发明创造名称：基于VCSEL阵列光源的深度相机
外观设计名称：
决定号：200486
决定日：2020-01-13
委内编号：1F277934
优先权日：
申请（专利）号：201710359556.3
申请日：2017-05-19
复审请求人：深圳奥比中光科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：孙薇薇
合议组组长：孙艳
参审员：温睿
国际分类号：G06T7/586,G06T7/593,G06T17/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，现有技术中未给出应用上述区别技术特征以获得所述权利要求的技术方案的技术启示，上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识，且上述区别技术特征的引入使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710359556.3，名称为“基于VCSEL阵列光源的深度相机”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为深圳奥比中光科技有限公司。本申请的申请日为2017年05月19日，公开日为2017年08月01日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月01日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求1与对比文件1（CN104798271A，公开日为2015年07月22日）的区别在于：（1）结构光图案包括亮度不同的稀疏结构图案、密集结构光图案中的一种或组合，所述处理器利用包含稀疏结构光图案的所述结构光图案以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；再利用包含密集结构光图案的所述结构光图案以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像；（2）至少两个衍射光学元件子单元的衍射光学元件，所述衍射光学元件子单元与VCSEL子阵列一一对应，且所述至少两个衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案。针对上述区别技术特征（1），对比文件2（CN205002744U，公告日为2016年01月27日）公开了一种投影仪，本领域技术人员在对比文件2的基础上，根据需要的深度图像的精细度，先利用稀疏结构光图案得到粗略偏离值和/或粗略深度图像，再利用密集结构光图案得到精细偏离值和/精细深度图像是显而易见的。另外，通过窗口进行匹配计算是图像分析的常用技术手段。针对上述区别技术特征（2），对比文件3（CN106568396A，公开日为2017年04月19日）公开了一种激光投影仪，本领域技术人员有动机采用对比文件3中的衍射光学元件14代替对比文件1中的各个成像透镜以实现扩束成像的功能。本领域技术人员根据对比文件3公开的提高深度相机获取激光图案的深度图像的速度和精度所采用的技术手段的启示，通过设置不同发光元件对应的衍射光学元件的复制倍数的不同以提高激光图案的不相关性，从而提高深度相机获取激光图案的深度图像的速度和精度是显而易见的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3以及本领域常用的技术手段从而得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的。权利要求1不具备创造性。从属权利要求2的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求3-12的附加技术特征属于常用技术手段，因此权利要求2-12不具备创造性。驳回决定所依据的文本为申请日2017年05月19日提交的说明书第1-89段、说明书附图图1-16、说明书摘要、摘要附图；2018年11月06日提交的权利要求第1-12项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，包括：
结构光投影模组，包括：至少两组VCSEL子阵列的VCSEL阵列光源以及至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件，所述衍射光学元件子单元与所述VCSEL子阵列一一对应，且所述至少两个衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案；所述结构光图案包括亮度不同的稀疏结构光图案、密集结构光图案中的一种或组合；
采集模组，用于采集由目标反射的所述结构光图案；
处理器，用于根据所述结构光图案计算深度图像；
所述处理器利用包含稀疏结构光图案的所述结构光图案以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；再利用包含密集结构光图案的所述结构光图案以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
