发明创造名称：用于MEMS换能器的系统和方法
外观设计名称：
决定号：199729
决定日：2020-01-07
委内编号：1F269197
优先权日：2013-11-06
申请（专利）号：201410635314.9
申请日：2014-11-05
复审请求人：英飞凌科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：蒋玲
合议组组长：冯晓明
参审员：颜燕
国际分类号：H04R23/00,B81B7/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点：如果权利要求书以及说明书中的修改内容无法根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，那么该修改超出原说明书和权利要求书记载的范围。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410635314.9，名称为“用于MEMS换能器的系统和方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为英飞凌科技股份有限公司。本申请的申请日为2014年11月05日，最早优先权日为2013年11月06日，公开日为2015年05月20日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月04日发出驳回决定，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年11月05日提交的说明书摘要、说明书第1-82段（即第1-18页）、摘要附图、说明书附图；2018年08月15日提交的权利要求第1-18项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种微机电系统(MEMS)包括：
第一MEMS换能器元件；
第二MEMS换能器元件；
半导体衬底，包括延伸穿过所述半导体衬底的整个厚度的共享的腔体，其中所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件布置在所述半导体衬底的顶面处并且每个被设置在所述共享的腔体之上并且声学上被耦接至所述共享的腔体；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
2. 如权利要求1所述的MEMS，其中所述偏置生成器包括：
第一偏置生成器，耦接至所述第一MEMS换能器元件并被配置为提供第一偏置电压；和
第二偏置生成器，耦接至所述第二MEMS换能器元件并被配置为提供第二偏置电压。
3. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被布置在集成电路(IC)上，并且被电耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
4. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被集成在所述衬底上。
5. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
6. 如权利要求1所述的MEMS，进一步包括：
单个声音端口，耦接至所述共享的腔体。
7. 一种微机电系统(MEMS)，包括：
第一MEMS换能器元件，布置在第一半导体衬底的顶面处覆盖所述第一半导体衬底之内的第一腔体；
第二MEMS换能器元件，布置在第二半导体衬底的顶面处覆盖所述第二半导体衬底之内的第二腔体；
第三衬底，包括延伸穿过所述半导体衬底的整个厚度的共享的腔体，其中所述第一衬底和第二衬底被布置在所述第三衬底上，至少所述第一腔体的一部分和所述第二腔体的一部分覆盖所述共享的腔体，并且所述第三衬底不同于所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底；
第四衬底，包括声音端口，其中所述第三衬底布置在所述第四衬底上，所述共享的腔体的至少一部分覆盖所述声音端口，并且所述第四衬底不同于所述第一半导体衬底、所述第二半导体衬底和第三衬底；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
8. 如权利要求7所述的MEMS，
其中所述第三衬底包括载体芯片。
9. 如权利要求7所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括印刷电路板(PCB)。
10. 如权利要求7所述的MEMS，
其中所述共享的腔体宽于所述声音端口。
11. 如权利要求7所述的MEMS，
其中所述第一衬底和所述第二衬底是同一衬底。
12. 如权利要求7所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
13. 一种微机电系统(MEMS)，包括：
基板，包括布置在第二腔体之上的第一腔体，所述第一腔体大于所述第二腔体；
MEMS换能器，与所述第一腔体邻近并被布置在所述基板的顶面处，所述MEMS换能器包括：
半导体衬底，
第一MEMS换能器元件，布置在所述半导体衬底的顶面处，覆盖在所述半导体衬底中形成的第三腔体，和
第二MEMS换能器元件，布置在所述半导体衬底的所述顶面处，覆盖在所述半导体衬底中形成的第四腔体，其中所述第一腔体、所述第二腔体、所述第三腔体和所述第四腔体均声学上进行耦接，并且所述第一腔体是延伸穿过所述半导体衬底的整个厚度的共享的腔体；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
14. 如权利要求13所述的MEMS，
其中所述基板包括包括所述第一腔体的第一层和包括所述第二腔体的第二层。
