发明创造名称：一种阵列基板及其制作方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：199876
决定日：2020-01-09
委内编号：1F271904
优先权日：
申请（专利）号：201510624625.X
申请日：2015-09-25
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 合肥鑫晟光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘亚利
合议组组长：崔双魁
参审员：张帆
国际分类号：G02F1/1335,G02B5/22
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而区别技术特征中的一部分是本领域技术人员基于该对比文件公开的内容和本领域的公知常识容易想到的，另一部分属于本领域的公知常识，且该权利要求的技术方案并没有由于这些区别技术特征而具有预料不到的技术效果，则权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510624625.X，名称为“一种阵列基板及其制作方法、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司和合肥鑫晟光电科技有限公司。本申请的申请日为2015年09月25日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月24日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在驳回决定引用了如下两篇对比文件：
对比文件2：CN103646958A，公开日为2014年03月19日；
对比文件3：CN102544028A，公开日为2012年07月04日。驳回决定所依据的文本为申请日2015年09月25日提交的说明书摘要、说明书第1-87段、摘要附图、说明书附图；2017年09月07日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括透光区和非透光区，包括位于衬底基板上的像素电极，其特征在于，所述透光区形成有蓝光过滤层，所述蓝光过滤层用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述蓝光过滤层包括半导体纳米粒子。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体纳米粒子包括二氧化钛或为氧化钨。
4. 根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
5. 根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
6. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-5所述的阵列基板。
7. 一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极和像素电极，其特征在于，所述方法还包括：在所述像素电极对应的区域制作蓝光过滤层，所述蓝光过滤层用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图 工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
9. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
10. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，形成蓝光过滤薄膜，包括：
通过磁控溅射的方法形成蓝光过滤薄膜。”
驳回决定指出：独立权利要求1、7与对比文件3的区别分别在于：1）本申请为蓝光过滤层，对比文件3为紫外光吸收层；蓝光过滤层用于吸收波长小于450纳米的蓝光； 2）蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内。基于上述区别技术特征，认定其实际解决的技术问题为如何降低有害蓝光防止对人眼的损害以及如何设置蓝光过滤层的覆盖范围。对于特征1），对比文件2公开了通过设置蓝光滤光层以滤除波长在440nm内的蓝光，防止对人眼造成伤害；对比文件2给出了将上述特征用于对比文件3的技术启示；对于特征2），在对比文件3已经公开的上紫外光吸收层UV2在透明基板SUB上的正投影区域与像素电极PXL在透明基板SUB上的正投影区域相重叠的基础上，根据实际需要设置上紫外光吸收层UV2的覆盖范围是本领域技术人员根据实际需要可做出的常规选择。因此，权利要求1、7相对于对比文件3和对比文件2以及上述本领域技术人员的常规选择的结合不具备创造性。权利要求4-5、8-10的附加技术特征或被对比文件2或3公开，或属于本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求4-5、8-10不具备创造性。显示装置包括阵列基板已被对比文件3公开，因此包括权利要求1-5的显示基板的独立权利要求6不具备创造性。
