发明创造名称：结晶性层叠结构体、半导体装置
外观设计名称：
决定号：200665
决定日：2020-01-14
委内编号：1F280486
优先权日：2014-05-08
申请（专利）号：201510232391.4
申请日：2015-05-08
复审请求人：株式会社FLOSFIA
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘利芳
合议组组长：孙学锋
参审员：潘光虎
国际分类号：
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件具有区别特征，上述区别特征部分被其他对比文件公开且具有结合的启示、其他部分为本领域技术人员容易想到，则该权利要求相对于上述对比文件的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510232391.4，名称为“结晶性层叠结构体、半导体装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为FLOSFIA株式会社，后变更为株式会社FLOSFIA。本申请的申请日为2015年05月08日，优先权日为2014年05月08日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年01月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为：2017年11月24日提交的权利要求第1-13项；申请日提交的说明书第1-89段、说明书附图1-21、说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种结晶性层叠结构体，其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，
其特征在于，
所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓，
所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗。
2. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。
3. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1016/cm3～1×1022/cm3。
4. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1017/cm3以下。
5. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1020/cm3以上。
6. 根据权利要求1～5的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述氧化物半导体为α型InXAlYGaZO3。
其中，0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X Y Z＝1.5～2.5、0＜X或0＜Z。
7. 一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置由权利要求6所述的结晶性层叠结构体构成。
8. 一种半导体装置，其特征在于。
所述半导体装置具备权利要求6所述的结晶性层叠结构体和电极。
9. 一种半导体装置，其具备半导体层和电极，
该半导体层由结晶性氧化物半导体薄膜构成，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，
其特征在于，
所述氧化物半导体含有的主要成分为铟和/或镓，
所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗。
10. 根据权利要求7～9的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是立式设备。
11. 根据权利要求7～9的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是功率器件。
12. 根据权利要求7～9的任意一项中所述的半导体装置，
所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或发光二极管(LED)。
13. 根据权利要求7～9的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电感应晶体管(SIT)。”
驳回决定中引用了两篇对比文件，即：对比文件1，WO2014/050793A1，公开日为2014年04月03日；对比文件2，WO2013/035843A1，公开日为2013年03月14日。驳回决定指出：独立权利要求1相对于对比文件1和2的结合不具备创造性，从属权利要求2、6的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求3-5的附加技术特征属于本领域的常规选择，均不具备创造性；独立权利要求7-9相对于对比文件1和2的结合不具备创造性，从属权利要求10、11的附加技术特征属于本领域的常规选择，从属权利要求12、13附加技术特征中的“半导体装置是MOSFET”被对比文件1公开，均不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年04月23日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页（共包括12项权利要求），其中对原权利要求书所作修改为：将从属权利要求2的附加技术特征加入独立权利要求1、9，删除权利要求2，并适应性调整权利要求的序号和引用关系。复审请求人同时提交了附件佐证其观点。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种结晶性层叠结构体，其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，
其特征在于，
所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓，
所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗，