15. 如权利要求13所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件包括双背板MEMS麦克风。
16. 如权利要求13所述的MEMS，
其中所述第一腔体宽于所述第二腔体。
17. 如权利要求13所述的MEMS，
其中所述基板包括印刷电路板(PCB)。
18. 如权利要求13所述的MEMS，
其中所述基板包括陶瓷衬底。”
驳回决定中引用的对比文件为：
对比文件1：CN 202679623U，公告日为2013年01月16日；
对比文件3：CN 101321406A，公开日为2008年12月10日；
对比文件4：CN 102595295A，公开日为2012年07月18日。
驳回决定中指出：权利要求1-4、6-11、13-18相对于对比文件1、对比文件3和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，权利要求5、12相对于对比文件1、对比文件3、对比文件4和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月19日向国家知识产权局提出了复审请求，未提交修改文件。复审请求人认为：对比文件1中的线路板不能等同于权利要求1中所要保护的半导体衬底，对比文件1没有公开该腔体延伸穿过半导体衬底的整个厚度的共享腔体。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月26日向复审请求人发出复审通知书，所针对的文本与驳回决定所针对的审查文本相同，即，申请日2014年11月05日提交的说明书摘要、说明书第1-18页、摘要附图、说明书附图第1-19页；2018年08月15日提交的权利要求第1-18项。此次复审通知书所引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即对比文件1、对比文件3、对比文件4。复审通知书中指出：权利要求1-4、6-11、13-18相对于对比文件1、对比文件3和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，权利要求5、12相对于对比文件1、对比文件3、对比文件4和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：对比文件1公开了两个电容器单元31设置在同一基底上，线路板11、12贯穿形成通路使得两个电容器单元31由共享腔体连通（参见对比文件1说明书第[0055]段、第[0057]段，图12-14）。由于使用半导体衬底作为放置MEMS换能器元件的基底是本领域的惯用手段，并且以半导体为衬底材料的芯片级的微传感器系统比采用印刷电路板的系统有许多优势是本领域的公知常识，本领域技术人员为了提高微传感器系统的性能，有动机对微传感器系统进行改进，使用半导体衬底替换基底及电路板，进而得到该腔体是延伸穿过半导体衬底的整个厚度的共享腔体。
复审请求人于2019年05月05日提交了意见陈述书，并提交了修改后的权利要求书。复审请求人认为：（1）将第二线路板12等同于所要求保护的第三衬底，又将第二线路板12等同于所要求保护的第一、第二衬底，这是欠妥的；（2）对比文件1未公开共享腔体延伸穿过线路板12；（3）对比文件3中的放大器用于对放大器的两个输入求和，并生成经求和的输出，权利要求1的放大器具有耦接至第一MEMS换能器元件和第二MEMS换能器元件的输入端，并且具有配置为提供差分输出信号的输出端。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种微机电系统(MEMS)包括：
第一MEMS换能器元件，布置在第一半导体衬底的顶面处覆盖所述第一半导体衬底之内的第一腔体；
第二MEMS换能器元件，布置在第二半导体衬底的顶面处覆盖所述第二半导体衬底之内的第二腔体；
第三衬底，包括延伸穿过所述第三衬底的整个厚度的共享的腔体，其中所述第一衬底和所述第二衬底被布置在所述第三衬底上，至少所述第一腔体的一部分和所述第二腔体的一部分覆盖所述共享的腔体，并且所述第三衬底不同于所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底；
第四衬底，包括声音端口，所述声音端口具有与所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件等距间隔开的开口，其中所述第三衬底布置在所述第四衬底上，所述共享的腔体的至少一部分覆盖所述声音端口，并且所述第四衬底包括不同于所述第一半导体衬底、所述第二半导体衬底和所述第三衬底的材料；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
2. 如权利要求1所述的MEMS，其中所述偏置生成器包括：
第一偏置生成器，耦接至所述第一MEMS换能器元件并被配置为提供第一偏置电压；和
第二偏置生成器，耦接至所述第二MEMS换能器元件并被配置为提供第二偏置电压。
3. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被布置在集成电路(IC)上， 并且被电耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
4. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被集成在所述衬底上。
5. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
6. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第三衬底包括载体芯片。
7. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括印刷电路板(PCB)。
8. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述共享的腔体宽于所述声音端口。
9. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一衬底和所述第二衬底是同一衬底。
10. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
11. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件包括双背板MEMS麦克风。
12. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一腔体宽于所述第二腔体。
13. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括陶瓷衬底。”
合议组于2019年07月25日再次向复审请求人发出复审通知书，此次复审通知书所针对的文本为：申请日2014年11月05日提交的说明书摘要、说明书第1-18页、摘要附图、说明书附图第1-19页；2019年05月05日提交的权利要求第1-13项。其中所引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即对比文件1、对比文件3、对比文件4，复审通知书中指出：复审请求人在权利要求1中增加了特征“所述声音端口具有与所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件等距间隔开的开口”，此修改超出了原申请文件记载的范围，也无法根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，权利要求1不符合专利法第33条的规定。即使复审请求人将修改超范围的部分删除，权利要求1-4、6-9、11-13相对于对比文件1、对比文件3和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，权利要求5、10相对于对比文件1、对比文件3、对比文件4和本领域惯用手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：对于第（1）点，对比文件1中第二线路板12等同于第三衬底，并未认为第二线路板12等同于第一衬底、第二衬底，而是认为电容器单元所在的基底等同于第一衬底、第二衬底；对于第（2）点，对比文件1公开了两个电容器单元31设置在同一基底上，线路板11、12贯穿形成通路使得两个电容器单元31由共享腔体连通。声音由MEMS换能器经第二线路板12上的次声孔121、共享腔体10、第一线路板上出声孔111发出，也就是共享腔体延伸穿过线路板12；对于第（3）点，对比文件3公开的放大器与本申请的权利要求1的放大器是一样的，且该特征在对比文件3中起的作用与该特征在本申请的权利要求1中所起的作用相同。对比文件3给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。
复审请求人于2019年08月26日提交了意见陈述书，并提交了修改后的权利要求书。复审请求人认为：（1）对比文件1未公开“第一腔体在第一半导体衬底之内，以及第一MEMS换能器元件覆盖至少第一腔体的一部分”以及“第二腔体在第二半导体衬底之内，以及第二MEMS换能器元件覆盖至少第二腔体的一部分”；（2）对比文件1仅公开了声波可以延伸穿过线路板，腔体是“中空部分”，而不是本申请的共享腔体。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种微机电系统(MEMS)包括：
第一MEMS换能器元件，布置在第一半导体衬底的顶面处覆盖所述第一半导体衬底之内的第一腔体；
第二MEMS换能器元件，布置在第二半导体衬底的顶面处覆盖所述第二半导体衬底之内的第二腔体；
第三衬底，包括延伸穿过所述第三衬底的整个厚度的共享的腔体，其中所述第一衬底和所述第二衬底被布置在所述第三衬底上，至少所述第一腔体的一部分和所述第二腔体的一部分覆盖所述共享的腔体，并且所述第三衬底不同于所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底；
第四衬底，包括声音端口，所述声音端口具有与所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件间隔开的开口，其中所述第三衬底布置在所述第四衬底上，所述共享的腔体的至少一部分覆盖所述声音端口，并且所述第四衬底包括不同于所述第一半导体衬底、所述第二半导体衬底和所述第三衬底的材料；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件，
其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底是同一衬底，并且其中所述第一MEMS换能器元件的第一端由具有第一厚度的第一半导体衬底部分直接支撑，其中所述第一MEMS换能器元件的第二端和所述第二MEMS换能器元件的第一端由具有第二厚度的第二半导体衬底部分直接支撑，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中所述第二MEMS换能器元件的第二端由具有所述第一厚度的第三半导体衬底部分直接支撑。
2. 如权利要求1所述的MEMS，其中所述偏置生成器包括：
第一偏置生成器，耦接至所述第一MEMS换能器元件并被配置为提供第一偏置电压；和
第二偏置生成器，耦接至所述第二MEMS换能器元件并被配置为提供第二偏置电压。
3. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被布置在集成电路(IC)上，并且被电耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
4. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被集成在所述衬底上。
5. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
6. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第三衬底包括载体芯片。
7. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括印刷电路板(PCB)。
8. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述共享的腔体宽于所述声音端口。
9. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
10. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件包括双背板MEMS麦克风。
11. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一腔体宽于所述第二腔体。
12. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括陶瓷衬底。”
合议组于2019年10月23日再次向复审请求人发出复审通知书，此次通知书所针对的文本为：申请日2014年11月05日提交的说明书摘要、说明书第1-18页、摘要附图、说明书附图第1-19页；2019年08月26日提交的权利要求第1-12项。复审通知书中指出：复审请求人在权利要求1中增加的特征“所述第一MEMS换能器元件的第一端由具有第一厚度的第一半导体衬底部分直接支撑，其中所述第一MEMS换能器元件的第二端和所述第二MEMS换能器元件的第一端由具有第二厚度的第二半导体衬底部分直接支撑，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中所述第二MEMS换能器元件的第二端由具有所述第一厚度的第三半导体衬底部分直接支撑”中实际限定了“第二半导体衬底的第二厚度小于第一半导体衬底的第一厚度”、“第二MEMS换能器元件的第二端由具有所述第一厚度的第三半导体衬底部分直接支撑”，权利要求1不符合专利法第33条的规定。对于复审请求人的意见，合议组认为：对于第（1）点，在声波通道中不可能设置隔挡阻碍声波，因此对比文件1中，由于声波要穿过基底到达电容器单元，基底必然是在第二线路板之上，且与第二线路板贯通，即形成了腔体，并且两个电容器单元31覆盖了形成的腔体，从而相当于至少第一腔体的一部分和第二腔体的一部分覆盖所述共享的腔体，第一MEMS换能器元件和第二MEMS换能器元件每个被设置在所述共享的腔体之上，并声学上被耦合至共享的腔体。因此可以直接地、毫无疑义地从对比文件1中确定：第一腔体在第一衬底之内，以及第一MEMS换能器元件覆盖至少第一腔体的一部分以及第二腔体在第二衬底之内，以及第二MEMS换能器元件覆盖至少第二腔体的一部分。对于第（2）点，参见对比文件1的说明书附图12，从附图标记121、10两个部分可以看出线路板具有一个中空的空间，该空间贯穿延伸穿过腔体的整个厚度。
复审请求人于2019年11月26日提交了意见陈述书，并提交了修改后的权利要求书。复审请求人认为：修改部分能够从本申请原始申请文件的说明书第[0051]、[0073]、[0074]段和附图9所记载的内容直接、毫无疑义地确定，附图9中示出了步骤930和步骤940，从中可以看出具有第一厚度的第一半导体衬底部分、具有第二厚度的半导体衬底部分，其中第二厚度小于第一厚度，图9示出了第一半导体部分、第二半导体部分、第三半导体部分。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种微机电系统(MEMS)包括：
第一MEMS换能器元件，布置在第一半导体衬底的顶面处覆盖所述第一半导体衬底之内的第一腔体；
第二MEMS换能器元件，布置在第二半导体衬底的顶面处覆盖所述第二半导体衬底之内的第二腔体；
第三衬底，包括延伸穿过所述第三衬底的整个厚度的共享的腔体，其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底被布置在所述第三衬底上，至少所述第一腔体的一部分和所述第二腔体的一部分覆盖所述共享的腔体，并且所述第三衬底不同于所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底；
第四衬底，包括声音端口，所述声音端口具有与所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件间隔开的开口，其中所述第三衬底布置在所述第四衬底上，所述共享的腔体的至少一部分覆盖所述声音端口，并且所述第四衬底包括不同于所述第一半导体衬底、所述第二半导体衬底和所述第三衬底的材料；
放大器，具有耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件的输入端，以及具有配置为提供差分输出信号的输出端；以及
偏置生成器，被耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件，
其中所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底是同一衬底，并且其中所述第一MEMS换能器元件的第一端由具有第一厚度的所述同一衬底的第一半导体衬底部分直接支撑，其中所述第一MEMS换能器元件的第二端和所述第二MEMS换能器元件的第一端由具有第二厚度的所述同一衬底的第二半导体衬底部分直接支撑，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中所述第二MEMS换能器元件的第二端由具有所述第一厚度的所述同一衬底的第三半导体衬底部分直接支撑。
