发明创造名称：薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
外观设计名称：
决定号：200477
决定日：2020-01-13
委内编号：1F280534
优先权日：
申请（专利）号：201510471390.5
申请日：2015-08-04
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘利芳
合议组组长：孙学锋
参审员：潘光虎
国际分类号：H01L29/786,H01L21/336,H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于对比文件的区别特征为本领域技术人员的常规选择，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510471390.5，名称为“薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司、北京京东方光电科技有限公司。本申请的申请日为2015年08月04日，公开日为2015年12月16日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年01月11日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：2018年09月13日提交的权利要求1-12项；申请日提交的说明书第1-86段、说明书附图、说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤，其中，所述源极和所述漏极分设在所述有源层的两侧，所述源极和所述漏极之间具有间隔以界定沟道区，所述形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤包括：
形成有源层薄膜；
在所述有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度，所述第一厚度光刻胶对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域；
以所述第一光刻胶图案为掩模对所述有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；
将所述第一光刻胶图案进行灰化，以去除所述第二厚度光刻胶并减薄所述第一厚度光刻胶，形成对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案；
在所述有源层和所述第二光刻胶图案之上形成源漏电极薄膜；
在所述源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案，其中，所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度；
以所述第三光刻胶图案为掩模对所述源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出所述第二光刻胶图案；以及
利用一次剥离工艺将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离；
其中，所述源极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述源极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，所述漏极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述漏极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述形成第一光刻胶图案包括：
在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜，采用多色调掩模板对所述光刻胶 薄膜进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，
其中，所述光刻胶完全保留区域对应有源层薄膜中待形成有源层沟道区的区域，所述光刻胶半保留区域对应待形成有源层中除了沟道区之外的其余区域。
3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述多色调掩模板包括半色调掩模板和灰色调掩模板。
4. 根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述有源层材质包括氧化物半导体。
5. 根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括形成栅极绝缘层的步骤，其中，所述栅极绝缘层位于所述栅极之上，所述栅极和所述栅极绝缘层在形成所述有源层薄膜之前形成。
6. 一种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。
7. 根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，还包括形成栅线和数据线的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极，其中，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，还包括形成像素电极的步骤，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
9. 根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，还包括形成公共电极的步骤。
10. 一种阵列基板，采用权利要求6-9任一项所述的方法制成。
11. 一种显示装置，包括权利要求10所述的阵列基板。
12. 根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置包括液晶显示装置和有机电致发光二极管显示装置。”
