发明创造名称：LED芯片及制造方法
外观设计名称：
决定号：200837
决定日：2020-01-10
委内编号：1F289070
优先权日：
申请（专利）号：201610290504.0
申请日：2010-03-21
复审请求人：秦彪
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘佳秋
合议组组长：柴春英
参审员：徐健
国际分类号：H01L33/48;H01L33/64
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，部分区别技术特征被其他对比文件公开，并且该对比文件给出了结合的技术启示；同时其余的区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201610290504.0，名称为“LED芯片及制造方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请为分案申请，其原案的申请号为2010101592624。本申请的申请人为秦彪，申请日为2010年03月21日，分案提交日为2016年04月26日，公开日为2016年08月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年04月10日以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由发出驳回决定，驳回了本申请，其主要理由是：权利要求1的技术方案（1）与对比文件1（CN101614333A，公开日为2009年12月30日）的区别技术特征是：1）晶片定位片的设置；热扩散片的面积。权利要求1的技术方案（2）与对比文件1的区别技术特征除1）外，还包含：2）热扩散片的A面上直接设置有低压绝缘层，晶片直接贴在该低压绝缘层上，以及低压绝缘层的形成方式和厚度。基于上述区别技术特征，本申请实际所要解决的技术问题是提供芯片定位以及提高散热性能以及绝缘特性。部分区别技术特征1）被对比文件2（CN201310832Y，公告日为2009年09月16日）公开，其所起的作用也是提供LED定位；部分区别技术特征2）被对比文件3（CN1893122A，公开日为2007年01月10日）公开，并都是用于提高绝缘传热性能，其他区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1的技术方案（1）相对于对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识的结合不具备创造性，权利要求1的技术方案（2）相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-9的附加技术特征或被对比文件1公开或为公知常识，因此在它们引用的权利要求不具备创造性的情况下，这些从属权利要求也不具备创造性。权利要求10与对比文件1的区别技术特征是：晶片定位板和定位孔的设置；以及具体的制造工序。对比文件2公开了部分区别技术特征，其所起的作用也是提供芯片定位，其他区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求10相对于对比文件1、对比文件2以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：分案申请提交日2016年04月26日提交的权利要求第1-10项、说明书第1-64段、说明书附图图1-24、说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种LED芯片，包括有晶片(1)、晶片定位片(28)和热扩散片(2)，其特征在于：
晶片定位片(28)采用绝缘片材制成，并开有晶片定位嵌口，晶片(1)镶嵌在晶片定位片(28)上的晶片定位嵌口中；
热扩散片(2)是一种包括有以下三种特征的金属片，
(1)热扩散片(2)基本材料为铜或铝，或铜铝复合材料，
(2)热扩散片(2)的面积大于5倍的晶片面积，
(3)热扩散片(2)包括有A面和B面，晶片(1)直接贴在该A面，或
该A面上直接设置有低压绝缘层(8)，晶片(1)直接贴在该低压绝缘层(8)上，该低压绝缘层(8)是采用了通过气相沉积生成的陶瓷绝缘膜，或通过阳极氧化直接从热扩散片(2)上的金属铝表面生长出的氧化铝膜，该氧化铝膜的厚度小于50μm。
2. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：热扩散片(2)的B面直接贴有高压绝缘层(4)，高压绝缘层(4)的厚度大于0.1mm。
