在介质基板上直接制备石墨烯的方法以及相关的制品/装置-复审决定


发明创造名称:在介质基板上直接制备石墨烯的方法以及相关的制品/装置
外观设计名称:
决定号:201196
决定日:2020-01-15
委内编号:1F252375
优先权日:2013-03-15;2013-12-31
申请(专利)号:201480028546.6
申请日:2014-03-13
复审请求人:葛迪恩实业公司 密歇根大学董事会
无效请求人:
授权公告日:
审定公告日:
专利权人:
主审员:白璐
合议组组长:周荃
参审员:周洋
国际分类号:C01B31/04;C23C26/00
外观设计分类号:
法律依据:专利法第22条第3款
决定要点
:评价一项权利要求的创造性时,应确定该权利要求要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术的区别技术特征,如果该区别技术特征是本领域的常规技术手段,则认为现有技术中给出了将该区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示,则该权利要求不具备创造性。
全文:
本复审决定涉及申请号为201480028546.6,发明名称为“在介质基板上直接制备石墨烯的方法以及相关的制品/装置”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为葛迪恩实业公司、密歇根大学董事会,申请日为2014年3月13日,公开日为2016年3月30日,优先权日为2013年3月15日和2013年12月31日,国际申请进入国家阶段日为2015年11月16日。
经实质审查,国家知识产权局原审查部门于2018年2月6日发出驳回决定,驳回了本申请,其理由是:相对于对比文件1(EP2327662A1,公开日为2011年6月1日)结合本领域的常规技术手段,权利要求1,16,19,27所要求保护的技术方案是显而易见的,权利要求2-15是权利要求1的从属权利要求,权利要求20-26是权利要求19的从属权利要求,其中的附加技术特征或者属于常规技术手段,或者已被对比文件1公开或在对比文件1公开内容的基础上容易实现;相对于对比文件2(CN102549202A,公开日为2012年7月4日)结合对比文件1和本领域的常规技术手段,权利要求17和18所要求保护的技术方案是显而易见的。因此,权利要求1-27不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。驳回决定所依据的文本为:2015年11月16日进入国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-352段(第1-51页)、说明书附图、说明书摘要、摘要附图和2017年3月29日提交的权利要求第1-27项。驳回决定所针对的权利要求书如下:
“1. 一种制备涂层制品的方法,所述涂层制品包括位于基板上的含石墨烯的薄膜,所述方法包括以下步骤:
在所述基板上配置含金属的催化剂层;
在不超过900摄氏度的温度下,将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层暴露于前驱气体以及引发应变的气体,所述引发应变的气体引发所述含金属的催化剂层中的应变;以及
使石墨烯成型和/或形成在所述含金属的催化剂层上与其接触,以及形成在所述基板和所述含金属的催化剂层之间,来制备所述涂层制品,和
其中,所述基板与其上的所述催化剂层在一个或多个阶段中被暴露于至少所述引发应变的气体和/或碳源气体,
其中第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变,且第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述碳源气体,所述第一和第二阶段按这样的顺序被提供。
2. 如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:去除所述催化剂层,以及其上的石墨烯。
3. 如权利要求2所述的方法,其中,所述去除的步骤,通过与石墨烯形成相关的所述催化剂层中引发的残余应变被完成。
4. 如权利要求1所述的方法,其中,所述温度为800摄氏度以下。
5. 如权利要求1所述的方法,其中,所述温度为700摄氏度以下。
