发明创造名称：光生伏打装置
外观设计名称：
决定号：199757
决定日：2020-01-03
委内编号：1F251899
优先权日：2013-06-21
申请（专利）号：201480046223.X
申请日：2014-06-20
复审请求人：第一阳光公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗慧晶
合议组组长：树奇
参审员：李静
国际分类号：H01L31/0352
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，但所述区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480046223.X，名称为“光生伏打装置”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为第一阳光公司，申请日为2014年06月20日，优先权日为2013年06月21日，进入中国国家阶段的日期为2016年02月19日，公开日为2016年05月04日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年01月23日发出驳回决定，以权利要求1-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2016年02月19日进入中国国家阶段提交的国际申请文件的中文译文的说明书第[0001]-[0034]，[0036]-[0114]段、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；于2016年03月21日提交的说明书第[0035]段；于2017年03月17日提交的权利要求第1-24项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种光生伏打装置，所述装置包含：
层堆叠；
在所述层堆叠上布置的包含镉、碲和硒的吸收剂层；和
在所述吸收剂层上布置的半导体层，其中所述半导体层的厚度在1 nm至3000 nm之间，其中所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移小于约1.3电子伏特，和所述半导体层的带隙在约1.2电子伏特-约3.5电子伏特的范围内；和
其中，相对于所述吸收剂层的传导带能量水平，所述半导体层的传导带能量水平具有偏移。
2. 权利要求1的光生伏打装置，其中横过所述吸收剂层的厚度，硒的原子浓度基本上恒定。
3. 权利要求1的光生伏打装置，其中横过所述吸收剂层的厚度，硒的原子浓度变化。
4. 权利要求1的光生伏打装置，其中横过所述吸收剂层的厚度，硒的原子浓度非线性变化。
5. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述吸收剂层还包含硫、氧、铜、氯，或它们的组合。
6. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述吸收剂层包含第一区域和第二区域，相对于所述第二区域，所述第一区域紧邻所述层堆叠布置，和
其中在所述第一区域中硒的平均原子浓度大于在所述第二区域中硒的平均原子浓度。
7. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述吸收剂层包含第一区域和第二区域，相对于所述第二区域，所述第一区域紧邻所述层堆叠布置，和
其中在所述第一区域中硒的平均原子浓度低于在所述第二区域中硒的平均原子浓度。
8. 权利要求6的光生伏打装置，其中所述第二区域包含碲化镉。
9. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层包含CdxM1-xTe，其中"x"为0-1范围内的数，Cd为镉，Te为碲，和M包含二价金属。
10. 权利要求9的光生伏打装置，其中x为0。
11. 权利要求9的光生伏打装置，其中M包含锰、镁、锌，或它们的组合。
12. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层包含碲化锌、碲化锰镉，或它们的组合。
13. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层为p-掺杂的。
14. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层为基本上本征的（intrinsic）。
15. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移在约0电子伏特-约0.45电子伏特的范围内。
16. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述半导体层的带隙在约1.6电子伏特-约2.7电子伏特的范围内。
17. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述层堆叠包含：
在支持物上布置的透明的导电层；和
在所述透明的导电层和所述吸收剂层之间布置的缓冲层。
18. 权利要求17的光生伏打装置，其中所述层堆叠还包含在所述缓冲层和所述吸收剂层之间布置的夹层。
19. 权利要求17的光生伏打装置，其中所述层堆叠还包含在所述缓冲层和所述吸收剂层之间布置的窗口层。
20. 权利要求19的光生伏打装置，其中所述窗口层包含硫化镉、氧合硫化镉、硫化锌、硫化锌镉、硒化镉、硒化铟、硫化铟，或它们的组合。
21. 权利要求1的光生伏打装置，其中所述装置基本上不含硫化镉层。
22. 权利要求1的光生伏打装置，所述装置还包含在所述半导体层上布置的背接触层，其中所述背接触层包含金属、铜-掺杂的元素碲、石墨，或它们的组合。
23. 一种光生伏打装置，所述装置包含：
层堆叠；
在所述层堆叠上布置的包含CdSezTe1-z的吸收剂层，其中"z"为在约0-约1范围内的数；和