3. 根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：热扩散片(2)面积不小于10倍的晶片面积。
4. 根据权利要求1，或2，或3所述的LED芯片，其特征在于：热扩散片(2)厚度不小于0.5mm。
5. 根据权利要求1，或2，或3所述的LED芯片，其特征在于：晶片(1)的pn结电极为V型电极，LED芯片采用倒装结构；晶片(1)设置有导热焊盘(16)，焊贴在热扩散片(2)的A面；晶片上的n结电极(22)和p结电极(20)，或晶片上的n结电极(22)和部分p结电极(20)，被一层通过气相沉积生成的陶瓷绝缘膜(21)覆盖，导热焊盘(16)在该陶瓷绝缘膜(21)的外侧。
6. 根据权利要求1，或2，或3所述的LED芯片，其特征在于：在晶片定位片(28)外表面设有反光膜。
7. 根据权利要求1，或2，或3所述的LED芯片，其特征在于：在晶片定位片(28)上设置有电极引线，该电极引线上的焊盘靠近晶片上的电极焊盘，两焊盘通过导线或焊料直接焊接连通。
8. 根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：晶片上的n极焊盘和p极焊盘分别设在四个角上，并且成对角分布。
9. 根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：晶片(1)的角有被切，在晶片(1)的缺角的侧壁上设置有电极焊盘，晶片定位片(28)上电极引线焊盘靠近晶片(1)的缺角上的电极焊盘，两焊盘通过焊料直接焊接连通。
10. 一种LED芯片封装制造方法，该LED芯片包括有晶片(1)和热扩散片(2)，其特征在于：采用了晶片定位板(25)，在晶片定位板(25)上开有数多晶片定位嵌口，和不少于两个的定位孔(26)；在热扩散片板(27)上开有相对应的定位孔(26)，以及设置有与晶片相应的焊盘；
晶片(1)先镶嵌固定在晶片定位板(25)中的晶片定位嵌口内，再通过定位孔(26)定位，一起贴在热扩散片板(27)上，再一起加热，进行晶片与热扩散片的焊接工序；
或晶片定位板(25)，通过定位孔(26)定位，先贴在热扩散片板(27)上，再将晶片(1)嵌入晶片定位嵌口中，再一起加热，进行晶片与热扩散片的焊接工序。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年06月17日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：审查员对本领域技术人员的解释是错误的。导热传热温差与热流密度成正比，即热流密度越高，导热传热温差也就高，该基本的传热学知识在本申请技术领域内不是公知的。本申请提出热扩散片厚度不小于0.5mm，是申请人运用《传热学》中的知识计算，再加长期的传热技术的经验得到的。这些技能超出了本领域技术人员的知识和技能。降低芯片的热流密度，只有晶片直接贴在其A面或A面规定的低压绝缘层上，才能起到有效降低芯片的热流密度功能，热扩散作用。对比文件1中的金属层(6)需要采用光刻或湿法蚀刻工艺加工，因而其厚度要很薄，不会达到0.1mm的厚度，一般是50微米以下。因而金属层(6)不可相当于本申请中的热扩散片。关于对比文件1中记载有导热绝缘层耐压值1500V/min，记载错误。对比文件1中的导热绝缘层(30～31)厚度太薄(最多为0.02mm)，不可能相当于本申请中的高压绝缘层(4)。对比文件2中的LED抵压定位片20是不能相当于本申请中的晶片定位片28的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年07月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了LED芯片中的绝缘层的绝缘强度可以达到1500V以上，说明书中多次提到的耐高压特性，对比文件1所解决的技术问题是在保证耐高压性能的前提下提高导热性能，金属层6具有热扩散性能，因此可相当于热扩散片，对比文件1公开了LED晶片，对比文件2公开了LED定位片和嵌口，结合说明书附图3可以看出抵压定位片20的定位作用，具体应用中本领域技术人员容易想到将对比文件2中的晶片定位技术应用于对比文件1中晶片定位中的技术启示；关于晶片侧面的定位片选择为绝缘材料、热扩散片面积越大散热效果越好、以及气相沉积形成绝缘膜的方式在本领域中均应用广泛，属于本领域的常规技术，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年09 月11 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人在提出复审请求时的意见，合议组认为：LED的散热问题一直是LED领域的努力解决的问题，本领域技术人员具有需要解决该问题所用到的热学知识，正如请求人所述，导热传热温差与热流密度成正比，即热流密度越高，导热传热温差也就高，属于基本的传热学知识，因此它们属于本领域技术人员所知晓的。