发明创造名称：透明基材的层系统以及用于制造层系统的方法
外观设计名称：
决定号：201341
决定日：2020-01-14
委内编号：1F255075
优先权日：2013-07-30
申请（专利）号：201480053953.2
申请日：2014-07-29
复审请求人：布勒阿尔策瑙有限责任公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：闫蕾
合议组组长：周珑
参审员：刘化然
国际分类号：C03C17/36
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，而现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域技术人员在面对所述技术问题时，有动机改进该最接近的现有技术并获得要求保护的技术方案，则该技术方案是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480053953.2，名称为“透明基材的层系统以及用于制造层系统的方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为布勒阿尔策瑙有限责任公司，申请日为2014年7月29日，优先权日为2013年7月30日和2014年3月6日，公开日为2016年7月6日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年3月23日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-27相对于对比文件1（CN101078780B，公开日2010年6月9日）和对比文件3（CN101384516A，公开日2009年3月11日）的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人按照条约34条提交的权利要求第1-27项以及于2016年3月30日进入国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的提交的说明书、说明书附图、说明书摘要、摘要附图作出本驳回决定。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 透明基材（100）的反射红外辐射的Low-E层系统，包括按以下顺序布置的：
布置在该透明基材（100）上的第一介电层（D1），
布置在该第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），
第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：
第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，
第一阻断剂层（B1），
介电阻挡覆盖层系统（BDS），
其特征在于，
所述第一介电层（D1）由SiO2构成且所述第二介电层（D2）由TiO2或Al2O3构成或者包括TiO2或Al2O3，
或者
所述第一介电层（D1）由Al2O3构成或包括Al2O3且所述第二介电层（D2）由TiO2构成或包括TiO2。
2. 如权利要求1所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一金属层（M1）布置在位于第二介电层（D2）与第一金属层（M1）之间的第一晶种层（S1）上。
3. 如权利要求2所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一晶种层（S1）由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti构成，或者包括上述元素。
4. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）布置在第一金属层（M1）上。
5. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者包括上述元素。
6. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）布置在第一阻断剂层（B1）上。
7. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，设置第二金属层系统（MS2），按以下顺序包括：
第三介电层（D3），
第二晶种层（S2），
第二金属层（M2），优选由Ag构成或包括Ag，
第二阻断剂层（B2），
其中，第二金属层系统（MS2）布置在第一金属层系统（MS1）的第一阻断剂层（B1）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。
8. 如权利要求7所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二金属层（M2）布置在第二晶种层（S2）上且所述第二晶种层（S2）布置在第三介电层（D3）上。
9. 如权利要求7或8任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，设置第三金属层系统（MS3），按以下顺序包括：
第四介电层（D4），
第三晶种层（S3），
第三金属层（M3），优选由Ag构成或包括Ag，
