发明创造名称：表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法
外观设计名称：
决定号：201238
决定日：2020-01-14
委内编号：1F257166
优先权日：2014-01-17
申请（专利）号：201580003293.1
申请日：2015-01-19
复审请求人：JX金属株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：姜小青
合议组组长：高晓薇
参审员：范燕迪
国际分类号：C25D1/04,C25D7/06,H05K3/20
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款；专利法第22条第3款
决定要点：对于包含参数、性能特征的化学产品权利要求，其新颖性审查应针对该产品本身进行，如果申请没有公开可与对比文件公开的产品进行比较的结构和/或组成以证明该产品的不同之处，则推定该参数、性能表征的产品权利要求不具备新颖性。
全文：
本复审请求案涉及申请号为201580003293.1，名称为“表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为JX金属株式会社，申请日为2015年01月19日，优先权日为2014年01月17日。本申请于2016年06月22日进入中国国家阶段，公开日为2016年08月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年05月15日以权利要求1-15、19、23、25、29不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求16-18、20-22、24、26-39不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2018年01月24日提交的权利要求第1-39项，于2016年06月22日本申请进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-43页、说明书附图第1-8页、说明书摘要、摘要附图（下称驳回文本）。
驳回文本的权利要求书如下：
“1. 一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成。
2. 根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.75以上。
3. 根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在1.0以上。
4. 根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.7以下。
5. 根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.4以下。
6. 根据权利要求5所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.2以下。
7. 一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.7以下，
该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成。
8. 根据权利要求7所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.4以下。
9. 根据权利要求8所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.2以下。
10. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进一步具有过氧化氢的安定化剂，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液的剩余部分为水。
11. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，该铜箔是由电解铜箔或压延铜箔形成。
12. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有粗化处理层。
13. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，形成有该表面处理层的表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm。
14. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，形成有该表面处理层的表面的面粗糙度Sz为0.8～1.95μm。
15. 根据权利要求12所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有粗化处理层与设置在该粗化处理层表面的选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上的层。
16. 根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该防锈层及该耐热层中至少一者，该防锈层及该耐热层中至少一者含有选自镍、钴、铜、锌中的1种以上的元素。
17. 根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该粗化处理层及该耐热层，在该粗化处理层上具有该耐热层。
18. 根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该粗化处理层及该耐热层，在该粗化处理层上具有该耐热层。
