发明创造名称：双面OLED显示器
外观设计名称：
决定号：200364
决定日：2020-01-09
委内编号：1F284113
优先权日：
申请（专利）号：201710539585.8
申请日：2017-07-04
复审请求人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨丽丽
合议组组长：罗崇举
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L27/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是该区别技术特征是本领域公知常识，在该最接近的现有技术的基础上结合本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710539585.8，名称为“双面OLED显示器”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，申请日为2017年07月04日，公开日为2018年01月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月07日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-2要求保护的技术方案不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；权利要求3-10要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2017年07月04日提交的权利要求第1-10项、说明书第[0001]-[0069]段、说明书附图1-3、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种双面OLED显示器，其特征在于，包括呈矩阵式排布的多个像素(P)，每一像素(P)均包括依次排列多个子像素(SP)，每一子像素(SP)均包括一OLED；
将一行像素(P)或一列像素(P)定义为一个显示区域(A)，对于相邻的两个显示区域(A)，其中一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，另一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
2. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，奇数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，偶数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
3. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，偶数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，奇数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
4. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，奇数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，偶数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
5. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，偶数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，奇数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
6. 如权利要求2至5任一项所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述顶发光型OLED(D)包括第一阳极(51)、设在所述第一阳极(51)上的第一OLED发光层(52)、及覆盖所述第一OLED发光层(52)的透明阴极(53)；
所述底发光型OLED(D’)包括第二阳极(54)、设在所述第二阳极(54)上的第二OLED发光层(55)、及覆盖所述第二OLED发光层(55)的不透明阴极(56)。
7. 如权利要求6所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述透明阴极(53)还覆盖所述不透明阴极(56)。
8. 如权利要求6所述的双面OLED显示器，其特征在于，还包括TFT背板(1)、设在所述TFT背板(1)上的像素定义层(2)、及贴附在所述TFT背板(1)底面的偏光片(3)；
所述像素定义层(2)具有第一像素定义孔(21)、及第二像素定义孔(22)，所述顶发光型OLED(D)被所述第一像素定义孔(21)容纳并设在所述TFT背板(1)上，所述底发光型OLED(D’)被所述第二像素定义孔(22)容纳并设在所述TFT背板(1)上；所述TFT背板(1)对应于所述第二OLED发光层(55)的区域透明。
9. 如权利要求8所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述TFT背板(1)包括：
衬底基板(11)；
设在所述衬底基板(11)上图案化的第一金属层(12)，该图案化的第一金属层(12)包括间隔设置的第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、及第二下极板(124)；