第三阻断剂层（B3），
其中，第三金属层系统（MS3）布置在第二阻断剂层（B2）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。
10. 如权利要求9所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第三金属层（M3）布置在第三晶种层（S3）上且所述第三晶种层（S3）布置在第四介电层（D4）上。
11. 如权利要求7至10任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第三介电层（D3）或第四介电层（D4）由TiO2、AlN或Al2O3构成或者具有上述元素。
12. 如权利要求7至11任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二晶种层（S2）或第三晶种层（S3）由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti构成，或者具有上述元素。
13. 如权利要求7至12任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二阻断剂层（B2）或第三阻断剂层（B3）由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者具有上述元素。
14. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统包括由TiO2构成或具有TiO2的介电色彩校正子层（FK）。
15. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述单个层不含氮或者具有小于5原子%的氮。
16. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）按以下顺序包括：
第一介电子层（BD1），布置在所述介电色彩校正层上，由Al2O3构成或具有Al2O3，
第二介电子层（BD2），布置在所述第一介电子层上，由SiO2构成或具有SiO2。
17. 如权利要求1至15任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）按以下顺序包括：
第一介电子层（BD1），布置在所述介电色彩校正层上，由Al2O3构成或具有Al2O3，
第二介电子层（BD2），布置在所述第一介电子层上，由AlN或AlON构成或者具有AlN或AlON。
18. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述透明基材由玻璃材料，特别是浮法玻璃构成。
19. 如权利要求18所述的Low-E层系统，其特征在于，所述玻璃材料能够通过回火而固化。
20. 如权利要求19所述的Low-E层系统，其特征在于，所述施加到玻璃基材上的层系统能够进行回火。
21. 用于在提供的透明基材（100）上制造如前述权利要求中任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过溅射陶瓷靶材而施加。
22. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过反应性溅射而施加。
23. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过中频溅射而施加。
24. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外辐射的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过DC溅射而施加。
25. 如权利要求22至24任一项的方法，其特征在于，为实现不含氮的单个层而以不含氮的方式实施所述方法。
26. 如权利要求22至25任一项的方法，其特征在于，为实现不含氮的单个层而采用不含氮的处理气体来实施所述方法。
27. 如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述施加的层中的至少一个通过溅射具有氮的陶瓷靶材而施加。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年7月2日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共3页27项），主要修改方式为：在权利要求1中进一步限定过了“其中所述第一介电层（D1）和第二介电层（D2）的面电阻≥1MΩ，将权利要求3、5、11-13中所述的“上述元素”改为“上述物质”。复审请求人认为：（1）对比文件1和对比文件3均明确教导了与SiO2或Al2O3相比，优选使用氮氧化物SiOxNy作为第一介电层。虽然对比文件3公开了第一介电层可以选择SiO2和Al2O3，但是其仅作为多种介电层材料中的实例，由于对比文件1的发明目的是提供一种能防止氧或钠扩散、提高粘附性和对层体系的颜色影响极小或无影响的层，因此，本领域技术人员由对比文件1和对比文件3的教导出发不会考虑使用SiO2或Al2O3作为对比文件1层1中的材料。（2）对比文件1和3均未提及本申请的在对经涂布的基材进行回火之后减少层电阻的技术效果，更未提及可以通过使用SiO2或Al2O3作为第一介电层而获得低的层电阻。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 透明基材（100）的反射红外辐射的Low-E层系统，包括按以下顺序布置的：