驳回决定中引用了一篇对比文件，即：对比文件1：CN104319278A，公开日为2015年01月28日。驳回决定指出：独立权利要求1、6、10相对于对比文件1和本领域常规选择的结合不具备创造性，独立权利要求11相对于对比文件1、公知常识和本领域常规选择的结合不具备创造性；从属权利要求2-5、7-9、12的附加技术特征被对比文件1、公知常识或二者的结合公开。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年04月24日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：权利要求1相对于对比文件1存在区别特征：（1）所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度；（2）利用一次剥离工艺将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离；（3）所述源极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述源极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，所述漏极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述漏极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸。本领域技术人员在对比文件1的基础上不能得到上述区别特征，因此权利要求1具备创造性，其他权利要求均具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，上述区别特征（1）-（3）为本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1中的特征“其中，所述源极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述源极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，所述漏极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述漏极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸”为增加的特征，其并不能从原说明书和权利要求书记载的内容直接地、毫无疑义地确定，因此，权利要求1的修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。（2）即使复审请求人将权利要求1中上述增加的特征删除以克服修改超范围的缺陷，修改后的权利要求1-12仍将不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年09月18日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的替换页（共包括12项权利要求），删除了权利要求1中的特征“其中，所述源极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述源极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，所述漏极靠近所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述漏极远离所述沟道区的一侧在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸”。复审请求人新提交的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤，其中，所述源极和所述漏极分设在所述有源层的两侧，所述源极和所述漏极之间具有间隔以界定沟道区，所述形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤包括：
形成有源层薄膜；
在所述有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度，所述第一厚度光刻胶对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域；
以所述第一光刻胶图案为掩模对所述有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；
将所述第一光刻胶图案进行灰化，以去除所述第二厚度光刻胶并减薄所述第一厚度光刻胶，形成对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案；
在所述有源层和所述第二光刻胶图案之上形成源漏电极薄膜；
在所述源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案，其中，所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度；
以所述第三光刻胶图案为掩模对所述源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出所述第二光刻胶图案；以及
利用一次剥离工艺将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述形成第一光刻胶图案包括：
在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜，采用多色调掩模板对所述光刻胶薄膜进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，
其中，所述光刻胶完全保留区域对应有源层薄膜中待形成有源层沟道区的区域，所述光刻胶半保留区域对应待形成有源层中除了沟道区之外的其余区域。
3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述多色调掩模板包括半色调掩模板和灰色调掩模板。
4. 根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述有源层材质包括氧化物半导体。
5. 根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括形成栅极绝缘层的步骤，其中，所述栅极绝缘层位于所述栅极之上，所述栅极和所述栅极绝缘层在形成所述有源层薄膜之前形成。
6. 一种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。
7. 根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，还包括形成栅线和数据线的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极，其中，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，还包括形成像素电极的步骤，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
9. 根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，还包括形成公共电极的步骤。
10. 一种阵列基板，采用权利要求6-9任一项所述的方法制成。
11. 一种显示装置，包括权利要求10所述的阵列基板。
