发明创造名称：一种显示基板和显示装置
外观设计名称：
决定号：200054
决定日：2020-01-10
委内编号：1F278065
优先权日：
申请（专利）号：201410471976.7
申请日：2014-09-16
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：安蕾
合议组组长：卞喜双
参审员：王小燕
国际分类号：G02F1/1337
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条、专利法第22条第3款
决定要点：如果要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，且现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域技术人员在面对所述技术问题时，有动机改进该最接近的现有技术并获得要求保护的技术方案，则要求保护的技术方案是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410471976.7，名称为“一种显示基板和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司、北京京东方光电科技有限公司。本申请的申请日为2014年09月16日，公开日为2015年01月14日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年12月29日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-9不具有专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1页、说明书摘要、摘要附图；2017年08月30日提交的权利要求第1-9项。
驳回决定中引用的对比文件如下：
对比文件2：CN103869546A，公开日为2014年06月18日；
对比文件3：CN1542530A，公开日为2004年11月03日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种显示基板,包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围设在所述显示区域的外围，所述显示基板的对应所述显示区域的一侧表面用于形成取向膜，所述显示基板的对应所述非显示区域的同一侧设置有凹凸不平的凹凸层，其特征在于，在所述凹凸层上方覆盖有表面平齐的第一膜层，所述第一膜层为所述显示基板的对应所述非显示区域的表层；
所述显示基板为阵列基板，所述凹凸层包括设置在所述阵列基板相对两边边缘的所述非显示区域的信号测试线和信号测试端，对应覆盖所述信号测试线和所述信号测试端所在区域的所述第一膜层呈片状；
所述第一膜层为导电层，所述第一膜层与所述信号测试线和所述信号测试端之间还设置有绝缘层，所述第一膜层分割形成多个片状子膜层，各个所述子膜层分别与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端至少局部相对应，每个所述子膜层与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端相对应的区域中均开设有过孔，不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端分别通过与其对应的所述过孔与不同的所述子膜层电连接。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述信号测试线比所述信号测试端更靠近所述阵列基板的边缘；对应覆盖所述信号测试端所在区域的部分所述第一膜层呈片状，对应覆盖所述信号测试线所在区域的部分所述第一膜层呈条状。
3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，对应覆盖所述信号测试端所在区域的部分所述第一膜层分割为多个片状的第一子膜层，各个所述第一子膜层分别与不同的所述信号测试端以及相邻的所述信号测试端之间的间隔区域相对应。
4. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，对应覆 盖所述信号测试线所在区域的部分所述第一膜层分割为多个相互平行且宽度相等的条状第二子膜层，任意相邻的两个所述第二子膜层之间的间距相等，且条状的所述第二子膜层的长度方向与所述取向膜的取向方向相同。
5. 根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，相邻两个条状所述第二子膜层之间的间距≥用于摩擦形成所述取向膜的摩擦布的布毛的直径。
6. 根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，相邻两个条状所述第二子膜层之间的间距范围为10-13μm，条状的所述第二子膜层的宽度范围为10-15μm。