京东方科技集团股份有限公司和合肥鑫晟光电科技有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月23日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，在独立权利要求1中，将技术特征“所述透光区形成有蓝光过滤层”修改为“所述阵列基板仅在所述透光区形成有蓝光过滤层”，对蓝光过滤层增加限定“所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛”；删除权利要求2和3并适应性修改各项权利要求的编号及引用关系；新的从属权利要求2和3修改为分别引用权利要求1；在新的独立权利要求5中，将技术特征“在所述像素电极对应的区域制作蓝光过滤层”修改为“仅在所述像素电极对应的区域制作蓝光过滤层”，对蓝光过滤层增加限定为“所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛”。复审请求时修改后的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括透光区和非透光区，包括位于衬底基板上的像素电极，其特征在于，所述阵列基板仅在所述透光区形成有蓝光过滤层，所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛，用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
4. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-3所述的阵列基板。
5. 一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极和像素电极，其特征在于，所述方法还包括：仅在所述像素电极对应的区域制作蓝光过滤层，所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛，用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
8. 根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，形成蓝光过滤薄膜，包括：
通过磁控溅射的方法形成蓝光过滤薄膜。”
复审请求人认为：对比文件2公开了在显示面板的出光侧设置一整层蓝光滤光层，没有涉及显示面板是否包括透光区及非透光区，更没有公开蓝色滤光层仅设置在透光区，对比文件2也没有公开上述区别特征。本申请使蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于像素电极在衬底基板上的正投影区域内，是为了避免对非透光区的薄膜晶体管开关、栅极线和数据线造成影响，进而避免影响阵列基板的正常充/放电过程，现有技术并没有公开蓝光滤光层的投影位于像素电极的投影内，以避免蓝色滤光层对阵列基板的正常充/放电的影响。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为“蓝光过滤层只是覆盖像素电极，显然是要避免覆盖薄膜晶体管进而以避免阵列基板的正常充/放电”不成立；本领域技术人员在蓝光过滤层充分过滤有害蓝光的基础上，有动机根据实际需要合理设置其覆盖区域。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1和对比文件2的区别在于：（1）阵列基板仅在透光区形成有蓝光过滤层，蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于像素电极在衬底基板上的正投影区域内；（2）蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛。对于区别特征（1），对比文件2公开了利用长波通滤光层滤去预设波段范围内蓝光，其与本申请的降低背光源中有害蓝光的发明构思相同，在上述公开的基础上，本领域技术人员根据阵列基板的基本结构将长波通滤光层仅设置在像素的透光区域并不需要付出创造性的劳动。对于区别技术特征（2），对比文件2中公开了作为长波通滤光片的多层介质膜中可以包括TiO2，而掺有碳粉末的二氧化钛是本领域技术人员熟知的一种无机材料，其可吸收某波段的蓝光是本领域技术人员公知的固有性质，在此基础上，本领域技术人员利用掺有碳粉末的二氧化钛制造蓝光过滤器是本领域技术人员的常规选择。因此，独立权利要求1相对对比文件2和本领域的公知常识的结合不具备创造性。权利要求2和3的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求2-3不具备创造性。对比文件2公开了一种显示面板，因此包括权利要求1-3所述的阵列基板的独立权利要求4也不具备创造性。独立权利要求5和对比文件2的区别在于：(1)在衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极；（2）仅在像素电极对应的区域制作蓝光过滤层，蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于像素电极在衬底基板上的正投影区域内；（3）蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛。针对区别特征（1），LCD显示面板采用设置在阵列基板上的薄膜晶体管驱动像素电极是本领域技术人员的常规选择，在阵列基板的衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极以制作薄膜晶体管也是本领域技术人员的公知常识；针对区别特征（2），对比文件2公开的利用长波通滤光层滤去预设波段范围内蓝光，以避免高能短波蓝光对人眼造成伤害与本申请的降低背光源中有害蓝光的发明构思相同，都是通过设置滤光层以吸收短波长的蓝光，在此基础上，根据阵列基板的基本结构，本领域技术人员容易想到将对比文件2的长波通滤光层仅设置在像素电极对应的透光区域就可实现对短波长蓝光的吸收，其并不需要付出创造性的劳动；对于区别特征（3），对比文件2中已经公开了作为长波通滤光片的多层介质膜中可以包括TiO2，掺有碳粉末的二氧化钛是本领域技术人员熟知的一种无机材料，其可吸收某波段的蓝光是本领域技术人员公知的固有性质，在此基础上，本领域技术人员利用掺有碳粉末的二氧化钛制造蓝光过滤器是本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求5不具备创造性。权利要求6-8的附加技术特征或被对比文件2公开、或属于本领域的常规选择。因此，权利要求6-8不具备创造性。