2. 如权利要求1所述的MEMS，其中所述偏置生成器包括：
第一偏置生成器，耦接至所述第一MEMS换能器元件并被配置为提供第一偏置电压；和
第二偏置生成器，耦接至所述第二MEMS换能器元件并被配置为提供第二偏置电压。
3. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被布置在集成电路(IC)上，并且被电耦接至所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件。
4. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述放大器和所述偏置生成器被集成在所述衬底上。
5. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
6. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第三衬底包括载体芯片。
7. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括印刷电路板(PCB)。
8. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述共享的腔体宽于所述声音端口。
9. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件包括多个第一MEMS换能器元件，并且所述第二MEMS换能器元件包括多个第二MEMS换能器元件。
10. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一MEMS换能器元件和所述第二MEMS换能器元件包括双背板MEMS麦克风。
11. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第一腔体宽于所述第二腔体。
12. 如权利要求1所述的MEMS，
其中所述第四衬底包括陶瓷衬底。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年11月26日提交了权利要求书的修改文本，因此本复审请求审查决定针对的文本是：复审请求人于2019年11月26日提交的权利要求第1-12项；申请日2014年11月05日提交的说明书摘要、说明书第1-18页、摘要附图、说明书附图第1-19页。
2、关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
本复审请求审查决定所指的原申请文件、原说明书、原权利要求书、原说明书附图是指复审请求人于申请日2014年11月05日提交的申请文件、说明书、权利要求书、说明书附图。
复审请求人在权利要求1中增加了特征“所述第一MEMS换能器元件的第一端由具有第一厚度的所述同一衬底的第一半导体衬底部分直接支撑，其中所述第一MEMS换能器元件的第二端和所述第二MEMS换能器元件的第一端由具有第二厚度的所述同一衬底的第二半导体衬底部分直接支撑，所述第二厚度小于所述第一厚度，并且其中所述第二MEMS换能器元件的第二端由具有所述第一厚度的所述同一衬底的第三半导体衬底部分直接支撑”，但这些内容在原说明书和权利要求中没有记载，从原说明书和权利要求公开的内容中也无法得到或概括得出该权利要求所请求保护的技术方案，因此，权利要求1的修改超范围，不符合专利法第33条的规定。具体理由如下：
在原申请文件中没有记载同一衬底包括第一半导体衬底部分、第二半导体衬底部分、第三半导体衬底部分，也未公开第二半导体衬底部分的第二厚度小于第一半导体衬底部分的第一厚度，也没有记载涉及将各半导体衬底厚度相比较的特征，从附图中也无法得到上述特征；虽然附图9中能够看到一个中间部分厚度低于两边部分的结构，但是根据说明书的公开的内容（参见说明书第[0015]、[0050]、[0051]、[0073]、[0074]段），本申请的原说明书图9仅示出了一种实施例制造顺序的示意图，腔体925被蚀刻至不等于衬底的厚度的深度，因而从其中无法准确确定衬底的结构，无法直接、毫无疑义地准确确定衬底的结构是分为三个部分，更无法确定这三个部分之间的相对厚度关系。从原说明书和权利要求公开的内容中也无法直接地、毫无疑义地确定得出该权利要求所请求保护的技术方案，因此权利要求1的修改超出原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见，合议组认为：本申请的原说明书附图9是实施例的制造顺序示意图，不能单凭一个制造顺序示意图判断衬底的具体结构，并且本申请的原说明书附图9可能是衬底的截面图，也有可能是其他的示意图，如果是截面图，仅可以说明其截面是如图所示的结构，不能说明其实际结构。本申请的原说明书第[0051]段仅记载了蚀刻工艺，原说明书第[0073]、[0074]段涉及第一半导体衬底、第二半导体衬底、第三衬底、第四衬底，并不涉及衬底的结构是分为三个部分，也不涉及这三个部分之间的相对厚度关系。因此原说明书和权利要求书记载的内容没有衬底的实际结构，也无法从原说明书和权利要求书记载的内容直接地、毫无意义地确定。
因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月04日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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