7. 根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，与不同的所述信号测试端相对应的所述第一子膜层中均开设有第一过孔，不同的所述信号测试端分别通过与其对应的所述第一过孔与不同的所述第一子膜层电连接；部分条状的所述第二子膜层在对应所述信号测试线的区域开设有第二过孔，不同的所述信号测试线分别通过与其对应的所述第二过孔与所述第二子膜层电连接。
8. 根据权利要求1或7所述的显示基板，其特征在于，所述阵列基板在所述显示区域形成有像素电极，所述第一膜层与所述像素电极采用相同材料，且在同一构图工艺中形成。
9. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板。”
驳回决定中指出：对比文件3公开了一种TFT阵列基板。权利要求1与对比文件3相比，其区别技术特征为：凹凸层包括设置在阵列基板相对两边边缘的非显示区域的信号测试线和信号测试端。然而，上述区别属于本领域的公知常识。由此可知，权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。从属权利要求2的附加技术特征的一部分为本领域的公知常识，另一部分被对比文件2出于相同的目的而公开，因此该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求3-8的附加技术特征或被对比文件3公开、或被对比文件2出于相同的目的而公开、或为所属领域技术人员的公知常识，因此也相应不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求9请求保护一种包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板的显示装置，基于类似的理由，其也相应不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年04月01日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1中增加特征“片状的第一膜层将位于阵列基板非显示区域的信号测试线和信号测试端整片覆盖”，并陈述了权利要求1-9具备创造性的理由。复审请求人认为：修改后的权利要求1与对比文件3相比，至少具有以下的区别技术特征：
（a）凹凸层包括信号测试线和信号测试端。
（b）片状的第一膜层将信号测试线和信号测试端整片覆盖。
对比文件3未公开上述区别技术特征（a）和（b）。根据对比文件3的方案，由于其每个调整膜仅对应一个接触孔，故其调整膜之间的距离基本与过孔或焊盘间的原有距离相同，因此，不同调整膜之间的间隔很大。进一步的，对比文件3中的表面实际仍然是凹凸不平的，只是其中不平的结构由原先的过孔变为了调整膜而已。片状的第一膜层将信号测试线和信号测试端整片覆盖。具体的，从本申请的说明书第6页最后1段可见，其中多个片状子膜层21间的间距可非常小，只要能够确保不同子膜层间相互绝缘即可；而且，如果某个信号测试端12与某条信号测试线11需要引入的测试信号相同，则与它们对应的子膜层21可连接为一片。由此，本申请的方案既能使阵列基板的非显示区域的表面整体上平齐，以避免产生摩擦阴影；同时，又能通过面积较大的子膜层21将外围测试信号引入到相应的信号测试线11和信号测试端12上，从而大大方便了阵列基板的测试。也就是说，基于以上的区别技术特征（a）和（b），修改后的权利要求1相对对比文件3实际解决的技术问题是“使阵列基板的非显示区域表面平齐”以及“能通过面积较大的子膜层将外围测试信号引入”。在对比文件3中，调整膜就是针对过和焊盘孔设置的，因此，根据对比文件3，既不会想到将其中的调整膜用于信号测试线和信号测试端，更不会想到将调整膜设置成将对应的凹凸层（信号测试线和信号测试端）整片覆盖。也就是说，对比文件3不能给出用以上区别技术特征（a）和（b）解决以上“使阵列基板的非显示区域表面平齐”以及“能通过面积较大的子膜层将外围测试信号引入”的技术问题的技术启示。同时，以上区别技术特征（a）和（b）也均不是本领域的公知常识，故修改后的权利要求1是非显而易见的。
提出复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种显示基板,包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围设在所述显示区域的外围，所述显示基板的对应所述显示区域的一侧表面用于形成取向膜，所述显示基板的对应所述非显示区域的同一侧设置有凹凸不平的凹凸层，其特征在于，在所述凹凸层上方覆盖有表面平齐的第一膜层，所述第一膜层为所述显示基板的对应所述非显示区域的表层；
所述显示基板为阵列基板，所述凹凸层包括设置在所述阵列基板相对两边边缘的所述非显示区域的信号测试线和信号测试端，对应覆盖所述信号测试线和所述信号测试端所在区域的所述第一膜层呈片状，片状的第一膜层将位于阵列基板非显示区域的信号测试线和信号测试端整片覆盖；
