发明创造名称：阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置
外观设计名称：
决定号：200120
决定日：2020-01-10
委内编号：1F284300
优先权日：
申请（专利）号：201710150107.8
申请日：2017-03-14
复审请求人：合肥鑫晟光电科技有限公司 京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐小岭
合议组组长：杨丽丽
参审员：罗崇举
国际分类号：H01L27/32，H01L51/52，H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，一部分区别特征已被其他对比文件公开了，并且其他对比文件也给出了将该部分区别特征应用到作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，另一部分区别特征为本领域的常规选择，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710150107.8，名称为“阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为合肥鑫晟光电科技有限公司、京东方科技集团股份有限公司，申请日为2017年03月14日，公开日为2017年07月11日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年04月29日发出驳回决定，以权利要求1-14不符合专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，驳回决定中的具体理由是：（1）独立权利要求1与对比文件1（CN1606389A，公开日为：2005年04月13日）存在区别技术特征“①像素定义层设置在衬底基板上，第一电极设置在像素区中的衬底基板上；②所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距”，其中区别技术特征①属于本领域的惯用手段，区别技术特征②的部分特征被对比文件5（CN102654679A，公开日为：2012年09月05日）公开，另一部分特征是在对比文件5公开内容的基础上容易想到的，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件5和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）权利要求1的从属权利要求2-9的附加技术特征以及引用权利要求1-9的权利要求10进一步限定的技术特征或者被对比文件1、对比文件2（CN1363200A，公开日为：2002年08月07日）、对比文件3（CN1535085A，公开日为：2004年10月06日）、对比文件4（CN1449229A，公开日为：2003年10月15日）公开，或者属于本领域的惯用手段，因此权利要求2-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（3）独立权利要求11与对比文件1存在区别技术特征“①像素定义层设置在衬底基板上，第一电极设置在像素区中的衬底基板上；先形成包括凸起的像素定义层和电阻减小部再形成第一电极；②所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距”，其中区别技术特征①属于本领域的惯用手段，区别技术特征②的部分特征被对比文件5公开，另一部分特征是在对比文件5公开内容的基础上容易想到的，因此权利要求11相对于对比文件1、对比文件5和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（4）权利要求11的从属权利要求12-14的附加技术特征或者被对比文件1、对比文件2、对比文件4公开，或者属于本领域的惯用手段，因此权利要求12-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2017年03月14日提交的说明书第1-59段、说明书附图1-6、说明书摘要、摘要附图；于2018年04月25日提交的权利要求第1-14项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括：衬底基板；
设置在所述衬底基板上的具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
设置在所述像素区中的所述衬底基板上的第一电极；
设置在所述第一电极上的有机发光层；
设置在所述有机发光层上的第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分；
设置在至少一个所述凸起的顶表面与所述第二电极的所述第一部分之间的电阻减小部，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：设置在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的顶表面在所述电阻减小部的底表面所在平面上的投影的至少一部分超过所述电阻减小部的底表面的延伸范围。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的截面形状为倒置的梯形。
5. 根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述 第一层包括透明导电氧化物；
所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；
所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锡，氧化铟锌。
7. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部包括纳米金属材料。
8. 根据权利要求2-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括氧化铟锡；
所述有机发光层包括下列材料的至少一种：萤光物质，磷光物质，量子点物质；
所述缓冲层包括下列材料的至少一种:有机小分子，芳香族化合物；
所述第二电极包括氧化铟锌；
所述像素定义层包括聚合物。