6. 如权利要求1所述的方法,其中,所述前驱气体含有乙炔。
7. 如权利要求1所述的方法,其中,所述基板与其上的所述催化剂层在多个连续地阶段中被暴露于至少氦和/或乙炔气体。
8. 如权利要求7所述的方法,其中,第一阶段包括以第一流速提供至少氦气,且第二阶段包括以第二流速提供至少氦气和以第三流速提供乙炔气体,所述第一和第二阶段按这样的顺序被提供。
9. 如权利要求8所述的方法,其中,在所述第二阶段之后提供第三阶段,所述第三阶段几乎没有提供氦和/或乙炔。。
10. 如权利要求1所述的方法,其中,所述第一流速大于所述第二和第三流速,且所述第二流速小于所述第三流速。
11. 如权利要求1所述的方法,其中,所述基板为玻璃基板或硅晶片。
12. 如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:将所述催化剂层图案化至所需的图案,当所述含石墨烯的薄膜被形成在所述涂层制品上时,对应于所需的图案。
13. 如权利要求12所述的方法,其中,所述图案化的步骤在所述暴露的步骤之前被实施。
14. 如权利要求13所述的方法,其中,所述暴露的步骤在700-900摄氏度的温度下被执行,所述700-900摄氏度的温度在两分钟内达到。
15. 如权利要求14所述的方法,其中,所述700-900摄氏度的温度被维持不超过10分钟。
16. 一种根据上述权利要求中任何一项所述的方法所制备的涂层制品。
17. 一种制备电子装置的方法,所述方法包括:
提供根据上述权利要求中任何一项所述的方法制备的涂层制品;以及
将所述涂层制品构建至所述装置中。
18. 一种根据权利要求17所述的方法制备的电子装置。
19. 一种制备涂层制品的方法,所述涂层制品包括位于基板上的含石墨烯的薄膜,所述方法包括以下步骤:
在所述基板上配置含金属的催化剂层;
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层快速加热至700-900摄氏度;
在含有氦气的环境中将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层退火,所述氦气在压力下被提供,所述压力被选择用来设计所述含金属的催化剂层中的所需应力;
将所述基板和其上的所述催化剂层暴露于含碳的前驱气体;以及
使石墨烯成型和/或形成在所述含金属的催化剂层上与其接触,以及形成在所述基板和所述含金属的催化剂层之间,来制备所述涂层制品,其中,所述氦气在所述含金属的催化剂层中引发应变,足以在石墨烯形成期间使所述基板和所述含金属的催化剂层之间至少部分地分离,
其中,进一步包括:通过由所述氦气提供的残余应变,使所述含金属的 催化剂层和其上的所述石墨烯分层。
20. 如权利要求19所述的方法,其中,所述快速加热的步骤在1分钟以内被完成,所述退火的步骤在10分钟以内被完成,且所述暴露于所述含碳的前驱气体的步骤在5分钟以内被完成。
21. 如权利要求20所述的方法,其中,所述快速加热的步骤在30秒以内被完成,所述退火的步骤在3-7分钟被完成,且所述暴露于所述含碳的前驱气体的步骤在3分钟以内被完成。
22. 如权利要求19-21中任何一项所述的方法,其中,所述基板为硅晶片。
23. 如权利要求19所述的方法,进一步包括以下步骤:使所述含金属的催化剂层和其上的所述石墨烯从所述基板中机械分层。
24. 如权利要求23所述的方法,其中,所述机械分层的步骤,通过所述含金属的催化剂层中引发的残余应变被完成。
25. 如权利要求23所述的方法,其中,所述机械分层的步骤,通过不使用湿化学过程的非原位被完成。
26. 如权利要求19所述的方法,其中,所述含金属的催化剂层中的所需应力被设计成净压应力。
27. 一种制备涂层制品的方法,所述涂层制品包括位于基板上的含石墨烯的薄膜,所述方法包括以下步骤:
在所述基板上配置含金属的催化剂层;
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层加热至700-900摄氏度;
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层暴露于含碳的前驱气体;
使石墨烯成型和/或形成在所述含金属的催化剂层上与其接触,以及形成在所述基板和所述含金属的催化剂层之间;以及
使所述含金属的催化剂层和所述含金属的催化剂层上的所述石墨烯从所述基板中机械分层,从而所述基板和所述含金属的催化剂层之间形成的所述石墨烯随所述机械分层残留在所述基板上,来制备所述涂层制品,
