发明创造名称：用于扫描探针显微镜的微型悬臂梁探针及其制造方法
外观设计名称：
决定号：200278
决定日：2020-01-10
委内编号：1F265413
优先权日：2012-08-31
申请（专利）号：201380055701.9
申请日：2013-08-27
复审请求人：布鲁克纳米公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张博
合议组组长：丁长林
参审员：肖薇
国际分类号：G01Q70/10，G01Q70/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其它对比文件公开且给出了启示，部分属于公知常识，在最接近的现有技术的基础上，结合其它对比文件和公知常识获得该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380055701.9，名称为“用于扫描探针显微镜的微型悬臂梁探针及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为布鲁克纳米公司，申请日为2013年08月27日，优先权日为2012年08月31日，公开日为2015年07月01日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年07月24日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定中引用了如下的对比文件：
对比文件3：US2012/0060244A1，公开日为2012年03月08日；
对比文件4：US2005/0028583A1，公开日为2005年02月10日；
对比文件5：US2006/0213289A1，公开日为2006年09月28日；
对比文件6：US2005/0051515A1，公开日为2005年03月10日。
驳回决定所依据的文本为：进入中国国家阶段日2015年04月24日提交的原始国际申请文件中文译文的说明书第1-34页、说明书附图第1-21页、说明书摘要、摘要附图以及2017年07月28日提交的权利要求第1-16项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种悬臂梁探针，所述悬臂梁探针适于用于扫描探针显微镜(SPM)，其特征在于，所述悬臂梁探针包含：基部，其由块状半导体材料形成；悬臂，其完全由相同的块状半导体材料形成并且具有位于基部之上的近端部和突出超过基部的边缘的远端部；下分离层，其位于基部和悬臂的近端部之间，下分离层相对于悬臂和基部以至少100的蚀刻速率比有区别地可蚀刻；探针针尖，其位于悬臂的一部分的正上方，其中该部分完全在近端部和远端部之间；以及上分离层，其平行于下分离层延伸，其中上分离层位于探针针尖和悬臂之间，上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻，其中探针针尖是由从上分离层延伸的块状半导体材料形成的无孔隙的锥体结构。
2. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层相对于探针针尖有区别地可蚀刻。
3. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层的至少一部分是由导电材料形成的。
4. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层热键合到探针针尖。
5. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是由在随后形成探针针尖的半导体材料层上生长的氧化物形成的。
6. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是由在随后形成悬臂的半导体材料层上生长的氧化物形成的。
7. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂包括单层半导体材料。
8. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂是由导电材料形成的。
9. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂包括单层低压氮化物膜。
10. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂厚度为30nm到300nm之间。
11. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂长度为5到30微米之间且最大宽度为2到15微米之间。
12. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸，其中在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂具有桨形轮廓，桨形轮廓包括在远端的面部和在面部和基部之间的颈部，颈部具有比面部小的宽度尺寸。
13. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸，其中在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂包括颈部和肩部，其中肩部位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部的边缘，以及其中颈部具有实质上比肩部小的宽度尺寸。
14. 根据权利要求13所述的悬臂梁探针，其特征在于，在远端方向突出超过基部的边缘的颈部仅对悬臂的弹性常数有名义上的影响。
15. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是氧化物。
16. 根据权利要求15所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂是由由硅和氮化硅组成的组中之一制成的，并且上分离层是由二氧化硅制成的。”