9. 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的厚度的范围为100-600nm；
所述缓冲层的厚度的范围为10-20nm；
所述第二电极的厚度的范围为70-300nm。
10. 一种显示装置，包括根据权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
11. 一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
在至少一个所述凸起的顶表面上形成电阻减小部；
在所述像素区中的所述衬底基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间 的间距大于子像素的长边之间的间距。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，所述制造方法还包括：形成在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
13. 根据权利要求11或12所述的阵列基板的制造方法，其中，形成所述电阻减小部包括：采用至少两层材料来形成所述电阻减小部，其中，所述至少两层材料的上层材料的刻蚀速度小于下层材料的刻蚀速度。
14. 根据权利要求11或12所述的阵列基板的制造方法，其中，形成所述电阻减小部包括：通过打印纳米金属材料来形成所述电阻减小部。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月27日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，具体修改如下：在原权利要求1和11中增加了特征“并且其中，所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌”，同时删除了原权利要求6，并适应性修改了权利要求的编号。复审请求人认为：对比文件1-5均没有公开特征“所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌”，且修改后的权利要求的技术方案具有能够改善电压降低的问题并且降低对开口率的影响，因此权利要求1具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括：衬底基板；
设置在所述衬底基板上的具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
设置在所述像素区中的所述衬底基板上的第一电极；
设置在所述第一电极上的有机发光层；
设置在所述有机发光层上的第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分；
设置在至少一个所述凸起的顶表面与所述第二电极的所述第一部分之间的电阻减小部，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距，并且其中，
所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；
所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；
所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：设置在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的顶表面在所述电阻减小部的底表面所在平面上的投影的至少一部分超过所述电阻减小部的底表面的延伸范围。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的截面形状为倒置的梯形。
5. 根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部包括纳米金属材料。
7. 根据权利要求2-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括氧化铟锡；
所述有机发光层包括下列材料的至少一种：萤光物质，磷光物质，量子点物质；
所述缓冲层包括下列材料的至少一种:有机小分子，芳香族化合物；
所述第二电极包括氧化铟锌；
所述像素定义层包括聚合物。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的厚度的范围为100-600nm；
所述缓冲层的厚度的范围为10-20nm；
所述第二电极的厚度的范围为70-300nm。
9. 一种显示装置，包括根据权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
10. 一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
在至少一个所述凸起的顶表面上形成电阻减小部；
在所述像素区中的所述衬底基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距，并且其中，
所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；
所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；
所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌。
11. 根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，所述制造方法还包括：形成在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
12. 根据权利要求10或11所述的阵列基板的制造方法，其中，所述电阻减小部的上层材料的刻蚀速度小于下层材料的刻蚀速度。