设在所述衬底基板(11)上覆盖所述第一栅极(121)与第二栅极(123)并填充所述第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、与第二下极板(124)相互之间间隔的栅极绝缘层(13)；
于所述第一栅极(121)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第一半导体有源层(141)；
于所述第二栅极(123)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第二半导体有源层(142)；
覆盖所述第一半导体有源层(141)、第二半导体有源层(142)、栅极绝缘层(13)、第一下极板(122)、与第二下极板(124)的蚀刻阻挡层(15)；
设在所述蚀刻阻挡层(15)上图案化的第二金属层(16)，该图案化的第二金属层(16)包括间隔设置的第一源极(161)、第一漏极(162)、第一上极板(163)、第二源极(164)、第二漏极(165)、及第二上极板(166)；
覆盖所述第二金属层(16)、与蚀刻阻挡层(15)的保护层(17)；
以及覆盖所述保护层(17)的有机平坦层(18)；
所述第一栅极(121)、第一半导体有源层(141)、第一源极(161)、与第一漏极(162)构成第一驱动TFT(T1)，所述第一下极板(122)与第一上极板(163)构成第一电容(C1)；所述第一源极(161)、第一漏极(162)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第一过孔(V1)、第二过孔(V2)连接所述第一半导体有源层(141)的两侧，所述第一源极(161)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第三过孔(V3)连接所述第一下极板(122)；所述第一阳极(51)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第四过孔(V4)连接所述第一上极板(163)；
所述第二栅极(123)、第二半导体有源层(142)、第二源极(164)、与第二漏极(165)构成第二驱动TFT(T2)，所述第二下极板(124)与第二上极板(166)构成第二电容(C2)；所述第二源极(164)、第二漏极(165)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第五过孔(V5)、第六过孔(V6)连接所述第二半导体有源层(142)的两侧，所述第二源极(164)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第七过孔(V7)连接所述第二下极板(124)；所述第二阳极(54)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第八过孔(V8)连接所述第二上极板(166)。
10. 如权利要求6所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述第一阳极(51)、与第二阳极(54)的材料均为氧化铟锡；所述透明阴极(53)的材料为镁银合金，所述不透明阴极(56)的材料为铝。”
驳回决定指出：（1）权利要求1-2要求保护的技术方案已被对比文件1（CN105226069A，公开日为2016年01月06日）公开，因此，权利要求1-2不具备专利法第22条第3款规定的新颖性；（2）权利要求3-5、7的附加技术特征属于本领域的常用技术手段，权利要求6、8-10中未被对比文件1公开的附加技术特征属于本领域的常用技术手段，因此，权利要求3-10相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月24日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求全文替换页，包括权利要求第1-8项，具体修改如下：复审请求人将原从属权利要求6和7的附加技术特征加入原独立权利要求1中，构成了新的独立权利要求1，并删除了原从属权利要求6和7，适应性修改了其它权利要求的编号。复审请求人认为：对比文件1中反面显示像素通过在其内部增加反光层而实现反面出射，本申请中的底发光型OLED的阴极为不透明阴极，无需再额外增加反光层结构，使得整体结构及制作方法相对简单，对比文件1未公开不透明阴极，也未给出相应的技术启示，该技术手段也不是本领域的常规技术手段；对比文件1中正面显示像素的第一阴极与反面显示像素的第二阴极同层设置，本申请中顶发光型OLED的透明阴极覆盖底发光型OLED的不透明阴极，从而在不影响顶发光型OLED与底发光型OLED分布正面发光和反面发光的前提下，可以降低透明阴极和不透明阴极自身的阻抗，提高发光效率，对比文件1未公开透明阴极覆盖不透明阴极，也未给出相应的技术启示，该技术手段也不是本领域的常规技术手段。
复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种双面OLED显示器，其特征在于，包括呈矩阵式排布的多个像素(P)，每一像素(P)均包括依次排列多个子像素(SP)，每一子像素(SP)均包括一OLED；
将一行像素(P)或一列像素(P)定义为一个显示区域(A)，对于相邻的两个显示区域(A)，其中一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，另一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)；
所述顶发光型OLED(D)包括第一阳极(51)、设在所述第一阳极(51)上的第一OLED发光层(52)、及覆盖所述第一OLED发光层(52)的透明阴极(53)；
所述底发光型OLED(D’)包括第二阳极(54)、设在所述第二阳极(54)上的第二OLED发光层(55)、及覆盖所述第二OLED发光层(55)的不透明阴极(56)；