驳回决定的具体理由是：1.权利要求1请求保护一种悬臂梁探针，对比文件6公开了一种悬臂梁探针。权利要求1与对比文件6相比，区别在于：还包括上分离层，其平行于下分离层延伸，其中上分离层位于探针针尖和悬臂之间，上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻，探针针尖从上分离层延伸；悬臂与基部，其完全由相同的块状半导体材料形成；下分离层相对于悬臂和基部以至少100的蚀刻速率比有区别地可蚀刻。上述区别技术特征部分被对比文件3公开且给出了启示，部分属于公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件6与对比文件3、公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2.从属权利要求2-11的附加技术特征或被对比文件3公开，或被对比文件6公开，或属于公知常识，因此，权利要求2-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3.从属权利要求12的附加技术特征被对比文件4公开且给出了启示，因此，权利要求12相对于对比文件6、对比文件3、对比文件4和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4.从属权利要求13的附加技术特征部分被对比文件6公开，部分被对比文件5公开且给出了启示，因此，权利要求13相对于对比文件6、对比文件3、对比文件5和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5.从属权利要求14的附加技术特征部分被对比文件5公开，部分属于公知常识，因此，权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6.从属权利要求15的附加技术特征被对比文件3公开，因此，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。7.从属权利要求16的附加技术特征部分被对比文件6公开，部分被对比文件3公开，部分属于公知常识，因此，权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月08日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为本申请具备创造性的理由为：（1）对比文件6所公开的技术方案并不存在“保护悬臂不受刻蚀剂侵蚀”的问题；（2）对比文件3未公开悬臂和基部由相同的半导体材料形成；即使对比文件1或对比文件2公开了悬臂和基部使用相同材料的技术方案，但并未给出将这样的材料用于本申请所述的结构方面的教导；（3）对比文件3中未公开其中的氧化物层109和92用于保护悬臂，对比文件3中的氧化物层108的作用是支撑作用；并且对比文件3中揭示了氮化硅可以作为保护材料阻止对于硅材料的蚀刻，因此，当蚀刻硅基部32时不需要氧化物层108对氮化硅悬臂提供保护作用。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08 月07 日向复审请求人发出复审通知书，指出：1.权利要求1请求保护一种悬臂梁探针，对比文件6的背景技术部分公开了一种悬臂梁探针。权利要求1与对比文件6相比，区别在于：悬臂梁探针还包括上分离层，其平行于下分离层延伸，其中上分离层位于探针针尖和悬臂之间，上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻；探针针尖由从上分离层延伸的块状材料形成；下分离层相对于悬臂和基部以至少100的蚀刻率比有区别地可蚀刻。上述区别技术特征部分被对比文件3公开且给出了启示，部分属于公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件6、对比文件3和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2.从属权利要求2的附加技术特征被对比文件3公开，因此，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3.从属权利要求3-4、7-11的附加技术特征属于公知常识，因此，权利要求3-4、7-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4.从属权利要求5的附加技术特征被对比文件3公开，因此，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5.从属权利要求6的附加技术特征属于公知常识，因此权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6.从属权利要求12的附加技术特征部分被对比文件6公开，部分属于公知常识，因此权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。7.从属权利要求13的附加技术特征被对比文件5公开且给出了启示，因此，权利要求13相对于对比文件6、对比文件3、对比文件5和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。8.从属权利要求14的附加技术特征属于公知常识，因此，权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。9.从属权利要求15的附加技术特征被对比文件3公开，因此，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。10.从属权利要求16的附加技术特征部分被对比文件3公开，部分属于公知常识，因此，权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。11.针对复审请求人的陈述意见进行了答复。
