发明创造名称：半导体边界保护密封剂
外观设计名称：
决定号：201138
决定日：2020-01-09
委内编号：1F289600
优先权日：2014-08-15；2014-10-20
申请（专利）号：201510197236.3
申请日：2015-04-23
复审请求人：安华高科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：曹毓涵
合议组组长：韩冰
参审员：王光军
国际分类号：H01L23/492,H01L23/29,H01L21/56,H01L23/31
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其它对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该部分区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510197236.3，名称为“半导体边界保护密封剂”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为安华高科技股份有限公司，申请日为2015年04月23日，优先权日为2014年08月15、2014年10月20日，公开日为2016年03月02日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年04月10日发出驳回决定，以权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年04月23日提交的说明书第1-18页、说明书附图第1-38页、说明书摘要、摘要附图；2018年07月27日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种半导体封装，包括：
半导体单元，包含有源电路层；在所述有源电路层上的多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被配置为连接至多个焊球中相应的焊球；以及 保护密封涂层，填充所述有源电路层的至少一个凹槽，其中，所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面；其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。
2. 根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述外部晶圆分离表面包括锯切边缘、蚀刻边缘或者激光改变的边缘中的一个或多个。
3. 根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述保护密封涂层至少部分地覆盖所述半导体单元的裸片的周边。
4. 根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：附加保护密封涂层，围绕所述有源电路层上的所述外部导电连接器。
5. 根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：附加保护密封涂层，在所述半导体单元的非活性表面上。
6. 根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述保护密封涂层减小或者去除围绕每个所述半导体单元的密封圈。
7. 一种半导体封装，包括：半导体单元，具有有源电路表面和非活性表面；多个焊球，其连接至所述有源电路表面； 凹槽，沿着所述有源电路表面的暴露边缘形成并部分地沿着所述半导体单元的裸片边缘延伸；以及 保护密封涂层，填充在所述凹槽内，其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路表面和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。
8. 一种制造半导体封装的方法，包括：将多个焊球安置于半导体晶圆的有源电路层上；在所述半导体晶圆的各半导体单元之间切割或者蚀刻至少一个凹槽，其中，所述至少一个凹槽切割穿过或者蚀刻穿过所述半导体晶圆的所述有源电路层；将胶带粘附至所述多个焊球；以及 将保护密封涂层材料施加到所述半导体单元之间的所述至少一个凹槽中；其中所述多个焊球具有第一高度并被所述胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。
9. 根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：将多个半导体器件以条格式或阵列格式粘附至粘性载体，其中，所述格式包含相邻的每对半导体器件之间的间隔；在所述间隔内施加塑封料，其中，所述塑封料围绕暴露的有源电路边缘；并且通过施加的所述塑封料分离所述多个半导体器件。
10. 根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：完全穿过所述半导体单元之间的所述半导体晶圆来切割或蚀刻所述至少一个凹槽。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中所述至少一个凹槽通过切割和蚀刻步骤的组合而形成。”
驳回决定引用了如下2篇对比文件：
对比文件1：CN 1337065A，公开日期：2002年02月20日；
对比文件3：CN 103824783A，公开日期：2014年05月28日。
驳回决定的主要理由是：1、独立权利要求1和7与对比文件1相比，区别技术特征均在于：芯片外部导电连接部件为焊球，多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第一高度小于第二高度，由此形成在有源电路层和胶带之间的间隙，保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。上述区别技术特征部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分的区别技术特征属于本领域的公知常识；因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识获得权利要求1和7请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1和7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、独立权利要求8与对比文件1相比，区别技术特征是：芯片外部导电连接部件为焊球，凹槽通过蚀刻形成，将胶带粘附至多个焊球，多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第一高度小于第二高度，由此形成在有源电路层和胶带之间的间隙，保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分；上述区别技术特征部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分的区别技术特征属于本领域的公知常识；因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识获得权利要求8请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、从属权利要求2-6、9-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年07月02日向专利复审委员会提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求1-11项）。复审请求人对独立权利要求1、7-8进行了修改，修改后的权利要求1、7-8的内容如下：