19. 根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该粗化处理层或该耐热层，与该防锈层，在该粗化处理层或该耐热层上具有该防锈层。
20. 根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该粗化处理层或该耐热层，与该防锈层，在该粗化处理层或该耐热层上具有该防锈层。
21. 根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该防锈层与该铬酸处理层，在该防锈层上具有该铬酸处理层。
22. 根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该防锈层与该铬酸处理层，在该防锈层上具有该铬酸处理层。
23. 根据权利要求15所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该铬酸处理层与该硅烷偶合处理层，在该铬酸处理层上具有该硅烷偶合处理层。
24. 根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层具有该铬酸处理层与该硅烷偶合处理层，在该铬酸处理层上具有该硅烷偶合处理层。
25. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层为选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上的层。
26. 根据权利要求16所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层为选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上的层。
27. 根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。
28. 根据权利要求27所述的表面处理铜箔，其中，该树脂层含有介电体。
29. 一种附载体铜箔，在载体的一面或两面依序积层有中间层、极薄铜层所构成，该极薄铜层为权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔。
30. 根据权利要求29所述的附载体铜箔，其中，在该载体的一面依序具有该中间层、该极薄铜层，而在该载体的另一面具有粗化处理层。
31. 一种印刷配线板，是使用权利要求1至28中任一项所述的表面处理铜箔制造。
32. 一种印刷配线板，是使用权利要求29或30所述的附载体铜箔制造。
33. 一种覆铜积层板，是使用权利要求1至28中任一项所述的表面处理铜箔制造。
34. 一种覆铜积层板，是使用权利要求29或30所述的附载体铜箔制造。
35. 一种积层体，含有权利要求29或30所述的附载体铜箔与树脂，该附载体铜箔的端面的一部份或全部被该树脂覆盖。
36. 一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备权利要求1至28中任一项所述的表面处理铜箔与绝缘基板的步骤；
将该表面处理铜箔自表面处理层侧积层在绝缘基板，形成覆铜积层板，然后通过减成法、部分加成法或改进半加成法-中的任一方法形成电路的步骤。
37. 一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备权利要求29或30所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将该附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层板，然后通过部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
38. 一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在权利要求29或30所述的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；
将电路形成在该树脂层上的步骤；
将电路形成在该树脂层上后，将该载体或该极薄铜层剥离的步骤；及
将该载体或该极薄铜层剥离后，去除该极薄铜层或该载体，由此使形成在该极薄铜层侧表面或该载体侧表面被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
39. 一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
积层权利要求29或30所述的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面与树脂基板的步骤；
在该附载体铜箔的与树脂基板积层的侧的相反侧的极薄铜层侧表面或该载体侧表面，设置至少1次树脂层与电路的2层的步骤；及形成该树脂层及电路的2层后，自该附载体铜箔剥离该载体或该极薄铜层的步骤。”
驳回决定认为：（1）权利要求1、7要求保护一种表面处理铜箔，对比文件1（JP2012246567A，公开日为2012年12月13日）公开了与本申请表面处理铜箔相同的处理工艺，本领域技术人员无法通过权利要求1、7限定的蚀刻速率参数将其与对比文件1的表面处理铜箔区分开，因此，推定权利要求1、7不具备新颖性。（2）从属权利要求2-6、8-12、15、19、23、25的附加技术特征或已被对比文件1公开，或基于与权利要求1相同的理由，因此，推定上述权利要求也不具备新颖性。（3）对于从属权利要求13-14，在对比文件1公开了相同的表面处理方法的基础上，推定对比文件1的表面处理铜箔也具有相同的粗糙度Sz，因此权利要求13-14也不具备新颖性。（4）权利要求16与对比文件1的区别特征在于：表面处理层具有防锈层及耐热层的至少一者，且含有选自镍、钴、铜、锌的1种以上的元素。