发明创造名称：阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
外观设计名称：
决定号：201233
决定日：2020-01-07
委内编号：1F301907
优先权日：
申请（专利）号：201610327713.8
申请日：2016-05-17
复审请求人：上海天马有机发光显示技术有限公司 天马微电子股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王欣
合议组组长：商纪楠
参审员：张莉
国际分类号：H01L27/32,H01L21/77
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，如果最接近的现有技术没有公开且并不存在与本申请相同的技术问题，且现有技术公开的特征与该区别技术特征并不相同，也没有给出将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，并且上述区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610327713.8，名称为“阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为上海天马有机发光显示技术有限公司和天马微电子股份有限公司，申请日为2016年05月17日，公开日为2016年08月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年06月21日发出驳回决定，以权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年05月17日提交的说明书第1-110段、摘要附图、说明书附图图1-图11(g)、说明书摘要；2019年04月30日提交的权利要求第1-13项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种OLED阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域，且至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；
位于所述像素定义结构上表面凹槽内的支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积；
位于所述子像素区域内的阳极和发光层；
覆盖所述发光层和所述支撑结构上表面的阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构。
2. 根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，位于所述凹槽任一侧的所述像素定义结构的上表面宽度不小于1μm。
3. 根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值。
4. 一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-3任一项所述的OLED阵列基板。
5. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的显示面板。
6. 一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上表面形成多个阳极；
在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表 面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积，其中，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域；
在所述子像素区域内形成发光层；
在所述发光层和所述支撑结构上表面形成阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构。
7. 根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成光阻层，所述光阻层上表面具有第一预设区域、第二预设区域和第三预设区域；
对所述第一预设区域、第二预设区域和第三区域采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板上表面对应所述第一预设区域的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板上表面对应所述第二预设区域的位置形成多个像素定义结构，在所述第一基板上表面对应所述第三预设区域的位置形成支撑结构，其中，所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
8. 根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成第一光阻层，所述第一光阻层上表面具有第一预设区域、第二预设区域和第三预设区域；
对所述第一预设区域、第二预设区域和第三区域采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板上表面对应所述第一预设区域的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板上表面对应所述第二预设区域的位置形成多个像素定义结构，在所述像素定义结构上表面对应所述第三预设区域的位置形成凹槽；
在所述凹槽内沉积所述支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
9. 根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成第一光阻层，对所述第一光阻层上表面对应第一预设区域和第二预设区域的位置进行曝光、显影，形成开口区和多个像素定义结构；
对所述像素定义结构上表面对应第三预设区域的位置进行曝光、显影，在至少一个所述像素定义结构上表面形成凹槽；
在所述凹槽内沉积支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
10. 根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽内沉积支撑结构包括：
在所述像素定义结构背离所述第一基板的一侧形成第三光阻层；