“1. 一种半导体封装，包括：晶圆，其包含有源电路层且包括多个半导体单元；在所述有源电路层上的多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被配置为连接至多个焊球中相应的焊球；以及保护密封涂层，其填充所述晶圆的所述有源电路层的至少一个凹槽，其中，所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元；其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。”
“7. 一种半导体封装，包括：晶圆，其具有有源电路表面和非活性表面且包括多个半导体单元；多个焊球，其连接至所述有源电路表面；凹槽，沿着所述有源电路表面的暴露边缘形成并部分地沿着所述半导体单元的裸片边缘延伸；以及保护密封涂层，填充在所述凹槽内，其中所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元，其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路表面和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。
8. 一种制造半导体封装的方法，包括：将多个焊球安置于半导体晶圆的有源电路层上，其中所述半导体晶圆包括多个半导体单元；在所述半导体晶圆的各半导体单元之间切割或者蚀刻至少一个凹槽，其中，所述至少一个凹槽切割穿过或者蚀刻穿过所述半导体晶圆的所述有源电路层；将胶带粘附至所述多个焊球；以及 将保护密封涂层施加到所述半导体单元之间的所述至少一个凹槽中，其中所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元；其中所述多个焊球具有第一高度并被所述胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。”
复审请求人认为：（1）对比文件1、3并不涉及对晶圆上的多个半导体单元的分离，因此未公开新增加的技术特征“晶圆，其包含有源电路层且包括多个半导体单元”和“保护密封涂层，其填充所述晶圆的所述有源电路层的至少一个凹槽，其中，所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元”。（2）从对比文件1出发，本领域技术人员不会想到 “如何在采用密封剂对芯片外部导电部件进行保护的同时，便于芯片外部导电部件的暴露以连接至其它电子元件”这一技术问题。对比文件1的说明书及附图并没有任何关于焊球的内容，对比文件1的外部连接件(即，柱形电极6)在制备的初期就受到了密封剂的保护，并且该外部连接件的顶部被暴露以用于连接其它电子元件。对比文件1采用的是正向组装半导体芯片的方式，在组装的过程中，柱形电极6始终由硅片1和密封膜13支撑以获得足够的支持和可靠性。基于此，本领域技术人员没有任何理由先用粘合材料围绕柱状电极的顶部，由此在有源电路层和粘合材料之间形成间隙，再填充保护密封涂层以填充形成的间隙。因此，修改后的权利要求具备创造性。
经形式审查合格，专利复审委员会受理了该复审请求，于2019年07月08日向复审请求人发出了复审请求受理通知书，并将其转送至国家知识产权局实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。认为：[1]对比文件1已经公开了对晶圆上的多个半导体单元的分离。[2]驳回中总结的技术问题应当为：选择芯片外部导电连接器，选择一种形成芯片密封层的方式。对比文件3公开了以下技术特征：如图2D，器件裸片240上设置有多个焊球250，用释放箔280保护焊球250，包塑270包围器件裸片240，如图2E，去除释放箔280，焊球250部分外露，由上述公开内容可知，在如图2D中，焊球250具有第一高度并被释放箔280围绕的第二高度，第二高度小于第一高度，由此形成有源电路层和释放箔280之间的间隙，包塑270填充于上述间隙内并包围多个焊球280的暴露部分。上述技术特征在对比文件3中的作用和在本申请中的作用相同，都是选择芯片外部连接器，形成芯片密封层的方式，因此，其给出了将上述技术特征应用于对比文件1以解决实际技术问题的启示。
针对该复审请求，专利复审委员会依法成立合议组对本案进行审理，并于2019年10月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、独立权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征是：多个焊球连接至所述多个接合焊盘，所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。上述区别技术特征部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分的区别技术特征属于本领域的公知常识。因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识获得权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、独立权利要求7与对比文件1相比，区别技术特征是：多个焊球连接至有源电路表面，所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路表面和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。上述区别技术特征部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分的区别技术特征属于公知常识。