对比文件2（CN1292834A，公开日为2001年04月25日）给出了浸铜层后，在防污层（防锈层）前进行沉积锌-镍阻挡层以避免高温下铜层与树脂层反应的技术启示，在极薄铜层与防锈层之间电沉积锌镍合金层防止高温下铜层与树脂层发生反应是本领域技术人员容易想到并应用的。因此，权利要求16不具备创造性。（5）权利要求27与对比文件1的区别特征在于：表面处理层上具备树脂层。对比文件3（CN1620221A，公开日为2005年05月25日）给出了预先用环氧树脂等粘合用树脂覆盖铜箔的粗化面提高基材和铜箔的粘结强度的技术启示。通过用环氧树脂等粘合用树脂覆盖铜箔的粗化面对本领域技术人员来说是容易想到并应用的，因此，权利要求27不具备创造性。（6）对于权利要求29中载体的一面依序有中间层、极薄铜层的情况，对比文件1已经公开了附载体铜箔的制备，包括剥离层（即中间层）、极薄层，因此，该技术方案不具备新颖性；对于权利要求29中两面依序积层有中间层、极薄铜层的情况，本领域技术人员可根据实际应用需求选择在载体的另一面进行相同的沉积步骤，其效果可以预期，因此，该技术方案不具备创造性。（7）从属权利要求17-18、20-22、24、26、28、30的附加技术特征已被对比文件1或2公开或为本领域的常规技术手段，因此，也不具备创造性。（8）独立权利要求31-39相对于对比文件1或对比文件1结合本领域的常规技术手段均不具备创造性。（9）针对申请人的如下意见陈述：本申请实施例1的极薄铜层与对比文件1公开的极薄铜层的表面处理方式不同，因此采用对比文件1所述方法制备的表面处理铜箔未必具有与本申请相同的结构；蚀刻的表征参数、蚀刻液的种类及蚀刻方法的限定会对表面处理铜箔的构造及组成造成影响，对于请求保护的产品具有限定作用。驳回决定认为：本申请采用实施例1某个单独的技术方案证明权利要求1覆盖的范围都具有相同的效果，不能被接受；产品的构造及材质不依赖于后续的表征手段，权利要求1要求保护的是表面处理铜箔，是产品权利要求，蚀刻的表征参数、蚀刻液的种类及蚀刻方法的限定不会对产品的构造及材质带来变化。
申请人JX金属株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年07月27日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书全文替换页（共4页，38项）和说明书全文替换页（共43页），相对于驳回文本，所做修改为：将从属权利要求13的附加技术特征分别补入权利要求1、7中，删除权利要求13，并对权利要求的引用关系和编号进行适应性调整；在说明书第6页第1段中增加“在本发明中，必须进行如后述实施例的包含微细粗化的粗化处理”。
修改后的权利要求1、7如下：
“1. 一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上，
该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成，
形成有该表面处理层的表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm。
7. 一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箔的厚度1μm的蚀刻处理时间之比在0.7以下，
该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成，
形成有该表面处理层的表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm。”
复审请求人认为：（1）本申请实施例2～11的极薄铜箔的表面处理层，除Cu外，还含有W或Co、Ni的成分，故其组成与对比文件1第[0043]段揭示的依序形成在薄铜层表面的粗化层、铬酸盐层、硅烷偶合剂处理层不同；（2）对比文件1未公开“表面处理层的表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”。因此，本申请相对于对比文件1有新颖性和创造性。（3）本申请的表面处理铜箔是通过蚀刻速率来限定，蚀刻速率会因蚀刻液而有所不同，亦会间接限定表面处理铜箔的构造及材质。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月02日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
国家知识产权局原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）说明书中增加的特征“在本发明中，必须进行如后述实施例的包含微细粗化的粗化处理”，修改超范围；（2）实施例1-11与对比文件1的方法不同，不能证明权利要求1产品的不同；（3）对比文件1没有记载面粗糙度Sz的技术特征，然而对比文件1的粗化处理步骤落入本申请说明书记载的范围内，因此制备得到的铜箔具有相同的Sz值。因此坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1要求保护一种表面处理铜箔，对比文件3公开的也是一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有粗化处理层（即表面处理层）。对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征了所述表面处理层，本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征了所述表面处理层。对比文件3中公开了Rz是日本工业标准（JIS）B06012-1994（实际应为B0601-1994）中规定的10点平均粗度（参见说明书第4页第6段）；Sz通常为：定义范围中最大波峰高度与最大波谷深度的和。由此可见，对比文件3中用平均粗糙度Rz表征的表面处理层的面粗糙度落入本申请所述的表面处理层的面粗糙度数值范围内，因此，推定二者的表面粗糙度是相同的。