所述透明阴极(53)还覆盖所述不透明阴极(56)。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年06月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人对权利要求所作的修改符合专利法第33条，但复审请求人的陈述意见不具有说服力，理由如下：对比文件1已公开了顶发光型OLED包括第一阳极113、设在第一阳极113上的第一发光层114及覆盖第一发光层114的透明阴极112，底发光型OLED包括第二阳极123、设在第二阳极123上的第二发光层124及覆盖第二发光层124的透明阴极122和反光层125，为简化层结构，将对比文件1的透明阴极122和反光层125的双层结构变形为反射型不透明阴极单层结构，使得单层阴极层同时具有反射层的作用，这属于本领域的常用技术手段；此外，对比文件1还公开了反光层125为金属材料，覆盖在第二阴极122上，不仅仅能够阻挡光线由双面显示面板100的正面出射，还能降低第二阴极122的电阻，当阻抗减小后，相应的能提高电子的流动性以及电子的注入效率，继而提高第二阴极122的电压均匀性，以提高显示效果，可见，对比文件1给出了利用导电材料覆盖阴极以降低阻抗的启示，本领域技术人员据此容易想到将顶发光型OLED的透明阴极112覆盖底发光型OLED的不透明阴极以降低阻抗。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年10月23日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）独立权利要求1所要求保护的“将一行像素定义为一个显示区域”的技术方案相对于对比文件1具有区别技术特征“本申请底发光型OLED的阴极是不透明阴极，顶发光型OLED的透明阴极还覆盖不透明阴极，对比文件1底发光型OLED的阴极是透明阴极，在透明阴极上覆盖有反光层”，独立权利要求1所要求保护的“将一列像素定义为一个显示区域”的技术方案相对于对比文件1除了具有上述区别技术特征外，还具有区别技术特征“将一列像素定义为一个显示区域”，但是上述区别技术特征是本领域公知常识，因此，独立权利要求1相对于对比文件1与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2-8的附加技术特征或被对比文件1公开和/或是本领域的常用技术手段，因此，从属权利要求2-8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年10月30日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求全文替换页，包括权利要求第1-12项，具体修改如下：将独立权利要求1所要求保护的两个并列技术方案分别修改为两个独立权利要求，分别是独立权利要求1和独立权利要求7，并在独立权利要求1中增加了技术特征“由不同的驱动IC分别向奇数列像素（P）及与偶数列像素（P）输入数据信号”，适应性修改其他权利要求。复审请求人认为：对比文件1中反面显示像素通过在其内部增加反光层而实现反面出射，本申请中的底发光型OLED的阴极为不透明阴极，无需再额外增加反光层结构，使得整体结构及制作方法相对简单，对比文件1未公开不透明阴极，也未给出相应的技术启示，该技术手段也不是本领域的常规技术手段；对比文件1中正面显示像素的第一阴极与反面显示像素的第二阴极同层设置，本申请中顶发光型OLED的透明阴极覆盖底发光型OLED的不透明阴极，从而在不影响顶发光型OLED与底发光型OLED分布正面发光和反面发光的前提下，可以降低透明阴极和不透明阴极自身的阻抗，提高发光效率，对比文件1中的降低阻抗实际上是利用在一个OLED上增加反光层，而不是利用另一个OLED的阴极叠加，对比文件1未公开透明阴极覆盖不透明阴极，也未给出相应的技术启示，该技术手段也不是本领域的常规技术手段；对比文件1未公开采用列来定义像素区，行与列的替换，并非简单替换就能实现。
复审请求人本次新修改的权利要求书如下：
“1. 一种双面OLED显示器，其特征在于，包括呈矩阵式排布的多个像素(P)，每一像素(P)均包括依次排列多个子像素(SP)，每一子像素(SP)均包括一OLED；
将一列像素(P)定义为一个显示区域(A)，对于相邻的两个显示区域(A)，其中一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，另一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)；
所述顶发光型OLED(D)包括第一阳极(51)、设在所述第一阳极(51)上的第一OLED发光层(52)、及覆盖所述第一OLED发光层(52)的透明阴极(53)；
所述底发光型OLED(D’)包括第二阳极(54)、设在所述第二阳极(54)上的第二OLED发光层(55)、及覆盖所述第二OLED发光层(55)的不透明阴极(56)。
所述透明阴极(53)还覆盖所述不透明阴极(56)；
由不同的驱动IC分别向奇数列像素(P)及与偶数列像素(P)输入数据信号。
2. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，奇数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，偶数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
3. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，偶数列像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，奇数列像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
4. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，还包括TFT背板(1)、设在所述TFT背板(1)上的像素定义层(2)、及贴附在所述TFT背板(1)底面的偏光片(3)；
所述像素定义层(2)具有第一像素定义孔(21)、及第二像素定义孔(22)，所述顶发光型OLED(D)被所述第一像素定义孔(21)容纳并设在所述TFT背板(1)上，所述底发光型OLED(D’)被所述第二像素定义孔(22)容纳 并设在所述TFT背板(1)上；所述TFT背板(1)对应于所述第二OLED发光层(55)的区域透明。
5. 如权利要求4所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述TFT背板(1)包括：
衬底基板(11)；
设在所述衬底基板(11)上图案化的第一金属层(12)，该图案化的第一金属层(12)包括间隔设置的第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、及第二下极板(124)；
设在所述衬底基板(11)上覆盖所述第一栅极(121)与第二栅极(123)并填充所述第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、与第二下极板(124)相互之间间隔的栅极绝缘层(13)；
于所述第一栅极(121)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第一半导体有源层(141)；
于所述第二栅极(123)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第二半导体有源层(142)；
覆盖所述第一半导体有源层(141)、第二半导体有源层(142)、栅极绝缘层(13)、第一下极板(122)、与第二下极板(124)的蚀刻阻挡层(15)；
设在所述蚀刻阻挡层(15)上图案化的第二金属层(16)，该图案化的第二金属层(16)包括间隔设置的第一源极(161)、第一漏极(162)、第一上极板(163)、第二源极(164)、第二漏极(165)、及第二上极板(166)；
覆盖所述第二金属层(16)、与蚀刻阻挡层(15)的保护层(17)；
以及覆盖所述保护层(17)的有机平坦层(18)；
所述第一栅极(121)、第一半导体有源层(141)、第一源极(161)、与第一漏极(162)构成第一驱动TFT(T1)，所述第一下极板(122)与第一上极板(163)构成第一电容(C1)；所述第一源极(161)、第一漏极(162)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第一过孔(V1)、第二过孔(V2)连接所述第一半导体有源层(141)的两侧，所述第一源极(161)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第三过孔(V3)连接所述第一下极板(122)；所述第一阳极(51)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第四过孔(V4)连接所述第一上极板(163)；
所述第二栅极(123)、第二半导体有源层(142)、第二源极(164)、与第二漏极(165)构成第二驱动TFT(T2)，所述第二下极板(124)与第二上极板(166)构成第二电容(C2)；所述第二源极(164)、第二漏极(165)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第五过孔(V5)、第六过孔(V6)连接所述第二半导体有源层(142)的两侧，所述第二源极(164)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第七过孔(V7)连接所述第二下极板(124)；所述第二阳极(54)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第八过孔(V8)连接所述第二上极板(166)。
6. 如权利要求1所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述第一阳极(51)、与第二阳极(54)的材料均为氧化铟锡；所述透明阴极(53)的材料为镁银合金，所述不透明阴极(56)的材料为铝。
7. 一种双面OLED显示器，其特征在于，包括呈矩阵式排布的多个像素(P)，每一像素(P)均包括依次排列多个子像素(SP)，每一子像素(SP)均包括一OLED；
将一行像素(P)定义为一个显示区域(A)，对于相邻的两个显示区域(A)，其中一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，另一个显示区域(A)内所有像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)；
所述顶发光型OLED(D)包括第一阳极(51)、设在所述第一阳极(51)上的第一OLED发光层(52)、及覆盖所述第一OLED发光层(52)的透明阴极(53)；
所述底发光型OLED(D’)包括第二阳极(54)、设在所述第二阳极(54)上的第二OLED发光层(55)、及覆盖所述第二OLED发光层(55)的不透明阴极(56)；
所述透明阴极(53)还覆盖所述不透明阴极(56)。
8. 如权利要求7所述的双面OLED显示器，其特征在于，奇数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，偶数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
9. 如权利要求7所述的双面OLED显示器，其特征在于，偶数行像素(P)中的OLED为顶发光型OLED(D)，奇数行像素(P)中的OLED为底发光型OLED(D’)。