因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识获得权利要求7请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、独立权利要求8与对比文件1相比，区别技术特征是：[1]将胶带粘附至所述多个焊球，所述多个焊球具有第一高度并被所述胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分；[2]还可以采用蚀刻形成凹槽。区别技术特征[1]的部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分属于本领域的公知常识；区别技术特征[2]属于本领域的公知常识；因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的公知常识获得权利要求8请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。5、从属权利要求9-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。6、针对复审请求人的意见陈述，进一步指出：（1）对比文件1公开了技术特征：“晶圆，其包含有源电路层且包括多个半导体单元”和“保护密封涂层，其填充所述晶圆的所述有源电路层的至少一个凹槽，其中，所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元”。（2）复审请求人主张的“对比文件1采用的是正向组装半导体芯片的方式”没有依据；对比文件1实际并未明确公开半导体器件为正向组装或者倒装；对比文件1使用柱形电极作为半导体器件的外部连接件，而本领域中采用诸如柱形电极、凸块之类的外部连接件的半导体器件通常是采用倒装工艺进行组装的。本领域技术人员基于对比文件3的教导，出于简化工艺的动机，有启示在对比文件1中采用焊料球代替柱形电极6，并采用对比文件3的密封工序形成密封膜13从而暴露除部分焊料球。
复审请求人于2019年12月05日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求1-10项）。复审请求人对独立权利要求1、7-8及从属权利要求11进行了修改，删除了从属权利要求10，并适应性修改了权利要求的序号和引用关系。修改后的权利要求1、7-8、10的内容如下：
“1. 一种半导体封装，包括：晶圆，其包含有源电路层且包括多个半导体单元；在所述有源电路层上的多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被配置为连接至多个焊球中相应的焊球；以及保护密封涂层，其至少填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽至少穿过所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度，其中，所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元；其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。”
“7. 一种半导体封装，包括：晶圆，其具有有源电路表面和非活性表面且包括多个半导体单元；多个焊球，其连接至所述有源电路表面；第一凹槽，沿着所述有源电路表面的暴露边缘形成并部分地沿着所述半导体单元的裸片边缘延伸；第二凹槽，其与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；以及保护密封涂层，填充在所述第一凹槽和所述第二凹槽内，其中所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元，其中所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路表面和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。
8. 一种制造半导体封装的方法，包括：将多个焊球安置于半导体晶圆的有源电路层上，其中所述半导体晶圆包括多个半导体单元； 在所述半导体晶圆的各半导体单元之间切割或者蚀刻第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽切割穿过或者蚀刻穿过所述半导体晶圆的所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共 同穿过所述半导体晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；将胶带粘附至所述多个焊球；以及 将保护密封涂层施加到所述半导体单元之间的所述第一凹槽和所述第二凹槽中，其中所述保护密封涂层包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体单元；其中所述多个焊球具有第一高度并被所述胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。”
“10. 根据权利要求8所述的方法，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽是通过切割和蚀刻步骤的组合而形成的。”
复审请求人认为：（1）对比文件1、3均无从公开、教导或建议修改后的权利要求1所记载的“保护密封涂层，其至少填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽至少穿过所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度”。对比文件1最多提到了由一个凹槽穿过半导体基片1'，而没有任何一处描述了由两个互相衔接的凹槽共同穿过半导体基片1'，更无从提及该两个凹槽的宽度的大小关系。对比文件1对半导体晶圆采用的是正向组装工艺，并不涉及倒装工艺，而在对半导体晶圆进行正向组装的过程中，并不存在经分离的半导体晶圆相对于彼此而容易发生移位的问题。对比文件3没有任何一处描述了由两个互相衔接的凹槽共同穿过器件裸片240，因此更不可能讨论或提及两个凹槽的宽度及大小关系。（2）本申请之所以提出上述特征是考量到在晶圆的倒装过程中，经分离的半导体单元难以牢固地粘结到载带上，因此会相对于彼此而发生移位。本申请通过在晶圆的划片街区中切割两个凹槽并使靠近载带的凹槽的宽度小于远离载带的凹槽的宽度，使得在晶圆的倒装工艺中分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年12月05日提交了最后修改的权利要求书的全文修改替换页（共计10项权利要求）。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定针对的文本为：复审请求人于申请日2015年04月23日提交的说明书第1-18页、说明书附图第1-38页、说明书摘要、摘要附图；于2019年12月05日提交的权利要求第1-10项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征未被其它对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该部分区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具备创造性。