13. 根据权利要求10或11所述的阵列基板的制造方法，其中，形成所述电阻减小部包括：通过打印纳米金属材料来形成所述电阻减小部。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件3已经公开了“用作阳极的下部电极9以及辅助布线9a的结构的例子包括三层结构，其中由银(Ag)形成的金属材料层夹在由ITO形成的导电性氧化物材料层之间”、“当下部电极9具有两层结构或三层结构时，具有大功函数和良好透光性的铟氧化物如ITO和IZO用作构成最上层的导电性氧化物材料层”、“与上部电极13相连接的辅助布线9a由与下部电极9相同的层构成，通过连接辅助布线9a而电气上降低上部电极13的电阻”，可见上述特征已部分地被对比文件3公开，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用三层的电阻减小部以阻止上部电极的电压降，即对比文件3给出了将上述特征应用到对比文件1中从而获得三层材料组合的电阻减小部的技术启示。在此基础上本领域技术人员容易想到将三层结构中的第二层选择类似的铝或铜，将第三层选择钼或钛或氧化铟锌，技术效果可预期。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件5、对比文件3以及本领域惯用手段以得出修改后的权利要求1、10对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1、10不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年08 月26 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性：（1）独立权利要求1和10与对比文件1存在区别技术特征“①所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距；②所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌”，其中区别技术特征①的部分特征被对比文件5公开，另一部分特征是在对比文件5公开内容的基础上容易想到的，区别技术特征②部分被对比文件3公开，部分属于本领域的常规选择，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件5、对比文件3和本领域的常规选择的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）权利要求1的从属权利要求2-8以及权利要求10的从属权利要求11-13的附加技术特征、引用权利要求1-8的权利要求9进一步限定的技术特征或者被对比文件1、对比文件2、对比文件3、对比文件4公开，或者属于本领域的常规选择，因此权利要求2-9、11-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年09 月27 日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，具体修改如下：在原权利要求1和10中增加了特征“并且其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率”，将特征“所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银，铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼，钛，氧化铟锌”修改为“所述第二层包括下列材料的至少一种：铝、银和铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛”。复审请求人认为：权利要求1中增加了特征“所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率”，上述特征没有被对比文件1-5公开，同时上述特征也非本领域的常规选择，权利要求1包含上述特征的方案能够获得较好的导电性，提高面板的耐弯折性，简化生产工艺和降低制造成本。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人新提交的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括：衬底基板；
设置在所述衬底基板上的具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
设置在所述像素区中的所述衬底基板上的第一电极；
设置在所述第一电极上的有机发光层；
设置在所述有机发光层上的第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分；
设置在至少一个所述凸起的顶表面与所述第二电极的所述第一部分之间的电阻减小部，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距，并且其中，
所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；
所述第二层包括下列材料的至少一种：铝、银和铜；
所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛，
并且其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：设置在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的顶表面在所述电阻减小部的底表面所在平面上的投影的至少一部分超过所述电阻减小部的底表面的延伸范围。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的截面形 状为倒置的梯形。
5. 根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部包括纳米金属材料。
7. 根据权利要求2-4中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括氧化铟锡；
所述有机发光层包括下列材料的至少一种：萤光物质，磷光物质，量子点物质；
所述缓冲层包括下列材料的至少一种:有机小分子，芳香族化合物；
所述第二电极包括氧化铟锌；
所述像素定义层包括聚合物。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述电阻减小部的厚度的范围为100-600nm；
所述缓冲层的厚度的范围为10-20nm；
所述第二电极的厚度的范围为70-300nm。
9. 一种显示装置，包括根据权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。
10. 一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成具有多个凸起的像素定义层，其中，所述阵列基板的位于所述凸起之间的区域为像素区；