10. 如权利要求7所述的双面OLED显示器，其特征在于，还包括TFT背板(1)、设在所述TFT背板(1)上的像素定义层(2)、及贴附在所述TFT背板(1)底面的偏光片(3)；
所述像素定义层(2)具有第一像素定义孔(21)、及第二像素定义孔(22)，所述顶发光型OLED(D)被所述第一像素定义孔(21)容纳并设在所述TFT背板(1)上，所述底发光型OLED(D’)被所述第二像素定义孔(22)容纳并设在所述TFT背板(1)上；所述TFT背板(1)对应于所述第二OLED发光层(55)的区域透明。
11. 如权利要求10所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述TFT背板(1)包括：
衬底基板(11)；
设在所述衬底基板(11)上图案化的第一金属层(12)，该图案化的第一金属层(12)包括间隔设置的第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、及第二下极板(124)；
设在所述衬底基板(11)上覆盖所述第一栅极(121)与第二栅极(123)并填充所述第一栅极(121)、第一下极板(122)、第二栅极(123)、与第二下极板(124)相互之间间隔的栅极绝缘层(13)；
于所述第一栅极(121)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第一半导体有源层(141)；
于所述第二栅极(123)上方设在所述栅极绝缘层(13)上的第二半导体有源层(142)；
覆盖所述第一半导体有源层(141)、第二半导体有源层(142)、栅极绝缘层(13)、第一下极板(122)、与第二下极板(124)的蚀刻阻挡层(15)；
设在所述蚀刻阻挡层(15)上图案化的第二金属层(16)，该图案化的第二金属层(16)包括间隔设置的第一源极(161)、第一漏极(162)、第一上极板(163)、第二源极(164)、第二漏极(165)、及第二上极板(166)；
覆盖所述第二金属层(16)、与蚀刻阻挡层(15)的保护层(17)；
以及覆盖所述保护层(17)的有机平坦层(18)；
所述第一栅极(121)、第一半导体有源层(141)、第一源极(161)、与第一漏极(162)构成第一驱动TFT(T1)，所述第一下极板(122)与第一上极 板(163)构成第一电容(C1)；所述第一源极(161)、第一漏极(162)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第一过孔(V1)、第二过孔(V2)连接所述第一半导体有源层(141)的两侧，所述第一源极(161)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第三过孔(V3)连接所述第一下极板(122)；所述第一阳极(51)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第四过孔(V4)连接所述第一上极板(163)；
所述第二栅极(123)、第二半导体有源层(142)、第二源极(164)、与第二漏极(165)构成第二驱动TFT(T2)，所述第二下极板(124)与第二上极板(166)构成第二电容(C2)；所述第二源极(164)、第二漏极(165)分别经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第五过孔(V5)、第六过孔(V6)连接所述第二半导体有源层(142)的两侧，所述第二源极(164)还经由贯穿蚀刻阻挡层(15)的第七过孔(V7)连接所述第二下极板(124)；所述第二阳极(54)经由贯穿所述有机平坦层(18)与保护层(17)的第八过孔(V8)连接所述第二上极板(166)。
12. 如权利要求7所述的双面OLED显示器，其特征在于，所述第一阳极(51)、与第二阳极(54)的材料均为氧化铟锡；所述透明阴极(53)的材料为镁银合金，所述不透明阴极(56)的材料为铝。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年10月30日答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-12项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审决定依据的文本是：复审请求人于申请日2017年07月04日提交的说明书第[0001]-[0069]段、说明书附图1-3、说明书摘要、摘要附图；于2019年10月30日提交的权利要求第1-12项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是该区别技术特征是本领域公知常识，在该最接近的现有技术的基础上结合本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN105226069A，公开日：2016年01月06日。
（1）独立权利要求1要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求1要求保护一种双面OLED显示器。