2. 如权利要求1所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述结构光图案包括由稀疏结构光图案与密集结构光图案组成的混合结构光图案。
3. 如权利要求2所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，
所述处理器为利用所述混合结构光图案并以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；
所述处理器再利用所述混合结构光图案并以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
4. 如权利要求1所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述结构光图案包括稀疏结构光图案和密集结构光图案。
5. 如权利要求4所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，
所述处理器根据所述稀疏结构光图案并以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；
所述处理器再利用所述密集结构光图案并以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
6. 如权利要求1所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述结构光图案包括稀疏结构光图案和由稀疏结构光图案与密集结构光图案组成的混合结构光图案。
7. 如权利要求6所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，
所述处理器利用所述稀疏结构光图案并以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；
所述处理器再利用所述混合结构光图案，并以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
8. 如权利要求1所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述结构光图案包括由稀疏结构光图案与密集结构光图案组成的混合结构光图案和密集结构光图案。
9. 如权利要求8所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，
所述处理器利用所述混合结构光图案，并以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；
所述处理器再利用所述密集结构光图案组成的混合结构光图案，并以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
10. 如权利要求1所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述稀疏结构光图案中图案单元的亮度大于所述密集结构光图案中图案单元的亮度。
11. 如权利要求1、3、5、7或9任一所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述第一窗口大于第二窗口。
12. 如权利要求1、3、5、7或9任一所述的基于VCSEL阵列光源的深度相机，其特征在于，所述精细偏离值以及精细深度图像是以第二窗口结合所述粗略偏离值或粗略深度图像进行匹配计算得到的。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年03月29日向国家知识产权局提出了复审请求，但并未对申请文件做出修改。复审请求人认为：本申请所解决的技术问题是如何同时获取高精度以及高帧率的深度图像。针对于区别技术特征(1)，对比文件3中的衍射光学元件14与对比文件1中的成像透镜的功能作用是不同的，本领域技术人员没有理由将对比文件3中的DOE去替换对比文件1中的成像透镜。对比文件1中的成像透镜4只相当于对比文件2中的成像透镜146或者对比文件3中的透镜15。针对于区别技术特征(2)，虽然对比文件2公开了结构光图案包括不同密度的图案，可以是稀疏的、中等的和密集的，但其不同密度的结构光图案的亮度是相同的，而本申请中不同密度的结构光图案的亮度是不同的。本申请是多VCSEL子阵列光源 透镜 多DOE的设置，其中VCSEL子阵列光源与多DOE一一对应，并且通过对DOE的扩束倍数设置不同以实现投影出不同密度、不同亮度的斑点图案。通过设置与VCSEL子阵列一一对应的DOE，且衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射，可以实现图案亮度的差异化，故最终形成是亮度不同且密度不同的图案。而对亮度的差异化控制是保证后期计算精度与计算速度同时满足的必要条件，有利于后续同时获取高精度以及高帧率的深度图像。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1和对比文件3均涉及一种3D成像系统，并且均通过从结构化光图案中获取深度信息。对本领域技术人员来说，对比文件1中的“成像透镜”和对比文件3中的“DOE”均是在3D成像系统中对阵列排布的激光器投射形成结构化光图案，即，“成像透镜”和“DOE”在3D成像系统中的地位、作用均是相同的。