复审请求人于2019 年09 月23 日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页。修改涉及：将权利要求13的附加技术特征加入权利要求1中，删除权利要求13以及权利要求12中的特征“悬臂具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸”。复审请求人认为本申请具备创造性的理由为：对比文件6未公开权利要求1的两部分技术特征：（1）基部，其由块状半导体材料形成；悬臂，其完全由相同的块状半导体材料形成；上分离层位于探针针尖和悬臂之间；（2）悬臂包括颈部和肩部，其中肩部位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部的边缘，以及其中颈部具有实质上比肩部小的宽度尺寸。对于技术特征（1），对比文件6的技术方案采用碳化硅取代背景技术方案中的硅作为悬臂的材料，这样基部和悬臂会由不同的材料制成，即使本领域技术人员要进一步控制悬臂厚度，也应该是在对比文件6的技术方案的基础上改进，例如碳化硅的厚度可以根据需要设计的更厚，而不是退回到背景技术方案上，弃用碳化硅材料；即使以对比文件6中的背景技术方案作为改进的基础，应该参考对比文件3图1-14所公开的第一实施例，而并非对比文件3图16-26所公开的第二实施例，因为第一实施例与背景技术方案中探针的结构更接近并且基部和悬臂采用相同的材料制成，而第二实施例与背景技术方案中探针的结构差异明显并且基部和悬臂采用不同的材料制成，然而该第一实施例中并未采用上分离层，因此对比文件3并未教导本领域技术人员在对比文件6的背景技术方案中设置上分离层；对比文件3并未提到位于碳化硅悬臂上部和下部的氧化层的具体作用，因此对比文件3并未给出使用上、下分离层使悬臂达到期望的厚度的技术启示。对于技术特征（2），对比文件5通过设置比悬臂杆厚度更大的缓冲部分106来限定悬臂109的固定端，由此使得杆109的长度不受切割操作的影响，然而缓冲部分106的厚度是与其长度和宽度垂直的方向，对比文件5所公开的增加缓冲部分106的厚度的技术方案与本申请的使用宽肩部的方案并不等同，对比文件5也未公开或给出增加肩部的宽度能够消除长度变化对悬臂弹性模量的影响的启示，对比文件5给出的教导是设置一个更厚的缓冲部来限定悬臂的固定端；虽然由对比文件5的图4和图6中可以看出缓冲部分204的宽度大于悬臂210的宽度，然而，对比文件5并未表明两者宽度的关系对于悬臂的有效长度的影响，而只表明了缓冲部分的厚度对于悬臂有效长度的影响，因此本领域技术人员并不会想到通过限定两者之间的宽度关系来消除该影响，该技术特征也并非是本领域的公知常识；而在本申请中，其使用宽肩部来消除与悬臂有效长度变化相关的问题。新提交的权利要求书如下：
“1. 一种悬臂梁探针，所述悬臂梁探针适于用于扫描探针显微镜(SPM)，其特征在于，所述悬臂梁探针包含：基部，其由块状半导体材料形成；悬臂，其完全由相同的块状半导体材料形成并且具有位于基部之上的近端部和突出超过基部的边缘的远端部，其中悬臂具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸，其中在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂包括颈部和肩部，其中肩部位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部的边缘，以及其中颈部具有实质上比肩部小的宽度尺寸；下分离层，其位于基部和悬臂的近端部之间，下分离层相对于悬臂和基部以至少100的蚀刻速率比有区别地可蚀刻；探针针尖，其位于悬臂的一部分的正上方，其中该部分完全在近端部和远端部之间；以及上分离层，其平行于下分离层延伸，其中上分离层位于探针针尖和悬臂之间，上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻，其中探针针尖是由从上分离层延伸的块状半导体材料形成的无孔隙的锥体结构。
2. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层相对于探针针尖有区别地可蚀刻。
3. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层的至少一部分是由导电材料形成的。
4. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层热键合到探针针尖。
5. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是由在随后形成探针针尖的半导体材料层上生长的氧化物形成的。
6. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是由在随后形成悬臂的半导体材料层上生长的氧化物形成的。
7. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂包括单层半导体材料。
8. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂是由导电材料形成的。
9. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂包括单层低压氮化物膜。
10. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂厚度为30nm到300nm之间。
11. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂长度为5到30微米之间且最大宽度为2到15微米之间。
12. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，其中在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂具有桨形轮廓，桨形轮廓包括在远端的面部和在面部和基部之间的颈部，颈部具有比面部小的宽度尺寸。
13. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，在远端方向突出超过基部的边缘的颈部仅对悬臂的弹性常数有名义上的影响。
14. 根据权利要求1所述的悬臂梁探针，其特征在于，上分离层是氧化物。
15. 根据权利要求14所述的悬臂梁探针，其特征在于，悬臂是由由硅和氮化硅组成的组中之一制成的，并且上分离层是由二氧化硅制成的。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
、审查文本的认定