布置在该透明基材（100）上的第一介电层（D1），
布置在该第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），
第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：
第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，
第一阻断剂层（B1），
介电阻挡覆盖层系统（BDS），
其特征在于，
所述第一介电层（D1）由SiO2构成且所述第二介电层（D2）由TiO2或Al2O3构成或者包括TiO2或Al2O3，
或者
所述第一介电层（D1）由Al2O3构成或包括Al2O3且所述第二介电层（D2）由TiO2构成或包括TiO2，
其中所述第一介电层（D1）和第二介电层（D2）的面电阻≥1 MΩ。
2. 如权利要求1所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一金属层（M1）布置在位于第二介电层（D2）与第一金属层（M1）之间的第一晶种层（S1）上。
3. 如权利要求2所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一晶种层（S1）由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti构成，或者包括上述物质。
4. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）布置在第一金属层（M1）上。
5. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者包括上述物质。
6. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）布置在第一阻断剂层（B1）上。
7. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，设置第二金属层系统（MS2），按以下顺序包括：
第三介电层（D3），
第二晶种层（S2），
第二金属层（M2），优选由Ag构成或包括Ag，
第二阻断剂层（B2），
其中，第二金属层系统（MS2）布置在第一金属层系统（MS1）的第一阻断剂层（B1）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。
8. 如权利要求7所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二金属层（M2）布置在第二晶种层（S2）上且所述第二晶种层（S2）布置在第三介电层（D3）上。
9. 如权利要求7或8任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，设置第三金属层系统（MS3），按以下顺序包括：
第四介电层（D4），
第三晶种层（S3），
第三金属层（M3），优选由Ag构成或包括Ag，
第三阻断剂层（B3），
其中，第三金属层系统（MS3）布置在第二阻断剂层（B2）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之间。
10. 如权利要求9所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第三金属层（M3）布置在第三晶种层（S3）上且所述第三晶种层（S3）布置在第四介电层（D4）上。
11. 如权利要求7至10任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第三介电层（D3）或第四介电层（D4）由TiO2、AlN或Al2O3构成或者具有上述物质。
12. 如权利要求7至11任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二晶种层（S2）或第三晶种层（S3）由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti构成，或者具有上述物质。
13. 如权利要求7至12任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述第二阻断剂层（B2）或第三阻断剂层（B3）由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者具有上述物质。
14. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统包括由TiO2构成或具有TiO2的介电色彩校正子层（FK）。
15. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述单个层不含氮或者具有小于5原子%的氮。
16. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）按以下顺序包括：
第一介电子层（BD1），布置在所述介电色彩校正层上，由Al2O3构成或具有Al2O3，
第二介电子层（BD2），布置在所述第一介电子层上，由SiO2构成或具有SiO2。