本复审请求审查决定评价权利要求创造性时使用的对比文件与驳回决定和复审通知书使用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 1337065A，公开日期：2002年02月20日；
对比文件3：CN 103824783A，公开日期：2014年05月28日。
2-1、权利要求1要求保护一种半导体封装。对比文件1公开了一种半导体封装，并具体公开了（参见说明书第4页第4段-第8页第1段，附图1-16）：硅片1（即晶圆），其包含设置集成电路的内部区域（相当于有源电路层）且包括多个半导体芯片1’（相当于半导体单元）；在所述内部区域上的多个连接凸台2（相当于接合焊盘），所述多个连接凸台2被配置为通过布线5连接至多个柱形电极6中相应者；密封膜13（相当于保护密封涂层），其填充延伸至所述硅片1的内部区域的至少一个凹槽12；所述密封膜13包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体芯片1’。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：[1]多个焊球连接至所述多个接合焊盘，所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分；[2]保护密封涂层，其至少填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽至少穿过所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度。基于上述区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是：[1]如何形成对外连接以及如何简化工序；[2]保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位。
对于区别技术特征[1]，对比文件3公开了一种半导体封装，并具体公开了（参见说明书第[0028]-[0031]段，附图2A-2E）：器件裸片240具有上表面上设置焊料球250的有源电路，所述焊料球250提供到所述有源电路的电连接，多个所述器件裸片240附着到基座阵列之后，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240（如图2D所示），去除释放箔280后焊料球250部分外露（如图2E所示）；由上述公开内容可知，在图2D中，具有第一高度（即焊料球250的自身高度）的焊料球250应当被所述释放箔280围绕了第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成了有源电路层和释放箔280之间的间隙，包塑270填充于上述间隙内并包围多个焊料球250被释放箔280暴露的部分，从而在包塑完毕、去除释放箔280后，所述焊料球250未被释放箔280围绕的部分如图2E中所示那样暴露在外。且上述技术特征在对比文件3中所起的作用和在本申请中的作用相同，都是用于形成对外连接并简化工序。基于上述教导，本领域技术人员容易想到在对比文件1中采用焊料球代替柱形电极6，并采用对比文件3的上述密封工序形成密封膜13从而暴露除部分焊料球。此外，选择释放箔的材料为具有粘合材料的胶带，属于本领域的常规选择，属于本领域的公知常识。也就是说对比文件3结合本领域的公知常识给出了获得区别技术特征[1]的技术启示。
对于区别技术特征[2]，首先，对比文件1中一个凹槽12延伸至硅片1的内部区域，密封膜13（相当于保护密封涂层）填充所述凹槽12；对比文件1并没有公开第二凹槽与第一凹槽衔接且共同穿过硅片1，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，密封膜13填充所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件1对上述区别技术特征[2]没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。其次，对比文件3在条带210的每个基座上放置器件裸片240，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240；对比文件3并没有公开设置两个互相衔接的第二凹槽与第一凹槽共同穿过器件裸片240，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，释放箔280填充所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件3对上述区别技术特征[2]也没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。此外，采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题也不是本领域的公知常识。采用通过在晶圆的划片街区中切割两个互相衔接的凹槽并使靠近载带的凹槽的宽度小于远离载带的凹槽的宽度，有助于在晶圆的倒装工艺中使分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位；采用保护密封涂层填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，则可以完整地保护半导体单元的整个侧壁，保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤。也就是说上述区别技术特征[2]可以实现保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位的技术效果。
综上所述，权利要求1的技术方案相对于对比文件1、对比文件3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求7要求保护一种半导体封装。对比文件1公开了一种半导体封装，并具体公开了（参见说明书第4页第4段-第8页第1段，附图1-16）：硅片1（即晶圆），其包含设置集成电路的内部区域（相当于有源电路层）；所述硅片1具有上表面，其上设置有连接凸台2、布线5，所述连接凸台2和位于硅片上的集成电路相连（由此该上表面相当于有源电路表面）；所述硅片1具有下表面，其上没有设置任何布线以及电连接结构（由此该下表面相当于非活性表面）；所述硅片1包括多个半导体芯片1’（相当于半导体单元）；多个柱形电极6，其连接至所述上表面；凹槽12，沿着所述上表面的暴露边缘形成并部分地沿着所述半导体芯片1’的裸片边缘延伸；密封膜13（相当于保护密封涂层），填充在所述凹槽12内，所述密封膜13包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体芯片1’。