复审请求人在复审阶段于2019年09月23日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页。经审查，其修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定针对的文本为：进入中国国家阶段日2015年04月24日提交的原始国际申请文件中文译文的说明书第1-34页、说明书附图第1-21页、说明书摘要、摘要附图，以及2019年09月23日提交的权利要求第1-15项。
（二）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其它对比文件公开且给出了启示，部分属于公知常识，在最接近的现有技术的基础上，结合其它对比文件和公知常识获得该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
权利要求1请求保护一种悬臂梁探针，对比文件6的背景技术部分公开了一种悬臂梁探针，该悬臂梁探针适用于原子力显微镜（即扫描探针显微镜），该悬臂梁探针包含（参见说明书第[0007]-[0009]段，图1、3）：
由硅材料形成的基板10（即由块状半导体材料形成）；
悬臂12，其由硅材料形成的基板而形成（即完全由相同的块状半导体材料形成），并且悬臂12具有位于基板10之上的近端部和突出超过基板10的边缘的远端部；其中悬臂12具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸（参见图1、3）；
氧化硅层11（即下分离层），其位于基部和悬臂的近端部之间，氧化硅层11相对于悬臂和基部有区别地可蚀刻；
探针针尖13，其位于悬臂12的一部分的正上方，其中该部分完全在近端部和远端部之间；其中探针针尖是由硅材料形成的无孔隙的锥体结构。
权利要求1与对比文件6的上述方案相比，区别技术特征在于：（1）悬臂梁探针还包括上分离层，其平行于下分离层延伸，其中上分离层位于探针针尖和悬臂之间，上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻；探针针尖由从上分离层延伸的块状材料形成；下分离层相对于悬臂和基部以至少100的蚀刻率比有区别地可蚀刻；（2）在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂包括颈部和肩部，其中肩部位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部的边缘，以及其中颈部具有实质上比肩部小的宽度尺寸。
基于上述区别技术特征，本发明实际解决的技术问题是：如何使得悬臂在蚀刻过程中厚度可控以及防止工艺上的误差对探针悬臂的长度及物理特性造成影响。
对于上述区别技术特征（1），对比文件6中指出背景技术中的上述方案存在通过蚀刻技术对硅基板进行构图而形成的（硅材质）悬臂很难获得均匀的厚度由此难以将悬臂的厚度偏差控制在±5%的范围内以及硅材料的脆性容易导致悬臂损坏的问题（参见说明书第[0019]-[0022]段），由此对比文件6中还公开了另一种方案，即采用氮化硅取代背景技术方案中的硅作为形成悬臂的材料；然而，氮化硅材质的悬臂虽然解决了硅材质的悬臂容易损坏的问题，并且通过区别于基部和探针针尖的蚀刻率的方式使得其相对于硅材质的悬臂具有均匀厚度，但悬臂一般较薄，在蚀刻形成探针针尖时有可能会蚀刻到悬臂，仍然存在如何使得蚀刻过程中悬臂厚度进一步可控的问题。对比文件3公开了一种适用于扫描探针显微镜的悬臂梁探针（参见说明书第[0042]-[0047]段，图16-26），该悬臂梁探针包括：基部32、悬臂106、探针针尖16以及下分离层108、上分离层124，其中下分离层108位于基部32和悬臂106的近端部之间；上分离层124平行于下分离层108延伸（参见图26），并位于探针针尖16和悬臂106之间；探针针尖16由从上分离层124延伸的块状材料30形成；基部32和探针针尖16均由硅材料形成、悬臂106由氮化物形成、上分离层124和下分离层108均由氧化物形成，因此下分离层108相对于悬臂和基部有区别地可蚀刻、上分离层相对于悬臂有区别地可蚀刻。可见，对比文件3给出了通过在探针针尖与悬臂之间设置上分离层、在悬臂与基部之间设置下分离层可以使得在蚀刻过程中达到悬臂期望厚度（参见说明书第[0017]段），也即悬臂梁厚度可控的启示；由此，本领域技术人员有动机将对比文件3与对比文件6结合以实现悬臂的厚度可控。至于上述区别技术特征（1）中的蚀刻率比可以由本领域技术人员根据实际制造工艺的需要设定。
对于上述区别技术特征（2），对比文件5公开了一种悬臂梁探针，该探针的悬臂具有长度、宽度以及厚度尺寸（参见图4），其中在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，悬臂包括颈部210和肩部204，其中肩部204位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部212的边缘，并且颈部210具有实质上比肩部204小的宽度尺寸（参见说明书第[0049]-[0051]段，图3-4、6-8）；上述技术特征在对比文件5所起的作用与其在本发明中所起的作用相同，都是为了防止工艺上的误差对探针悬臂的长度及物理特性造成影响（参见说明书第[0042]段）；因此对比文件5给出了将上述技术特征应用于对比文件6以解决其技术问题的启示。
因此，在对比文件6的基础上结合对比文件3、对比文件5以及公知常识以获得权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2从属于权利要求1，对比文件3公开了（参见说明书第[0047]段）上分离层124为氧化层、探针针尖16由硅膜层30A形成；两者由不同材料制成，因此两者之间可有区别地蚀刻。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3从属于权利要求1，本领域技术人员可以根据电连接的需要将上分离层的至少一部分设置为由导电材料形成。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4从属于权利要求1，热键合是所属技术领域中的常规工艺手段，本领域技术人员可以根据探针结构设计的需要采用热键合的方式将上分离层热键合到探针针尖。