与所述吸收剂层直接接触布置的半导体层，其中所述半导体层的厚度在1 nm至3000 nm之间，其中所述吸收剂层和所述半导体层之间的价带偏移小于约1.3电子伏特，和所述半导体层的带隙在约1.6电子伏特-约2.7电子伏特的范围内；和
其中，相对于所述吸收剂层的传导带能量水平，所述半导体层的传导带能量水平具有偏移。
24. 一种光生伏打装置，所述装置包含：
层堆叠；
在所述层堆叠上布置的包含硒的吸收剂层，其中横过所述吸收剂层的厚度，硒的浓度变化；和
与所述吸收剂层直接接触布置的半导体层，其中所述半导体层的厚度在1 nm至3000 nm之间，其中所述吸收剂层和所述半导体层之间的价带偏移小于约0.45电子伏特，和所述半导体层的带隙在约1.6电子伏特-约2.7电子伏特的范围内；和
其中，相对于所述吸收剂层的传导带能量水平，所述半导体层的传导带能量水平具有偏移。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN101779290A，公开日为2010年07月14日。
驳回决定指出：权利要求1-24相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年04月26日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：本申请的装置产生的效益大于组合包含硒的吸收剂层和电子阻断层的预期效益这一事实，这种超出预期的技术改进是十分有利的技术效果，和现有技术相比构成了显著的进步，因此，具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年05月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年05 月23 日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1-24相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）关于复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件1已经公开了同时包含硒的吸收剂层和电子阻断层的光生伏打装置，技术构思与本申请相同。从上述两层组合的角度上，由于对比文件1与本申请具有相同的功能层，从这一点上来说，本申请与对比文件1相比并没有技术改进，以及与之相应的超出预期的技术效果，因而本申请相对于对比文件1无法构成显著的进步，亦无突出的实质性特点。
复审请求人于2019 年07 月05 日提交了权利要求的全文修改替换页和意见陈述书，所作的修改为：删除独立权利要求1中的特征“其中所述半导体层的厚度在1 nm至3000 nm之间”，并将特征“所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移小于约1.3电子伏特”修改为“所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移大于-0.2电子伏特和小于约1.3电子伏特”，并增加价带偏移定义相关的技术特征“其中所述价带偏移通过式VBO＝Ev_abs-Ea-Eg定义；其中VBO是价带偏移，Ev_abs为与半导体层材料相邻的吸收剂层的价带能量水平，Ea为电子亲和力，Eg为半导体层材料的带隙”，同时对独立权利要求23、24作了相同的修改。复审请求人认为：对比文件1没有教导或暗示包括区别技术特征，包括由特定式限定的VBO值介于-0.2至1.3ev之间的功能和技术效果，相应技术方案具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：复审请求人于2019年07月05日提交的权利要求第1-24项；2016年02月19日进入中国国家阶段提交的国际申请文件的中文译文的说明书第[0001]-[0034]，[0036]-[0114]段、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；于2016年03月21日提交的说明书第[0035]段。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，但所述区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与复审通知书和驳回决定中所使用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN101779290A，公开日为2010年07月14日。
权利要求1-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种光生伏打装置，对比文件1公开了一种包括界面层的光伏器件（即一种光生伏打装置），并具体公开了（参见说明书第[0004]-[0077]段，图1-5C）：所述光伏器件包括：透明导电层，位于基底上；第一半导体层，包括宽带隙半导体（参见说明书第[0024]段）（第一半导体层、以及透明导电层和基底，共同构成层堆叠）；第二半导体层，具有表面,第二半导体层可以包括CdTe的合金，其中Te至少部分地被S、Se或O代替（即在所述层堆叠上布置的包含镉、碲和硒的吸收剂层）（参见说明书第[0005]段）；界面层（即半导体层），与第二半导体层接触(即吸收剂层上布置的半导体层)（说明书第[0044]段），所述界面层将第二半导体层的化学势保持在受控级，半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带（说明书第[0036]段），同时由于CdTe的禁带宽度一般为1.45ev，CdSe的禁带宽度为一般为0.52ev，界面层ZnTe的禁带宽度为约2.26ev，因而，第二半导体层（即CdTe的合金，其中Te至少部分地被Se代替后的合金）与界面层ZnTe（约2.26ev）接触后的价带之间的能级差别必然小于约1.3ev。
界面层的材料可以为ZnTe（参见说明书第[0037]段），本领域中室温下ZnTe的禁带宽度为2.26ev，77K下，禁带宽度为2.38ev，即半导体层的带隙在约1.2电子伏特-约3.5电子伏特的范围内。
