发明创造名称：板状物的加工方法
外观设计名称：
决定号：200635
决定日：2020-01-13
委内编号：1F287785
优先权日：2014-03-06
申请（专利）号：201510094374.9
申请日：2015-03-03
复审请求人：株式会社迪思科
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张念国
合议组组长：赵颖
参审员：李莹
国际分类号：H01L21/301
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款和第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征也不是所属技术领域的惯用手段的直接置换，那么该权利要求请求保护的技术方案相对于上述现有技术具有新颖性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510094374.9，名称为“板状物的加工方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为株式会社迪思科。本申请的申请日为2015年03月03日，优先权日为2014年03月06日，公开日为2015年09月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月11日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-3不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。驳回决定引用以下对比文件1：
对比文件1：TW512451B 公告日为：2002年12月01日。
驳回决定指出：权利要求1-3请求保护一种板状物的加工方法。对比文件1公开了一种板状物的加工方法，具体公开了以下内容（参见说明书第8页倒数第3段至第17页第2段，附图2-13）：其用于对由基板100和在该基板100的正面形成的层叠体106构成的板状物进行加工，在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体106的区域照射激光光线302，除去层叠体106而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体106但不破坏基板100的能量密度，在该基板露出工序中照射的激光光线302以聚光斑照射到层叠体106的上表面，该聚光斑是使聚光点定位在比构成板状物的层叠体106的上表面靠上侧的位置而形成的，该板状物是晶片，该晶片在基板100的上表面具有通过多条分割预定线划分形成了多个器件的层叠体106，在该基板露出工序中沿着分割预定线除去层叠体106之后，实施将沿着分割预定线露出的基板切断的切断工序。由此可见，对比文件1已经公开了该权利要求1-3的全部技术特征，且对比文件1所公开的技术方案与该权利要求所要求保护的技术方案属于同一技术领域，解决相同的技术问题，并能产生相同的技术效果，因此权利要求1-3不具备新颖性。
驳回决定所依据的文本为申请日2015年03月03日提交的权利要求书第1-3项、说明书第1-80段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种板状物的加工方法，其用于对由基板和在该基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，其特征在于，
在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体的区域照射激光光线，除去层叠体而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏基板的能量密度。
2. 根据权利要求1所述的板状物的加工方法，其中，
在该基板露出工序中照射的激光光线以聚光斑照射到层叠体的上表面，该聚光斑是使聚光点定位在比构成板状物的层叠体的上表面靠上侧的位置而形成的。
3. 根据权利要求1或2所述的板状物的加工方法，其中，
该板状物是晶片，该晶片在基板的上表面具有通过多条分割预定线划分形成了多个器件的层叠体，在该基板露出工序中沿着分割预定线除去层叠体之后，实施将沿着分割预定线露出的基板切断的切断工序。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年06月20日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，将权利要求1、3中的“基板”限定为“硅基板”，将权利要求1中的激光光线限定为“波长为355nm或532nm的激光光线”。复审请求人认为：修改后的本申请中明确了“照射波长为355nm或532nm的激光光线”，而硅的光学吸收端点大约为1050nm，因此，波长为355nm或532nm的激光光线会被硅基板吸收，当能量密度大时，会对硅基板进行烧蚀加工。但是根据本申请，通过将波长为355nm或532nm激光光线的能量密度设定为最佳来实施基板露出工序，能够不对硅基板造成损伤地除去层叠体，因此，即使利用切削刀具对沿着分割预定线露出的基板进行切削，也不会在基板产生裂纹，不会使器件的抗折强度降低。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种板状物的加工方法，其用于对由硅基板和在该硅基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，其特征在于，
在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去该层叠体的区域照射波长为355nm或532nm的激光光线，除去该层叠体而使该硅基板露出，该激光光线被设定为破坏该层叠体但不破坏该硅基板的能量密度。
2. 根据权利要求1所述的板状物的加工方法，其中，
在该基板露出工序中照射的激光光线以聚光斑照射到该层叠体的上表面，该聚光斑是使聚光点定位在比构成板状物的该层叠体的上表面靠上侧的位置而形成的。
3. 根据权利要求1或2所述的板状物的加工方法，其中，
该板状物是晶片，该晶片在该硅基板的上表面具有通过多条分割预定线划分形成了多个器件的层叠体，在该基板露出工序中沿着分割预定线除去该层叠体之后，实施将沿着该分割预定线露出的该硅基板切断的切断工序。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年06月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，虽然对比文件1公开的激光光线为CO2激光，但是根据层叠体的材料的不同选择不同波长的激光是本领域的常规技术手段，举例来说，使用约532nm的波长用来切Cu，约355nm的波长来切除硅与特定低k介电层。因此，当本领域技术人员使用波长355nm或532nm的激光光线去除层叠体时，为了不破坏硅基板，设置激光的能量密度是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。基于上述理由，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-3相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。合议组认为：修改后的权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征包括照射波长为355nm或532nm的激光光线，该激光光线被设定为破坏层叠体但不破坏硅基板的能量密度，相对于上述区别技术特征该权利要求实际解决的技术问题是选择合适的激光波长以及激光能量密度。而在实际生产过程中，根据层叠体材料的不同选择不同波长的激光是本领域的常规技术手段，举例来说，使用约532nm的波长用来切Cu、使用约355nm的波长来切除特定低k介电层都是本领域的常规技术手段。因此，当本领域技术人员使用波长355nm或532nm的激光光线去除层叠体时，为了不破坏硅基板，设置激光的能量密度是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，修改后的权利要求1仍然不具有创造性。