复审请求人于2019年09月09日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，在独立权利要求1和5中分别增加技术特征“所述蓝光过滤层位于所述像素电极的下方，且与所述像素电极接触”。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括透光区和非透光区，包括位于衬底基板上的像素电极，其特征在于，所述阵列基板仅在所述透光区形成有蓝光过滤层，所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛，用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内；所述蓝光过滤层位于所述像素电极的下方，且与所述像素电极接触。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括依次位于衬底基板上的遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极、漏极、钝化层、蓝光过滤层和像素电极。
4. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-3所述的阵列基板。
5. 一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极和像素电极，其特征在于，所述方法还包括：仅在所述像素电极对应的区域制作蓝光过滤层，所述蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛，用于吸收波长小于450纳米的蓝光；所述蓝光过滤层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述像素电极在所述衬底基板上的正投影区域内；所述蓝光过滤层位于所述像素电极的下方，且与所述像素电极接触。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成 的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
通过构图工艺在衬底基板上依次制作遮光层、第一绝缘层、半导体有源层、第二绝缘层、栅极、第三绝缘层、源极和漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上依次形成钝化层和蓝光过滤薄膜，通过构图工艺形成贯穿所述钝化层和所述蓝光过滤薄膜的过孔，暴露出需要与后续形成的像素电极电连接的漏极；
在完成上述步骤的衬底基板上形成一层透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，仅保留需要形成像素电极位置处的光刻胶；
对透明导电薄膜和蓝光过滤薄膜进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，形成像素电极和蓝光过滤层，所述像素电极通过所述过孔与暴露出的所述漏极电连接。
8. 根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，形成蓝光过滤薄膜，包括：
通过磁控溅射的方法形成蓝光过滤薄膜。”
复审请求人认为：对比文件2的长波通滤光片实际是位于玻璃盖板的，其与本申请的蓝光过滤层的设置位置不相同；即使本领域技术人员对阵列基板的结构非常熟悉，也不会想到将蓝光滤光片设置于像素的透光区；对比文件2及其它现有技术没有给出要在透光区设置蓝光滤光片以解决蓝光滤波片对正常充/放电影响问题的技术启示。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年01月23日提交复审请求时和2019年09月09日答复复审通知书时分别提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本决定所依据的文本为：申请日2015年09月25日提交的说明书摘要、说明书第1-87段、摘要附图、说明书附图；2019年09月09日提交的权利要求第1-8项。
（二）专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而区别技术特征中的一部分是本领域技术人员基于该对比文件公开的内容和本领域的公知常识容易想到的，另一部分属于本领域的公知常识，且该权利要求的技术方案并没有由于这些区别技术特征而具有预料不到的技术效果，则权利要求不具备创造性。
具体到本案，合议组认为：