其中,所述含金属的催化剂层被设计成具有促使所述机械分层的应力,和
其中,所述基板与其上的所述催化剂层在一个或多个阶段中被暴露于至少所述引发应变的气体和/或碳源气体,
其中第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变,且第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述碳源气体,所述第一和第二阶段按这样的顺序被提供。”
申请人(下称复审请求人)对上述决定不服,于2018年5月21日向国家知识产权局提出复审请求,将原独立权利要求19修改为权利要求1的从属权利要求,删除其中与权利要求1记载的技术特征重复的技术特征,并对权利要求17的引用关系进行修改,以使权利要求17更清楚。修改后的权利要求17和19如下:
“17. 一种制备电子装置的方法,所述方法包括:
提供根据权利要求1到15中任何一项所述的方法制备的涂层制品;以及
将所述涂层制品构建至所述装置中。
19. 如权利要求1所述的方法,所述前驱气体是含碳的前驱气体,所述还方法包括以下步骤:
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层快速加热至700-900摄氏度;
在含有氦气的环境中将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层退火,所述氦气在压力下被提供,所述压力被选择用来设计所述含金属的催化剂层中的所需应力;以及
其中,所述氦气在所述含金属的催化剂层中引发应变,足以在石墨烯形成期间使所述基板和所述含金属的催化剂层之间至少部分地分离,
其中,进一步包括:通过由所述氦气提供的残余应变,使所述含金属的催化剂层和其上的所述石墨烯分层。”
复审请求人认为:本申请在施加碳源气体前,用引发应变的气体处理含金属的催化剂层,以引发含金属的催化剂层中的应变,从而在石墨烯的成型期间,在石墨烯的基板和含金属的催化层之间造成至少部分分离。由此,含金属的催化层和在该金属的催化层上的石墨烯层可从基板上被机械地分层,从而基板和金属催化剂层之间所形成的石墨烯层仍然在基板上。因此,无需化学蚀刻便可以去除金属催化层。对比文件1没有教导在含金属的催化剂层上施加引发应变的气体和施加碳源气体的同时继续施加引发应变的气体这两个阶段。因此,本申请具备创造性。
形式审查合格后,国家知识产权局受理了该复审请求,于2018年5月25日发出了复审请求受理通知书,并将本案转送至原实质审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后,国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审查。合议组于2019年6月26日向复审请求人发出复审通知书,指出权利要求1-16,19-27相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备创造性,权利要求17,18相对于对比文件2和对比文件1以及本领域常规技术手段的结合不具备创造性。针对复审请求人在复审请求书中陈述的理由,合议组认为:首先,本申请说明书中无任何理论和/或对比例证明与现有技术中方法相比,提前用引发应变的气体处理如何改变石墨烯的基板和含金属的催化剂层之间的分离程度;其次,在所属技术领域,为了保证反应的惰性气氛,在反应之初,先通入惰性气体即引发应变的气体是常规技术手段,则这一常规技术手段的应用必然会带来本申请所述的相应技术效果;再次,本申请说明书中记载用胶带使其分层,可见本申请所述机械分层也需对石墨烯层施加一定的作用力,而非使催化剂层和其上的石墨烯层从基板上自然分离。实际上,机械分层和化学蚀刻均是本领域分离石墨烯的常规技术手段,在对石墨烯进行分离时,本领域技术人员容易从中进行常规选择,在本申请说明书中并未比较机械分层与化学蚀刻方法得到的石墨烯层的质量,且对于对比文件1中的产品,也没有证据显示其不能采用机械分层的方式分离。
复审请求人于2019年10月12日提交了意见陈述书,并修改了权利要求书,将权利要求1和27中的“前驱气体”和“碳源气体”统一为“含碳的前驱气体”,“一个或多个阶段”修改为“多个阶段”,在第一阶段增加“并且不包括提供所述含碳的前驱气体”,并修改了权利要求19中的一处语序错误。修改后的权利要求1,19和27如下:
“1. 一种制备涂层制品的方法,所述涂层制品包括位于基板上的含石墨烯的薄膜,所述方法包括以下步骤:
在所述基板上配置含金属的催化剂层;
在不超过900摄氏度的温度下,将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层暴露于含碳的前驱气体以及引发应变的气体,所述引发应变的气体引发所述含金属的催化剂层中的应变;以及
使石墨烯成型和/或形成在所述含金属的催化剂层上与其接触,以及形成在所述基板和所述含金属的催化剂层之间,来制备所述涂层制品,和
其中,所述基板与其上的所述催化剂层在多个阶段中被暴露于至少所述引发应变的气体和/或所述含碳的前驱气体,
其中第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变并且不包括提供所述含碳的前驱气体,且第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述含碳的前驱气体,所述第一和第二阶段按这样的顺序被提供。
19. 如权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层快速加热至700-900摄氏度;
在含有氦气的环境中将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层退火,所述氦气在压力下被提供,所述压力被选择用来设计所述含金属的催化剂层中的所需应力;以及
其中,所述氦气在所述含金属的催化剂层中引发应变,足以在石墨烯形成期间使所述基板和所述含金属的催化剂层之间至少部分地分离,
其中,进一步包括:通过由所述氦气提供的残余应变,使所述含金属的催化剂层和其上的所述石墨烯分层。
27. 一种制备涂层制品的方法,所述涂层制品包括位于基板上的含石墨烯的薄膜,所述方法包括以下步骤:
在所述基板上配置含金属的催化剂层;
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层加热至700-900摄氏度;
将所述基板和其上的所述含金属的催化剂层暴露于含碳的前驱气体;
使石墨烯成型和/或形成在所述含金属的催化剂层上与其接触,以及形成在所述基板和所述含金属的催化剂层之间;以及
使所述含金属的催化剂层和所述含金属的催化剂层上的所述石墨烯从所述基板中机械分层,从而所述基板和所述含金属的催化剂层之间形成的所述石墨烯随所述机械分层残留在所述基板上,来制备所述涂层制品,
其中,所述含金属的催化剂层被设计成具有促使所述机械分层的应力,和
其中,所述基板与其上的所述催化剂层在多个阶段中被暴露于至少所述引发应变的气体和/或所述含碳的前驱气体,
其中第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变并且不包括提供所述含碳的前驱气体,且第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述含碳的前驱气体,所述第一和第二阶段按这样的顺序被提供。”
复审请求人认为:修改后的权利要求1明确了第一阶段和第二阶段是两个不同阶段,并且第一阶段中,没有同时提供含碳的前驱气体与引发应变的气体。对比文件1没有公开、教导或暗示可以在注入含碳的前驱气体之前单独使用氦气,此外,对比文件1也没有公开氦气具有引发催化剂层中应变的功能。对比文件1中热处理需要的不是惰性气氛而是非氧化性气氛,本申请的第一阶段可以允许氧的存在。对比文件1没有必要提前通入惰性气体,即使提前引入少量惰性气体,也不是作为一个足以引起催化剂层中的应变的专门阶段。
在上述程序的基础上,合议组认为本案事实已经清楚,可以作出审查决定。
决定的理由
审查文本
复审请求人于2019年10月12日提交的权利要求书符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定,因此,本复审决定所针对的文本为:2015年11月16日进入国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-352段(第1-51页)、说明书附图、说明书摘要、摘要附图和2019年10月12日提交的权利要求第1-27项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定,创造性,是指与现有技术相比,该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