“当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成”是对表面处理铜箔的蚀刻速率的表征。在表面处理层的表面粗糙度并无差别的基础上，在同样的蚀刻条件下，推定对比文件3所述的表面处理铜箔也取得了与本申请相同的蚀刻速率。因此推定权利要求1不具备新颖性。基于同样的理由，权利要求2-10、12-13也不具备新颖性。（2）权利要求14、26的附加技术特征已被对比文件3公开，权利要求14、26也不具备新颖性。（3）权利要求28中“在载体一面依序沉积有中间层、极薄铜层”的技术方案已被对比文件3公开，因而不具备新颖性。（4）权利要求11的附加技术特征构成了其与对比文件3的区别。对比文件1公开了一种包含极薄铜层的表面处理铜箔及其制备方法，铜箔可选择电解铜箔，本领域技术人员容易想到将对比文件1公开的电解铜箔应用到对比文件3中。因此，权利要求11不具备创造性。（5）权利要求15-25、27中限定的防锈层、耐热层、铬酸处理层和/或硅烷偶合处理层以及树脂层含有的介电体均为表面处理铜箔中的常规助剂层，所述的镍、钴、铜、锌也均是防锈层和/或耐热层的常规选择，因此，权利要求15-25、27不具备创造性。（6）对于权利要求28中“两面依序沉积有中间层、极薄铜层”的技术方案和权利要求29，根据实际需要在另一面也进行相同的沉积步骤或进行粗化处理对本领域技术人员来说是容易想到并应用的，因此权利要求28-29也不具备创造性。（7）权利要求30-38要求保护的是采用表面处理铜箔进行的制造的后续产品及其制造方法。所述产品均是本领域利用表面处理铜箔制备得到的常规产品，其制备方法也是本领域的常规技术手段。因此，权利要求30-38也不具备创造性。（8）针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对于对比文件3采用Rz表征的表面处理层和本申请采用Sz表征的表面处理层，推定二者粗糙度相同；蚀刻速率和蚀刻液的组成是对表面处理铜箔后续应用性能的表征，在对比文件3得到了与本申请相同粗糙度的产品的情况下，采用所述蚀刻条件对所述产品进行蚀刻必然也得到与本申请相同的蚀刻速率，亦能提升微细配线的形成性，达到与本申请相同的技术效果。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019 年11月28日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人认为：（1）JISB0601-1994定义的Rz（10点平均粗糙度）是从每个基准长度之山峰较高者选取5个，山谷较低者选取5个，求出平均值，即从山高或谷深至表面之平均距离；而Sz则表示表面之最高点至最低点的距离，即最大山高与最大谷深之和，因此，本申请的Sz换算成Rz应该为0.8-3.2μm/2=0.4-1.6μm，并不包含对比文件3的“1.9μm”，故本申请采用Sz表征的表面处理层与对比文件1采用Rz表征的表面处理层并不相同。另外，蚀刻的特征参数取决于蚀刻液种类及蚀刻方法以及表面处理铜箔的构造及材质，对比文件3中的粗化粒子层与本申请所述的表面处理层的形成方法不同，其得到的蚀刻速率未必在0.5以上。因此，该申请相对于对比文件3具备新颖性。（2）本申请通过将表面处理层的面粗糙度Sz控制在0.8-3.2μm，可调整表面处理层的蚀刻速率，提升微细配线形成性，对比文件3没有意识到Sz与作用效果的关系，也不会有为了调整表面处理层的蚀刻速率提升微细配线性而将表面处理层的面粗糙度Sz控制在0.8-3.2μm的动机，故本申请相对于对比文件3具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2018年07月27日提交了权利要求书的全文修改替换页（共4页，38项）和说明书的全文修改替换页（共43页）。经审查，修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定依据的文本为：复审请求人于2018年07月27日提交的权利要求第1-38项、说明书第1-43页，于2016年06月22日本申请进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书附图第1-8页、说明书摘要以及摘要附图。
2、关于专利法第22条第2款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向专利局提出过申请，并记载在申请日以后（含申请日）公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
对于包含参数、性能特征的化学产品权利要求，其新颖性审查应针对该产品本身进行，如果申请没有公开可与对比文件公开的产品进行比较的结构和/或组成以证明该产品的不同之处，则推定该参数、性能表征的产品权利要求不具备新颖性。
（1）就本申请而言，权利要求1要求保护一种表面处理铜箔（具体参见案由部分）。对比文件3公开了一种带载体的极薄铜箔：在载体箔1 的表面上形成剥离层2，在剥离层2上形成极薄铜箔4。第1实施方案的带载体的极薄铜箔由载体箔1、剥离层2、极薄铜箔4 层积构成。极薄铜箔4的表面粗度Rz为1.1μm，在其表面形成由粗化粒子4a构成的粗化粒子层5。粗化粒子层的制备方式为：在以下条件下在极薄铜箔上根据直流施加阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。电解液的组成为：硫酸铜(CuSO4·5H2O) 80～140g/l；硫酸(H2SO4) 110～160g/l ；钼酸钠(Na2Mo4·2H2O) 0.05～3g/l；硫酸亚铁(FeSO4·7H2O) 1～15g/l ；电解液的温度：35℃；电流密度：10～50A/dm2；处理时间：2～15秒。得到的粗化处理后表面粗度Rz为1.9μ（参见说明书第10页第7-8段、第12页第3段、表1）。