在至少一个所述凸起的顶表面上形成电阻减小部；
在所述像素区中的所述衬底基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成第二电极，所述第二电极具有在所述凸起的顶表面上的第一部分、在所述像素区中的第二部分和在所述凸起的侧表面上的第三部分，
其中，所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间 的间距大于子像素的长边之间的间距，并且其中，
所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；
所述第二层包括下列材料的至少一种：铝、银和铜；
所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛，
并且其中，所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
11. 根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，所述制造方法还包括：形成在所述有机发光层和所述第二电极之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述有机发光层的顶表面、所述凸起的侧表面、所述电阻减小部的上表面和所述凸起的未被所述电阻减小部覆盖的顶表面。
12. 根据权利要求10或11所述的阵列基板的制造方法，其中，所述电阻减小部的上层材料的刻蚀速度小于下层材料的刻蚀速度。
13. 根据权利要求10或11所述的阵列基板的制造方法，其中，形成所述电阻减小部包括：通过打印纳米金属材料来形成所述电阻减小部”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年09月27日答复复审通知书时提交了权利要求书修改替换页，包括权利要求第1-13项。经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定依据的文本为：复审请求人于申请日2017年03月14日提交的说明书第1-59段、说明书附图1-6、说明书摘要、摘要附图，以及于2019年09月27日提交的权利要求第1-13项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别特征，一部分区别特征已被其他对比文件公开，并且其他对比文件也给出了将该部分区别特征应用到作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，另一部分区别特征为本领域的常规选择，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书中的对比文件相同：
对比文件1：CN1606389A，公开日为：2005年04月13日；
对比文件2：CN1363200A，公开日为：2002年08月07日；
对比文件3：CN1535085A，公开日为：2004年10月06日；
对比文件4：CN1449229A，公开日为：2003年10月15日；
对比文件5：CN102654679A，公开日为：2012年09月05日。
1. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种阵列基板。对比文件1公开了一种平板显示器设备及其制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第3页第12行至第5页第7行，附图1A-4）：阵列基板包括：绝缘衬底105，包含像素区100和非像素区101，绝缘衬底105上形成缓冲层110，在绝缘衬底105的像素区100中形成薄膜晶体管121、123、 125（其中薄膜晶体管、缓冲层110和绝缘衬底105构成了权利要求中的衬底基板）；设置在缓冲层110上的钝化层130上的具有多个凸起的像素定义层150，像素区100通过该凸起分为多个子像素区；设置在子像素区中的钝化层150上的阳极电极141、143、145（相当于第一电极）；设置在阳极电极141、143、145上的有机发射层161、163、165（相当于有机发光层）以及电荷运输层180；设置在有机发射层161、163、165和电荷运输层180上的阴极电极190（相当于第二电极），阴极电极190具有分别在凸起的顶表面上的部分（下称第一部分）、子像素区中的部分（下称第二部分）和凸起侧表面上的部分（下称第三部分）；设置在凸起顶表面与阴极电极190第一部分之间的阴极母线171、173、175（相当于电阻减小部）；其中，与施加到阴极电极190相同极性和水平的电压被施加到阴极母线从而通过阴极电极防止压降。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：①所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距；②所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银和铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛；③所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①如何降低对开口率的影响；②选择合适的电阻减小部的材料和结构；③降低第二电极的电阻以有效降低第二电极的压降。
对于区别技术特征①，对比文件5公开了一种彩色滤光片及其制作方法和液晶显示器，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0007段和第0031段）：在现有技术中，由于阵列基板中栅极线、数据线和薄膜晶体管的存在，为了提高光线通过率，相邻像素区域的短边之间的间距一般大于相应的相邻像素区域长边之间的间距。由此可见，上述区别技术特征①中部分特征被对比文件5公开，且其在对比文件5中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是采用具有短边间距大于长边间距的像素结构来降低开口率，即对比文件5给出了将该技术特征用于对比文件1中的技术启示。在此基础上本领域技术人员容易想到在具有如对比文件1中所述的阴极母线即电阻减小部的情况下，若将电阻减小部沿长边方向延伸设置，则必然会导致开口率的降低，相反若将电阻减小部设置在各电路结构附近即沿短边方向延伸，可以同时改善电压降低的问题并降低对开口率的影响，是不需要付出创造性劳动的。