1.权利要求1请求保护一种阵列基板。对比文件2公开了（参见说明书第7-26段、图1-2）一种显示面板，显示面板为LCD显示面板、OLED显示面板或任何适切的面板（说明书第10段）；在第一较佳实施方式结构中，在显示面板的出光方向设置一长波通滤光层21，通过该长波通滤光层21滤去发射波长中的短波部分，使得波长小于某一预设值的光子不能通过，从而避免了高强度高亮度的蓝光对人眼的伤害。该长波通滤光层21的制作方法可以选择蒸镀或溅射多层介质膜，也可以选择单层半导体薄膜材料（说明书第22段）。对于多层介质膜技术来说，其中低折射率层可选用SiO2，高折射率层可选用TiO2（说明书第23段）。单层半导体薄膜材料同样可通过溅射或蒸镀方式制作在玻璃盖板表面，实现对波长低于440nm光子的吸收（说明书第24段）。当适用于LCD显示面板时，同样可以使用上述长波通滤光片40的单体，或者将LCD显示面板玻璃上直接覆一层长波通滤光层，同样可以起到滤除预设波长蓝光的效果（说明书第26段。）对比文件2的LCD显示面板要实现正常显示，必然包括有阵列基板，在衬底基板上设置有像素电极，阵列基板的像素结构中必然包括有对应于像素开口的透光区和位于像素开口周围的非透光区。
经分析比对可知，对比文件2的长波通滤光片对应于本申请的蓝光过滤层，对比文件2公开的滤去的蓝光的波段为小于等于440nm，与本申请限定的波长小于450纳米相比，对比文件2公开的数值范围小于等于440nm落在本申请的小于450nm的数值范围内；
因此，权利要求1和对比文件2的区别特征在于：（1）阵列基板仅在透光区形成有蓝光过滤层，蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于像素电极在衬底基板上的正投影区域内；（2）蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛；（3）蓝光过滤层位于所述像素电极的下方，且与所述像素电极接触。根据该区别特征确定发明实际解决的技术问题是：（1）去掉通过透光区进入人眼的光线中的有害蓝光的同时，避免蓝光过滤层对薄膜晶体管开关、栅极线和数据线形成较大干扰；（2）选择何种材质制造蓝光过滤层；（3）如何选择蓝光过滤层的设置位置。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了利用长波通滤光层滤去预设波段范围内蓝光，以避免高能短波蓝光对人眼造成伤害，其与本申请的降低背光源中有害蓝光的发明构思相同，都是通过设置滤光层以吸收短波长的蓝光；本领域技术人员根据阵列基板的基本结构可知，像素开口部分为透光区域、像素开口的周边部分为信号线和TFT晶体管设置的非透光区，有害蓝光仅仅从透光区域射入眼睛；因此，在对比文件2公开的技术方案的基础上，本领域技术人员容易想到将对比文件2的长波通滤光层仅设置在像素的透光区域，即长波通滤光层的投影区域位于像素电极的投影区域内，就可实现对短波长蓝光的吸收，其并不需要付出创造性的劳动。对于区别技术特征（2），对比文件2中公开了作为长波通滤光片的多层介质膜中可以包括TiO2，而掺有碳粉末的二氧化钛是本领域技术人员熟知的一种无机材料，其可吸收某波段的蓝光是本领域技术人员公知的固有性质，在此基础上，本领域技术人员利用掺有碳粉末的二氧化钛制造蓝光过滤器是本领域技术人员的常规选择。对于区别技术特征（3），由于制造蓝光过滤层的材质稳定，不与阵列基板上的制造电极的材料等发生反应，且前面的评述中所述，需要在像素的透光区域设置有蓝光过滤层，该透光区域通常和像素电极的形状相对应，因此在像素电极对应的区域设置蓝光过滤层是容易想到的，从制造工艺的角度考虑，本领域技术人员有动机在制造像素电极的步骤之前或之后对应设置蓝色滤光层，当本领域技术人员采用在制造像素电极的步骤之前设置蓝光过滤层时，容易想到将蓝光过滤层设置在像素电极下方，且与像素电极接触。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为，参照前面的评述，制造蓝光过滤层的掺有碳粉末的二氧化钛性质稳定，不与阵列基板上的制造电极的材料等发生反应，且其需要与像素电极的透光区形状相似，因此本领域技术人员从制造工艺简便的角度很容易选择将其设置在像素电极下方，不需要付出创造性的劳动。另外，对比文件2公开了利用长波通滤光层滤去预设波段范围内蓝光，以避免高能短波蓝光对人眼造成伤害，其与本申请的降低背光源中有害蓝光的发明构思相同，都是通过设置滤光层以吸收短波长的蓝光；本领域技术人员根据阵列基板的基本结构可知，像素开口部分为透光区域、像素开口的周边部分为信号线和TFT晶体管设置的非透光区，高能短波蓝光仅仅能从透光区域射入人的眼睛，因此，本领域技术人员容易想到将对比文件2的长波通滤光层仅设置在像素的透光区域，即长波通滤光层的投影区域位于像素电极的投影区域内，就可实现对短波长蓝光的吸收，其并不需要付出创造性的劳动。由于本申请中并没有对滤光层如何进行避免对阵列基板的正常充/放电的影响进行详细的说明，从权利要求中并不能体现出该限定，而且，当将对比文件2的长波通滤光层仅设置在透光区时，实质上也能够达到与本申请相同的效果。
2.权利要求2和3分别引用权利要求1，对设置在衬底基板上的薄膜晶体管、像素电极和蓝光过滤层的层级结构进一步限定。将薄膜晶体管设置为顶栅或底栅结构、将蓝光过滤层设置在钝化层和像素电极之间是本领域技术人员的常规选择。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2和3也分别不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求4请求保护一种显示装置，包括权利要求1-3所述的阵列基板。对比文件2公开了一种显示面板，具体参照前面的评述。因此，当其包括的阵列基板不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.权利要求5请求保护一种阵列基板的制作方法。