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5、6均从属于权利要求1，对比文件3公开了（参见说明书第[0042段]）在晶片30上热氧化以形成氧化物层92（最终形成上分离层124），而形成探针针尖16的晶片30是硅材质，也即公开了上分离层是由形成探针针尖的半导体材料层上生长的氧化物形成的；而对比文件3中悬臂106的材质是氮化硅，也为一种半导体材料，作为替代的设计，上分离层也可以是在形成悬臂的半导体材料层上生长的氧化物形成。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求5、6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7-9均从属于权利要求1，其附加特征属于常规设计。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求7-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10、11均从属于权利要求1，其附加特征对悬臂的厚度、长度以及最大宽度的范围进行了限定。但本领域技术人员可以根据实际制造工艺的水平设置悬臂的厚度、长度以及最大宽度的取值范围。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求10、11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12从属于权利要求1，在由长度尺寸和宽度尺寸定义的参考面中，在悬臂上设置包括面部和颈部的桨形轮廓属于常规设计，而本领域技术人员可以根据提供检测用激光束目标的需要选择颈部与面部之间的尺寸关系。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13从属于权利要求1，其附加特征是所属技术领域的公知常识。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14从属于权利要求1，但其附加特征已被对比文件3公开（参见说明书第[0042]-[0047]段，图16-26）：在晶片30上热氧化以形成氧化物层92，氧化物层92最终形成上分离层124。因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15从属于权利要求14，对比文件3公开了悬臂106由氮化硅制成、上分离层124是由氧化物层92制成的。作为常规的选择，悬臂也可以由硅制成，上分离层可以由二氧化硅制成。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时的陈述意见，合议组认为：
对于技术特征（1），相对于权利要求1的技术方案，对比文件6的背景技术方案中已经公开了“基部和悬臂由相同的块状半导体材料形成”这样的设计，虽然对比文件6中提出了采用氮化硅取代背景技术方案中的硅作为悬臂材料，但氮化硅材质的悬臂只是解决了硅材质的悬臂容易损坏的问题以及取得了相对于硅材质悬臂具有均匀厚度的效果；而悬臂一般较薄，在蚀刻形成探针针尖时有可能会蚀刻到悬臂，可见无论是否采用氮化硅取代硅，两种方案都仍然存在如何使得蚀刻过程中悬臂厚度进一步可控的问题，因此本领域技术人员在面对上述两种技术方案时都有动机寻找解决上述问题的动机；对比文件3中的第一实施例中没有采用上分离层，也就难以避免在蚀刻形成探针针尖时有可能会蚀刻到悬臂，第二实施例通过在探针针尖与悬臂之间设置上分离层、在悬臂与基部之间设置下分离层可以使得在蚀刻形成探针针尖时避免蚀刻到悬臂，因此本领域技术人员有动机参考的是第二实施例，以解决如何使得蚀刻过程中悬臂厚度进一步可控的问题；对比文件3中在基部32与悬臂106之间设置氧化物层108、在悬臂106与探针针尖16之间设置氧化物层92（最终形成124），其作用在于通过使得下分离层108相对于悬臂106和基部32有区别地可蚀刻、上分离层124相对于悬臂106有区别地可蚀刻，也即在蚀刻过程中在悬臂与探针针尖以及基部之间形成了蚀刻停止层，以确保在蚀刻过程中悬臂不受蚀刻剂的侵蚀，因此有理由认为氧化层108和92在蚀刻过程中形成了对悬臂厚度的保护和可控。
对于技术特征（2），本申请中为悬臂设置肩部是为了防止由于蚀刻量很难精确控制所导致的悬臂有效长度变化，而有效长度变化会影响悬臂探针的弹性常数，进而影响探针的使用性能，因此本领域技术人员在设置肩部时还需要考虑如何降低或避免其对悬臂梁探针弹性常数的影响；对比文件5公开了（参见说明书第[0042]-[0051]段，图3-4、6-8）：悬臂设置有缓冲部分204（相当于悬臂的肩部），其中缓冲204位于悬臂的近端且在远端方向突出超过基部212的边缘；其作用在于防止工艺上的误差对探针悬臂的长度造成影响，也即防止探针悬臂的有效长度变化，并且，对比文件5中还公开了悬臂210（相当于悬臂的颈部）具有实质上比缓冲部分204小的宽度尺寸；其已经解决了工艺上的误差对探针悬臂长度造成的影响进而对探针的物理特性造成影响的技术问题，这其中的物理特性即为悬臂探针的弹性常数（参见说明书第[0043]段），由此可见，区别技术特征（2）在对比文件5中所起的作用与其在本申请中所起的作用本质上是相同的，解决的技术问题也是相同的，对比文件5给出了在对比文件6的悬臂上设置具有比颈部宽度尺寸大的肩部的启示；本领域技术人员容易想到，基于悬臂具有长度尺寸、宽度尺寸以及厚度尺寸，还可以通过肩部与颈部之间厚度尺寸的关系来解决上述技术问题，从而进一步获得更好的技术效果，正如对比文件5中设置具有比将成为悬臂的层（相当于颈部）明显更大厚度的缓冲部分106，从而通过确保缓冲部分106的刚性使得从其延伸的悬臂可以精确地形成同时保持探针的物理特性（参见说明书第[0042]段）。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
根据以上事实和理由，合议组做出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年07 月24 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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