对比文件1公开了 LED晶片1直接贴在铜或铝的金属层6上表面，由于铜或铝具有热扩散性能，并且位于LED晶片下，利于其散热，相当于本申请的热扩散片，而对于热扩散片的面积越大越利于散热，足够厚以利于热流得到有效扩散，由此降低热流密度的相关传热学知识属于本领域人员所知晓的，属于公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要对上述厚度和面积进行选择，而对比文件1出于LED器件的小型化的考虑，金属层的厚度和面积未如本申请所限定。对比文件1（参见说明书第6页第2段-第7页第4段）明确公开了LED芯片中的绝缘层的绝缘强度可以达到1500V以上，虽然记载了10μm的导热绝缘层，但说明书明确记载了满足耐高压的情况下导热绝缘层厚度可以精确控制，结合背景技术中“导热绝缘层能耐高压（＞1500V/min）被广泛应用于LED领域”，以及说明书中多次提到的耐高压特性，无法得出对比文件1记载的内容是错误的结论；采用该方式使得LED芯片对外的绝缘强度达到上千伏，以满足用电安全规范要求，该技术理念和方向并非本案首次提出。LED晶片下表面设置高压绝缘层已被对比文件1公开（参见说明书第9页第3段），且其还公开了绝缘层的耐压值大于1500V/min，也可增加为3500V/min（参见说明书第6页第2段），并且还公开了高压绝缘层的厚度越大，其耐压值也就越大（参见说明书第6页第13-15行），对比文件1说明书第4页第16行至第23行记载：导热绝缘层的厚度可以精确控制，在满足耐高压的情况下，可尽量减少所述导热绝缘层的厚度，本发明的导热绝缘层的厚度可在10μm之内，仅为传统单层线路板的制造方法形成的导热绝缘层厚度的几分之一，甚至几十分之一，同时集成电路工艺中采用的导热绝缘层的材料二氧化硅及氮化硅的导热系数高，使得本发明导热绝缘层的导热性能优异，整体平均导热系数是传统铝基板的导热系数的80～100倍，导热性大大提高，因此能够减少散热基板的尺寸，有利于光源的小型化；也就是说对比文件1出于小型化的考虑，减少了高压绝缘层的厚度，但并未减少高压绝缘层导热性能。对于高压绝缘层的厚度，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，这并不需要付出创造性劳动，并且也没有带来预料不到的技术效果。对比文件2公开了LED定位片和嵌口，结合说明书附图3可以看出抵压定位片20的定位作用，即提供了一种采用抵压定位片和嵌口的LED镶嵌方式，并给出了将该LED镶嵌方式运用于对比文件1的晶片封装中的技术启示。
复审请求人于2019 年10 月10 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：问题的发现和解决问题的指导思想使本申请具有创造性。合议组错误的认为本领域技术人员应该具有解决一直努力解决问题所需要的热学知识。热扩散、降低热流密度以及热扩散片是本申请首次提出。导热传热温差与热流密度成正比，该基本的传热学知识在本申请技术领域内不是公知的。对比文件1没有阐述要解决的技术问题。本申请提出热扩散片厚度不小于0.5mm，是复审请求人运用《传热学》中的知识计算，再加长期的传热技术的经验得到的。这些技能超出了本领域技术人员的知识和技能。降低芯片的热流密度，只有晶片直接贴在其A面或A面规定的低压绝缘层上，才能起到有效降低芯片的热流密度功能，热扩散作用。对比文件1中的金属层(6)需要采用光刻或湿法蚀刻工艺加工，因而其厚度要很薄，不会达到0.1mm的厚度，一般是50微米以下。因而金属层(6)不可相当于本申请中的热扩散片。关于对比文件1中记载有导热绝缘层耐压值1500V/min，记载错误。对比文件1中的导热绝缘层(30～31)厚度太薄(最多为0.02mm)，不可能相当于本申请中的高压绝缘层(4)。只有设置有高压绝缘层时，热扩散作用才有起到降低导热温差的效果。对比文件2中的LED是封装好的LED芯片，不是本申请的晶片。抵压定位片20是不能相当于本申请中的晶片定位片28的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人未提交修改文件。因此，本复审请求审查决定针对的文本是：分案申请提交日2016年04月26日提交的权利要求第1-10项、说明书第1-64段、说明书附图图1-24、说明书摘要和摘要附图。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，部分区别技术特征被其他对比文件公开，并且该对比文件给出了结合的技术启示；同时其余的区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