权利要求7与对比文件1的区别技术特征为：[1]多个焊球连接至有源电路表面，所述多个焊球具有第一高度并被胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路表面和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。[2]第二凹槽，其与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；保护密封涂层，填充在所述第一凹槽和所述第二凹槽内。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：[1]如何形成对外连接以及如何简化工序；[2]保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位。
对于区别技术特征[1]，对比文件3公开了一种半导体封装，并具体公开了（参见说明书第[0028]-[0031]段，附图2A-2E）：器件裸片240具有上表面上设置焊料球250的有源电路，所述焊料球250提供到所述有源电路的电连接，多个所述器件裸片240附着到基座阵列之后，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240（如图2D所示），去除释放箔280后焊料球250部分外露（如图2E所示）；由上述公开内容可知，在图2D中，具有第一高度（即焊料球250的自身高度）的焊料球250应当被所述释放箔280围绕了第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成了有源电路层和释放箔280之间的间隙，包塑270填充于上述间隙内并包围多个焊料球250被释放箔280暴露的部分，从而在包塑完毕、去除释放箔280后，所述焊料球250未被释放箔280围绕的部分如图2E中所示那样暴露在外。且上述技术特征在对比文件3中所起的作用和在本申请中的作用相同，都是用于形成对外连接并简化工序。基于上述教导，本领域技术人员容易想到在对比文件1中采用焊料球代替柱形电极6，并采用对比文件3的上述密封工序形成密封膜13从而暴露除部分焊料球。此外，选择释放箔的材料为具有粘合材料的胶带，属于本领域的常规选择，属于本领域的公知常识。也就是说对比文件3结合本领域的公知常识给出了获得区别技术特征[1]的技术启示。
对于区别技术特征[2]，首先，对比文件1中的一个凹槽12延伸至硅片1的内部区域，密封膜13（相当于保护密封涂层）填充所述凹槽12；对比文件1并没有公开第二凹槽与第一凹槽衔接且共同穿过硅片1，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，密封膜13填充所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件1对上述区别技术特征[2]没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。其次，对比文件3在条带210的每个基座上放置器件裸片240，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240；对比文件3并没有公开设置两个互相衔接的第二凹槽与第一凹槽共同穿过器件裸片240，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，释放箔280填充所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件3对上述区别技术特征[2]也没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。此外，采用区别技术特征[2]以解决本申请所要解决的技术问题也不是本领域的公知常识。采用通过在晶圆的划片街区中切割两个凹槽并使靠近载带的凹槽的宽度小于远离载带的凹槽的宽度，有助于在晶圆的倒装工艺中使分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位；采用保护密封涂层填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，则可以完整地保护半导体单元的整个侧壁，保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤。也就是说上述区别技术特征[2]可以实现保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位的技术效果。
综上所述，权利要求7的技术方案相对于对比文件1、对比文件3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求8要求保护一种制造半导体封装的方法。对比文件1公开了一种制造半导体封装的方法，并具体公开了（参见说明书第4页第4段-第8页第1段，附图1-16）：硅片1（即晶圆），其包含设置集成电路的内部区域（相当于有源电路层）；所述硅片1具有上表面，其上设置有连接凸台2、布线5，所述连接凸台2和位于硅片上的集成电路相连（由此该上表面相当于有源电路表面）；所述硅片1包括多个半导体芯片1’（相当于半导体单元）；将多个柱形电极6安置于硅片1的所述上表面上；在所述硅片1的各半导体芯片1’之间切割至少一个凹槽12，所述至少一个凹槽12切割穿过所述硅片1的所述设置集成电路的内部区域；将密封膜13（相当于保护密封涂层）施加到所述半导体芯片1’之间的所述至少一个凹槽12中，其中所述密封膜13包含外部晶圆分离表面，经由所述外部晶圆分离表面分离所述多个半导体芯片1’。
权利要求8与对比文件1的区别技术特征为：[1]将胶带粘附至所述多个焊球，所述多个焊球具有第一高度并被所述胶带的粘合材料围绕第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成在所述有源电路层和所述胶带之间的间隙，所述保护密封涂层填充于所述间隙内并包围所述多个焊球的暴露部分。[2]还可以采用蚀刻形成凹槽。[3]在所述半导体晶圆的各半导体单元之间切割或者蚀刻第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽切割穿过或者蚀刻穿过所述半导体晶圆的所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述半导体晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；将保护密封涂层施加到所述半导体单元之间的所述第一凹槽和所述第二凹槽中。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：如何形成对外连接、如何简化工序以及如何形成凹槽；保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位。