对比文件2公开了（参见说明书第1段，第7-26段、图1-2）一种显示面板的制作方法（说明书第1段），显示面板为LCD显示面板、OLED显示面板或任何适切的面板（说明书第10段）；在第一较佳实施方式结构中，在显示面板的出光方向设置一长波通滤光层21，通过该长波通滤光层21滤去发射波长中的短波部分，使得波长小于某一预设值的光子不能通过，从而避免了高强度高亮度的蓝光对人眼的伤害。该长波通滤光层21的制作方法可以选择蒸镀或溅射多层介质膜，也可以选择单层半导体薄膜材料（说明书第22段）。对于多层介质膜技术来说，其中低折射率层可选用SiO2，高折射率层可选用TiO2（说明书第23段）。单层半导体薄膜材料同样可通过溅射或蒸镀方式制作在玻璃盖板表面，实现对波长低于440nm光子的吸收（说明书第24段）。当适用于LCD显示面板时，同样可以使用上述长波通滤光片40的单体，或者将LCD显示面板玻璃上直接覆一层长波通滤光层，同样可以起到滤除预设波长蓝光的效果（说明书第26段。）对比文件2的LCD显示面板要实现正常显示，必然包括有阵列基板，在衬底基板上必然设置有像素电极，阵列基板的制造方法必然包括在衬底基板上制作像素电极。
经分析比对，经分析比对可知，对比文件2的长波通滤光片对应于本申请的蓝光过滤层，对比文件2公开的滤去的蓝光的波段为小于等于440nm，与本申请限定的波长小于450纳米相比，对比文件2公开的数值范围小于等于440nm落在本申请的小于450nm的数值范围内；
因此，权利要求5和对比文件2的区别特征在于：(1)在衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极；（2）仅在像素电极对应的区域制作蓝光过滤层，蓝光过滤层在衬底基板上的正投影区域位于像素电极在衬底基板上的正投影区域内；（3）蓝光过滤层为掺有碳粉末的二氧化钛；（4）蓝光过滤层位于所述像素电极的下方，且与所述像素电极接触。根据该区别特征确定发明实际解决的技术问题是：（1）制造驱动像素电极的薄膜晶体管；（2）在去掉通过透光区进入人眼的光线中的有害蓝光的同时，避免蓝光过滤层对薄膜晶体管开关、栅极线和数据线形成较大干扰；（3）选择何种材质制造蓝光过滤层；（4）如何选择蓝光过滤层的设置位置。
对于区别技术特征（1），LCD显示面板采用设置在阵列基板上的薄膜晶体管驱动像素电极是本领域技术人员的常规选择，为了在LCD的阵列面板上制作薄膜晶体管，在阵列基板的衬底基板上制作栅极、半导体有源层、源极、漏极也是本领域技术人员的公知常识。对于区别技术特征（2），在对比文件2公开了利用长波通滤光层滤去预设波段范围内蓝光，以避免高能短波蓝光对人眼造成伤害，其与本申请的降低背光源中有害蓝光的发明构思相同，都是通过设置滤光层以吸收短波长的蓝光；本领域技术人员根据阵列基板的基本结构可知，像素开口部分为透光区域、像素开口的周边部分为信号线和TFT晶体管设置的非透光区，有害蓝光仅仅从透光区域射入眼睛；因此，在对比文件2公开的技术方案的基础上，本领域技术人员容易想到将对比文件2的长波通滤光层仅设置在像素的透光区域，即长波通滤光层的投影区域位于像素电极的投影区域内，就可实现对短波长蓝光的吸收，其并不需要付出创造性的劳动。对于区别技术特征（3），对比文件2中已经公开了作为长波通滤光片的多层介质膜中可以包括TiO2，掺有碳粉末的二氧化钛是本领域技术人员熟知的一种无机材料，其可吸收某波段的蓝光是本领域技术人员公知的固有性质，在此基础上，本领域技术人员利用掺有碳粉末的二氧化钛制造蓝光过滤器是本领域技术人员的常规选择。对于区别技术特征（4），由于制造蓝光过滤层的材质稳定，不与阵列基板上的制造电极的材料等发生反应，且前面的评述中所述，需要在像素的透光区域设置有蓝光过滤层，该透光区域通常和像素电极的形状相对应，因此在像素电极对应的区域设置蓝光过滤层是容易想到的，从制造工艺的角度考虑，本领域技术人员有动机在制造像素电极的步骤之前或之后对应设置蓝色滤光层，当本领域技术人员采用在制造像素电极的步骤之前设置蓝光过滤层时，容易想到将蓝光过滤层设置在像素电极下方，且与像素电极接触。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求5的技术方案是显而易见的，因此，权利要求5不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5.权利要求6和7分别引用权利要求5，对制造在衬底基板上形成的薄膜晶体管、像素电极和蓝光过滤层的工序进一步限定。将薄膜晶体管设置为顶栅或底栅结构、将蓝光过滤层设置在钝化层和像素电极之间、以及具体利用构图工艺、光刻胶曝光等工序制作阵列基板各层级是本领域技术人员的常规选择。因此，当其引用的权利要求5不具备创造性时，权利要求6和7也分别不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6.权利要求8引用权利要求6或7。对比文件2公开了（参见说明书第22-24段）该长波通滤光层21的制作方法可以选择蒸镀或溅射多层介质膜，也可以选择单层半导体薄膜材料（说明书第22段）。单层半导体薄膜材料同样可通过溅射或蒸镀方式制作在玻璃盖板表面（说明书第24段）。在对比文件2公开通过溅射制作长波通滤光层21的基础上，进一步选择通过磁控溅射方法形成蓝光过滤膜是本领域技术人员可根据需要作出的常规选择。因此，当其引用的权利要求6或7不具备创造性时，权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月24日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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