对于区别技术特征②，对比文件3公开了一种显示装置及其制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4页第11行至第6页第22行，附图1）：如图1所示的与上部电极13相连接的辅助布线9a（相当于电阻减小部），辅助布线9a由与下部电极9相同的层组成，可以使用铝、银等金属材料。下部电极9可以采用两层或三层结构，当其具有两层结构或三层结构时，具有大功函数和良好透光性的铟氧化物如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和IZO(Indium zinc Oxide，氧化铟锌)用作构成最上层的导电性氧化物材料层。此外，ITO 或IZO也用作作为金属材料层和平坦化绝缘膜7之间的紧密接触层的导电性氧化物材料层。采用三层结构时，其中在金属材料层下面提供作为基底的导电性氧化物材料层，该层作为用于平坦化绝缘膜7的紧密接触层，由此在导电性氧化物材料层间夹着金属材料层。用作阳极的下部电极9以及辅助布线9a的结构的例子包括三层结构，其中由银(Ag)形成的金属材料层夹在由ITO形成的导电性氧化物材料层之间。通过连接辅助布线9a而电气上降低上部电极13的电阻，因而阻止了上部电极13的电压降。可见对比文件3公开了辅助布线9a即电阻减小部为ITO/Ag/ITO叠层，同时本领域技术人员可以根据与第三层接触的材料层以及需要获得的电阻率来选择第三层的材料，而铝和铜与银一样都是常用的高导电性材料，钛和钼也是形成导电性叠层中常用的低电阻导电材料，本领域技术人员可以选择使用，均属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，对比文件2公开了一种有源驱动的有机EL发光装置，并公开了以下技术特征（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：如图3所示，上电极20由包括透明导电材料的主电极16、以及包括低电阻材料的辅助电极18构成，主电极的片电阻率被设定在1K-10MΩ/□之间的值，辅助电极的片电阻率被设定在0.01-10Ω/□之间的值。低电阻材料的辅助电极18的设置降低了上电极20的片电阻率，因此有机EL元件可以在低电压下驱动，并且能量消耗也被降低。由此可见，区别技术特征③已被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用电阻率小于主电极/第二电极的材料构成电阻减小部以有效降低上电极的压降，即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件5、对比文件3、对比文件2和本领域的常规选择以获得该权利要求所要求保护的技术方案对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，即该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2. 权利要求2-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2：对比文件1公开了（参见说明书第3页第12行至第5页第7行，附图2）：如图2所示，设置在有机发射层161、163、165和阴极电极190之间的电荷运输层180（相当于缓冲层），电荷运输层180覆盖有机发射层161、163、165的顶表面、凸起的侧表面、阴极母线171、173、175的上表面，电荷运输层180可包括一空穴注射层、一空穴运输层、一空穴阻挡层、一电极运输层、或一电极注射层中至少一个。因此在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求3和4：对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：如图3所示的有源驱动的有机EL发光装置63，作为辅助电极18的另一种布局，将电绝缘膜25设置在邻近的下电极22之间，并且在绝缘膜25上形成辅助电极18，其中，如图16所示，低电阻的辅助电极18截面可为倒梯形，辅助电极18的顶表面在辅助电极18的底表面所在平面上的投影的至少一部分超过辅助电极18的底表面的延伸范围；在辅助电极18的截面形状是悬臂形状时，即使当通过真空沉积等沉积时，绝缘膜也不容易粘附在辅助电极18的侧面；采用这种无遮盖侧面的辅助电极18，可以更加确保电连接至主电极16。由此可见，权利要求3和4的附加技术特征已被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是通过采用倒梯形的电阻减小部使得在形成缓冲层/绝缘层时电阻减小部的侧面的至少一部分因顶表面的遮蔽作用而没有覆盖缓冲层/绝缘层，从而使电阻减小部能够与第二电极更好地电接触。即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
权利要求5：对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：如图3所示，上电极20由包括透明导电材料的主电极16、以及包括低电阻材料的辅助电极18构成，主电极的片电阻率被设定在1K-10MΩ/□之间的值，辅助电极的片电阻率被设定在0.01-10Ω/□之间的值。由此可见，权利要求5的附加技术特征已被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用电阻率小于主电极/第二电极的材料构成电阻减小部以有效降低上电极的压降，即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求6：对比文件4公开了一种发光装置和制造这种发光装置的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第3页第8-17行）：辅助电极(第三电极)与上电极电连接，形成于其上的辅助电极可以减小电阻；作为辅助电极，可以使用金属制成的金属布线，或者可以使用含导电浆(纳米浆、混合浆、纳米金属墨水等)或导电细颗粒的粘结剂。