发明创造名称：FinFET及其制造方法
外观设计名称：
决定号：199873
决定日：2020-01-08
委内编号：1F277068
优先权日：
申请（专利）号：201510613815.1
申请日：2012-11-30
复审请求人：中国科学院微电子研究所
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘国梁
合议组组长：商纪楠
参审员：周江
国际分类号：H01L29/78，H01L29/06，H01L21/336
外观设计分类号：
法律依据：专利法实施细则第43条第1款
决定要点
：如果分案申请的内容在原申请说明书和权利要求书的文字中没有记载，也不能根据原申请说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，则分案申请的内容超出原申请说明书和权利要求书记载的范围。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510613815.1，名称为“FinFET及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为中国科学院微电子研究所。本申请的申请日为2012年11月30日，其母案申请号为201210507134.3，分案申请提交日为2015年09月23日，公开日为2016年02月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年12月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1不符合专利法第43条第1款的规定。
具体驳回理由是：权利要求1的技术特征“穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度过渡层，该掺杂浓度过渡层在鳍状结构高度方向上的厚度与鳍状结构的宽度的一半具有相同量级”，在母案原说明书和权利要求书中没有记载，原说明书只记载了穿通阻止层，没有记载掺杂浓度过渡层，权利要求1中的“掺杂浓度过渡层”通过退火扩散形成，由于退火终止点以及过渡层临界位置在原始说明书中没有记载，无法确定过渡层上下边界，进而不能确定其厚度，无能得到“与鳍状结构的宽度的一半具有相同量级”的厚度。因此，上述技术特征不能由母案原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即修改超出了母案原说明书和权利要求书记载的范围。
驳回决定所依据的文本为：分案申请提交日2015年09月23日提交的说明书摘要、说明书第1-78段、摘要附图、说明书附图图1-图23c、权利要求第1-11项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及
在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度过渡层，该掺杂浓度过渡层在鳍状结构高度方向上的厚度与鳍状结构的宽度的一半具有相同量级。
2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，掺杂浓度过渡层的厚度与鳍状结构的宽度的一半相当。
3. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于鳍状结构的顶面，且穿通阻止层的位置对应于掺杂剂层的位置。
4. 根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其中，穿通阻止层沿鳍状结构的宽度方向具有掺杂浓度分布，使得穿通阻止层中间部分的掺杂浓度低于两端部分的掺杂浓度。
5. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍状结构与半导体衬底一体。
6. 根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
在半导体衬底上形成且顶面低于半导体鳍状结构的顶面的隔离层，其中，掺杂剂层在隔离层上。
7. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，掺杂剂层包括在鳍状结构的侧面上延伸的部分以及在半导体衬底的横向表面上延伸的部分。
8. 根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：在所述掺杂剂层上的隔离层。
9. 根据权利要求6或8所述的半导体器件，还包括：
在隔离层上形成的横跨鳍状结构的栅堆叠，该栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；
在位于栅堆叠两侧的半导体鳍状结构中形成的源漏区。
10. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
所述半导体器件为N型器件，所述掺杂剂层中包括P型掺杂剂；或者
所述半导体器件为P型器件，所述掺杂剂层中包括N型掺杂剂。
11. 根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述P型掺杂剂包括B，所述N型掺杂剂包括P或As。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月20日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件做任何修改。复审请求人认为：对于鳍片中的扩散，当左右两侧的掺杂区结合时，它们各自相当于鳍片宽度的一半，相应地，向上方向上的扩散程度也大致相同，即扩散长度了大致为鳍片宽度一半或小于一半的量级。“自然界应当不存在从0到1的阶跃式浓度变化”，“一般来说，在半导体制造领域，掺杂浓度每隔1-2个数量级则成为可以分别的不同掺杂区”，因此认为，“掺杂浓度过渡层”与穿通阻止层以及鳍片之间存在可以界定的边界。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：本申请的扩散是从鳍片侧面开始的，浓度分布应该以侧面为起点向上、横向递减，因此，以浓度变化确定边界的话，该边界也应该是一条以侧面为中心的弧形，而不是在高度方向上的一条水平线，因此无法确定高度方向上的过渡层厚度的下边界。其次，“相同量级”，是一个较宽的范围，本领域通常认为从1倍至10倍都可以认为是相同量级，即使认为掺杂浓度过渡层在鳍状结构高度方向上的厚度与鳍状结构的宽度的一半相近，也不能得出厚度与宽度的一半“相同量级”这么大的范围。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月16日向复审请求人发出复审通知书，指出：复审请求人于分案申请提交日2015年09月23日提交的权利要求1中记载了“穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度过渡层，该掺杂浓度过渡层在鳍状结构高度方向上的厚度与鳍状结构的宽度的一半具有相同量级”，但是，在母案原说明书和权利要求书中没有记载上述技术特征。并且，上述技术特征不能由母案原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即修改超出了母案原说明书和权利要求书记载的范围。因此，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