即对比文件3公开的也是一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有粗化处理层（即表面处理层）。对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征了所述表面处理层，本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征了所述表面处理层。对比文件3中公开了Rz是日本工业标准（JIS）B06012-1994（此处对比文件3记载有误，实际应为（JIS）B0601-1994）中规定的10点平均粗度（参见说明书第4页第6段），即在取样长度范围内，被测表面上5个最大轮廓峰高平均值与5个最大谷底深的平均值之和；Sz通常为：定义范围中最大波峰高度与最大波谷深度的和。可见，Rz和Sz的值通常是非常接近的，因此，对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征的表面处理层的面粗糙度应当落入本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征的表面处理层的面粗糙度的范围内。而所述的“当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成”是对表面处理铜箔的蚀刻速率的表征。在表面处理层的表面粗糙度并无差别的基础上，在同样的蚀刻条件下，在铜箔厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，对比文件3的表面处理层在厚度方向的蚀刻速率也应该在0.5以上，即推定对比文件3所述的表面处理铜箔也取得了与本申请相同的蚀刻速率。因此推定权利要求1和对比文件3的技术方案实质上相同，且两者属于相同的技术领域，解决了同样的技术问题，并能产生相同的技术效果。因此该权利要求要求保护的技术方案不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（2）对于从属权利要求2-6，如前所述，在对比文件3与本申请所述的表面处理层面粗糙度并无差别的基础上，在相同蚀刻条件下，对比文件3的表面处理层在厚度方向的蚀刻速率以及该表面处理层在厚度方向的蚀刻处理时间与铜箔的蚀刻处理时间之比也应该与权利要求2-6所述的蚀刻速率和蚀刻处理时间之比相同。因此，在其引用的权利要求不具备新颖性的情况下，权利要求2-6也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（3）权利要求7要求保护一种表面处理铜箔，对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征了所述表面处理层，本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征了所述表面处理层。对比文件3中公开的Rz是日本工业标准（JIS）B0601-1994中规定的10点平均粗度，即在取样长度范围内，被测表面上5个最大轮廓峰高平均值与5个最大谷底深的平均值之和；Sz通常为：定义范围中最大波峰高度与最大波谷深度的和。Sz通常为：定义范围中最大波峰高度与最大波谷深度的和。可见，Rz和Sz的值通常是非常接近的，因此，对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征的表面处理层的面粗糙度应当落入本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征的表面处理层的面粗糙度的范围内。而所述的“当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.7以下，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成”是对表面处理铜箔的蚀刻速率的表征。在表面处理层的表面粗糙度无法区分的基础上，在相同的蚀刻条件下，在铜箔厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，对比文件3的表面处理层在厚度方向的蚀刻处理时间与铜箔的蚀刻处理时间之比也应该在0.7以下，即推定对比文件3所述的表面处理铜箔也取得了与本申请相同的蚀刻处理时间之比。因此权利要求7和对比文件3的技术方案实质上相同，且两者属于相同的技术领域，解决了同样的技术问题，并能产生相同的技术效果。因此该权利要求要求保护的技术方案也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（4）权利要求8-9是权利要求7的从属权利要求。如前所述，在对比文件3与本申请所述的表面处理层面粗糙度并无差别的基础上，在相同蚀刻条件下，对比文件3的表面处理层在厚度方向的蚀刻处理时间与铜箔的蚀刻处理时间之比也应该与权利要求8-9所述的蚀刻处理时间之比相同。因此，在其引用的权利要求不具备新颖性的情况下，权利要求8-9也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（5）对于权利要求10，所述的过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液是对表面处理铜箔后续应用效果的表征采用的蚀刻体系，其组成并不会对表面处理铜箔的结构产生影响。因此，在其引用的权利要求1-9任一项不具备新颖性的情况下，权利要求10也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（6）权利要求12的附加技术特征已被对比文件3公开（参见说明书第5页第2段）。对于权利要求13，参见权利要求1的评述，推定权利要求1和对比文件3中的表面粗糙度是相同的。