17. 如权利要求1至15任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）按以下顺序包括：
第一介电子层（BD1），布置在所述介电色彩校正层上，由Al2O3构成或具有Al2O3，
第二介电子层（BD2），布置在所述第一介电子层上，由AlN或AlON构成或者具有AlN或AlON。
18. 如前述权利要求任一项所述的Low-E层系统，其特征在于，所述透明基材由玻璃材料，特别是浮法玻璃构成。
19. 如权利要求18所述的Low-E层系统，其特征在于，所述玻璃材料能够通过回火而固化。
20. 如权利要求19所述的Low-E层系统，其特征在于，所述施加到玻璃基材上的层系统能够进行回火。
21. 用于在提供的透明基材（100）上制造如前述权利要求中任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过溅射陶瓷靶材而施加。
22. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过反应性溅射而施加。
23. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外线的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过中频溅射而施加。
24. 用于在提供的透明基材（100）上制造如权利要求1至20任一项的反射红外辐射的Low-E层系统的方法，其特征在于，所述施加的单个层中的至少一个通过DC溅射而施加。
25. 如权利要求22至24任一项的方法，其特征在于，为实现不含氮的单个层而以不含氮的方式实施所述方法。
26. 如权利要求22至25任一项的方法，其特征在于，为实现不含氮的单个层而采用不含氮的处理气体来实施所述方法。
27. 如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述施加的层中的至少一个通过溅射具有氮的陶瓷靶材而施加。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年7月10日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年6月6日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件1的区别为：权利要求1限定了第一介电层由SiO2和第二介电层的材质，以及所述第一介电层（D1）和第二介电层（D2）的面电阻≥1MΩ。由于对比文件1给出了第一介电层选择折射率约等于或稍微大于基质的材料，第二介电层选择高折射率的材料如TiO2的技术教导，且对比文件3给出了第一电介质层和第二电介质层具体材料种类，。根据对比文件1的教导本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的材质中选择出合适的材料作为第一和第二电介质层。至于第一介电层和第二介电层的面电阻则是由技术方案所必然带来的。基于相似的理由，独立权利要求21也不具备创造性。从属权利要求2-20，22-27的附加技术特征或者被对比文件1或3公开，或者是本领域的常规技术手段，因此，也不具备创造性。虽然对比文件1公开了第一介电层采用氮氧化硅，但是本领域技术人员知道氮氧化物在制备过程中往往要使用氮气，增加了成本，同时，制造设备也变得复杂。为了降低成本以及简化设备，本领域技术人员对其进行替换。其次，对比文件1中层体系颜色的稳定是通过设置第一介电层实现的，并非仅仅只有SiOxNy才能实现。对比文件3中公开了TiOxNy为最优第一介电层材料，但是并非仅仅该材料才能实现。虽然SiO2和Al2O3并非最优选材料，但是当采用SiO2和Al2O3代替氮氧化物时，其能够保持颜色的稳定也是本领域技术人员能够预料得到的。根据对比文件1和对比文件3，本领域技术人员能够预料得到其具有低发射率和高的透明度及色彩中性度的技术效果。面电阻减少的原因在于第一金属层、第二介电层和第一晶种层的设置次序。由于对比文件1公开了该上述层的设置次序，即其必然也能够使得面电阻减少。因此，复审请求人陈述的复审理由不成立。
复审请求人于2019年9月16日提交了意见陈述书，并未提交修改文件。复审请求人认为：对比文件1和3均明确教导使用氮氧化物作为第一介电层优于使用SiO2或Al2O3，且对比文件1说明书第23段表明本领域技术人员为了颜色稳定不会想到采用SiO2或Al2O3代替氮氧化物。本申请采用氮氧化物具有良好的调节折射率，还可以使得基材在回火后可以提供特别好的颜色稳定性以及化学和机械稳定性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、关于审查文本
复审程序中，复审请求人于2018年7月2日提交了权利要求书的全文修改替换页（共3页27项）。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2018年7月2日提交的权利要求第1-27项以及于2016年3月30日进入国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的提交的说明书、说明书附图、说明书摘要、摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，而现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域技术人员在面对所述技术问题时，有动机改进该最接近的现有技术并获得要求保护的技术方案，则该技术方案是显而易见的，不具备创造性。