本领域技术人员有动机采用对比文件3中的DOE代替对比文件1中的“成像透镜”以实现对阵列排布激光器投射形成结构化光图案的目的。同理，对比文件2中的“DOE”在3D成像系统中的地位、作用与对比文件1中的“成像透镜”是相同的，本领域技术人员有动机采用对比文件2中的“DOE”代替对比文件1中的“成像透镜”。（2）对比文件3公开了提高激光图案的不相关性可以提高深度相机获取激光图案的深度图像的速度及精度。图案的不相关性，通过图案的特征来体现，图案上斑点的亮度、密度、大小均属于图案的特征。本领域技术人员根据对比文件3的启示，通过调整亮度的不同，提高图案的不相关性，在发光元件相同的情况下，通过改变不同发光元件对应的DOE对发光光束以不同倍数向外发射以提高图案的不相关性属于常规的设置。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年03月29日提出复审请求时，并未对申请文件作出任何修改。因此，本复审决定所依据的审查文本与驳回决定所依据的审查文本相同，具体为：申请日2017年05月19日提交的说明书第1-89段、说明书附图图1-16、说明书摘要、摘要附图；2018年11月06日提交的权利要求第1-12项。
具体理由的阐述
专利法第22 条第3 款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，现有技术中未给出应用上述区别技术特征以获得所述权利要求的技术方案的技术启示，上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识，且上述区别技术特征的引入使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
（2.1）权利要求1具备创造性
权利要求1请求保护一种基于VCSEL阵列光源的深度相机，对比文件1公开了一种用于向场景上投射结构化光图案的激光设备，并公开（参见说明书第[0002]、[0017]-[0019]、[0023]段，附图1和4）：图4示出包括激光设备10的3D测量系统的示例的示意性视图。这个系统包括拍摄投射到场景15上的结构化光图案的图像的相机11（相当于采集模组，用于采集由目标反射的所述结构光图案）。评估单元14从采用相机11捕获的一张或者多张图像中提取所期望的3D信息（相当于处理器，用于根据所述结构光图案计算深度图像）。图1示出了激光设备的一个模块的基本布局的示例。每个模块包括在该示例中使用的VCSEL阵列中的一个阵列。图1示出了承载具有数个VCSEL 2的VCSEL阵列的相对应VCSEL芯片1（相当于结构光投影模组，包括：至少两组VCSEL子阵列的VCSEL阵列光源）。成像透镜4被布置在VCSEL芯片1之前，以将阵列的各个VCSEL 2的发射区域成像到合期望的图像空间中的图像平面7。VCSEL阵列通过透镜4被成像到深度区域中。采用该成像透镜4，由VCSEL 2发射的激光束5被聚焦在图像空间中的束斑6上。在图像平面7上的这些束斑6的形状相对应于VCSEL芯片1的VCSEL 2的发射区域的形状。制造激光设备的VCSEL芯片1以使得在该芯片上的各个VCSEL 2的位置以随机化的方式从规则的图案偏离或者完全以随机化的方式来分布。说明书背景技术部分还记载：所需要的结构化光图案可以由类似被激光器（例如，VCSEL阵列）照射的微透镜阵列或者衍射光学元件（DOE）那样的专用微光学系统生成。一个示例在US 2012/051588 A1中示出，其公开了一种用于使用至少一个VCSEL阵列向场景上投射结构化光图案的激光设备。来自VCSEL阵列的光通过准直微透镜阵列进行聚焦，准直微透镜阵列将来自VCSEL阵列的光束引导至DOE。DOE将光束形成各种各样的光图案，这些光图案然后使得能够进行合期望的3D成像。
权利要求1的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件，所述衍射光学元件子单元与VCSEL子阵列一一对应，且所述至少两个衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案；所述结构光图案包括亮度不同的稀疏结构光图案、密集结构光图案中的一种或组合；处理器利用包含稀疏结构光图案的所述结构光图案以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；再利用包含密集结构光图案的所述结构光图案以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。
针对上述区别技术特征，权利要求1实际所要解决的技术问题在于：如何获取高精度及高帧率的深度图像。