在本复审请求审查决定中引用驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件1-3作为现有技术，即：
对比文件1：CN101614333A，公开日为2009年12月30日；
对比文件2：CN201310832Y，公告日为2009年09月16日；
对比文件3：CN1893122A，公开日为2007年01月10日。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种LED芯片，包含分别涉及如下技术特征的两个并列的技术方案：（1）：晶片直接贴在A面；（2）A面上直接设置有低压绝缘层，晶片直接贴在该低压绝缘层上。
对比文件1公开了一种LED芯片，并具体公开了（参见说明书第6页第3行-第10页第3行，附图3）包括有：LED晶片1、金属层6（相当于热扩散片)，该金属层6的基本材料可以为铜或铝；金属层6包括有上表面（相当于A面）和下表面（相当于B面），LED晶片1直接贴在该上表面。
技术方案（1）与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：1）晶片定位片的设置；热扩散片的面积。
技术方案（2）与对比文件1的区别技术特征除1）外，还包含：2）热扩散片的A面上直接设置有低压绝缘层，晶片直接贴在该低压绝缘层上，以及低压绝缘层的形成方式和厚度。
基于上述区别技术特征，本申请实际所要解决的技术问题是提供芯片定位、提高散热性能以及绝缘特性。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种LED芯片（参见说明书第2-3页、附图1-2），其中公开了：LED定位片20开有LED定位嵌口，LED镶嵌在LED定位片上的LED定位嵌口中。其所起的作用与其在本申请中的相同，即提供LED定位，因此其给出了将该LED镶嵌方式运用于对比文件1的晶片封装中的技术启示。此外，采用绝缘材料的晶片定位片定位晶片的方式是本领域的常规选择，关于热扩散片的面积的选择是本领域技术人员基于基本的传热学常识根据实际需要作出的选择，上述选择无需付出创造性劳动，也并没有带来预料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识以获得该技术案（1），对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求的技术方案（1）不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种LED封装结构，并具体公开了（参见说明书第5页第13-22行，第6页第27行-第7页第6行、附图3a）：LED芯片25贴设在氧化铝陶瓷薄膜24上，该氧化铝陶瓷薄膜24通过阳极氧化直接从散热的铝基板表面上生长出氧化铝膜24，该氧化铝膜24厚度大于10微米（与小于50μm的范围交叉）。上述技术特征在对比文件3中起到的作用与其在本申请相同，都是提高绝缘传热性能，因此对比文件3给出了将上述技术特征运用到对比文件1中的启示。另外，采用气相沉积生成陶瓷绝缘膜为本领域的惯用技术手段，属于公知常识。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2、对比文件3以及本领域的公知常识以获得权利要求1的技术方案（2），对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求的技术方案（2）不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于从属权利要求2，对比文件1进一步公开了（参见说明书第10页第13-15行）：该下表面直接贴有由二氧化硅层30及氮化硅层31共同构成的高压绝缘层，高压绝缘层的一面直接贴在金属层6的下表面，高压绝缘层的厚度越大，其耐压值也就越大（参见说明书第6页第13-15行）。在此基础上，为提高耐压值具体设置该高压绝缘层的厚度大于0.1mm并不需要本领域技术人员付出创造性的劳动；并且该数值范围也并没有带来预料不到的技术效果，因而在该权利要求所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2也不具备创造性。