权利要求1要求保护一种透明基材的反射红外辐射的LOW-E层系统。对比文件1公开了一种在透明基质(S)上的红外辐射反射透明层体系，并具体公开了：具有低至中折射率和由亚化学计量的氮氧化硅(SiOxNy)组成的第一介电层1直接布置在由浮法玻璃制成的基质S上。它对玻璃的钠离子扩散入层体系中起到阻挡层作用，并同时具有粘附随后层的性能。在此之后是第一高折射率介电层2，其也作为粘附剂并同时提高体系作为整体的机械和化学性能。在此描述的例举实施方式中，它由TiO2组成。所施加的第一阻挡层3由亚化学计量的NiCrOx组成。在此之后是亚化学计量的锌铝氧化物(以下简称ZnAlOx)第一中间层4，其特别提高了随后的选择性功能层5的粘附力。随后的选择性功能层5由银组成并被另一中间层6覆盖，即由与第一中间层4相同材料制成的第二中间层。第二中间层6反过来又被第二阻挡层7覆盖，如同第一阻挡层3，所述第二阻挡层7也是由亚化学计量的NiCrOx制成。作为选择，也可以省去第二中间层6。第三中间层8是任选的，其在例举的实施方式中位于第二阻挡层7之后，并在例举实施方式中由化学计量的氧化锡(SnO2)组成。在例举实施方式中，插入该第三中间层8，其通过减少特别是氮化硅产生的层压力以提高体系的机械稳定性即耐磨性。通过传统的顶层对沉积在第一介电层1之上的层序11进行覆盖，其中所述层序11在例举实施方式中是低-E层序，所述第一介电层1具有低至中折射率，所述顶层特别用作反射减少层并由高折射率介电材料9制成，所述介电材料9在本发明的例举实施方式中包含硅即Si3N4。覆盖本发明层体系的顶层是具有低至中折射率的第二介电层10。如同第一介电层，该介电层也由亚化学计量的氮氧化硅组成，但具有不同含氧和含氮量(SiOvNw)，由此与具有低至中折射率的第一介电层1的氧含量即“x”相比其含氧量“v”较低（参见说明书第[0043]-[0048]段）。
可见，对比文件1公开了一种透明基材的反射红外辐射的LOW-E层系统，其中“浮法玻璃制成的基质S”即本申请的“透明基材”，其中的“第一介电层1”即本申请的“第一介电层（D1）”, 其中的“第一高折射率介电层2”即本申请的“第二介电层（D2）”，其中的“选择性功能层5”即本申请的“第一金属层（M1）”，其中的“第二中间层6”即本申请的“第一阻断剂层（B1）”，其中的“第二阻挡层7”和其上的“第三中间层8”即本申请的“介电阻挡覆盖层系统”。其中，第一介电层为氮氧化硅（SiOxNy），第二介电层为TiO2。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术内容相比，区别在于：权利要求1限定了第一介电层由SiO2构成且第二介电层由TiO2或Al2O3构成或者包括TiO2或Al2O3；或者第一介电层由Al2O3构成或者包括Al2O3且第二介电层由TiO2构成或者包括TiO2，且其中所述第一介电层（D1）和第二介电层（D2）的面电阻≥1MΩ。基于上述区别特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是：降低成本简化制造设备。
对于上述区别，依据本领域的常规技术知识可知对比文件1的第一介电层氮氧化硅在制备过程中通常要使用氮气，使用氮气会增加处理气体以及供气成本，制造设备也变得复杂。降低成本以及简化设备是本领域的普遍诉求，本领域技术人员有动机对第一介电层的材料进行替换。对比文件3公开了一种用于玻璃板等的红外辐射反射层系统，图1示出了布置在基材1上的涂层系统2。该涂层系统2包含数个层3-9，并通过溅射工艺顺序溅射层3-9中的每个层来制造。在基材1(优选玻璃)上，通过反应性溅射涂覆第一电介质层3。层3包含电介质，例如ZnO、SnO2、In2O3、Bi2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、SiO2、Al2O3、AlN、Si3N4或TiOxNy，上覆在层3上的层4可包含层3中所含的化合物中的一种，然而，优选使用Si3N4或TiO2。然而，如果层3由化学计量化合物组成，则其上涂覆的第二点介质层4是多余的，因为层3已经具有对氧或钠离子的阻挡性。但仍然可以任选地在层3上涂覆层4（参见说明书第3页倒数第1-4段，第4页第2-5段和附图1）。对比文件3中的层3和层4相当于权利要求1的第一和第二介电层。此外，对比文件3还公开了：该涂层系统在回火工艺之后也能保持颜色中性，为了使氧在回火过程中（即在加热随后冷却过程中）无法从外部渗透到红外辐射反射层内，在基材上直接布置两个电介质层（参见说明书第2页第6-8段）。即对比文件3中设置第一介电层和第二介电层的作用与对比文件1相同，都是为了防止基质进入层序的扩散过程和由此得到的对层性能的影响，且对比文件3给出了第一介电层和第二介电层可以选择ZnO、SnO2、In2O3、Bi2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、SiO2、Al2O3、AlN、Si3N4或TiOxNy的技术启示。同时，对比文件1还公开了底层通过沉积补充性的阻挡层（即本申请的第一介电层），优点是使底层的光学影响最小化，以致使层序的透射比和由此它的颜色轨迹受到很少或不受由该补充层造成的变化，该阻挡层为具有低至中折射的介电材料，根据一个特别有利的方式，其折射率应该约等于或稍微大于基质的折射率，优选氮氧化硅组成。