所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。
2. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1016/cm3～1×1022/cm3。
3. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1017/cm3以下。
4. 根据权利要求1所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述结晶性氧化物半导体薄膜中的锗的浓度为1×1020/cm3以上。
5. 根据权利要求1～4的任意一项中所述的结晶性层叠结构体，其中，
所述氧化物半导体为α型InXAlYGaZO3。
其中，0≦X≦2、0≦Y≦2、0≦Z≦2、X Y Z＝1.5～2.5、0＜X或0＜Z。
6. 一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置由权利要求5所述的结晶性层叠结构体构成。
7. 一种半导体装置，其特征在于。
所述半导体装置具备权利要求5所述的结晶性层叠结构体和电极。
8. 一种半导体装置，其具备半导体层和电极，
该半导体层由结晶性氧化物半导体薄膜构成，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，
其特征在于，
所述氧化物半导体含有的主要成分为铟和/或镓，
所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗，
所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。
9. 根据权利要求6～8的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是立式设备。
10. 根据权利要求6～8的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是功率器件。
11. 根据权利要求6～8的任意一项中所述的半导体装置，
所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或发光二极管(LED)。
12. 根据权利要求6～8的任意一项中所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置是肖特基势垒二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)或静电感应晶体管(SIT)。”
复审请求人认为：对比文件1中的结晶性氧化物半导体薄膜极大可能含有一定量的碳，因为其实施例表1中使用了乙酰丙酮溶质，对比文件2中的薄膜也可能含有碳，并引用其提供的附件证明上述观点；权利要求1与对比文件1相比具有区别特征“所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗”，基于此，权利要求1的技术效果实际上是锗相较于锡作为掺杂剂时更优越，而对比文件2并未教导锗相较于锡作为掺杂剂时的优越性，二者没有结合启示。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1已经明确公开了其结晶性氧化物半导体薄膜的成分，其中明确了该薄膜没有碳的成分，复审请求人所认为的含碳的可能性只是其的一种推测，并不能作为一种确定的证据肯定对比文件1结晶性氧化物半导体薄膜中含有碳的成分；权利要求1与对比文件1的区别特征“结晶性氧化物薄膜中含有锗”在对比文件2中已公开，且对于在对比文件1和2均采用相同的材料结晶性氧化物半导体薄膜α型InXAlYGaZO3的基础上，对比文件2结晶性氧化物半导体薄膜掺杂锗必然能够给对比文件1结晶性氧化物半导体薄膜掺杂锗的启示，且掺杂锗之后提高了材料的导电型和耐热性属于锗材料本身所带来的特性，属于本领域技术人员公知的材料特性，因此，修改后的权利要求1相对于对比文件1和2仍然不具备创造性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月14日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1相对于对比文件1和2的结合不具备创造性，从属权利要求2-3的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求4的附加技术特征可由本领域技术人员根据需求通过有限次的试验来选择，从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开，均不具备创造性；独立权利要求6相对于对比文件1和2的结合不具备创造性，独立权利要求7-8相对于对比文件1、2及本领域公知常识的结合不具备创造性，从属权利要求9-12的附加技术特征或被对比文件1公开、或为本领域的惯用技术手段，均不具备创造性。关于复审请求人的意见陈述，复审通知书中指出：对比文件1中的半导体层5为具有刚玉型结晶结构的α型InX1AlY1GaZ1O3，其组分中不含有碳，对比文件1中也并未记载其中有碳杂质的存在，对比文件1中即使使用了乙酰丙酮溶质也并不意味着其中生成的结晶性氧化物半导体薄膜中一定含有碳，复审请求人提交的附件也不能说明对比文件1中的薄膜一定含有碳；权利要求实际解决的技术问题并不一定与申请说明书中声称的技术问题一致，权利要求1与对比文件1相比的区别特征之一为“所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗”，而对比文件2公开了对同类型膜进行n型掺杂所用n型掺杂物可为锗，给出了明确的结合启示；因此复审请求人的意见不具说服力。
复审请求人于2019年09月18日提交了意见陈述书，但未修改申请文件，同时提交附件即证明文件1（Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates, Sam-Dong Lee etc,phys. Status Solidi C 10,No.11,1592-1595(2013)）佐证其观点。复审请求人认为，独立权利要求1具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性，且基于此其他权利要求也都具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本