对比文件1公开了一种双面OLED显示装置，其中双面OLED显示装置包括阵列排布的多个像素单元，多个像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元（红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元分别相当于子像素），像素点（相当于像素）由红绿蓝三原色构成，每个像素单元包括一个OLED；在图4中，红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元在第一方向X上依次排列，每个像素单元的正面显示像素和反面显示像素则是在第二方向Y上依次排列，第一方向X和第二方向Y两者垂直（即第1、3、5等奇数行的像素定义为一个显示区域，第2、4、6等偶数行的像素定义为一个显示区域，对于奇数行、偶数行的相邻两个显示区域，其中奇数行内所有像素中的OLED为正面显示像素，即顶发光型OLED，偶数行内所有像素中的OLED为反面显示像素，即底发光型OLED）；正面显示像素11包括第一阳极113、设在第一阳极113上的第一发光层114及覆盖第一发光层114的第一阴极112，第一发光层114是OLED，第一阴极112为透明电极；反面显示像素12包括第二阳极123、设在第二阳极123上的第二发光层124及覆盖第二发光层124的第二阴极122，第二阴极122为透明阴极，反光层125覆盖在第二阴极122上，不仅能够阻挡光线由正面出射，还能降低第二阴极122的电阻，当阻抗减小后，相应的能提高电子的流动性以及电子的注入效率，提高第二阴极122的电压均匀性，提高显示效果（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。
独立权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：①本申请底发光型OLED的阴极是不透明阴极，顶发光型OLED的透明阴极还覆盖不透明阴极，对比文件1底发光型OLED的阴极是透明阴极，在透明阴极上覆盖有反光层；②将一列像素定义为一个显示区域，由不同的驱动IC分别向奇数列像素及偶数列像素输入数据信号。由上述区别技术特征可以确定该权利要求要解决的技术问题是使底发光型OLED发出的光不向顶面出射、降低阻抗、进行显示。
对于区别技术特征①，对比文件1已公开了反面显示像素的第二阴极122上覆盖有反光层125，该反光层125能够阻挡光线由正面出射，还能降低第二阴极122的电阻，即底发光型OLED的透明阴极上覆盖反光层能够阻挡光线由顶面出射，并能降低阻抗，并且，对比文件1还公开了正面显示像素的漏极1111由不透光金属材料制成，由此可以防止光自反面出射，第一阴极112与第二阴极122电连接。在此基础上，本领域技术人员容易想到使用不透明阴极替代反光层来防止光由顶面出射，并且为了降低阻抗，本领域技术人员容易想到将顶发光型OLED的透明阴极延伸到不透明阴极以构成堆叠电极结构。虽然对比文件1是为了使得制作工艺简单而采用了反光层以及反光层与透明阴极堆叠的电极结构，但是，无论是采用反光层以及反光层与透明阴极堆叠的电极结构还是采用不透明阴极以及透明阴极覆盖不透明阴极的电极结构，制作它们所需要的沉积、图案化等这些工艺都是本领域技术人员熟知的工艺，制作它们所需要的工艺步骤数量是相同的，也是本领域技术人员可以预期的。因此，本领域技术人员有动机对对比文件1的电极结构进行改变，从而获得本申请所要求保护的电极结构。
对于区别技术特征②，按照行或列来定义像素区域是本领域的常用技术手段，根据需要对像素单元进行行、列不同变换的排布也是本领域的常用技术手段，在对比文件1已公开了按照行的正面显示像素和反面显示像素排列的情况下，本领域技术人员很容易想到为了满足不同需求而通过常规技术手段改变正面显示像素和反面显示像素的排列。当按照不同列来定义显示区域时，为了不出现显示错误，本领域技术人员根据OLED驱动原理，很容易想到利用不同的驱动IC分别向与奇数列像素对应的数据线及与偶数列像素对应的数据线分别输入数据信号。
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识获得独立权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，独立权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2）从属权利要求2-3要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2-3分别进一步限定了顶发光型OLED和底发光型OLED的不同分布方式，然而对比文件1已公开了通过设置正面显示像素和反面显示像素来实现双面发光，并给出了两种排列方式，而根据需要对像素单元进行行、列不同变换的排布是本领域的常用技术手段，在此基础上，本领域技术人员很容易想到为了满足不同需求而通过常规技术手段改变正面显示像素和反面显示像素的排布。因此，上述从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（3）从属权利要求4要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求4对独立权利要求1作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：还包括设置有第一薄膜晶体管111和第二薄膜晶体管121的基板（相当于TFT背板）、设置在基板上的像素分割层13（相当于像素定义层），像素分割层13具有与正面显示像素和反面显示像素分别对应的像素定义孔，正面显示像素和反面显示像素分别被像素定义孔容纳并设在基板上，基板对反面显示像素的区域透明（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。由此可见，从属权利要求4中除贴附在TFT背板底面的偏光片的技术特征外，其它附加技术特征已被对比文件1公开，此外，对比文件1还公开了在双面显示面板的两个侧面均设置有光学膜片52，而设置偏光片这样的光学膜片是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（4）从属权利要求5要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求5对权利要求4作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：基板；设在基板上的第一薄膜晶体管111和第二薄膜晶体管121（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。