在该层上为第一高折射率层TiO2（参见说明书第22-24、29、43-44以及附图1）。即对比文件1给出了第一介电层选择折射率约等于或稍微大于基质的材料，第二介电层选择高折射率的材料如TiO2。根据对比文件1的教导本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的第一介电层中的材质中选择出与基质折射率相近的材料代替氮氧化硅。本领域技术人员知晓SiO2的折射率为1.485-1.495，Al2O3的折射率为1.52，作为基质的浮法玻璃折射率为1.52，本领域技术人员容易想到选择SiO2或Al2O3作为第一电介质层，TiO2作为第二电介质层；当SiO2作为第一电介质层时，由于Al2O3的折射率大于SiO2，本领域技术人员也容易想到可以采用Al2O3作为第二电介质层。
另外，对于第一介电层和第二介电层的面电阻，本领域技术人员熟知介电层的电阻率高，介电常数大，是一种绝缘材料，本领域技术人员容易根据需要确定介电层的面电阻，且介电层面电阻大小的限定没有带来预料不到的技术效果。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域常规技术手段获得权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求2和3，对比文件1公开了：施加的第一阻挡层3由亚化学计量的NiCrOx组成。在此之后是亚化学计量的锌铝氧化物(以下简称ZnAlOx)第一中间层4，其特别提高了随后的选择性功能层5（即本申请的第一金属层（M1））的粘附力（参见说明书第[0045]段）。第一阻挡层3和第一中间层4即本申请的晶种层。即对比文件1公开了第一金属层（M1）与第二介电层D2之间布置有第一晶种层，第一晶种层由NiCrOx和ZnAlOx构成。至于晶种层还可以选择TiOx、Ti或者AZO则是本领域技术人员的常规选择，上述选择也没有带来预料不到的技术效果。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2和3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求4-6，对比文件1公开了：在此之后是亚化学计量的锌铝氧化物(以下简称ZnAlOx)第一中间层4，其特别提高了随后的选择性功能层5的粘附力。随后的选择性功能层5由银组成并被另一中间层6覆盖，即由与第一中间层4相同材料制成的第二中间层6反过来又被第二阻挡层7覆盖，如同第一阻挡层3，所述第二阻挡层7也是由亚化学计量的NiCrOx制成。作为选择，也可以省去第二中间层6。第三中间层8是任选的，其在例举的实施方式中位于第二阻挡层7之后，并在例举实施方式中由化学计量的氧化锡(SnO2)组成；通过传统的顶层对沉积在第一介电层1之上的层序11进行覆盖 (参见说明书第[0045]-[0047]段)。由此可见，其中的第二中间层6相当于第一阻断剂层(B1)，第二阻挡层7和中间层8等相当于介电阻挡覆盖层系统(BDS)。可见，对比文件1公开了第一阻断剂层布置在第一金属层上，介电阻挡覆盖层系统布置在第一阻断剂层上，第一阻断剂层由ZnOx:Al或AZO构成或者包括上述元素。至于第一阻断剂层的其它构成元素，是本领域技术人员的常规选择且获得的技术效果可以预期。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求7-10，对比文件1公开了该层序可以包括一个或多个选择性功能层和另外的中间层以及作为梯度形成的反射减少层，所述功能层之间引入或嵌入阻挡层（参见说明书第[0021]段），因此，在对比文件1的基础上，本领域技术人员容易根据需要选择采用具有两个或两个以上的金属层的LOW-E层系统，即容易想到设置第二金属层系统，且将第二金属层系统按第三介电层、第二晶种层，第二金属层，第二阻断剂层顺序依次设置，并将第二金属层系统布置在第一金属层系统的第一阻断剂层与介电阻挡覆盖层系统之间。进而，容易想到继续设置第三金属层系统，且将第三金属层系统按第四介电层、第三晶种层，第三金属层，第三阻断剂层顺序依次设置，并将第三金属层系统布置在第二金属层系统的第二阻断剂层与介电阻挡覆盖层系统之间。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，权利要求7-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求11，对比文件3公开了在基材1(优选玻璃)上，通过反应性溅射涂覆第一电介质层3。层3包含电介质，例如ZnO、SnO2、In2O3、Bi2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、SiO2、Al2O3、AlN、Si3N4或TiOxNy（参见说明书第3页倒数3段），即介电层可以为TiO2、AlN或Al2O3等，本领域技术人员在介电层折射率允许的情况下可以选择相同的材料作为不同的介电层，使第三或第四介电层可以由TiO2、AlN或Al2O3构成或具有上述元素。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求12，对比文件1公开了晶种层（即本申请的第一晶种层）由ZnAlOx、NiCrOx构成或包括上述元素。