评价一项权利要求的创造性时,应确定该权利要求要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术的区别技术特征,如果该区别技术特征是本领域的常规技术手段,则认为现有技术中给出了将该区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示,则该权利要求不具备创造性。
权利要求1的创造性
权利要求1要求保护一种制备涂层制品的方法。对比文件1公开了一种石墨烯片层的制备方法,并具体公开了在第一基底20的至少一个表面上形成含碳金属层10,之后热处理以在含碳金属层10相对的两面上制备石墨烯,以形成在第一金属层30的第一表面31上,与第一基底20相邻的第一石墨烯层40,以及第一金属层30的第二表面32上的第二石墨烯层50,第二表面和第一表面相对。含碳金属层10可通过渗碳或沉积制备,碳可以以气相渗入。渗碳可包括在第一基底20上形成金属前体层19,并将金属前体层19与含碳材料相接触以使碳渗入金属前体层19中形成含碳金属层10。在气相渗碳法中,碳材料渗入位于第一基底20上的金属前体层19,含碳材料为碳源,可以蒸汽形式与金属前体层19接触。例如,含碳材料可为一氧化碳、甲烷、乙烷、乙炔等中的至少一种。含碳材料可被加入(例如注入)腔室,基底和金属前体19位于腔室中。含碳材料可单独使用,也可与惰性气体,例如氦或氩共同使用(即引发应变的气体)。渗碳在约100到约600℃的温度下进行,随后以1至100℃每分的冷却速度冷却。金属源可能包含镍、钴、铁等中的一种。在第一基底层20上形成含碳金属层10后,对含碳金属层进行热处理以形成石墨烯。特别地,将含碳金属层在能够生长石墨烯的温度下进行热处理,以使碳溶出金属晶格结构以在含碳金属层的相对两面形成石墨烯,形成夹在第一石墨烯层40和第二石墨烯层50之间的第一金属层30。热处理可在惰性气体或还原性气氛下进行,惰性气体为例如氦气或氩气,可能含氢。热处理在约350至约2000℃下进行,时间可为约0.5至约6小时。对热处理后的产物进行选择性的冷却步骤。通过上述过程在含碳金属层10的相对两面形成第一和第二石墨烯层40和50以及第一金属层后,可通过刻蚀除去第一金属层30(参见对比文件1说明书第[0049]、[0051]、[0059]-[0060]、[0062]、[0065]、[0069]-[0070]、[0073]-[0074]段)。
由于对比文件1已经公开了在约100到约600℃的温度下渗碳,即在不超过900℃的温度下,将基板和其上的含金属的催化剂层暴露于前驱气体(含碳材料)以及引发应变的气体(惰性气体,如氦),则显然其中所含有的引发应变的气体会引发含金属的催化剂层中的应变。并且对比文件1公开的也是一种涂层制品的制备方法。
由此,权利要求1与对比文件1相比,区别在于:第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变并且不包括提供所述含碳的前驱气体,第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述碳源气体。
对于上述区别,根据实际需要将反应划分为不同的反应阶段是本领域技术人员容易想到的,引发应变的气体和碳源气体的流速也均是本领域技术人员根据反应的实际情况以及气体的种类和性质而容易确定的。
当第一阶段仅包括提供引发应变的气体时,在所属技术领域中,为了避免杂质的引入,对于需要在惰性气氛下进行的反应,通常会在反应器中先通入一段时间的惰性气体,例如氦气,以进行吹扫和提供惰性气氛,即在第一阶段提供至少引发应变的气体,在第二阶段再同时通入引发应变的气体和碳源气体,这是本领域的常规技术手段。并且对于需要在较高温度下进行的反应,在吹扫过程中也通常会加热升温进行预热,可见,在本领域的常规吹扫、预热阶段即可实现本申请的引发应变的过程。
因此,在对比文件1的基础上结合本领域常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案,对本领域技术人员来说是显而易见的,权利要求1不具备突出的实质性特点,不具备创造性,不符合专利法第22条第3款的规定。
2、从属于权利要求1的权利要求2-15和19-26的创造性
