，通过供给装卸用气体辅助搬运载体与工作台分离，减小除电处理时除电放电中供给的高频电力，或者缩短除电放电的处理时间，或者两者，由此够降低搬运载体受到的热损伤。因而本申请的脱离用气体是用于降低搬运载体在气体除电中受到的热损伤。由于对比文件3不涉及气体除电，不涉及气体除电放电时产生的热损伤，不涉及本申请要解决的技术问题，因而无法给出解决本申请要解决的技术问题的技术启示。本领域技术人员没有动机将对比文件3结合至对比文件1来解决上述技术问题。并且，在气体除电处理中，通过导入脱离用气体来降低除电放电的热损伤也不是本领域的公知常识。本申请在气体除电放电时供给气体，能够减小除电放电中供给的高频电力，缩短除电放电时间，降低除电放电时的热损伤，具有有益的技术效果。本领域技术人员得到上述区别技术特征（1）不是显而易见的。
关于区别技术特征（2），在本领域中等离子处理完成后，通常升起基板，使其脱离工作台后移除处理室，这是本领域技术人员的常用技术手段。在如对比文件1的使用罩的情况下，本领域技术人员容易想到在进行等离子处理时，将罩设置在较低的位置，也就是下降位置，而在等离子处理后，将罩升起以便于升起基板以脱离工作台，也就是移动到上升位置。并且对比文件1还公开了要防止罩对基板的热损伤（参见说明书第0060-0061段），本领域技术人员容易想到在等离子处理后（包括进行除电处理前）就升起罩，以避免罩对基板造成热损伤。因而基于对比文件1和上述常用技术手段，本领域技术人员使罩能够在上升位置与下降位置之间升降，罩处于下降位置的状态下用等离子体分割基板，罩从下降位置移动到上升位置后进行除电处理，是显而易见的。
关于区别技术特征（3），在本领域中，在工作台的电极中设置冷媒流路以冷却工作台，是本领域的常用技术手段。在对比文件1公开了额外的冷却通过使用ESC来提供（参见说明书第0066段）的基础上，本领域技术人员容易想到采用惯用的冷媒流路来冷却ESC（工作台）。
因此，本领域技术人员在对比文件1、3和公知常识的基础上得到权利要求7不是显而易见的。权利要求7降低了搬运载体在气体除电中受到的热损伤，具有有益的技术效果，与对比文件1、3和公知常识相比，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
对驳回决定和前置审查意见的评述
合议组认为：虽然同样是在除电处理中供给脱离用气体，但是对比文件3主要是通过监测解卡气体的泄漏量，来控制是否中断第二解卡电压，从而判断何时升起多个升降杆，使晶片从静电卡盘解卡，其脱离用气体的作用和本申请不同。由于对比文件3不涉及气体除电，也就不涉及气体除电带来的热损伤问题，因而无法给出降低搬运载体在气体除电中受到热损伤的技术启示。为解决本申请要解决的技术问题，本领域技术人员没有动机结合对比文件3。由于本申请和对比文件3的除电手段不同，对比文件3无法给出解决本申请要解决的技术问题的技术启示，本申请相对于对比文件1、对比文件3和公知常识具有创造性。至于本申请是否还存在不符合专利法及其实施细则规定的其他缺陷，留待后续程序继续审查。
基于上述事实和理由，本案合议组经过合议，依法作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年05月21日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：申请日2015年05月25日提交的说明书第1-100段、说明书附图图1-4、说明书摘要、摘要附图；2018年11月30日提交的权利要求第1-7项。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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