复审请求人在2019年04月23日提出复审请求时提交了权利要求书的全文替换页（共包括12项权利要求），经审查，该修改符合专利法第33条、实施细则第61条第1款的相关规定，予以接受。因此，本决定针对的文本为：2019年04月23日提交的权利要求第1-12项；申请日提交的说明书第1-89段、说明书附图1-21、说明书摘要及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件具有区别特征，上述区别特征部分被其他对比文件公开且具有结合的启示、其他部分为本领域技术人员容易想到，则该权利要求相对于上述对比文件的结合不具备创造性。
本决定引用的对比文件与复审通知书和驳回决定所引用对比文件相同，即：
对比文件1：WO2014/050793A1，公开日为2014年04月03日；
对比文件2：WO2013/035843A1，公开日为2013年03月14日。
2.1、权利要求1请求保护一种结晶性层叠结构体。对比文件1（说明书第0005-0045段、附图2-4）公开了一种结晶性层叠结构体，可具有如下结构：直接在α型蓝宝石Al2O3底层基板6上具备半导体层5（参见附图2），该半导体层5为具有刚玉型结晶结构的α型InX1AlY1GaZ1O3（0≤X1≤2, 0≤Y1≤2, 0≤Z1≤2,X1 Y1 Z1=1.5～2.5）（相当于主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体的结晶性氧化物半导体薄膜）；也可在底层基板和半导体层之间具有结晶性应力缓和层（参见附图3-4）；半导体层5在包含In或Ga的情况下容易作为半导体发挥作用，因此优选为0.1≤X1或0.1≤Z1，另外，半导体层5在包含In和Ga二者的情况下可以期待增大载体浓度、能够控制迁移率的效果，因此，优选为0.1≤X1并且0.1≤Z1（参见说明书第0012段，相当于所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓）；可以在具有刚玉型结晶结构的底层基板、半导体膜等层中掺杂对刚玉型结晶膜适合的元素（例如锡、硅、镁），由此能够调节导电性以及绝缘性。
权利要求1与对比文件1相比，区别特征为：（1）所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗；（2）所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是：选择对结晶性氧化物半导体薄膜进行n型掺杂的元素；避免碳杂质的不良影响。
对于区别特征（1）：对比文件2（说明书0014-0024段、附图1）公开了一种Ga2O3基MISFET，包括在α-Al2O3衬底上形成的n型α-（AlXGa1-X）2O3（0≤X≤1）单晶膜3（相当于结晶性氧化物半导体薄膜，且其也为α-Ga2O3基半导体层），其进行n型掺杂所用n型掺杂物例如为Sn、Ti、Zr、V、Nb、Si、Ge等（参见说明书第0018段）。由此可见，对比文件1中公开了Sn、Si等可作为结晶性氧化物半导体薄膜的n型掺杂元素；而对比文件2中公开了除了Sn、Si之外，Ge也是合适的可对结晶性氧化物半导体薄膜进行n型掺杂的元素。本领域技术人员在对比文件1的基础上，在选择对其中的α-Ga2O3基半导体层进行n型掺杂的元素时，容易从对比文件2中得到启示，选择Ge作为结晶性氧化物半导体薄膜的n型掺杂元素，这并不需付出创造性的劳动。
对于区别特征（2）：在生成半导体膜层时，对于并非特意设计、而是期望之外比如工艺过程中引入的杂质元素，应尽量减少其含量以避免不良影响，这是本领域的普遍追求，是本领域技术人员容易想到的。因此，对于对比文件1中并未涉及碳元素的引入的“结晶性氧化物半导体薄膜”设定其“实质上不含有碳”这样的目标是本领域的普遍追求，而并非本申请的技术贡献，提出这样的目标并不能给权利要求的技术方案带来创造性。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案相对于对比文件1、2的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-3对权利要求1作了进一步限定。对比文件2中公开了例如为Ge的n型掺杂剂浓度为1×1015/cm3～1×1019/cm3（与1×1016/cm3～1×1022/cm3的范围部分重叠，与“1×1017/cm3以下”的范围部分重叠）。因此，权利要求2-3的附加技术特征被对比文件2公开，在权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2-3要求保护的技术方案也不具备创造性。
2.3、权利要求4对权利要求1作了进一步限定。本领域技术人员能够根据需求、并通过有限的试验来选择n型掺杂剂的浓度，这并不需付出创造性的劳动；权利要求4所限定的锗的掺杂浓度为“1×1020/cm3以上”也是本领域常见的掺杂浓度，其结果也是可以预料的。因此，在权利要求1不具备创造性1情况下，权利要求4要求保护的技术方案也不具备创造性。
2.4、权利要求5对权利要求1～4作了进一步限定。参见对权利要求1的评述，对比文件1中已公开半导体层5为α型InX1AlY1GaZ1O3（0≤X1≤2, 0≤Y1≤2, 0≤Z1≤2,X1 Y1 Z1=1.5～2.5）氧化物半导体，且半导体层5在包含In或Ga的情况下容易作为半导体发挥作用，因此优选为0.1≤X1或0.1≤Z1（公开了“0≤X或0≤Z”的范围）。因此，权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开，在权利要求1～4都不具备创造性的情况下，权利要求5要求保护的技术方案也不具备创造性。