3、权利要求3-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于从属权利要求3-4，其附加技术特征是本领域的常规选择,该选择并没有带来预料不到的技术效果；对于从属权利要求5，对比文件1（参见说明书第8页倒数第2段、附图3）公开了：LED采用倒装结构，晶片上具有pn结电极。而V型电极结构和导热焊盘的设置均是本领域的常规选择，导热焊盘与陶瓷绝缘膜的覆盖方式是本领域技术人员在实际设计中考虑到绝缘和导热的需要所容易想到的方式，均无需付出创造性劳动；对于从属权利要求6，其附加技术特征对定位片外表面设置反光膜的限定是本领域技术人员为了提高出光效果的常规选择,该选择并没有带来预料不到的技术效果；对于从属权利要求7，定位片上设置电极引线，通过焊盘与电极焊盘焊接的方式是本领域技术人员容易想到的引线封装方式；对于从属权利要求8-9，焊盘对角分布方式，以及晶片缺角侧壁设置焊盘来与电极引线焊盘焊接连通的方式均属于本领域技术人员在实际设计中所容易做出选择的，属于本领域的常规选择,该选择并没有带来预料不到的技术效果。因此上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求10请求保护一种LED芯片封装制造方法，对比文件1公开了一种LED芯片封装制造方法，并具体公开了（参见说明书第6页第3行-第10页第3行，附图3）包括有：该LED芯片包括晶片1、金属层6（相当于热扩散片)，金属层6上设有5个LED晶片1，LED晶片1直接贴在金属层的上表面上。
该权利要求与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：晶片定位板和定位孔的设置；以及具体的制造工序。对比文件2（参见说明书第2-3页、附图1-2）公开了一种LED芯片，其中公开了LED定位片20开有数多个LED定位嵌口，和三个定位孔，LED镶嵌在LED定位片上的LED定位嵌口中。其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中的相同，即提供芯片定位，因此对比文件2给出了将LED定位片结构运用于对比文件1中的技术启示；而对于其他技术特征，关于在热扩散片上设置相应定位孔，以及设置于晶片相对应焊盘的方式是本领域技术人员在实际设计中的常规选择，而具体地先将晶片嵌入嵌口然后通过定位孔定位贴装，再加热焊接的工序，还是先通过定位孔定位然后贴装，再将晶片嵌入嵌口后加热焊接的方式均是本领域的常规制作工序，均无需付出创造性劳动，也没有带来预料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点和显著地进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：问题的发现和解决问题的指导思想使本申请具有创造性。合议组错误的认为本领域技术人员应该具有解决一直努力解决问题所需要的热学知识。热扩散、降低热流密度以及热扩散片是本申请首次提出。导热传热温差与热流密度成正比，该基本的传热学知识在本申请技术领域内不是公知的。对比文件1没有阐述要解决的技术问题。本申请提出热扩散片厚度不小于0.5mm，是复审请求人运用《传热学》中的知识计算，再加长期的传热技术的经验得到的。这些技能超出了本领域技术人员的知识和技能。降低芯片的热流密度，只有晶片直接贴在其A面或A面规定的低压绝缘层上，才能起到有效降低芯片的热流密度功能，热扩散作用。对比文件1中的金属层(6)需要采用光刻或湿法蚀刻工艺加工，因而其厚度要很薄，不会达到0.1mm的厚度，一般是50微米以下。因而金属层(6)不可相当于本申请中的热扩散片。关于对比文件1中记载有导热绝缘层耐压值1500V/min，记载错误。对比文件1中的导热绝缘层(30～31)厚度太薄(最多为0.02mm)，不可能相当于本申请中的高压绝缘层(4)。只有设置有高压绝缘层时，热扩散作用才有起到降低导热温差的效果。对比文件2中的LED是封装好的LED芯片，不是本申请的晶片。抵压定位片20是不能相当于本申请中的晶片定位片28的。
对此，合议组认为：本申请保护的技术方案以权利要求具体限定的技术方案为准。判断技术方案是否具有创造性，首先确定最接近的现有技术，然后分析要求保护的发明与最接近的现有技术相比有哪些区别特征，然后根据该区别特征所能达到的技术效果确定发明实际解决的技术问题。在本申请审查过程中，由于合议组所认定的最接近的现有技术不同于请求人在说明书中所描述的现有技术，因此，基于最接近的现有技术重新确定的本申请实际解决的技术问题是：提供芯片定位以及提高散热性能以及绝缘特性。该问题属于现有技术中的常见问题，该问题的发现和解决并没有使本申请具有创造性。