由此可见，权利要求6的附加技术特征已被对比文件4公开，且其在对比文件4中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用纳米金属材料作为减小上电极电阻的辅助电极，即对比文件4给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求7：对比文件3公开了（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：上部电极13可以是两层结构，其中上层13b利用具有优异透光性能的导电材料如IZO何ITO而形成。辅助布线9a由与下部电极9相同的层组成，下部电极9可以采用两层或三层结构，当其具有两层结构或三层结构时，具有大功函数和良好透光性的铟氧化物如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和IZO(Indium zinc Oxide，氧化铟锌)用作构成最上层的导电性氧化物材料层。此外，ITO 或IZO也用作作为金属材料层和平坦化绝缘膜7之间的紧密接触层的导电性氧化物材料层。同时荧光物质、磷光物质、量子点物质均是本领域内常见的有机发光层材料；本领域技术人员可以根据需要选择合适的缓冲层的材质，例如有机小分子或芳香族化合物，属于本领域的常规选择；聚合物是本领域内常见的像素定义层材质。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求8：本领域技术人员可以通过有限的试验选择合适的电阻减小部的厚度、缓冲层厚度和第二电极厚度，技术效果可预期。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求9：权利要求9引用了权利要求1-8的阵列基板，其中以上给出了权利要求1-8不具备创造性的理由，同时对比文件1公开了平板显示器，包括图2所示的阵列基板。因此在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
3. 权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10请求保护一种阵列基板的制造方法。对比文件1公开了一种平板显示器设备及其制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第3页第12行至第5页第7行，附图1A-4）：阵列基板包括：绝缘衬底105，包含像素区100和非像素区101，绝缘衬底105上形成缓冲层110，在绝缘衬底105的像素区100中形成薄膜晶体管121、123、 125（其中薄膜晶体管、缓冲层110和绝缘衬底105构成了权利要求中的衬底基板）；设置在缓冲层110上的钝化层130上的具有多个凸起的像素定义层150，像素区100通过该凸起分为多个子像素区；设置在子像素区中的钝化层150上的阳极电极141、143、145（相当于第一电极）；设置在阳极电极141、143、145上的有机发射层161、163、165（相当于有机发光层）以及电荷运输层180；设置在有机发射层161、163、165和电荷运输层180上的阴极电极190（相当于第二电极），阴极电极190具有分别在凸起的顶表面上的部分（下称第一部分）、子像素区中的部分（下称第二部分）和凸起侧表面上的部分（下称第三部分）；设置在凸起顶表面与阴极电极190第一部分之间的阴极母线171、173、175（相当于电阻减小部）；其中，与施加到阴极电极190相同极性和水平的电压被施加到阴极母线从而通过阴极电极防止压降。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：①所述像素区包括具有长边和短边的子像素，所述电阻减小部沿着平行于子像素的短边的方向而延伸，并且其中，相邻子像素的短边之间的间距大于子像素的长边之间的间距；②所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银和铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛。③所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率。由上述区别技术特征确定该权利要求要解决的技术问题是：①如何降低对开口率的影响；②选择合适的电阻减小部的材料和结构；③降低第二电极的电阻以有效降低第二电极的压降。
对于区别技术特征①，对比文件5公开了一种彩色滤光片及其制作方法和液晶显示器，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0007段和第0031段）：在现有技术中，由于阵列基板中栅极线、数据线和薄膜晶体管的存在，为了提高光线通过率，相邻像素区域的短边之间的间距一般大于相应的相邻像素区域长边之间的间距。由此可见，上述区别技术特征①中部分特征被对比文件5中公开，且其在对比文件5中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是采用具有短边间距大于长边间距的像素结构来降低开口率，即对比文件5给出了将该技术特征用于对比文件1中的技术启示。在此基础上本领域技术人员容易想到在具有如对比文件1中所述的阴极母线即电阻减小部的情况下，若将电阻减小部沿长边方向延伸设置，则必然会导致开口率的降低，相反若将电阻减小部设置在各电路结构附近即沿短边方向延伸，可以同时改善电压降低的问题并降低对开口率的影响，是不需要付出创造性劳动的。
对于区别技术特征②，对比文件3公开了一种显示装置及其制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第4页第11行至第6页第22行，附图1）：如图1所示的与上部电极13相连接的辅助布线9a（相当于电阻减小部），辅助布线9a由与下部电极9相同的层组成，可以使用铝、银等金属材料。下部电极9可以采用两层或三层结构，当其具有两层结构或三层结构时，具有大功函数和良好透光性的铟氧化物如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和IZO(Indium zinc Oxide，氧化铟锌)用作构成最上层的导电性氧化物材料层。此外，ITO 或IZO也用作作为金属材料层和平坦化绝缘膜7之间的紧密接触层的导电性氧化物材料层。采用三层结构时，其中在金属材料层下面提供作为基底的导电性氧化物材料层，该层作为用于平坦化绝缘膜7的紧密接触层(close contact layer)，由此在导电性氧化物材料层间夹着金属材料层。