对于权利要求2和3,对比文件1公开了通过刻蚀除去第一金属层30,而除去金属层30的同时,其上的石墨烯层也将被同时去除,则对比文件1实际上公开了去除所述催化剂层,以及其上的石墨烯。而由于对比文件1已经公开了与碳源同时通入引发应变的气体,并且提前通入引发应变的气体是本领域的常规技术手段(参见对权利要求1的评述),则本领域技术人员容易想到去除步骤可以通过在催化剂层中引发残余应变而实现。
权利要求4和5的附加技术特征已被对比文件1公开。
对于权利要求6-8和10,对比文件1已经公开了含碳材料可为一氧化碳、甲烷、乙烷、乙炔等中的至少一种,惰性气体为例如氦气或氩气,因此选择乙炔作为前驱气体,选择氦气作为惰性气体是容易的;而各阶段反应气体的流速是本领域技术人员根据目标产物涂层的厚度等需要利用本领域常规技术手段容易确定的,以不同流速通入不同气体和在不同阶段采用不同的流速也是常规选择(有关反应阶段还可参见对权利要求1的评述)。
对于权利要求9,对比文件1公开了在渗碳处理后还进行了生成石墨烯的热处理,热处理可在惰性气体或还原性气氛下进行,惰性气体为例如氦气或氩气,可能含氢。则当热处理在还原气氛下进行时,第三阶段几乎没有提供氦和/或乙炔。因此,权利要求9的附加技术特征被对比文件1公开。
对于权利要求11,对比文件1公开了基板可为金属或非金属,非金属例如硅,玻璃(参见对比文件1说明书第[0042]段)。则玻璃基板已被对比文件1公开,硅晶片也是本领域常规的硅基板。
对于权利要求12-13,在暴露步骤前将催化剂层图案化至所需图案,以使含石墨烯的薄膜形成在涂层制品上时,对应于所需的图案是本领域的常规技术手段。
对于权利要求14-15,暴露的具体温度,达到温度的时间以及维持温度时间是本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上,根据实际需要利用本领域常规技术手段容易调整确定的。
对于权利要求19,对比文件1还公开了在氩气气氛(必定具备一定压力)下以100℃/min升温(属于快速升温)至900℃并保持30秒(参见对比文件1说明书第[0085]段)。对比文件1公开的上述内容满足权利要求19中对快速加热、加热温度、在压力下提供惰气的条件,显然能够实现对含金属的催化剂层进行退火,而对比文件1公开了惰气可以选择氦气,因此,在氦气下进行上述过程也是容易实现的。显然经过上述操作后,在含金属的催化剂层中产生应力、引发应变是其必然结果。
至于“所述压力被选择用来设计所述含金属的催化剂层中的所需应力”,由于在本领域中并没有给出可供选择的上述压力的范围,因此认为只要具备一定压力即可。显然对比文件1的惰气具有一定压力。
权利要求20-21分别进一步限定了快速加热、退火以及反应完成的时间,然而快速加热和退火时间是本领域技术人员为了缩短时间容易确定的,反应完成的时间是本领域技术人员根据产物的需要容易确定的,并且这些时间的限定并未带来任何可以被证实的技术效果。
对于权利要求22,参见对权利要求11的评述。
对于权利要求23-26,将石墨烯机械分层如胶带剥离是本领域的常规技术手段,而由于对比文件1实际上同样实现了引入引发应变的气体,并实现了在含金属的催化剂层中引发残余应变,由此容易实现机械分层,其具体手段是本领域技术人员容易选择的,技术效果可以预期。而含金属催化剂层中所需应力由惰气的压力提供也是本领域技术人员容易确定的。
因此,结合对它们所引用的权利要求的评述,权利要求2-15和19-26不具备突出的实质性特点,不具备创造性,不符合专利法第22条第3款的规定。
关于权利要求16的创造性
权利要求16要求保护一种根据上述权利要求中任何一项所述的方法所制备的涂层制品。对比文件1公开的内容如前所述,则对比文件1公开了一种涂层制品。权利要求16与对比文件1的区别在于根据权利要求1-15任一项所述的方法制备。而权利要求1-15任一项所述的方法不具备创造性(参见对权利要求1-15的评述),其制得的涂层制品与对比文件1是相似的,本领域技术人员容易实现,因此权利要求16不具备创造性,不符合专利法第22条第3款的规定。
关于权利要求17和18的创造性
权利要求17、18分别要求保护一种制备电子装置的方法以及制备的电子装置。对比文件2公开了基于碳,特别是石墨烯开发出一种可行的透明导电涂层(TCC),代替铟锡氧化物和掺氟氧化锡作为窗口电极(参见对比文件2说明书第[0002]-[0004]段)。