而对于晶种层由AZO、TiOx或Ti构成或包括上述元素，是本领域技术人员的常规替换。选择第二晶种层或第三晶种层的材料也为上述物质是本领域技术人员的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求13，对比文件1公开了第一阻断剂层由NiCrOx。选择第二阻断剂层或第三阻断剂层的材料也为NiCrOx是本领域技术人员容易想到的，其他阻断剂材料也是本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求14，为了获得需要的光学性能，调节合适色彩度的层系统，本领域技术人员容易想到设置色彩校正子层，由于TiO2或含有TiO2的介电材料是本领域常规的可以调节颜色的介电材料，本领域技术人员容易想到在介电阻挡覆盖层系统中设置由TiO2构成或具有TiO2的介电色彩校正子层。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求15，根据说明书的理解，附加技术特征中的“单个层”即介电阻挡覆盖层系统中的层。由于对比文件1中的阻挡层7和介电中间层8即本申请所述的单个层，可见其单个层均不含氮，即该附加技术特征已经被对比文件1公开。至于以提供气体之外的其它方式能够制备低含量氮的单个层也是本领域技术人员能够想到的，具体获得小于5原子%的氮也是根据实际需要能够确定的。具体氮原子的含量也不能给本申请带来预料不到的技术效果。因此，在引用的权利要求不具备创造性时，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求16-17，本领域技术人员熟知：顶层电介质组合层（即本申请的介电阻挡覆盖层系统）一般为金属或非金属的氧化物或氮化物，如TiO2、ZnSnO2、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O3、Nb2O5、Si3N4、AZO等（参见公知常识证据1：《工程玻璃深加工技术手册》，白振中 等编著，中国建材工业出版社，2014年4月，第295页）。本领域技术人员还熟知：介电层起到减反射、提高膜层透过率、产生不同颜色的作用（参见公知常识证据1，第296-297页）。根据实际性能以及颜色需要，本领域技术人员容易从上述常规的电介质材料中选择出合适的种类。具体选择第一介电子层有Al2O3构成或具有Al2O3以及第二介电子层为SiO2或者具体选择第一介电子层有Al2O3构成或具有Al2O3以及第二介电子层为AlN或AlON构成或者具有AlN或AlON则是本领域技术人员经过有限的实验容易选择出的。将第一介电子层位于介电色彩校正层上也是本领域技术人员容易想到的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求16-17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求18，对比文件1公开了具有低至中折射率和由亚化学计量的氮氧化硅(SiOxNy)组成的第一介电层1直接布置在由浮法玻璃制成的基质S上（参见说明书第[0043]段）。可见，对比文件1公开了透明基材为玻璃材料，特别是浮法玻璃构成。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求19-20，对比文件1公开了通过调节含氧量，减少了在回火处理期间或在使用期间发生的顶层最上层的氧化和减少了由此的色差和增加了层体系的投射比（参见说明书第[0026]段），即对比文件1公开了其玻璃材料通过回火并固化。对比文件3也公开了本发明涉及用于玻璃板等的红外辐射反射层系统，即使在热处理(例如对玻璃板进行弯曲或回火)之后仍能保持层系统的性质（参见说明书第2页第5段）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求19-20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21要求保护一种用于在提供的透明基材上制造如前述权利要求中任一项的反射红外线的LOW-E层系统的方法。对比文件1公开了一种制造红外辐射反射透明层体系的方法，并具体公开了：制造一个或多个至所有层的合适方法是直流(DC)磁控溅射或中频率(MF)磁控溅射，其中通过反应性涂敷以及以非反应性或部分反应性涂敷法施加氧氮化物、氧化物和/或氮化物，所述反应性涂敷来自金属或半导体涂覆源，所述非反应性或部分反应性涂敷法来自这样一种由层材料的化学计量或亚化学计量氧化物或氮化物组成的涂覆源（参见说明书第[0039]段）。
权利要求21要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别在于：制造的是如权利要求1-20任一项的反射红外线的层系统，且限定了施加的层的溅射材料靶材。基于上述区别特征，可以确定本发明实际解决的技术问题是调节介电层的阻挡性和粘附性能。