用作阳极的下部电极9以及辅助布线9a的结构的例子包括三层结构，其中由银(Ag)形成的金属材料层夹在由ITO形成的导电性氧化物材料层之间。通过连接辅助布线9a而电气上降低上部电极13的电阻，因而阻止了上部电极13的电压降。可见对比文件3公开了辅助布线9a即电阻减小部为ITO/Ag/ITO叠层，同时本领域技术人员可以根据与第三层接触的材料层以及需要获得的电阻率来选择第三层的材料，而铝和铜与银一样都是常用的高导电性材料，钛和钼也是形成导电性叠层中常用的低电阻导电材料，本领域技术人员可以选择使用，均属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，对比文件2公开了一种有源驱动的有机EL发光装置，并公开了以下技术特征（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：如图3所示，上电极20由包括透明导电材料的主电极16、以及包括低电阻材料的辅助电极18构成，主电极的片电阻率被设定在1K-10MΩ/□之间的值，辅助电极的片电阻率被设定在0.01-10Ω/□之间的值。低电阻材料的辅助电极18的设置降低了上电极20的片电阻率，因此有机EL元件可以在低电压下驱动，并且能量消耗也被降低。由此可见，区别技术特征③已被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用电阻率小于主电极/第二电极的材料构成电阻减小部以有效降低上电极的压降，即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件5、对比文件3、对比文件2和本领域的常规选择以获得该权利要求所要求保护的技术方案对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，即该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求11-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11：对比文件1公开了（参见说明书第3页第12行至第5页第7行，附图2）：如图2所示，设置在有机发射层161、163、165和阴极电极190之间的电荷运输层180（相当于缓冲层），电荷运输层180覆盖有机发射层161、163、165的顶表面、凸起的侧表面、阴极母线171、173、175的上表面，电荷运输层180可包括一空穴注射层、一空穴运输层、一空穴阻挡层、一电极运输层、或一电极注射层中至少一个。因此在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求12：对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第9页第10段至第15页第6段，附图3和16）：如图16所示，低电阻的辅助电极18截面可为倒梯形，辅助电极18可包括Al下辅助电极19和Cr上辅助电极17（两者的刻蚀速度不同），通过过度蚀刻Cr形成倒梯形悬臂结构；采用这种无遮盖侧面的辅助电极18，可以更加确保电连接至主电极16。由此可见，权利要求12的附加技术特征已被对比文件2公开，且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是通过采用倒梯形的电阻减小部使得在形成缓冲层/绝缘层时电阻减小部的侧面的至少一部分因顶表面的遮蔽作用而没有覆盖缓冲层/绝缘层，从而使电阻减小部能够与第二电极更好地电接触。即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
权利要求13：对比文件4公开了以下技术特征（参见说明书第3页第8-17行）：辅助电极与上电极电连接，形成于其上的辅助电极可以减小电阻；作为辅助电极，可以使用金属制成的金属布线，或者可以使用含导电浆(纳米浆、混合浆、纳米金属墨水等)或导电细颗粒的粘结剂。由此可见，权利要求13的附加技术特征已部分地被对比文件4公开，且其在对比文件4中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用纳米金属材料作为减小上电极电阻的辅助电极，即对比文件4给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。在此基础上本领域技术人员容易想到采用打印纳米金属材料来形成电阻减小部。因而在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
关于复审请求人陈述的意见（详见案由部分），合议组认为：
（1）特征“所述电阻减小部的电阻率小于所述第二电极的电阻率”已经被对比文件2公开了：如图3所示，上电极20由包括透明导电材料的主电极16、以及包括低电阻材料的辅助电极18构成，主电极的片电阻率被设定在1K-10MΩ/□之间的值，辅助电极的片电阻率被设定在0.01-10Ω/□之间的值。低电阻材料的辅助电极18的设置降低了上电极20的片电阻率，因此有机EL元件可以在低电压下驱动，并且能量消耗也被降低。且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中作用相同，均是采用电阻率小于主电极/第二电极的材料构成电阻减小部以有效降低上电极的压降，即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。得到的阵列面板也具有良好的导电性和耐弯折性。
（2）关于特征“所述电阻减小部包括第一层、第三层和设置在所述第一层和所述第三层之间的第二层，其中，所述第一层包括透明导电氧化物；所述第二层包括下列材料的至少一种：铝，银和铜；所述第三层包括下列材料的至少一种：钼和钛”，对比文件3公开了辅助布线9a即电阻减小部为ITO/Ag/ITO叠层，同时本领域技术人员可以根据与第三层接触的材料层以及需要获得的电阻率来选择第三层的材料，而铝和铜与银一样都是常用的高导电性材料，钛和钼也是形成导电性叠层中常用的低电阻导电材料，本领域技术人员可以选择使用，均属于本领域的常规选择。
因此，复审请求人陈述的意见不具备说服力。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019 年04 月29 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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