虽然对比文件1未公开从属权利要求5中进一步限定的薄膜晶体管结构、电容结构等，但是具有金属栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极、漏极的薄膜晶体管结构是本领域常见的结构，具有上极板、下极板的电容结构也是本领域常见的结构，在TFT背板中设置蚀刻阻挡层、保护层、有机平坦层也是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（5）从属权利要求6要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求6对独立权利要求1作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：第二阳极123与第一阳极113同为透明阳极，由ITO制成（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。由此可见，第一阳极与第二阳极的材料均为氧化铟锡的特征已被对比文件1公开，而使用镁银合金作为透明阴极、使用铝作为不透明阴极是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（6）独立权利要求7要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求7要求保护一种双面OLED显示器。对比文件1公开了一种双面OLED显示装置，其中双面OLED显示装置包括阵列排布的多个像素单元，多个像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元（红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元分别相当于子像素），像素点（相当于像素）由红绿蓝三原色构成，每个像素单元包括一个OLED；在图4中，红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元在第一方向X上依次排列，每个像素单元的正面显示像素和反面显示像素则是在第二方向Y上依次排列，第一方向X和第二方向Y两者垂直（即第1、3、5等奇数行的像素定义为一个显示区域，第2、4、6等偶数行的像素定义为一个显示区域，对于奇数行、偶数行的相邻两个显示区域，其中奇数行内所有像素中的OLED为正面显示像素，即顶发光型OLED，偶数行内所有像素中的OLED为反面显示像素，即底发光型OLED）；正面显示像素11包括第一阳极113、设在第一阳极113上的第一发光层114及覆盖第一发光层114的第一阴极112，第一发光层114是OLED，第一阴极112为透明电极；反面显示像素12包括第二阳极123、设在第二阳极123上的第二发光层124及覆盖第二发光层124的第二阴极122，第二阴极122为透明阴极，反光层125覆盖在第二阴极122上，不仅能够阻挡光线由正面出射，还能降低第二阴极122的电阻，当阻抗减小后，相应的能提高电子的流动性以及电子的注入效率，提高第二阴极122的电压均匀性，提高显示效果（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。
独立权利要求7所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：本申请底发光型OLED的阴极是不透明阴极，顶发光型OLED的透明阴极还覆盖不透明阴极，对比文件1底发光型OLED的阴极是透明阴极，在透明阴极上覆盖有反光层。由上述区别技术特征可以确定该权利要求要解决的技术问题是使底发光型OLED发出的光不向顶面出射、降低阻抗。
对比文件1已公开了反面显示像素的第二阴极122上覆盖有反光层125，该反光层125能够阻挡光线由正面出射，还能降低第二阴极122的电阻，即底发光型OLED的透明阴极上覆盖反光层能够阻挡光线由顶面出射，并能降低阻抗，并且，对比文件1还公开了正面显示像素的漏极1111由不透光金属材料制成，由此可以防止光自反面出射，第一阴极112与第二阴极122电连接。在此基础上，本领域技术人员容易想到使用不透明阴极替代反光层来防止光由顶面出射，并且为了降低阻抗，本领域技术人员容易想到将顶发光型OLED的透明阴极延伸到不透明阴极以构成堆叠电极结构。虽然对比文件1是为了使得制作工艺简单而采用了反光层以及反光层与透明阴极堆叠的电极结构，但是，无论是采用反光层以及反光层与透明阴极堆叠的电极结构还是采用不透明阴极以及透明阴极覆盖不透明阴极的电极结构，制作它们所需要的沉积、图案化等这些工艺都是本领域技术人员熟知的工艺，制作它们所需要的工艺步骤数量是相同的，也是本领域技术人员可以预期的。因此，本领域技术人员有动机对对比文件1的电极结构进行改变，从而获得本申请所要求保护的电极结构。
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识获得独立权利要求7所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，独立权利要求7所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（7）从属权利要求8要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求8对独立权利要求7作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：在图4中，红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元在第一方向X上依次排列，每个像素单元的正面显示像素和反面显示像素则是在第二方向Y上依次排列，第一方向X和第二方向Y两者垂直（即奇数行像素中的OLED为顶发光型OLED，偶数行像素中的OLED为底发光型OLED）（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。