对所述第三光阻层上表面对应第四预设区域的位置进行曝光、显影，在所述像素定义结构的凹槽内形成支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面。
11. 根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述像素定义结构的制作材料与所述支撑结构的制作材料相同或不同。
12. 根据权利要求7-9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第三预设区域包括第一子区域和位于所述第一子区域周缘的第二子区域，其中，所述第一子区域对应的曝光量大于所述第二子区域的曝光量。
13. 根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在沿所述第二子区域至所述第一子区域方向上，所述第二子区域中各位置对应的曝光量逐渐增大。”
驳回决定中引用下述对比文件：
对比文件1：TW201248962A1，公开日为2012年12月01日；
对比文件2：CN102376747A，公开日为2012年03月14日。
驳回决定的具体理由包括：1、权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征在于：下部电极为阳极，上部电极为阴极，采用正梯形支撑结构代替倒梯形支撑结构。而上述区别技术特征属于本领域的常规技术手段。因此，权利要求1相对于对比文件1结合公知常识不具备创造性。2、权利要求4-5包含的权利要求不具备创造性，且对比文件1公开了显示面板和显示装置，因而不具备创造性。3、权利要求6与对比文件1相比，区别技术特征在于：至少一个像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内；下部电极为阳极，上部电极为阴极；用正梯形支撑结构代替倒梯形支撑结构。基于上述区别技术特征，权利要求6实际解决的技术问题是：避免显示面板表面受到压力时，部分发光层不发光。针对区别技术特征，对比文件1的实施例二及附图7B还公开了所述分隔壁209上表面具有凹槽。位于分隔壁上表面凹槽内的辅助布线211，同时实施例二也说明本实施例可以与其他实施例进行适当的组合而实施。在此基础上本领域技术人员很容易想到将实施例一的方法用到实施例二中，避免显示面板表面受到压力时，部分发光层不发光的技术问题。下部电极为阳极，上部电极为阴极及采用正梯形支撑结构代替倒梯形支撑结构是常规技术手段。因此，权利要求6相对于对比文件1结合公知常识不具备创造性。4、权利要求2-3、7-13的附加技术特征或者被对比文件1、2公开或者是常规选择，因而也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年09月18日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书全文替换页，包括权利要求1-12项。修改包括：将权利要求3的附加技术特征增加到权利要求1中，即技术特征“凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值”加入到权利要求1中，同时将原权利要求3删除。复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种OLED阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域，且至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；
位于所述像素定义结构上表面凹槽内的支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积；
位于所述子像素区域内的阳极和发光层；
覆盖所述发光层和所述支撑结构上表面的阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构；
其中，所述凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值。”
复审请求人认为：（1）权利要求1中，所述像素定义结构用于物理性的断开发光层中不同的发光区域，而对比文件1中的分隔壁不是用于物理性的断开所述发光层中的不同发光区域。（2）根据对比文件1的图5D和7B可知，对比文件1中的分隔壁中并没有形成凹槽，而是由于其形成的表面为凹凸表面形成的凹凸形状，其厚度处处相同；而本申请修改后的权利要求1中，所述像素定义结构并非厚度处处相同的凹凸形状，而是本身具有凹槽，且所述凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值，两者完全不同。（3）在权利要求1中，位于所述支撑结构两侧的阴极部分是一体结构，所述支撑结构并不用于电连接阴极的不同部分。在对比文件1中，所述辅助布线的作用为电连接不同的上部电极。在对比文件1中，辅助布线的制作材料为低电阻的导电材料；而本申请修改后的权利要求1中，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料。权利要求1中，所述支撑结构的剖视图为正梯形，在对比文件1中，辅助布线的剖视图为倒梯形。因此，权利要求1-12具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年09月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）虽然发光层部分形成在分隔壁209的上表面上，但其下方并无下部电极203而是绝缘层分隔壁209，因此该部分不能发光，即其断开了发光层的不同发光区域，可以作为像素定义结构。（2）对比文件1中的分隔壁中虽然厚度大致相同，但的凹凸表面客观上在分割壁中形成了凹槽。（3）参见附图7B、5D，上部电极207、107完全覆盖EL层、辅助布线211和间隔壁209的上表面。因此对比文件1是位于辅助布线两侧和上表面的上部电极可以是一整块电极。同时采用正梯形支撑结构代替倒梯形支撑结构属于本领域的常规技术手段。因此，权利要求1-12均不具备创造性，坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年09月18日向专利复审委员会提出复审请求时，提交了权利要求书全文替换页，包括权利要求1-12项。经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：申请日2016年05月17日提交的说明书第1-110段、摘要附图、说明书附图图1-图11(g)、说明书摘要；2019年09月18日提交的权利要求第1-12项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，如果最接近的现有技术没有公开且并不存在与本申请相同的技术问题，且现有技术公开的特征与该区别技术特征并不相同，也没有给出将上述区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，并且上述区别技术特征使得该项权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定相同，即：