对比文件2公开了一种具有改进图案密度的光学投影仪，包括具有置于其上的光学发射器阵列的半导体压模，发射器包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)。投影透镜146安装在垫层142上。扇出衍射光学元件(FO-DOE)144使用薄的垫层148安装在投影透镜146上面。投影透镜146收集并瞄准由压模120上的各个VCSEL发射的光。VCSEL和投影透镜的组合根据压模120上VCSEL的几何布局产生光点图案。光学发射器VCSEL与透镜结合产生具有一定间距或密度的光点图案。该间距受阵列中发射器之间的物理距离，以及投影透镜的焦距所限制。另一方面，增加透镜的焦距将增加投影仪的高度并减小它的景深。DOE144用作分束器，产生并投影由VCSEL阵列和透镜产生的图案的多个复本。多个复本彼此重叠，使得作为结果的分离光点的组合图案具有比由光学发射器阵列和透镜单独获得的密度更大的密度。多个复本相对于彼此有角度地偏移并且彼此重叠。图6的实施例中，VCSEL阵列被分成两个段，表示为A和B。控制电路可以仅驱动段A，仅驱动段B，或者驱动两个段。图6的右手边显示如对于图2所描述的，使用FODOE通过复制产生的作为结果的图案，显示分别对应于上述三种模式(表示为“A”，“B”和“A B”)的三个图案170A...170C。如图中可以看到的，点密度从一种模式到另一种模式而有所不同。因为VCSEL阵列的每个部分(A或B)的2-D图案配置具有不同的密度，图170A、170B、170C中所示的投影图案分别是稀疏的、中等的和密集的。由投影仪30投影的合成图案用于计算图案被投影于其上的景物或物体的3-D映像(“深度映像”)。深度可以从投影图案的捕捉图像来估计，通过在捕捉图像的每个点相对于已知的参考，测量图案的局部横向位移。每个点的深度坐标可以基于图案的局部横向位移由三角测量计算。
对比文件3公开了一种深度相机，如图7所示深度相机包括图像采集器70、处理器71及激光投影仪72。如图1所示，激光投影仪包括基底10、至少两个发光元件11与12、控制器13及衍射光学元件14。图像采集器70主要用于采集由激光投影仪72向目标空间中投射的激光图案，图像采集器70可为红外相机。处理器71采用图像匹配算法计算出该激光图案各像素点与参考图案中的对应各个像素点的偏离值，根据该偏离值进一步获得该激光图案的深度图像。至少两个发光元件11、12具有至少两种不同的发光面积，发光元件11、12为垂直腔面发射激光器，利用至少两种不同发光面积的发光元件11、12产生具有至少两种不同发光面积的激光图案，能够在满足输出功率及体积要求的同时，提高激光图案的不相关性。衍射光学元件14用于将至少两个发光元件11、12发出的激光扩束后向空间中发射激光图案。图3是图1实施例中发光元件分布示意图。衍射光学元件14发射的激光图案为散斑颗粒图案，由于该散斑颗粒图案是由具有至少两种不同发光面积的至少两个发光元件11、12发射的，因此，该散斑颗粒图案中至少具有两种不同尺寸大小的颗粒24、25。透镜15为微透镜阵列，微透镜阵列15中的多个微透镜151与至少两个发光元件11、12成一对一的对应关系或一对多的对应关系。透镜15也可以是单个透镜。透镜15位于发光元件11、12与衍射光学元件14之间，用于聚焦和/或准直由至少两个发光元件11、12发射出的激光，这样设置的好处是可以进一步增加发光元件的所发出光束的准直性，这种情形如图1所示。在另一种实施例中，透镜15位于发光元件11、12以及衍射光学元件14的外侧，用于聚焦和/或准直衍射光学元件14发射出的激光。
虽然对比文件2和3公开了衍射光学元件，但是对比文件2和3中相对于至少两组VCSEL子阵列仅仅设置了一个衍射光学元件，其中衍射光学元件以同样的倍数将至少两组VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案。对比文件2和3中并未公开衍射光学元件包括与至少两组VCSEL子阵列一一对应的至少两个衍射光学元件子单元，也并未公开至少两个衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案。由于本申请权利要求1采用了衍射光学元件的子单元与每组VCSEL子阵列一一对应排布的形式并且每个衍射光学元件子单元以不同的倍数将对应的VCSEL子阵列光束复制后向外发射结构光图案，因此形成的结构光图案的亮度和密度均是不同的。也就是说，本申请由于采用了包括与至少两组VCSEL子阵列一一对应的、倍数不同的至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件，因此能够形成亮度不同的稀疏结构光图案和密集结构光图案。虽然对比文件2中图170A、170B、170C中所示的投影图案分别是稀疏的、中等的和密集的，然而对比文件2中由于采用了单一倍数的一个衍射光学元件，因此对比文件2中稀疏的和密集的结构光图案的亮度是相同的。同理，对比文件3中的各个激光图案的亮度也是相同的。对比文件2中衍射光学元件所起的作用在于提高图案密度，对比文件3中衍射光学元件所起的作用在于将至少两个发光元件发出的激光扩束后向空间中发射激光图案，可见，对比文件2和3中对于衍射光学元件的设置和排布方式以及所起的作用与本申请是不同的。因此，对比文件2 和3并未给出设置包括与至少两组VCSEL子阵列一一对应的、倍数不同的至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件的技术启示。为了对上述亮度不同的稀疏结构和密集结构的结构光图案进行深度计算，从而获取高精度以及高帧率的深度图像，本申请权利要求1采用通过大小两重窗口先后进行粗略和精细两次匹配计算深度图像以提高计算精度并保证高帧率，即利用包含稀疏结构光图案的结构光图案以第一窗口进行匹配计算，得到粗略偏离值和/或粗略深度图像；再利用包含密集结构光图案的所述结构光图案以第二窗口进行匹配计算，得到精细偏离值和/或精细深度图像。对比文件2中通过从投影图案的捕捉图像的每个点相对于已知的参考来计算深度图像，对比文件3采用图像匹配算法计算出激光图案各像素点与参考图案中的对应各个像素点的偏离值，根据偏离值进一步获得激光图案的深度图像，可见，对比文件2和3中均是将散斑图案与参考散斑图案进行匹配计算以获取像素的偏离值从而计算深度图像，这种计算深度图像的方式与本申请权利要求1中深度图像计算方式不同。对比文件2和3中并未给出针对于亮度不同的稀疏结构和密集结构的结构光图案首先通过选择大窗口进行粗略匹配计算以提高计算速度、再选择小窗口进行精细匹配计算以保证计算精度从而获得高精度及高帧率的深度图像的技术启示。