由此可见，从属权利要求8的附加技术特征已被对比文件1公开，在从属权利要求8引用的独立权利要求7不具备创造性的情况下，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（8）从属权利要求9要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求9进一步限定了顶发光型OLED和底发光型OLED的不同分布方式，然而对比文件1已公开了通过设置正面显示像素和反面显示像素来实现双面发光，并给出了两种排列方式，而根据需要对像素单元进行变换的排布是本领域的常用技术手段，在此基础上，本领域技术人员很容易想到为了满足不同需求而通过常规技术手段改变正面显示像素和反面显示像素的排布。因此，上述从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（9）从属权利要求10要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求10对独立权利要求7作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：还包括设置有第一薄膜晶体管111和第二薄膜晶体管121的基板（相当于TFT背板）、设置在基板上的像素分割层13（相当于像素定义层），像素分割层13具有与正面显示像素和反面显示像素分别对应的像素定义孔，正面显示像素和反面显示像素分别被像素定义孔容纳并设在基板上，基板对反面显示像素的区域透明（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。由此可见，从属权利要求10中除贴附在TFT背板底面的偏光片的技术特征外，其它附加技术特征已被对比文件1公开，此外，对比文件1还公开了在双面显示面板的两个侧面均设置有光学膜片52，而设置偏光片这样的光学膜片是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（10）从属权利要求11要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求11对权利要求10作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：基板；设在基板上的第一薄膜晶体管111和第二薄膜晶体管121（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。虽然对比文件1未公开从属权利要求11中进一步限定的薄膜晶体管结构、电容结构等，但是具有金属栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源极、漏极的薄膜晶体管结构是本领域常见的结构，具有上极板、下极板的电容结构也是本领域常见的结构，在TFT背板中设置蚀刻阻挡层、保护层、有机平坦层也是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（11）从属权利要求12要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求12对独立权利要求7作了进一步限定，对比文件1还公开了如下技术特征：第二阳极123与第一阳极113同为透明阳极，由ITO制成（说明书第[0021]-[0041]段，图1、4）。由此可见，第一阳极与第二阳极的材料均为氧化铟锡的特征已被对比文件1公开，而使用镁银合金作为透明阴极、使用铝作为不透明阴极是本领域的常用技术手段。因此，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人在答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
虽然对比文件1的底发光型OLED阴极电极结构是反光层覆盖透明阴极的电极结构，与本申请的透明阴极覆盖不透明阴极的电极结构不同，但是这两种结构所起的作用都是一样的，均是使底发光型OLED发出的光不向顶面出射、降低阻抗。而且，对比文件1还公开了可将电极设置为不透光电极，来防止光出射，虽然对比文件1不采用不透光电极是为了制作工艺简单，但是对比文件1已公开了可使用不透光电极来防止光出射，在此基础上，本领域技术人员容易想到将透明阴极设置为不透明阴极，并为了降低阻抗，将透明阴极覆盖不透明阴极，并且这两种电极结构所采用的工艺以及工艺步骤数，本领域技术人员都是公知的，也是可以预期的。因此，在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员结合本领域公知常识有动机对对比文件1的技术方案进行改进。
虽然对比文件1未公开采用列来定义像素区，但是对比文件1给出了两种排列方式，而在OLED显示领域，像素单元是以行和列的阵列进行分布的，其驱动方式也是根据行和列的阵列分布来相应设置的，这是本领域的公知常识，根据需要将像素按照行、列的不同排布来进行阵列分布是本领域的常用技术手段，在对比文件1已公开了按照行的正面显示像素和反面显示像素排列的情况下，本领域技术人员很容易想到为了满足不同需求而通过常规技术手段改变正面显示像素和反面显示像素的排列。当按照不同列来定义显示区域时，为了能够显示，本领域技术人员会根据OLED驱动原理，相应地为不同显示区域的像素设置驱动IC，这是本领域技术人员根据像素阵列分布并基于OLED驱动原理进行的常规变换。
综上所述，合议组对于复审请求人所陈述的理由不予支持。
基于以上理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年03月07日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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