对比文件1：TW201248962A1，公开日为2012年12月01日；
对比文件2：CN102376747A，公开日为2012年03月14日。
2.1关于独立权利要求1
权利要求1要求保护一种OLED阵列基板，对比文件1公开了一种OLED阵列基板，其中公开了以下技术特征（说明书第11页至第15页实施例1、附图1A-1B）：第一基板101；位于所述第一基板101上表面的多个分隔壁109（即像素定义结构），所述分隔壁109将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域；位于分隔壁109上表面的辅助布线111（由于辅助布线客观上也能起到支撑的作用，辅助布线即支撑结构），辅助布线111的上表面高于分隔壁109的上表面；位于所述子像素区域内的下部电极103和发光层105；覆盖所述发光层和所述支撑结构上表面的上部电极层107，由图5D可知，上部电极层完全覆盖所述发光层、所述辅助布线111和所述分隔壁109。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于:(1)至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值；（2）所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积；（3）下部电极为阳极，上部电极为阴极，根据上述区别技术特征可以确定，该权利要求的技术方案实际所要解决的技术问题是：如何避免在支撑结构受到外界压力时，不会对支撑结构上的阴极层产生作用力，使阴极层发生损坏，导致部分发光层不发光，影响显示效果。
关于区别技术特征（1）和（2）。首先，对比文件1与本申请所要解决的技术问题不同。对比文件1所要解决的技术问题是：当照明装置和大屏幕显示设备中的发光部的面积大时，起因于EL组件的上部电极和下部电极的电阻，电位显著降低。当该电极中的电位显著降低时，有亮度的不均匀可能会被看见的问题。而本申请要解决的技术问题是：OLED显示面板上具有像素定义结构，像素定义结构上具有支撑结构，支撑结构上形成有阴极层，当支撑结构受到外界压力作用时，会发生挤压变形，进而使得阴极层发生损坏，导致部分发光层不发光，影响显示效果。因此，对比文件1要解决的是电位降低的问题，本申请要解决的是挤压变形的问题。对比文件1完全不涉及外力对支撑结构的挤压而损坏电极层的技术问题。
其次，对比文件1与本申请的技术方案有本质区别。首先，对比文件1使用电阻率低的辅助布线来增加上部电极的导电性，从而解决电位降低的问题，因此辅助布线中导电材料是必需的（说明书第23页[辅助布线·布线]段）。对比文件1的实施例公开了辅助布线的多种形状，例如附图3A-3F，相同点都是与上部电极层连接而不使它电分离。例如附图3E中，即使由使用绝缘材料形成脚部171a及台部171b，也可以藉由连接层175使辅助布线171的侧面的一部分实质上具有导电性，即辅助布线中至少具有导电性连接层175，以提供导电性。虽然对比文件1的辅助布线客观上也能起到支撑上部电极层的作用，但其作为辅助布线也必须具有良好的导电性，而权利要求1中的支撑材料仅是用于支撑上部电极层的，使用的是绝缘材料。因此，辅助布线的制作材料为绝缘材料是不可能实现对比文件1的发明目的的，是与对比文件1的教导相反的。
再者，权利要求1中限定了“支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积”，即支撑结构为正梯形，正梯形通常有利于给予上方材料更好的支撑，并使位于正梯形两侧和上方的材料形成连续的层。但是对比文件1中，辅助布线要具有断开EL层的形状（说明书第15页第一段），对比文件1中给出了辅助布线为倒梯形以断开EL层的例子，因为形成EL层时不使用金属掩膜，因而正梯形显然不利于EL层的断开。因此，辅助布线为正梯形也是与对比文件1的教导相反的。
另外，在实施例3中，“参照图7A和7B而对将上述实施例所例示的辅助布线应用于具有多个像素部的显示设备的例子进行说明”，其中，“包括覆盖下部电极层203的端部和接触区域的分隔壁209”，“辅助布线211被形成在覆盖相邻的两个像素部201的下部电极层203的端部的分隔壁209之上，其至少侧面的一部分与上部电极层207相接触。因此，多个像素部201所具有的上部电极层207藉由辅助布线211而被电连接。作为辅助布线211，可以应用上述实施例所例示的各种方式的辅助布线。另外，辅助布线211也可以被形成在布线之上。”以上为实施例3中提及分隔壁的内容。由此可知，实施例3并没有文字记载：分隔壁上表面具有凹槽。另外，由以上内容可知，实施例3是对之前的实施例所示的辅助布线应用于多像素部的显示装置的说明，其并没有对分隔壁做实质改动。而在之前的实施例所示的辅助布线中，也并没有关于分隔壁上表面具有凹槽的文字记载，且如之前的实施例对应的附图1-6所示,分隔壁也并不具有凹槽。
尽管实施例3的附图7B中，分隔壁209的端部由于覆盖了下部电极层203，因此分隔壁的端部比分隔壁的中央部分略有上抬，形成了一种起伏结构，但这种结构与权利要求1中的“凹槽”并不等同。权利要求1中“至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽”，“凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值”中限定的“凹槽”，是为了缓解外部作用力而在像素定义结构上表面形成的具有特定深度的凹槽，像素定义结构的厚度并非处处相同，具有该深度的凹槽可以更好地缓解外部的作用力。而本申请附图7B中的分隔壁虽然形成为起伏结构，但这是本身并不具有凹槽的分隔壁应用于显示设备时，分隔壁位于其他层上而形成的共形形貌，即，由于分隔壁形成在具有起伏结构的表面上，所以才形成了起伏结构，但其厚度处处相同。另外，本领域技术人员也没有动机设定起伏的程度，以缓解外部作用力。因而，两者是不同的。
关于区别技术特征（3），对于本领域技术人员来说，下部电极为阳极，上部电极为阴极，是常见的OLED的电极布置，为本领域的惯用手段。