12. 根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置包括液晶显示装置和有机电致发光二极管显示装置。”
复审请求人认为修改后的权利要求1-12具备创造性，并陈述了具体理由。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本
复审请求人在2019年09月18日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文替换页（共包括12项权利要求），经审查，该修改符合专利法第33条、专利法实施细则第61条第1款的相关规定，予以接受。因此，本决定针对的文本为：2019年09月18日提交的权利要求1-12项；申请日提交的说明书第1-86段、说明书附图、说明书摘要及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于对比文件的区别特征为本领域技术人员的常规选择，则该权利要求不具备创造性。
本决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN104319278A，公开日为2015年01月28日。
2.1、权利要求1请求保护一种薄膜晶体管的制备方法。对比文件1（说明书第37段到第90段、附图2-3h）公开了一种薄膜晶体管的制造方法，包括在衬底基板12上形成薄膜晶体管的有源层15a、源极17a和漏极17b的步骤，其中，所述源极17a和所述漏极17b分设在所述有源层15a的两侧，所述源极17a和所述漏极17b之间具有间隔以界定沟道区。所述形成薄膜晶体管的有源层15a、源极17a和漏极17b的步骤包括：
形成半导体层15（相当于有源层薄膜），如图3a中所示；
在半导体层15上形成一层光刻胶，使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行光刻（相当于形成第一光刻胶图案，其覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域），之后进行刻蚀，形成包括有源层15a的图形，并且保留位于所述有源层15a上方的光刻胶324（相当于第一光刻胶图案），如图3b中所示；由附图3b及相关记载可知：所述光刻胶324包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度，所述第一厚度光刻胶对应有源层15a中待形成沟道区的区域，且形成有源层15a时是以光刻胶324为掩膜对所述半导体层15进行刻蚀而得到；
对位于有源层15a上方的光刻胶324进行灰化，以保留并减薄位于所述有源层的沟道区域正上方的光刻胶（相当于去除所述第二厚度光刻胶并减薄所述第一厚度光刻胶），得到光刻胶保护层325（相当于对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案），如图3c中所示；
在所述有源层15a和所述光刻胶保护层325之上形成源漏金属层17（相当于源漏电极薄膜），通过光刻胶327（相当于第三光刻胶图案）对其进行构图工艺，所述构图工艺包括湿法刻蚀、干法刻蚀、或者湿法干法相结合的刻蚀工艺（相当于以所述第三光刻胶图案为掩膜对所述源漏电极薄膜进行刻蚀），形成源极17a和漏极17b（必然会露出光刻胶保护层325），如图3d中所示；
剥离有源层15a的沟道区域正上方的光刻胶保护层325和覆盖在光刻胶保护层325上方的金属，露出所述沟道区域，如图3e中所示；由图3e可知，光刻胶327也被剥离。
权利要求1与对比文件1相比，存在区别特征：（1）所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度；（2）利用一次剥离工艺将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是：使第二光刻胶图案能有效保护有源层免受源漏刻蚀液的影响、简化制造工艺。
对于区别特征（1）：对比文件1中，光刻胶保护层325的设置是为了在后续刻蚀源漏极图案时保护其下的有源层15a使其免受刻蚀液的影响，而光刻胶327覆盖源漏金属层17待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏金属层17待形成漏极处的光刻胶之间的空档就是刻蚀窗口（参见附图3d）；基于此，为了有效保护有源层15a免受刻蚀液的影响，使得光刻胶保护层325的宽度大于或等于该刻蚀窗口的宽度，这是本领域技术人员的常规选择；当选择“等于”时，即得到了区别特征（1），该选择属于本领域技术人员的常规选择，也并不能带来预料不到的技术效果。因此，将区别特征（1）结合到对比文件1中以解决其技术问题对于本领域技术人员来说是显而易见的。
对于区别特征（2），在对比文件1中，经过源漏极蚀刻（参见附图3d、3e），光刻胶保护层325和光刻胶327都已被暴露，在需要对二者去除时，为了简化制造工艺，将该二者采用一次剥离工艺剥离，这是本领域技术人员的常规选择。因此，将区别特征（2）结合到对比文件1中以解决其技术问题对于本领域技术人员来说是显而易见的。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域技术人员的常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2对权利要求1作了进一步限定。对比文件1中公开了（参见说明书第68段到第90段、附图3a-3h）形成光刻胶324（相当于第一光刻胶图案）包括：在半导体层15（相当于有源层薄膜）上形成一层光刻胶，使用半色调掩膜板（为多色调掩膜板的一种）对所述光刻胶进行光刻（相当于进行曝光和显影），之后进行刻蚀，形成包括有源层15a的图形，并且保留位于所述有源层15a上方的光刻胶324，如图3b中所示。由附图3b及相关记载可知：所述光刻胶324包括对应有源层15a中待形成沟道区的区域的较厚区域（相当于光刻胶完全保留区域）和对应待形成沟道区之外其余区域的较薄区域（相当于光刻胶半保留区域）。