即，在其引用的权利要求1-9任一项不具备新颖性的情况下，权利要求12-13也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（7）对于权利要求14，对比文件3公开了：通过对表面处理前的铜箔在不改变表面外形的程度内进行化学处理和/或电化学处理，提高与树脂基材的化学结合（粘接强度），从而能够在不降低与树脂基材的粘接强度的条件下切成微细电路，所述的化学处理是指氧化物处理、硅烷偶联剂处理等（参见说明书第6页第3-4段），因此，权利要求14的附加技术特征已被对比文件3公开，在其引用的权利要求12不具备新颖性的情况下，权利要求14也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（8）权利要求26引用权利要求1-9，限定了表面处理层上具备树脂层，对比文件3公开了：使用的铜箔在基材上热压一侧的表面形成粗化面，该粗化面发挥对该基材的固定作用，因此，提高了该基材和铜箔的粘结强度，确保作为印刷电路板的可靠性。进一步的，预先用环氧树脂等粘合用树脂覆盖铜箔的粗化面，把将该粘合用的树脂制成半固化状态绝缘树脂层的带树脂的铜箔用作表面电路形成用铜箔，把该绝缘树脂层侧热压粘接到基材上，以制造印刷电路板（参见说明书第1页第18-24行）。可见，该附加技术特征已被对比文件3公开。因此，在其引用的权利要求1-9任一项不具备新颖性的其情况下，权利要求26也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
（9）权利要求28要求保护一种附载体铜箔，对比文件3公开了一种带载体的极薄铜箔，依次层积载体箔、剥离层、极薄铜箔（参见说明书第5页第6段）。对比文件3所述的载体箔即相当于本申请的载体，剥离层即相当于本申请的中间层，极薄铜箔即相当于本申请的极薄铜层。由此可见，对于“在载体一面依序沉积有中间层、极薄铜层”的技术方案，权利要求28的全部技术特征已被对比文件3公开，因此，在其引用的权利要求1-9任一项不具备新颖性的情况下，权利要求28要求保护的附载体铜箔也不具备新颖性，不符合专利法第22条第2款的规定。
3、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
在判断创造性时，首先，应当确定与该权利要求所要求保护的技术方案最接近的现有技术；继而，将该权利要求所要求保护的技术方案和该最接近的现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是否显而易见。如果现有技术中给出了将上述区别特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，则该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。
（1）就本申请而言，权利要求11要求保护一种表面处理铜箔，对权利要求1-9进行了进一步限定，其附加技术特征为：该铜箔是由电解铜箔或压延铜箔形成。所述附加技术特征构成了其与对比文件3的区别。根据本申请说明书的记载：表面处理铜箔所使用的铜箔，可为电解铜箔或压延铜箔任一者，铜箔的厚度并无特定的限定；压延铜箔可包含Ag、Sn等的铜合金箔，亦包含使用精铜或无氧铜制造的铜箔。电解铜箔可采用包含铜、硫酸等的电解液来制作（参见说明书第4页第2-17段）。同时，本申请说明书提供了11 个实施例和4个比较例分别制备得到表面处理铜箔（参见说明书第34页表1），测试结果也并未显示铜箔来源是否对表面处理铜箔的性能产生影响。
基于上述区别特征确定，本申请权利要求11实际解决的技术问题是：为表面处理铜箔提供一种铜箔来源。
对比文件1公开了一种包含极薄铜层的表面处理铜箔，附载体极薄铜箔的制备：
采用18m厚的电解铜箔，阳极电解处理4s，电解溶液，30g/L硫酸溶液，然后水冲洗 30s。
2）电解铜箔清洗干净作为阴极，Ti极板作为阳极进行剥离层制备：硫酸镍 30g/L，钼酸钠 3.0g/L，pH6.0，温度30℃，电流密度20A/dm2，电解处理5s，形成剥离层；
3）剥离层形成后，采用以下方式进行电镀形成3?m后的极薄铜层：
I）焦磷酸型电解液组成：焦磷酸铜 80g/L，焦磷酸钾 320g/L，氨水 2ml/L，pH 8.5，电流密度 2.0A/dm2，电镀时间20s，温度40℃；
II）硫酸型电解液组成：硫酸铜 160g/L，硫酸100g/L，明胶（平均分子量5000） 15ppm ，Cl- 5ppm，电流密度 3.5 A/dm2，电镀时间220s，温度 40℃。
4）极薄铜层形成后进行表面粗化处理，硫酸铜 150g/L，硫酸100g/L，温度30℃，进行I）30A/dm2 处理3s，或II) 电流密度5 A/dm2处理80s形成粗化粒子层。
5）粗化层后形成Cr层（即防锈处理，铬酸处理），电解液水合重铬酸钠 3.5g/L，pH 4.0，温度28℃，电流密度 0.5 A/dm2，处理2.5s。
6）然后浸入0.1wt%的 （3-环氧乙基甲氧基丙基）三甲氧基硅烷进行硅烷偶合涂步处理。
表征：腐蚀速率测定，
腐蚀溶液：
650ml 蒸馏水、320ml化学研磨液（CPE-800）、30ml硫酸，搅拌均匀；
50g的 铜加入溶解；
加入1.5±0.1wt%的双氧水（参见说明书第[0043]段实施例1）。