所述第一膜层为导电层，所述第一膜层与所述信号测试线和所述信号测试端之间还设置有绝缘层，所述第一膜层分割形成多个片状子膜层，各个所述子膜层分别与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端至少局部相对应，每个所述子膜层与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端相对应的区域中均开设有过孔，不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端分别通过与其对应的所述过孔与不同的所述子膜层电连接。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中，仍然坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月16日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求2-7的修改超出原权利要求书和说明书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。（2）权利要求1,8,9不符合专利法第22条第3款的规定。具体而言，对比文件3公开了一种TFT阵列基板，权利要求1与对比文件3的区别在于：用信号测试线和信号测试端替代对比文件3中的焊盘404P。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1相对于对比文件3要解决的技术问题是：改换一种为显示基板提供信号的结构，以改善显示效果。然而，该区别技术特征属于本领域的公知常识。由此可知，权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。从属权利要求8的附加技术特征一部分被对比文件3公开，另一部分为所属领域技术人员的公知常识，因此也相应不具备专利法第22条第3款的创造性。权利要求9请求保护一种包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板的显示装置，基于类似的理由，其也相应不具备专利法第22条第3款的创造性。（3）复审通知书基于合理预期，评述了从属权利要求2-7即使克服超范围的缺陷，其将存在不具备创造性的缺陷。（4）复审通知书针对复审请求人的意见陈述给予一一答复。
复审请求人于2019年10月15日提交了意见陈述书，删除了权利要求2-7。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种显示基板,包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围设在所述显示区域的外围，所述显示基板的对应所述显示区域的一侧表面用于形成取向膜，所述显示基板的对应所述非显示区域的同一侧设置有凹凸不平的凹凸层，其特征在于，在所述凹凸层上方覆盖有表面平齐的第一膜层，所述第一膜层为所述显示基板的对应所述非显示区域的表层；
所述显示基板为阵列基板，所述凹凸层包括设置在所述阵列基板相对两边边缘的所述非显示区域的信号测试线和信号测试端，对应覆盖所述信号测试线和所述信号测试端所在区域的所述第一膜层呈片状，片状的第一膜层将位于阵列基板非显示区域的信号测试线和信号测试端整片覆盖；
所述第一膜层为导电层，所述第一膜层与所述信号测试线和所述信号测试端之间还设置有绝缘层，所述第一膜层分割形成多个片状子膜层，各个所述子膜层分别与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端至少局部相对应，每个所述子膜层与不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端相对应的区域中均开设有过孔，不同的所述信号测试线和不同的所述信号测试端分别通过与其对应的所述过孔与不同的所述子膜层电连接。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阵列基板在所述显示区域形成有像素电极，所述第一膜层与所述像素电极采用相同材料，且在同一构图工艺中形成。
3. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1或2所述的显示基板。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
审查文本的认定
由于复审请求人在2019年10月15日答复复审通知书时提交了权利要求的全文替换页，本复审决定所针对的文本是：复审请求人于2019年10月15日提交的权利要求第1-3项、于申请日2014年09月16日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1页、说明书摘要和摘要附图。