复审请求人于2019年11月07日提交了意见陈述书，将权利要求1中的技术特征“对板状物的要除去该层叠体的区域照射波长为355nm或532nm的激光光线，除去该层叠体而使该硅基板露出，该激光光线被设定为破坏该层叠体但不破坏该硅基板的能量密度”修改为了“对板状物的要除去该层叠体的区域照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线，以使得破坏该层叠体但不破坏该硅基板，除去该层叠体而使该硅基板露出”。复审请求人认为：修改后的权利要求1中新增加的技术特征未被对比文件1公开，其通过采用波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线来实施基板露出工序，从而能够通过烧蚀加工仅去除层叠体，且对硅基板基本不实施烧蚀加工，修改后的权利要求1-3相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有创造性。
答复复审通知书时修改的权利要求书如下：
“1. 一种板状物的加工方法，其用于对由硅基板和在该硅基板的正面形成的层叠体构成的板状物进行加工，其特征在于，
在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去该层叠体的区域照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线，以使得破坏该层叠体但不破坏该硅基板，除去该层叠体而使该硅基板露出。
2. 根据权利要求1所述的板状物的加工方法，其中，
在该基板露出工序中照射的激光光线以聚光斑照射到该层叠体的上表面，该聚光斑是使聚光点定位在比构成板状物的该层叠体的上表面靠上侧的位置而形成的。
3. 根据权利要求1或2所述的板状物的加工方法，其中，
该板状物是晶片，该晶片在该硅基板的上表面具有通过多条分割预定线划分形成了多个器件的层叠体，在该基板露出工序中沿着分割预定线除去该层叠体之后，实施将沿着该分割预定线露出的该硅基板切断的切断工序。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时对权利要求书的修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，本复审决定依据的文本为于申请日2015年03月03日提交的说明书第1-80段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图，2019年11月07日提交的权利要求书第1-3项。
专利法第22条第2款和第22条第3款
专利法第22条第2款规定，是指该发明或者实用新型不属于现有技术，也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
专利法第22条第3款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征也不是所属技术领域的惯用手段的直接置换，那么该权利要求请求保护的技术方案相对于上述现有技术具有新颖性。
如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征未由其它对比文件给出相关技术启示，也不属于本领域的公知常识，并且采用该区别技术特征的技术方案能够获得有益的技术效果，那么该权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域的公知常识具有创造性。
本复审决定继续使用驳回决定中使用的对比文件1：
对比文件1：TW512451B 公告日为：2002年12月01日。
权利要求1-3具备专利法第22条第2款规定的新颖性和第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种板状物的加工方法。对比文件1公开了一种板状物的加工方法，具体公开了以下内容（参见说明书第8页倒数第3段至第17页第2段，附图2-13）：其用于对由基板100和在该基板100的正面形成的层叠体106构成的板状物进行加工，在该板状物的加工方法中，实施基板露出工序，在该基板露出工序中，对板状物的要除去层叠体106的区域照射激光光线302，除去层叠体106而使基板露出，该激光光线被设定为破坏层叠体106但不破坏基板100的能量密度（参见说明书第12页第3段）。权利要求1与对比文件1的区别在于：照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线。基于上述区别技术特征，本申请权利要求1的技术方案实际解决的技术问题是：选择合适的激光波长以及激光能量密度。而且上述区别技术特征也不是所属技术领域的惯用手段的直接置换，那么该权利要求1请求保护的技术方案相对于上述现有技术具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
而对于上述区别技术特征，对比文件1中公开的是“使用几乎完全透过硅基板（即，不会对硅基板进行烧蚀）的波长（约1.2～15微米、约9～11微米、或者9.3、9.6和10.6微米中的一种波长）的CO2激光进行加工，以使得不会破坏硅基板”，在此教导下，本领域技术人员根本没有动机采用会对硅基板进行烧蚀加工的“355nm或532nm”波长的激光光线，进而，也没有动机将“照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线，以使得破坏该层叠体但不破坏该硅基板”这一特征应用于对比文件1，而且本领域的公知常识是波长为355nm或532nm激光光线会被硅基板吸收，即修改后新增加的上述技术特征也不是本领域的公知常识。本申请还指出了通过照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线，以使得破坏该层叠体但不破坏该硅基板，即获得在不破坏硅基板的情况下切割层叠体的技术效果，因此，对本领域技术人员来说，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1以及本领域的公知常识相比具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2-3引用了权利要求1，在其引用的权利要求1具备新颖性和创造性的基础上，从属权利要求2-3具备专利法第22条第2款规定的新颖性和第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定和前置审查意见书相关意见的评述
对此，合议组认为：修改后的权利要求1中新增加的技术特征未被对比文件1公开，其通过采用波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线来实施基板露出工序，从而能够通过烧蚀加工仅去除层叠体，且对硅基板基本不实施烧蚀加工；而对比文件1中公开的是“使用几乎完全透过硅基板（即，不会对硅基板进行烧蚀）的波长（约1.2～15微米、约9～11微米、或者9.3、9.6和10.6微米中的一种波长）的CO2激光进行加工，以使得不会破坏硅基板”，在此教导下，本领域技术人员根本没有动机采用会对硅基板进行烧蚀加工的“355nm或532nm”波长的激光光线，进而，也没有动机将“照射波长为355nm且能量密度为0.6～1.5J/cm2的激光光线、或波长为532nm且能量密度为0.13～0.2J/cm2的激光光线，以使得破坏该层叠体但不破坏该硅基板”这一特征应用于对比文件1，而且本领域的公知常识是波长为355nm或532nm激光光线会被硅基板吸收，即修改后新增加的上述技术特征也不是本领域的公知常识。因此，修改后的权利要求1-3相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年03月11日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在申请日2015年03月03日提交的说明书第1-80段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图，2019年11月07日提交的权利要求书第1-3项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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