综上所述，对比文件2、3均未公开上述区别技术特征，亦未给出应用上述区别技术特征以获得权利要求1请求保护的技术方案的技术启示，上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识。由于上述区别技术特征的引入，使得本申请的技术方案获得了获取高精度及高帧率的深度图像的有益效果。
因此，权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件1-3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2.2）权利要求2-12具备创造性。
权利要求2-12对权利要求1作出了直接或间接的进一步限定，由于权利要求1相对于对比文件1-3以及公知常识的结合具备创造性，因此权利要求2-12相对于对比文件1-3以及公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对前置审查意见的评述
原审查部门认为，对比文件1和对比文件3均涉及一种3D成像系统，并且均通过从结构化光图案中获取深度信息。对本领域技术人员来说，对比文件1中的“成像透镜”和对比文件3中的“DOE”在3D成像系统中的地位、作用均是相同的。本领域技术人员有动机采用对比文件3中的“DOE”代替对比文件1中的“成像透镜”以实现对阵列排布激光器投射形成结构化光图案的目的。同理，本领域技术人员有动机采用对比文件2中的“DOE”代替对比文件1中的“成像透镜”。
对此，合议组认为，对比文件1中的“成像透镜”和对比文件2和3中的“DOE”的功能和作用是完全不同的。对比文件1中的“成像透镜”用于将VCSEL 发射的激光束聚焦在图像空间中的束斑上，形成的束斑与发射光束相同。对比文件2和3中的衍射光学元件“DOE”用于将VCSEL阵列光源发出的光分束即进行倍数复制后向空间中发射形成散斑图案，形成的散斑图案的数目是发射光束数目的复制倍数。对比文件1中的“成像透镜”并不具有衍射光学元件“DOE”的分束即对光束进行倍数复制功能，如果发射光源的功率相同，经“成像透镜”形成的束斑的亮度大于经衍射光学元件“DOE”形成的散斑图案的亮度。因此，“成像透镜”和“DOE”的功能和作用是完全不同的，对比文件2和3并未给出使用衍射光学元件“DOE”代替对比文件1中的“成像透镜”以获得权利要求1请求保护的技术方案的技术启示。
原审查部门认为，对比文件3公开了提高激光图案的不相关性可以提高深度相机获取激光图案的深度图像的速度及精度。图案的不相关性通过图案的特征来体现，图案上斑点的亮度、密度、大小均属于图案的特征。本领域技术人员根据对比文件3的启示，通过调整亮度的不同提高图案的不相关性，在发光元件相同的情况下，通过改变不同发光元件对应的DOE对发光光束以不同倍数向外发射以提高图案的不相关性属于常规的设置。
对此，合议组认为，本申请要解决的技术问题为如何获取高精度及高帧率的深度图像，并非提高散斑图案的不相关性。对比文件3利用至少两种不同发光面积的发光元件产生具有至少两种不同发光面积的激光图案，从而提高激光图案的不相关性。对比文件3中针对至少两种发光元件使用了单一的衍射光学元件，因此对比文件3中形成的激光图案的亮度是相同的。对比文件3并未给出通过调整亮度的不同提高图案的不相关性的技术启示。本申请由于采用了包括与至少两组VCSEL子阵列一一对应的、倍数不同的至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件，因此能够形成亮度不同的稀疏结构光图案和密集结构光图案继而通过大小两重窗口先后进行粗略和精细两次匹配计算深度图像以提高计算精度并保证高帧率，而并非用于提高散斑图案的不相关性。对比文件3中对于衍射光学元件的设置和排布方式以及所起的作用与本申请是不同的。对比文件3并未给出设置包括与至少两组VCSEL子阵列一一对应的、倍数不同的至少两个衍射光学元件子单元的衍射光源元件的技术启示。
基于上述理由，合议组做出如下复审决定。
至于本申请是否还存在其他缺陷，均留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年03月01日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审决定所依据的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本复审决定之日起三个月内可以向北京知识产权法院起诉。
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