关于专利法第33条
专利法第33条规定，申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超过原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
复审请求人提交的修改文本中，将复审通知书中指出的、超范围的从属权利要求2-7删除，因此克服了修改超范围的缺陷，符合专利法第33条的规定。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，且现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域技术人员在面对所述技术问题时，有动机改进该最接近的现有技术并获得要求保护的技术方案，则要求保护的技术方案是显而易见的，不具备创造性。
具体到本案：
权利要求1-3不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
（1）权利要求1请求保护一种显示基板，对比文件3（CN1542530A）公开了一种TFT阵列基板10，并具体披露了以下技术特征（参见说明书第10页倒数第3段-第28页第2段，附图1-9、15-16）：包括图像显示区域10a和围设在上述的图像显示区域10a外围的周边区域，从TFT 阵列基板10的中心看，框缘遮光膜53以外被规定为周边区域（即非显示区域），周边区域中，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一边被设置，在TFT阵列基板10一侧设有上述的像素电极9a，在其上侧设有实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16；第三层间绝缘膜43的表面被平坦化，图8示出周边区域在第三层间绝缘膜43上形成焊盘404P，第四层间绝缘膜44形成在第三层间绝缘膜43和焊盘404P上，取向膜16形成在第四层间绝缘膜44和焊盘404P上。第四层间绝缘膜44的表面被平坦化，能够降低由存在于其下方的各种布线或元件等产生的阶梯差引起的液晶层50的取向不良。调整膜9aQ形成在第三层间绝缘膜43和焊盘404P上，调整膜9aQ由与像素电极膜为同一膜的膜构成，图2示出外部电路连接端子102具有多个，图15-16示出第四层间绝缘膜44上形成有接触孔44J，调整膜9aQ通过第四层间绝缘膜44上的接触孔44J与对应的焊盘404P连接，调整膜9aQ形成在接触孔44J上，调整膜9aQ表面平齐，调整膜9aQ上即为取向膜16，调整膜9aQ与焊盘404P之间具有第四层间绝缘膜44，调整膜9aQ等构成外部电路连接端子102，调整膜9aQ为片状，且该片状的调整膜9aQ将位于TFT阵列基板10周边区域的焊盘404P整片覆盖；由于第四层间绝缘膜44中存在由接触孔44J导致的凹凸，因此，第四层间绝缘膜44与其下的焊盘404P等各层的整体呈现出凹凸；调整膜9aQ上即为取向膜16，因此调整膜9aQ为TFT阵列基板10的表层。
由此可见，权利要求1相对于对比文件3的区别在于：用信号测试线和信号测试端替代对比文件3中的焊盘404P。基于上述区别特征可以确定，权利要求1相对于对比文件3要解决的技术问题是：改换一种为显示基板提供信号的结构,以改善显示效果。然而，信号测试线和信号测试端是本领域技术人员最为惯常使用的为TFT基板提供信号的结构，其性能与焊盘相似（参见对比文件3在说明书第25页第3段至第27页第2段、附图8中的相关描述：在焊盘404P上与柔性印刷布线基板的端子连接，其与外部电路连接端子102相关联，经由布线6aP将从外部提供给焊盘404P的各种信号稳定地提供给TFT30，可知对比文件3的焊盘404P正是用于实现对TFT基板提供信号的功能）。在阵列基板相对两边边缘的非显示区域、对应于焊盘404P所在位置和层设置信号测试线和信号测试端也早已是本领域技术人员的惯用手段，本领域技术人员根据需要完全可以用信号测试线和信号测试端来替代对比文件3中的焊盘404P从而得到权利要求1的技术方案，这仅仅是惯用手段的等效替代，并不需要付出任何创造性的劳动。由此可知，在对比文件3的基础上结合本领域技术人员的惯用手段得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）从属权利要求2引用权利要求1，其附加技术特征是：所述阵列基板在所述显示区域形成有像素电极，所述第一膜层与所述像素电极采用相同材料，且在同一构图工艺中形成。然而，对比文件3相应公开了（出处同上）：TFT阵列基板10在所述图像显示区域10a形成有像素电极膜，调整膜9aQ由与像素电极膜为同一膜的膜构成。此外，采用同一构图工艺属于本领域技术人员的惯用手段。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2也不具备创造性。