权利要求17、18与对比文件2相比,区别在于:(1)涂层制品是权利要求1-15中任何一项的方法制备的;(2)将石墨烯涂层制品构建至电子装置。
对于区别(1),基于上文中的评述权利要求1-15所要求保护的方法不具备创造性,其制品也不具备创造性(参见对权利要求1-15和16的评述)。
对于区别(2),在对比文件2公开了将石墨烯涂层制品用于窗口电极的基础上,本领域技术人员可知权利要求1-15中任一项方法制备的涂层制品也可用于窗口电极,并且将该窗口电极应用于对窗口电极有使用需求的电子装置是本领域技术人员容易想到的。因此,在对比文件2的基础上结合对比文件1和本领域的常规技术手段得到权利要求17、18所要求保护的技术方案,对本领域技术人员来说是显而易见的,权利要求17、18不具备突出的实质性特点,不具备创造性,不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求27的创造性
权利要求27要求保护一种制备涂层制品的方法。对比文件1公开的内容如前所述。对比文件1还公开了基板干燥,放置在反应腔室中,在氩气氛下以100℃每分钟的速度加热到900℃,在900℃下保持30秒,然后以20℃每分钟的速度冷却以形成石墨烯片层(参见对比文件1说明书第[0085]段)。
由上文中的评述可知,本申请所述引发催化剂层中的应变的条件包括了对比文件1中公开的条件以及本领域中通常的操作条件,因此实施对比文件1的方法也可实现本申请所述的在含金属的催化剂层中引发应变。
由此,权利要求27与对比文件1相比,区别在于:(1)通过机械分层来制备涂层制品,以及含金属的催化剂层被设计成具有促使所述机械分层的应力;(2)第一阶段包括提供至少所述引发应变的气体来引发所述催化剂层中的应变并且不包括提供所述含碳的前驱气体,第二阶段包括以第二流速提供至少所述引发应变的气体和以第三流速提供所述碳源气体。
对于区别(1),对比文件1已经公开了通过刻蚀除去第一金属层30,而除去金属层30的同时,其上的石墨烯层也将被同时去除,则对比文件1实际上公开了去除所述催化剂层,以及其上的石墨烯。即使含金属的催化剂层和催化剂层上的石墨烯从基板中分离,从而基板和含金属的催化剂层之间形成的石墨烯残留在基板上来制备涂层制品已被对比文件1公开。而机械分层例如通过胶带使石墨烯分层是本领域常规技术手段,本领域技术人员容易选择使用。由上文中的评述可知,本申请所述引发催化剂层中的应变的条件包括了对比文件1中公开的条件以及本领域中通常的操作条件,因此实施对比文件1的方法也可实现本申请所述的在含金属的催化剂层中引发应变。
对于区别(2),参见对权利要求1的评述。
因此,在对比文件1的基础上结合本领域常规技术手段得到权利要求27所要求保护的技术方案,对本领域技术人员来说是显而易见的,权利要求27不具备突出的实质性特点,不具备创造性,不符合专利法第22条第3款的规定。
关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人在意见陈述书中陈述的理由,合议组经审查后认为:
在所属技术领域,为了保证反应的惰性气氛,在反应之初,先通入惰性气体即引发应变的气体是常规技术手段,则这一常规技术手段的应用必然会客观带来本申请所述的相应技术效果,例如引发含金属的催化剂层中的应变以及使含金属的催化层和其上的石墨烯层可从基板上被机械地分层。并且,对于本申请所述以上技术效果,在本申请说明书中缺乏证据证实的确实现了这样的分离。复审请求人认为本申请第一阶段可以允许氧的存在,但根据本申请说明书的记载,氧的存在并不是必要的,即存在能够引发应变的气体即可,引发应变的气体可以仅为惰性气体,目前权利要求书的表述并未限定引发应变的气体必定含有氧,则本领域技术人员无法将该特征与现有技术中的惰性气体吹扫、预热的条件区分开。在所属领域进行惰性气氛吹扫时,本领域技术人员是容易提前引入惰性气体并进行升温的,反应开始时,再在引入惰性气体的同时引入碳源气体。在这个过程中,所引入的气体种类发生了变化,则可以认为成为反应的两个阶段。
因此,复审请求人的理由不能被接受。
根据上述事实和理由,合议组作出如下审查决定。
决定
维持国家知识产权局于2018年2月6日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。




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