由此可见，对比文件1亦公开了一种表面处理铜箔，其中的铜箔可选择电解铜箔，该电解铜箔所起的作用为：为表面处理铜箔提供一种良好的铜箔来源。可见，该特征在对比文件1和本申请中所起的作用相同，本领域技术人员容易想到将所述电解铜箔用于制备表面处理铜箔。因此，在对比文件3公开内容的基础上结合对比文件1得到权利要求11的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）从属权利要求15-25限定了表面处理层具有防锈层、耐热层、铬酸处理层和/或硅烷偶合处理层，这些附加技术特征构成了其与对比文件3的区别。本申请记载了：耐热层、防锈层可使用公知的耐热层、防锈层（参见说明书第8页第3段）；铬酸处理层是指经含有铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体处理过的层（参见说明书第8页第5段）；用以设置硅烷偶合处理层的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂（参见说明书第9页第1段）。说明书中实施例1-11和比较例1-4分别记载了表面处理层具有防锈层、硅烷偶合层和部分具有耐热层的技术方案，但并未对防锈层、硅烷偶合层和耐热层对表面处理铜箔的配线形成性能产生何种影响进行考察。由此可见，权利要求15-25中所述的防锈层、硅烷偶合层和/或耐热层仅仅是表面处理铜箔中的常规助剂层，所述的镍、钴、铜、锌也均是防锈层和/或耐热层的常规选择，本领域技术人员可根据实际应用需求对上述助剂层进行设置，且该选择也并未产生预料不到的技术效果。因此，权利要求15-25不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求27引用权利要求26，进一步限定了树脂层含有介电体，该附加技术特征构成了其与对比文件3的区别。对于该区别特征，本申请说明书记载了：当使任一树脂层或树脂组合物含有介电体（或介电体填料）的情形时，可用于形成电容器层的用途，而增加电容器电路的电容（参见说明书第15页第4-5段）。基于上述区别特征确定，本申请权利要求27实际解决的技术问题是，提供一种适用于增加电容器电容的表面处理铜箔。通常，在材料中加入介电常数较大的物质即可增加其电容，在此基础上，本领域技术人员有能力根据后续实际应用需求在表面处理铜箔中加入介电体以增加电容器的电容，其效果可以预期。因此在其引用的权利要求26不具备新颖性的基础上，得到权利要求27所述的表面处理铜箔对本领域技术人员来说也是显而易见的，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）对于权利要求28中“两面依序积层有中间层、极薄铜层”的技术方案，在对比文件3公开了“在载体一面依序积层有中间层、极薄铜层的附载铜箔”的基础上，根据实际需要在另一面也进行相同的沉积步骤，得到相同的沉积层对本领域技术人员来说是容易想到并应用的，且效果是可以预期的。因此权利要求28相对于对比文件3是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）权利要求29引用权利要求28，限定了另一面是粗化处理层，在对比文件3公开了一面依序积层有中间层、极薄铜层的附载铜箔（参见说明书第5页第6段），且公开了对铜箔进行了粗化处理（参见说明书第5页第2段）的基础上，根据实际需要在一面依序设置中间层、极薄铜层，在另一面进行粗化处理也是本领域技术人员容易想到并应用的，且效果可以预期。因此在其引用的权利要求28不具备创造性的情况下，权利要求29也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（6）权利要求30-31要求保护印刷配线板，使用权利要求1-27任一项的表面处理铜箔，或使用权利要求28或29的附载体铜箔。所述印刷配线板构成了其与对比文件3的区别。基于上述区别特征确定，本申请实际解决的技术问题是采用表面处理铜箔或附载体铜箔制备后续应用产品。而采用铜箔制备印刷配线板是本领域的公知常识（参见《最新印刷技术实用手册 特种印刷技术分册》下卷，藏广州主编，安徽音像出版社，第680页，2003年11月，下称公知常识证据1）。在此基础上，采用表面处理铜箔或附载体铜箔制备印刷配线板对本领域技术人员来说是很容易就能想到的。因此，在其引用的权利要求1-29任一项所述的表面处理铜箔/附载体铜箔不具备新颖性/创造性的情况下，得到权利要求30-31所述的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求30-31不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（7）权利要求32-33要求保护一种覆铜积层板，采用权利要求1-27任一项所述的表面处理铜箔或权利要求28或29所述的附载体铜箔制备。所述覆铜积层板构成了其与对比文件3的区别。根据本申请说明书的记载，本领域通常采用将表面处理铜箔积层在绝缘基板上，形成覆铜积层板，然后进一步通过蚀刻的方法形成电路（参见说明书第3页第13段）。基于上述区别特征确定，本申请实际解决的技术问题是采用表面处理铜箔或附载体铜箔制备后续应用产品。而采用表面处理铜箔制备积层板是本领域技术人员根据后续实际应用需求就可以选择的，其效果可以预期。因此，在其引用的权利要求1-29任一项所述的表面处理铜箔/附载体铜箔不具备新颖性/创造性的情况下，得到权利要求32-33所述的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求32-33不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（8）权利要求34要求保护一种积层体，含有权利要求28或29的附载体铜箔与树脂，并且附载体铜箔的端面的一部份或全部被该树脂覆盖。通常为了防止铜箔被化学液侵蚀，可用树脂覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部，此操作为本领域的常规技术手段，其效果可以预期。因此，在其引用的权利要求28或29不具备创造性的情况下，权利要求34也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（9）权利要求35要求保护一种印刷线路板的制造方法。其相对于对比文件3的区别是：准备表面处理铜箔与绝缘基板的步骤，将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在绝缘基板形成覆铜积层板，然后通过减成法、部分加成法或就改进半加成法中的任一方法形成电路。基于上述区别特征确定，本申请实际解决的技术问题是：提供一种印刷线路板的制造方法。采用铜箔制备印刷线路板是本领域的公知常识（参见公知常识证据1）。