复审请求人于2019年09月26日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书修改替换页，包括权利要求第1-9项。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；
在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于鳍状结构的顶面；以及
在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层的顶部相对于掺杂剂层的顶部在鳍状结构高度方向上高出鳍状结构的宽度的一半。
2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，穿通阻止层沿鳍状结构的宽度方向具有掺杂浓度分布，使得穿通阻止层中间部分的掺杂浓度低于两端部分的掺杂浓度。
3. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍状结构与半导体衬底一体。
4. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在半导体衬底上形成且顶面低于半导体鳍状结构的顶面的隔离层，其中，掺杂剂层在隔离层上。
5. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，掺杂剂层包括在鳍状结构的侧面上延伸的部分以及在半导体衬底的横向表面上延伸的部分。
6. 根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：在所述掺杂剂层上的隔离层。
7. 根据权利要求4或5所述的半导体器件，还包括：
在隔离层上形成的横跨鳍状结构的栅堆叠，该栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；
在位于栅堆叠两侧的半导体鳍状结构中形成的源漏区。
8. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述半导体器件为N型器件，所述掺杂剂层中包括P型掺杂剂；或者
所述半导体器件为P型器件，所述掺杂剂层中包括N型掺杂剂。
9. 根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述P型掺杂剂包括B，所述N型掺杂剂包括P或As。”
复审请求人认为：由说明书第6页第4段记载的“采用热退火，将掺杂剂层105位于脊状物的侧面上的部分向内推入直至连通，从而在半导体衬底101的脊状物中形成掺杂穿通阻止层107”可以得到向上扩散的长度约为鳍状结构宽度的一半，因此穿通阻止层的顶部相对于掺杂剂层的顶部在鳍状结构高度方向上高出鳍状结构的宽度的一半。
经过充分阅卷并合议，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年09月26日提交了权利要求书全文修改替换页，共包括权利要求第1-9项。因此，本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于分案申请提交日2015年09月23日提交的说明书摘要、说明书第1-78段、摘要附图、说明书附图图1-图23c；2019年09月26日提交的权利要求第1-9项。
关于修改超范围
专利法实施细则第43条第1款的规定：分案申请的内容不能超出原申请记载的范围。
如果分案申请的内容在原申请说明书和权利要求书的文字中没有记载，也不能根据原申请说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，则分案申请的内容超出原申请说明书和权利要求书记载的范围。
本申请为分案申请，母案申请号为201210507134.3。复审请求人在2019年09月26日对权利要求1进行了修改，加入技术特征“在鳍状结构侧壁上形成的掺杂剂层，其中，掺杂剂层的顶面低于鳍状结构的顶面”和“穿通阻止层的顶部相对于掺杂剂层的顶部在鳍状结构高度方向上高出鳍状结构的宽度的一半”。在母案原说明书和权利要求书中没有记载上述技术特征。母案的原说明书只记载了在鳍状物侧面形成掺杂剂层105，通过热退火使掺杂剂向鳍状物扩散，由掺杂剂层105向各个方向扩散形成的层即为穿通阻止层107。在形成半导体器件后，其中的鳍状结构侧壁上没有掺杂剂层，掺杂剂层已经在扩散过程中形成了穿通阻止层，因此，也不存在穿通阻止层的顶部高度与掺杂剂层比较的内容。
并且，说明书中记载了将掺杂剂层105位于鳍状物的侧面上的部分向内推入直至连通，如复审请求人所陈述的向各个方向扩散的长度相同，那么，当掺杂剂层105退火扩散时，存在向内、向上和向下的扩散，扩散边界应为以掺杂剂层105上端点为圆心的圆弧，由此可知穿通阻止层107顶部的高度是不同的，对于穿通阻止层顶面处、扩散直至连通的位置，该点扩散的方向基本上是向内的，是顶部高度最低处，其高度必然低于向上扩散的最高高度，因此即使相对于扩散开始前的掺杂剂层，也不能得出“穿通阻止层的顶部相对于掺杂剂层的顶部在鳍状结构高度方向上高出鳍状结构的宽度的一半”。
由此可见，上述技术特征在母案原说明书和权利要求书中没有记载，也不能由母案原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即修改超出了母案原说明书和权利要求书记载的范围。因此，不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。
3、关于复审请求人的陈述意见
综上关于修改超范围的意见，由于最终的半导体器件中不存在掺杂剂层，并且穿通阻止层的顶部高度各不相同，复审请求人依据“采用热退火，将掺杂剂层105位于脊状物的侧面上的部分向内推入直至连通，从而在半导体衬底101的脊状物中形成掺杂穿通阻止层107”得出“穿通阻止层的顶部相对于掺杂剂层的顶部在鳍状结构高度方向上高出鳍状结构的宽度的一半”的论述不具备说服力。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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