（3）权利要求3请求保护一种包括权利要求1-2任意一项所述的显示基板的显示装置。由于权利要求1和2请求保护的显示基板相对于对比文件3和本领域技术人员的惯用手段的结合已经不具备创造性，且对比文件3相应公开了（出处同上）：包括相关TFT阵列基板10的电光装置，具有图像显示区域10a。因此，在其引用的权利要求1和2不具备创造性时，权利要求3也不具备创造性。
针对复审请求人意见陈述的答复
复审请求人的答复意见与提复审请求时的相同，认为：修改后的权利要求1与对比文件3相比，至少具有以下的区别技术特征：
（a）凹凸层包括信号测试线和信号测试端。
（b）片状的第一膜层将信号测试线和信号测试端整片覆盖。
对比文件3未公开上述区别技术特征（a）和（b）。根据对比文件3的方案，由于其每个调整膜仅对应一个接触孔，故其调整膜之间的距离基本与过孔或焊盘间的原有距离相同，因此，不同调整膜之间的间隔很大。进一步的，对比文件3中的表面实际仍然是凹凸不平的，只是其中不平的结构由原先的过孔变为了调整膜而已。片状的第一膜层将信号测试线和信号测试端整片覆盖。具体的，从本申请的说明书第6页最后1段可见，其中多个片状子膜层21间的间距可非常小，只要能够确保不同子膜层间相互绝缘即可；而且，如果某个信号测试端12与某条信号测试线11需要引入的测试信号相同，则与它们对应的子膜层21可连接为一片。由此，本申请的方案既能使阵列基板的非显示区域的表面整体上平齐，以避免产生摩擦阴影；同时，又能通过面积较大的子膜层21将外围测试信号引入到相应的信号测试线11和信号测试端12上，从而大大方便了阵列基板的测试。也就是说，基于以上的区别技术特征（a）和（b），修改后的权利要求1相对对比文件3实际解决的技术问题是“使阵列基板的非显示区域表面平齐”以及“能通过面积较大的子膜层将外围测试信号引入”。在对比文件3中，调整膜就是针对过和焊盘孔设置的，因此，根据对比文件3，既不会想到将其中的调整膜用于信号测试线和信号测试端，更不会想到将调整膜设置成将对应的凹凸层（信号测试线和信号测试端）整片覆盖。也就是说，对比文件3不能给出用以上区别技术特征（a）和（b）解决以上“使阵列基板的非显示区域表面平齐”以及“能通过面积较大的子膜层将外围测试信号引入”的技术问题的技术启示。同时，以上区别技术特征（a）和（b）也均不是本领域的公知常识，故修改后的权利要求1是非显而易见的。
合议组经合议后认为：
首先，参考对权利要求1的评述可知，对比文件3已经公开了（A）凹凸层包括焊盘404P；（B）片状的调整膜9aQ将位于TFT阵列基板10周边区域的焊盘404P整片覆盖。很明显，上述对比文件3已公开的特征（A）和（B）分别与复审请求人所述的区别（a）和（b）相应且类似。权利要求1与对比文件3的实质区别仅在于：用信号测试线和信号测试端替代对比文件3中的焊盘404P。基于上述区别特征可以确定，权利要求1相对于对比文件3实际要解决的技术问题是：改换一种为显示基板提供信号的结构,以改善显示效果。然而，信号测试线和信号测试端是本领域技术人员最为惯常使用的为TFT基板提供信号的结构，其性能与焊盘相似。因此，这种替代对于本领域技术人员而言是容易想到和实现的，其效果也是可以预期的。
其次，复审请求人强调的两个技术问题“使阵列基板的非显示区域表面平齐”和“能通过面积较大的子膜层将外围测试信号引入”已被对比文件3解决。对比文件3明确公开了（参见对比文件3的说明书第7页第1段至第8页第6段、附图16）：在焊盘404P上的片状的调整膜9aQ将位于TFT阵列基板10周边区域的焊盘404P整片覆盖，能够实现优异的平坦性，因此能够防止在对取向膜进行摩擦处理时，以凹凸为起因而产生磨削屑的事态发生。同时，由对比文件3在说明书第25页第3段至第27页第2段、附图8中的相关描述“在焊盘404P上与柔性印刷布线基板的端子连接，其与外部电路连接端子102相关联，经由布线6aP将从外部提供给焊盘404P的各种信号稳定地提供给TFT30”可知对比文件3的焊盘404P正是用于实现对TFT基板提供信号的功能。
此外，本申请原始说明书中除了描述片状子膜层的技术方案（实施例1）外，同时也公开了多个条状子膜层的技术方案（实施例2-4）。原始说明书中明确认为无论是整片覆盖的片状子膜层，还是间隔设置的条状子膜层，都能够解决其存在的技术问题“摩擦形成的沟槽取向不一致，很容易产生摩擦阴影”并达到相同的技术效果。在原始说明书中记载的“凹凸不平”是指在同一整片结构上，由于沟槽导致的同一平面上可见的凹凸，而不是指某一整片结构的厚度与另一整片结构的厚度不同。复审请求人在提交复审请求时所主张的“不同子膜层间隔很大”会导致其“基板表面实际仍然是凹凸不平的，只是其中不平的结构由原先的过孔变为了调整膜而已”与原始说明书中的记载不一致，合议组不能认同。
综上所述，对于复审请求人有关权利要求1具备创造性的观点，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月29日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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