将表面处理铜箔积层在绝缘基板上形成覆铜积层板并对其采用减成法、部分加成法或就改进半加成法进一步处理是本领域制备印刷配线板的常规技术手段，且其效果可以预期。因此，在权利要求1-27任一项所述的表面处理铜箔不具有新颖性或创造性的基础上，得到上述印刷线路板的制造方法对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（10）权利要求36要求保护印刷线路板的制造方法，基于前述审查意见相同的理由，采用权利要求28或29的附载体铜箔制备印刷线路板的制造方法对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求36也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（11）权利要求37要求保护一种印刷配线板的制造方法，限定了电路形成、覆盖树脂以及电路形成在树脂层上，而印刷线路板的制造过程中的上述电路形成、覆盖树脂、电路形成在树脂层上、载体或极薄铜层剥离从而形成极薄铜层侧表面或该载体侧表面被该树脂层覆盖的电路露的步骤都是本领域的常规步骤，因此在权利要求28或29所述的附载体铜箔不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（12）权利要求38要求保护一种印刷配线板的制造方法，而积层步骤、以及所述设置树脂层、电路层步骤以及后续的剥离步骤都是本领域的常规步骤，树脂层、电路层的数量也是本领域的常规选择。因此在权利要求28或29所述的附载体铜箔不具备创造性的基础上，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人的意见陈述（具体参见案由部分），
合议组认为：（1）复审请求人对JIS0601-1994中定义的Rz（10点平均粗糙度）的理解有误。JIS0601-1994中定义的Rz为“在取样长度范围内，被测表面上5个最大轮廓峰高平均值与5个最大的谷底深的平均值之和”。即Rz为从山高或谷深至表面平均距离之和，而非从山高或谷深至表面之平均距离。本申请中的Sz通常为：定义范围中最大波峰高度与最大波谷深度的和。根据Rz和Sz的定义可知，二者的值应该非常接近，对比文件3采用“表面粗度Rz为1.9μm”表征的表面处理层的面粗糙度应当落入本申请采用“表面的面粗糙度Sz为0.8～3.2μm”表征的表面处理层的面粗糙度的范围内，即本申请表面处理铜箔的“构造”与对比文件3相同。对于“材质”，首先，本申请权利要求1中并未对铜箔的“材质”进行限定；其次，本申请说明书第4页第2-17段中记载了：表面处理铜箔所使用的铜箔，可为电解铜箔或压延铜箔任一者，铜箔的厚度并无特定的限定；压延铜箔可包含Ag、Sn等的铜合金箔，亦包含使用精铜或无氧铜制造的铜箔；电解铜箔可采用包含铜、硫酸等的电解液来制作。同时，本申请说明书提供了11 个实施例和4个比较例分别制备得到表面处理铜箔（参见说明书第34页表1），测试结果也并未显示铜箔“材质”会对表面处理铜箔的性能产生何种影响。而“当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液具有18g/L的H2O2、92g/L的H2SO4及8g/L的Cu的液体组成”是对表面处理铜箔的蚀刻速率也即其产品的后续应用性能的表征，在表面处理层的结构并无差别的情况下，在同样的蚀刻条件下，在铜箔厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，对比文件3的表面处理层在厚度方向的蚀刻速率也应该在0.5以上。（2）对比文件3公开了：对应于各种电子部件的高集成化，对这种组装式电路板要求其电路图案也高密度化，因此要求由微细线幅或线间距的电路构成的电路图案，即所谓精细图案的印刷电路板。若使用厚铜箔作为这种印刷电路板的高密度极细电路用铜箔，则刻蚀至基材表面所需时间长，其结果，所形成电路图案的侧壁垂直性损害，下式所示刻蚀因子Ef变小：Ef＝2H/(B-T)。这种问题虽然在所形成电路图案的电路线幅宽时不成为严重问题，但线幅窄的电路图案时有可能引起导体间的短路。未附着粗化粒子的铜箔（即未经表面粗化处理的铜箔）的固定效果小，且与树脂基材粘贴时的粘接强度不好，为了克服该缺点提供一种带载体的极薄铜箔，即通过对表面处理前的铜箔在不改变表面外形的程度内进行化学处理和/或电化学处理，提高与树脂基材的化学结合（粘接强度），从而能够在不降低与树脂基材的粘接强度的条件下切成微细电路。目前这种附着有粗化粒子的粗化面Rz在3.5μm左右时，切成线/间隔=30μm/30μm-25μm/25μm左右的细线时受到限制。本发明的目的在于提供能够在电路基材形成线/间隔=15μm/15μm左右的电路，采用的极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的电解铜箔（参见说明书第1页第25行-第2页第8行，第4页第9-10、17-21行，第6页第11-15行）。实施例1制备得到了表面粗度Rz=1.9μm的表面处理铜箔，其能够以线/间隔=10μm/10μm的极细宽度实现刻蚀且铜箔电路不易剥离，即实施例1证实了采用表面粗度Rz=1.9μm的表面处理铜箔可保证铜箔电路既不易剥离又具有良好的配线形成性。由此可见，对比文件3已经公开了本申请的发明构思：通过在附载体铜箔表面进行化学处理和/或电化学处理形成Rz在2.5μm以下尤其是Rz=1.9μm的表面粗化粒子，来实现表面铜箔既与树脂具有良好的粘接强度，又保证在刻蚀过程中微细配线具有优异的形成性。即，对比文件3体现了表面处理层的面粗糙度与配线形成性之间的关系。综上，对于复审请求人关于本申请具备新颖性和创造性的主张，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年05月15日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