对于区别技术特征[1]，对比文件3公开了一种制造半导体封装的方法，并具体公开了（参见说明书第[0028]-[0031]段，附图2A-2E）：器件裸片240具有上表面上设置焊料球250的有源电路，所述焊料球250提供到所述有源电路的电连接，多个所述器件裸片240附着到基座阵列之后，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240（如图2D所示），去除释放箔280后焊料球250部分外露（如图2E所示）；由上述公开内容可知，在图2D中，具有第一高度（即焊料球250的自身高度）的焊料球250应当被所述释放箔280围绕了第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，由此形成了有源电路层和释放箔280之间的间隙，包塑270填充于上述间隙内并包围多个焊料球250被释放箔280暴露的部分，从而在包塑完毕、去除释放箔280后，所述焊料球250未被释放箔280围绕的部分如图2E中所示那样暴露在外。且上述技术特征在对比文件3的作用和在本申请中相同，都是用形成对外连接并简化工序。基于上述教导，本领域技术人员容易想到在对比文件1中采用焊料球代替柱形电极6，并采用对比文件3的上述密封工序形成密封膜13从而暴露除部分焊料球。此外，选择释放箔的材料为具有粘合材料的胶带，属于本领域的常规选择，属于本领域的公知常识。也就是说对比文件3结合本领域的公知常识给出了获得区别技术特征[1]的技术启示。对于区别技术特征[2]，选择蚀刻硅片的方法以形成槽，是本领域的常规技术手段，属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征[3]，首先，对比文件1中形成一个凹槽12延伸至硅片1的内部区域，将密封膜13（相当于保护密封涂层）填充入所述凹槽12；对比文件1并没有公开形成相互衔接的第二凹槽与第一凹槽以共同穿过硅片1，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，将密封膜13填充入所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件1对上述区别技术特征[3]没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[3]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。其次，对比文件3在条带210的每个基座上放置器件裸片240，用释放箔280保护焊料球250，包塑270包围器件裸片240；对比文件3并没有公开设置互相衔接的第二凹槽与第一凹槽以共同穿过器件裸片240，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，将释放箔280填充入所述第一凹槽和第二凹槽。也就是说对比文件3对上述区别技术特征[3]也没有涉及或公开，也没有给出采用区别技术特征[3]以解决本申请所要解决的技术问题的技术启示。此外，采用区别技术特征[3]以解决本申请所要解决的技术问题也不是本领域的公知常识。采用通过在晶圆的划片街区中切割两个凹槽并使靠近载带的凹槽的宽度小于远离载带的凹槽的宽度，有助于在晶圆的倒装工艺中使分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位；采用保护密封涂层填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，则可以完整地保护半导体单元的整个侧壁，保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤。也就是说上述区别技术特征[3]可以实现保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位的技术效果。
综上所述，权利要求8的技术方案相对于对比文件1、对比文件3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、在独立权利要求1、8具备创造性的情况下，直接引用了该些独立权利要求的从属权利要求2-6、9-10也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于驳回决定和前置审查意见
针对驳回决定和前置审查意见，合议组认为：（1）复审请求人于2019年12月05日提交了修改后的权利要求第1-10项，其中在独立权利要求1中新增加了技术特征“保护密封涂层，其至少填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽至少穿过所述有源电路层，所述第二凹槽与所述第一凹槽衔接且共同穿过所述晶圆，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度”。对比文件1、3对于所述新增技术特征均无公开和教导。采用所述新增技术特征以解决本申请所要解决的技术问题也不是本领域的公知常识。通过在晶圆的划片街区中切割两个凹槽并使靠近载带的凹槽的宽度小于远离载带的凹槽的宽度，有助于在晶圆的倒装工艺中使分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位；采用保护密封涂层填充所述晶圆的第一凹槽和第二凹槽，则可以完整地保护半导体单元的整个侧壁，保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤。也就是说所述新增技术特征可以实现保护半导体单元的侧壁免受划片工艺的损伤，使被分离的半导体单元相对于彼此继续保持原位的技术效果。因此独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1、对比文件3以及本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）独立权利要求7、8也具有类似的新增技术特征，因此独立权利要求7、8的技术方案相对于对比文件1、对比文件3以及本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年04月10日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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