2.5、权利要求6请求保护一种半导体装置，其由权利要求5所述的结晶性层叠结构体构成。参照前述评述，权利要求5所述的结晶性层叠结构体相对于对比文件1和2的结合不具备创造性。而且对比文件1还公开了（参见说明书0005-0024段）由结晶性层叠结构体构成半导体装置。因此，权利要求6要求保护的技术方案相对于对比文件1、2的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求7请求保护一种半导体装置，其具备权利要求5所述的结晶性层叠结构体和电极。参照前述评述，权利要求5所述的结晶性层叠结构体相对于对比文件1和2的结合不具备创造性。此外，对比文件1还公开了（参见说明书0005-0024段）具备结晶性层叠结构体的半导体装置；而半导体装置中还具备电极，这是本领域的公知常识。因此，权利要求7要求保护的技术方案相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求8请求保护一种半导体装置。对比文件1（说明书第0005-0042段、附图2-4）公开了一种半导体装置，包括如下结构：在α型蓝宝石Al2O3底层基板6上具备半导体层5（参见附图2），该半导体层5为具有刚玉型结晶结构的α型InX1AlY1GaZ1O3（0≤X1≤2, 0≤Y1≤2, 0≤Z1≤2,X1 Y1 Z1=1.5～2.5）（相当于主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体的结晶性氧化物半导体薄膜）；半导体层5在包含In或Ga的情况下容易作为半导体发挥作用，因此优选为0.1≤X1或0.1≤Z1，另外，半导体层5在包含In和Ga二者的情况下可以期待增大载体浓度、能够控制迁移率的效果，因此，优选为0.1≤X1并且0.1≤Z1（参见说明书第0012段，相当于所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓）；可以在具有刚玉型结晶结构的底层基板、半导体膜等层中掺杂对刚玉型结晶膜适合的元素（例如锡、硅、镁），由此能够调节导电性以及绝缘性。
权利要求8与对比文件1相比，区别特征为：（1）所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗；（2）所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳；（3）半导体装置还具备电极。基于上述区别特征，权利要求8实际解决的技术问题是：选择对结晶性氧化物半导体薄膜进行n型掺杂的元素；避免碳杂质的不良影响；信号引出。
对于区别特征（1）：对比文件2（说明书0014-0024段、附图1）公开了一种Ga2O3基MISFET，包括在α-Al2O3衬底上形成的n型α-（AlXGa1-X）2O3（0≤X≤1）单晶膜3（相当于结晶性氧化物半导体薄膜，且其也为α-Ga2O3基半导体层），其进行n型掺杂所用n型掺杂物为Ge等（参见说明书第0018段）。由此可见，区别特征（1）已经被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起作用与其在权利要求8技术方案中所起作用相同，都是对结晶性氧化物半导体薄膜进行n型掺杂。本领域技术人员在对比文件1的基础上，在考虑如何对对比文件1中的α-Ga2O3基半导体层进行n型掺杂时，容易从对比文件2中得到启示，将其中所公开的n型掺杂物Ge用于在对比文件1中进行n型掺杂，这并不需付出创造性的劳动。
对于区别特征（2）：在生成半导体膜层时，对于并非特意设计、而是期望之外比如工艺过程中引入的杂质元素，应尽量减少其含量以避免不良影响，这是本领域的普遍追求，是本领域技术人员容易想到的。因此，对于对比文件1中并未设计碳元素的引入的“结晶性氧化物半导体薄膜”设定其“实质上不含有碳”这样的目标是本领域的普遍追求，而并非本申请的技术贡献，提出这样的目标并不能给权利要求的技术方案带来创造性。
对于区别特征（3）：在半导体装置中配置电极以在需要之处进行信号引出，这是本领域的公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求8要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求8要求保护的技术方案相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求9-12对权利要求6-8中任意一项作了进一步限定，其附加技术特征限定了结晶性层叠结构体或半导体层可应用的半导体装置的类型。对比文件1（说明书第0002段）公开了其可应用于MOSFET。除此之外，其还可应用于多种半导体装置，例如，立式设备、功率器件、SBD、MESFET、HEMT、SIT、JFET、IGBT、LED等，这些都是本领域常见的应用场合，是本领域的惯用技术手段。因此，在其所引用的权利要求6-8不具备创造性的情况下，权利要求9-12均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：（1）本申请中的结晶性氧化物半导体薄膜掺杂有锗，与掺杂锡相比，可以减少碳污染，而且电特性和耐热性更好，因此独立权利要求1所述的结晶性氧化物半导体薄膜相较于对比文件1和2具有更有益的技术效果。（2）对比文件2中公开了多种n型掺杂物，但并未公开哪种掺杂物能减少碳污染，本领域技术人员不容易想到将锗作为掺杂物以减少碳污染并提高薄膜的电特性和耐热性。（3）对比文件2中的半导体薄膜高温退火后有可能不能成为“刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜”，并引用证明文件1证明该观点。
对此，合议组认为：（1）如前评述，独立权利要求1所限定的掺杂有锗的结晶性氧化物半导体薄膜已经被对比文件1结合对比文件2公开；请求人认为独立权利要求1所述的结晶性氧化物半导体薄膜具有更有益的技术效果，该说法没有说服力。（2）首先，对比文件2中明确公开了锗可作为n型掺杂物；其次，请求人强调本申请中以锗作为n型掺杂物是为了“减少碳污染并提高薄膜的电特性和耐热性”，但一方面该作用限定并未记载在权利要求中，另一方面该作用限定也并未隐含本申请中的锗掺杂物和对比文件2中的锗掺杂物相比具有何种不同特性。（3）参见对权利要求1的评述，“刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜”是被对比文件1而非对比文件2公开，对比文件2中公开的是以锗作为n型掺杂物；证明文件1中生成何种结构的薄膜与本申请无关联性。因此，复审请求人的意见没有说服力。
基于以上理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定,请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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