判断技术方案是否具有创造性需依据专利法及其细则以及审查指南的相关规定对专利申请进行审查，审查指南（第二部分第四章2.4）指出发明是否具备创造性，应当基于所属技术领域的技术人员的知识和能力进行评价。所属技术领域的技术人员，也可称为本领域的技术人员，是指一种假设的“人”，假定他知晓申请日或者优先权日之前发明所属技术领域所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，但他不具备创造能力。如果所要解决的技术问题能够促使本领域的技术人员在其他技术领域寻找技术手段，他也应具有从该其他技术领域中获知该申请日或优先权日之前的相关现有技术、普通技术和常规实验手段的能力。
LED领域包括发光、散热等重要的技术问题，在LED制造过程中不可避免的用到光学及热学相关知识，也就是本领域技术人员除了具有半导体领域知识外还具有光学以及热学相关领域知识以及从相关领域获知现有技术、普通技术和常规实验手段的能力。正如请求人所述，导热传热温差与热流密度成正比，即热流密度越高，导热传热温差也就高，属于基本的传热学知识，因此它们属于本领域技术人员所知晓的。热扩散片的宏观作用在于散发热量，设置散热片散热是本领域常用的方式，并非本申请首次提出。
确定对比文件1解决的技术问题，只要本领域的技术人员从该申请说明书中所记载的内容能够得知该技术效果即可。对比文件1公开了 LED晶片1直接贴在铜或铝的金属层6上表面，由于铜或铝具有热扩散性能，并且位于LED晶片下，利于其散热，相当于本申请的热扩散片，LED芯片中的绝缘层的绝缘强度可以达到1500V以上，即提高了散热和绝缘特性，与本申请解决的技术问题相同。而对于热扩散片的面积越大越利于散热，足够厚以利于热流得到有效扩散，由此降低热流密度的相关传热学知识属于本领域人员所知晓的，属于公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要对上述厚度和面积进行选择，而对比文件1出于LED器件的小型化的考虑，金属层的厚度和面积未如本申请所限定。
对比文件1（参见说明书第6页第2段-第7页第4段）明确公开了满足耐高压的情况下导热绝缘层厚度可以精确控制，结合背景技术中“导热绝缘层能耐高压（＞1500V/min）被广泛应用于LED领域”，以及说明书中多次提到的耐高压特性，无法得出对比文件1记载的内容是错误的结论；采用该方式使得LED芯片对外的绝缘强度达到上千伏，以满足用电安全规范要求，该技术理念和方向并非本申请首次提出。
LED晶片下表面设置高压绝缘层已被对比文件1公开（参见说明书第9页第3段），且其还公开了绝缘层的耐压值大于1500V/min，也可增加为3500V/min（参见说明书第6页第2段），以及高压绝缘层的厚度越大，其耐压值也就越大（参见说明书第6页第13-15行）；对比文件1说明书第4页第16行至第23行记载：导热绝缘层的厚度可以精确控制，在满足耐高压的情况下，可尽量减少所述导热绝缘层的厚度，本发明的导热绝缘层的厚度可在10μm之内，仅为传统单层线路板的制造方法形成的导热绝缘层厚度的几分之一，甚至几十分之一，同时集成电路工艺中采用的导热绝缘层的材料二氧化硅及氮化硅的导热系数高，使得本发明导热绝缘层的导热性能优异，整体平均导热系数是传统铝基板的导热系数的80～100倍，导热性大大提高，因此能够减少散热基板的尺寸，有利于光源的小型化；也就是说对比文件1出于小型化的考虑，减少了高压绝缘层的厚度，但并未减少高压绝缘层导热性能。对于高压绝缘层的厚度，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，这并不需要付出创造性劳动，并且也没有带来预料不到的技术效果。
对比文件1已经公开了设有高压绝缘层，如请求人所述，只有设置有高压绝缘层时，热扩散作用才有起到降低导热温差的效果。因此对比文件1中的铜金属层可起到降低导热温差效果。
对比文件2公开了LED定位片和嵌口，结合说明书附图3可以看出抵压定位片20的定位作用，即提供了一种采用抵压定位片和嵌口的LED镶嵌方式，当本领域技术人员需要对晶片抵压定位时，将对比文件2的抵压定位结构用于晶片中并不需要本领域技术人员付出创造性劳动。
综上，合议组对于复审请求人的上述意见不予支持。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年04月10日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