对于上述区别，权利要求1-20所述的反射红外线的层系统相对于对比文件1和3的结合不具备创造性，参见权利要求1-20的评述；对于施加的层的溅射材料，对比文件1公开了磁控溅射，对比文件3公开了通过金属靶的过渡模式下的反应性溅射来获得TiOxNy；如果用TiO2形成层3，则TiO2也可由陶瓷靶溅射（参见说明书第3页倒数第1-2段）。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域常规技术手段获得权利要求21要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求21不具备突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求22-24，对比文件1公开了制造一个或多个至所有层的合适方法是直流(DC)磁控溅射或中频率(MF)磁控溅射 (参见说明书第[0039]段)，对比文件3公开了通过金属靶的过渡模式下的反应性溅射来获得TiOxNy（参见说明书第3页倒数第2段）；即对比文件公开了权利要求22-24的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求22-24也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求25-26，为了减低处理气体如N2的成本以及简化制备设备，本领域技术人员容易想到选择不含氮或者含氮量少的物质作为介电阻挡覆盖层，在此基础上以不含氮的方式实施或者不含氮的处理气体来实施该层的制备是本领域技术人员容易想到的。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求25-26也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求27，对比文件3公开了：图1中的层系统2的层3-9优选通过反应性溅射和/或溅射陶瓷靶材来涂覆（参见说明书第6页倒数第1段），当其中的层含有氮时，使用含氮的陶瓷靶材则是本领域的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求27也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
首先，虽然对比文件1和对比文件3优选TiOxNy作为第一电介质层，但是，对比文件3还公开了第一介电层和第二介电层可以选择ZnO、SnO2、In2O3、Bi2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、SiO2、Al2O3、AlN、Si3N4或TiOxNy。对比文件1还给出了第一介电层选择折射率约等于或稍微大于基质的材料以及第二介电层选择高折射率的材料如TiO2的技术启示。由于，本领域技术人员知道氮氧化物在制备过程中往往要使用氮气，使用氮气则会增加处理气体以及供气成本，为了降低成本以及简化设备本领域技术人员有动机对第一介电层的材料进行替换，根据上述技术启示，本领域技术人员容易想到在对比文件3公开的第一介电层中的材质中选择出与基质折射率相近的材料代替氮氧化硅。由于SiO2和Al2O3的折射率与基质的折射率接近，本领域技术人员容易想到选择SiO2或Al2O3作为第一电介质层，TiO2作为第二电介质层，当SiO2作为第一电介质层时，由于Al2O3的折射率大于SiO2，本领域技术人员也容易想到可以采用SiO2作为第二电介质层。
其次，对比文件1公开了补充性的底层（即本申请的第一介电层）通过防止从基质进入层序的扩散过程和由此得到的对层性能的影响，且其实现的优点是使底层的光学影响最小化，以致使层序的透射比和由此它的颜色轨迹受到很少或不受该补充层造成的变化（参见说明书第18、22-23段）。由此可知，对比文件1中层体系颜色的稳定是通过设置第一介电层实现的，并非仅选择SiOxNy才能实现该效果。对比文件3也公开了通过设置第一和第二介电层能够防止基质进入层序的扩散，且保持回火后的颜色稳定。即对比文件3同样表明颜色的稳定是通过设置电介质层实现的，并非只能通过TiOxNy实现。由上述内容可知，层体系的稳定性均是通过电介质层这个功能层实现的，并非仅仅选用氮氧化物才能实现。虽然SiO2和Al2O3并非最优选材料，但是其也是电介质材料，当采用SiO2和Al2O3代替氮氧化物时，其能够保持颜色的稳定也是本领域技术人员能够预料得到的。
最后，结合之前的评述可知，本申请要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是在对比文件1和对比文件3结合的基础上容易获得的，且根据对比文件1和对比文件3，本领域技术人员能够预料得到其具有低发射率和高的透明度及色彩中性度的技术效果，即与本申请所解决的技术问题相同。虽然本申请还记载了具有在对经涂布的基材进行回火之后减少层电阻的技术效果，对比文件1和对比文件3都没有记载上述技术效果，但是该技术效果是由技术方案本身所必然带来的。并且，本申请说明书第29段也记载了“第一金属层布置在位于第二介电层与该第一金属层之间的第一晶种层上，如此能够减弱/防止第一金属层的岛生长，从而在金属层的厚度相同的情况下减少面电阻”，由此可知，面电阻减少的原因在于第一金属层、第二介电层和第一晶种层的设置次序。由于对比文件1公开了该上述层的设置次序，即其必然也能够使得面电阻减少。
综上所述，复审请求人的意见陈述不能证明本申请具备创造性。
根据以上事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年3月23日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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