综上，虽然对于本领域技术人员来说，下部电极为阳极，上部电极为阴极为本领域的惯用手段。但是对比文件1并没有公开权利要求1中的技术特征“至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值；所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积”。另外，对比文件2公开的显示装置中，沿第一方向彼此邻接的发光元件中的有机层和第二电极层通过包含在分离部中的阶梯彼此分离，从而即使当发光元件之间的间距变窄时，也可以使相邻发光元件中的有机层和第二电极层彼此分离。对比文件2的分离部虽然具有阶梯（即凹槽），但是分离部上没有形成支撑结构，而根据对比文件2中分离部的作用，即分离相邻发光元件的有机层和第二电极层，分离部上也无需形成支撑结构。且上述特征也不是本领域技术人员的公知常识。并且，基于上述区别技术特征，该方案具有如下的有益效果：解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。
因此，权利要求1的技术方案相对于对比文件1和公知常识的结合，或者对比文件1、2和和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于从属权利要求2
权利要求2从属于权利要求1，在权利要求1具备创造性的基础上，权利要求2相对于对比文件1和公知常识的结合，或者对比文件1、2和和公知常识的结合，也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于独立权利要求3
权利要求3包含了权利要求1或2所述的OLED阵列基板，在权利要求1和2具备创造性的基础上，权利要求3相对于对比文件1和公知常识的结合，或者对比文件1、2和公知常识的结合，也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于独立权利要求4
权利要求4包含了权利要求3的显示面板，在权利要求3具备创造性的基础上，权利要求4相对于对比文件1和公知常识的结合、或者对比文件1、2和公知常识的结合,也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5关于独立权利要求5
基于与权利要求1具备创造性类似的理由，记载了相似区别技术特征的独立权利要求5相对于对比文件1和公知常识的结合、或者对比文件1、2和公知常识的结合，也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6关于从属权利要求6-12
权利要求6-12直接或间接从属于权利要求5，在权利要求5具备创造性的基础上，权利要求6-12相对于对比文件1和公知常识的结合，或者对比文件1、2和公知常识的结合，也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定和前置审查相关意见的评述
驳回决定和前置审查意见认为：（1）对比文件1中的分隔壁中虽然厚度大致相同，但凹凸表面客观上在分割壁中形成了凹槽，该凹槽同样起到放置支撑结构，以将支撑结构由于挤压变形而产生的作用力限制在凹槽内，避免该作用力造成发光层部分不发光的问题。同时，凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值，也属于本领域技术人员的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。（2）对比文件1说明书第16页倒数第1段和第17页第1段还公开了使用有机树脂等绝缘材料形成辅助布线171的脚部171a及台部171b。对比文件1中用于电连接位于辅助布线两侧的上部电极的方式，可以通过覆盖绝缘层的辅助布线的导电连接层175点连接（附图3E），还可以通过覆盖辅助布线两侧和上表面的上部电极（附图5D、7B），因此辅助布线的材料可以是绝缘材料。同时辅助布线采用正梯形代替倒梯形属于本领域的惯用技术手段。
对此，合议组认为：（1）尽管实施例3的附图7B中，分隔壁209的端部由于覆盖了下部电极层203，因此分隔壁的端部比分隔壁的中央部分略有上抬，形成了一种起伏结构，但这种结构与权利要求1中的“凹槽”并不等同。权利要求1中“至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽”，“凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值”中限定的“凹槽”，是为了缓解外部作用力而在像素定义结构上表面形成的具有特定深度的凹槽，像素定义结构的厚度并非处处相同，具有该深度的凹槽可以更好地缓解外部的作用力。而本申请附图7B中的分隔壁虽然形成为起伏结构，但这是本身并不具有凹槽的分隔壁应用于显示设备时，分隔壁位于其他层上而形成的共形形貌，即，由于分隔壁形成在具有起伏结构的表面上，所以才形成了起伏结构，但其厚度处处相同。对比文件1是为了解决上部电极的电阻所导致的电位降低问题，使用导电性好的辅助布线来增加上部电极的导电性，并没有给出分隔壁上表面形成凹槽，并在凹槽中放置支撑结构，以限制由于挤压变形而产生的作用力的任何技术启示。（2）对比文件1中技术方案的核心是通过电阻率低的辅助布线连接相邻发光元件的上部电极，以减小上部电极电阻带来的电位降低。辅助布线是绝缘材料的方案明显不能解决对比文件1的技术问题。另外，对比文件1中的辅助布线要具有断开EL层的形状，因为形成EL层时不使用金属掩膜，因而正梯形显然不利于EL层的断开。因此，本领域技术人员显然没有动机将辅助布线设置为正梯形。
综上所述，权利要求1-12相对于对比文件1和公知常识的结合，或者对比文件1、2和公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。至于本申请中是否还存在其它不符合专利法及其实施细则有关规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年06月21日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2019年09月18日提交的权利要求第1-12项； 2016年05月17日提交的说明书第1-110段，说明书附图图1-图11(g)，摘要，摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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