因此，权利要求2的附加技术特征已经被对比文件1公开，在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求3对权利要求2作了进一步限定。对比文件1公开了“半色调掩膜板”（参见说明书第76段、附图3b）：使用半色调掩膜板对所述光刻胶进行光刻。此外，在对比文件1的该种需求下，使用灰色调掩模板对光刻胶进行所需光刻，也是本领域惯用的技术手段。因此，在其引用的权利要求2不具备创造性的情况下，权利要求3要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求4对权利要求1-3作了进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1所公开（参见说明书第78段）：有源层15a是金属氧化物半导体，如IGZO、ITZO、IZO、TZO 及性质类似的其它金属氧化物半导体。因此，在其引用的权利要求1-3不具备创造性的情况下，权利要求4要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求5对权利要求1-3作了进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1所公开（参见说明书第68-75段、附图3a）：制作方法如下步骤：形成包括栅极13a的图形，在栅极13a上形成栅极绝缘层14，在栅极绝缘层14上形成半导体层15（相当于有源层薄膜）。因此，在其引用的权利要求1-3不具备创造性的情况下，权利要求5要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求6请求保护一种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。其中“权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管的制备方法”相对于对比文件1和本领域技术人员的常规选择不具备创造性，具体参见前述评述。并且对比文件1中也公开了基于其薄膜晶体管的制备方法来制备阵列基板（参见说明书第68-90段）：以下通过一个具体的实施例来详细描述本发明所提供的阵列基板的制作方法…。因此，在对比文件1的基础上结合本领域技术人员的常规选择得到权利要求6的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求6要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求7对权利要求6作了进一步限定。对比文件1已公开了（参见说明书第37段、附图2）：所述薄膜晶体管包括栅极13a。而在显示领域制备薄膜晶体管阵列基板时，还包括形成栅线和数据线的步骤，栅线与薄膜晶体管的栅极电连接，数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接，这些都是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求6不具备创造性的情况下，权利要求7要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求8对权利要求7作了进一步限定。对比文件1中公开了（参见说明书第89段、附图3h）：在钝化层18上形成像素电极层，并进行构图工艺形成包括像素电极20a的图形。而且像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接是本领域的惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求7不具备创造性的情况下，权利要求8要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9、权利要求9对权利要求8作了进一步限定。而在显示领域制备薄膜晶体管阵列基板时还包括形成公共电极的步骤，这是本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求8不具备创造性的情况下，权利要求9要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、权利要求10请求保护一种阵列基板，采用权利要求6-9任一项所述的方法制成。如前所述，权利要求6-9任一项所述的方法均不具备创造性，因此引用其的权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求11请求保护一种显示装置，包括权利要求10所述的阵列基板。如前所述，权利要求10所述的阵列基板不具备创造性。并且对比文件1中也公开了将其阵列基板用于显示面板（参见说明书第8段）：还提供一种显示面板（相当于显示装置），包括本发明所提供的上述阵列基板。因此，在权利要求10不具备创造性的情况下，引用其的权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12、权利要求12对权利要求11作了进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1公开（参见说明书第2段）：薄膜晶体管TFT具有超薄、重量轻、耗电低等优点，不仅可以用于液晶显示面板的制造，而且为制作色彩更艳丽、影像更清晰地新一代有机发光显示面板OLED提供了可能。因此，在其引用的权利要求11不具备创造性的情况下，权利要求12要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见陈述
复审请求人认为：（1）权利要求1中限定第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度，该“等于”的设置跳出常规设计，使得工艺简化，带来了预料不到的技术效果：既可保护有源层，又可利于后续的一次剥离工艺将第二光刻胶图案和第三光刻胶图案剥离。（2）对比文件1中没有提及可将光刻胶保护层325和光刻胶327采用一次剥离工艺进行剥离，也没有给出相应启示；且对比文件1悬空边缘326之下的光刻胶保护层325和其之上的光刻胶327在一次剥离工艺中不一定能够完全剥离。
对此，合议组认为：（1）对比文件1中光刻胶保护层325的设置是为了在后续刻蚀源漏极图案时保护其下的有源层15a使其免受刻蚀液的影响，显然光刻胶保护层325的宽度应不小于刻蚀窗口的宽度；而在“大于”和“等于”仅两种方案中二选一，这是本领域技术人员可根据实际情况和需求进行选择的，并不需付出创造性的劳动，也并不能带来预料不到的技术效果。（2）光刻胶的剥离具有成熟的工艺，具体采用的剥离步骤、工艺参数等也是本领域技术人员可根据实际情况和需求进行选择的，在对比文件1的技术方案中，经过源漏极蚀刻（参见附图3d、3e），光刻胶保护层325和光刻胶327都已被暴露，将都已暴露、且都需去除的光刻胶保护层325和光刻胶327采用一次剥离工艺剥离，该选择并不需付出创造性的劳动。请求人质疑对比文件1中悬空边缘326之下的光刻胶保护层325和其之上的光刻胶327在一次剥离工艺中不一定能够完全剥离，该质疑没有任何依据，合议组不予接受。（3）本申请的发明点在于利用具有不同厚度的第一光刻胶图案，先用作掩模刻蚀有源层，再灰化、减薄后用作刻蚀阻挡层，从而节省掩模工艺、简化制程，该发明点已经被对比文件1公开；上述的“等于”方案的选择以及“利用一次剥离工艺”并不具有创造性高度。
基于以上理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月11日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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