对比文件1还公开了（参见说明书第[0037]段）：ZnTe具有附加的优点，即CdTe和ZnTe之间的导带中的正阶梯作为趋于从CdTe运动到ZnTe中的电子的电子反射器,即相对于所述吸收剂层的传导带能量水平，所述半导体层的传导带能量水平具有偏移； 该权利要求和对比文件1相比，区别技术特征是：半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移大于-0.2电子伏特和小于约1.3电子伏特，价带偏移通过式VBO＝Ev_abs-Ea-Eg定义，其中VBO是价带偏移，Ev_abs为与半导体层材料相邻的吸收剂层的价带能量水平，Ea为电子亲和力，Eg为半导体层材料的带隙。基于上述区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是如何选择合适的吸收剂层与半导体层材料以实现空穴低损耗传输。
对于上述区别技术特征，对比文件1公开了（说明书第[0036]段）：大量工作已经被针对能够将来自CdTe的空穴进行低损耗传输的CdTe，半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带。即对比文件1给出本领域技术人员基于空穴低损耗传输的需求，是有动机去选择合适的吸收剂层与半导体层材料，来使得半导体层的价带顶相对靠近CdTe（吸收剂层）的价带顶的。虽然权利要求1是通过上述公式具体限定的价带偏移，但其表征的同样是两种半导体材料接触之后所形成的价带能级的差异，与本领域通常意义上的价带偏移的区别仅在于计算和表征的角度不同，但技术含义的方向是一致的。因而，在对比文件1已经给出了上述技术教导的基础上，本领域技术人员有动机将吸收剂层与半导体层材料接触之后的价带能级差异选择为尽量的小，这不需要付出创造性的劳动，而将上述尽量小的差异具体表达为使用上述公式以及公式中的数值限定的方式也不需要付出创造性的劳动，属于本领域的公知常识。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-4、6-8对在前权利要求做了进一步限定。将掺杂元素的含量在吸收层中设为恒定、渐变来调制带隙或者改善电场分布，是本领域的惯用手段。本领域技术人员将硒的原子浓度设置为权利要求2所述的恒定、权利要求3所述变化的、权利要求4所述非线性变化的、以及将吸收层设置为权利要求6、7所述的第一区域和第二区域且第一区域的平均硒浓度大于或低于第二区域，均是本领域在CdTe层中掺杂Se元素的常规选择。在对比文件1公开了（说明书第[0005]段）：第二半导体层（即吸收剂层）可以包括CdTe的合金，即公开了吸收剂层是CdTe基材料的基础上，进一步将吸收剂层分为两个区域，且使得第二区域包含碲化镉是本领域技术人员容易想到的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0005]段）第二半导体层（即吸收剂层）可以包括CdTe合金，其中Te至少部分地被S、Se或O代替。即公开了吸收剂层还包含硫、氧，至于铜、氯，或它们的组合，均是本领域惯用的掺杂元素。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9-14对在前权利要求做了进一步限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0044]段）：界面层（即半导体层）可以采用ZnTe，CdZnTe（说明书第[0054]段）。即公开了权利要求9、10所述的CdxM1-xTe（x=0），以及权利要求11所述的M包括锌，权利要求12所述的半导体层包括碲化锌。至于M还可以包括锰、镁、或它们的组合等其余二价金属，半导体层还可以包括碲化锰镉，或它们的组合，均是本领域的常规选择；对比文件1还公开了（参见说明书第[0044]-[0054]段）界面层可以被掺杂或者未被掺杂、可以是p型ZnTe，即公开了权利要求13、14所述的半导体层为p-掺杂的、基本上本征的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15是权利要求1的从属权利要求，在对比文件1公开了（参见说明书第[0037]段）“半导体的价带顶相对靠近CdTe的价带”的基础上，本领域技术人员通过有限的试验能够将价带偏移具体设置为权利要求所限定的数值。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求16是权利要求1的从属权利要求。对比文件1公开了（参见说明书第[0037]段）：界面层为ZnTe。本领域公知，室温下ZnTe的禁带宽度为2.26ev，77K下，禁带宽度为2.38ev，因此公开了权利要求所限定的带隙范围。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求17、18、19分别是权利要求1、17、17的从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0035]、[0070]、[0071]段）：光伏器件10可以依次包括基底（即支持物）；透明导电层；第一半导体层，如SnO2等（即在透明的导电层和吸收剂层之间布置的缓冲层）；界面层，如CdS（即在所述缓冲层和所述吸收剂层之间布置的夹层或窗口层）；第二半导体层，如CdTe（吸收剂层）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求20、21是权利要求19、1的从属权利要求。权利要求20所限定的材料是本领域形成窗口层的惯用材料。在碲化镉电池中，硫化镉一般用作窗口层，但窗口层的材料有多种选择，例如硫化锌等，即基本上不含硫化镉层是本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求22是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0068]段）：电池包括界面层（即半导体层）上的金属电极。可见对比文件1公开了装置还包含在半导体层上布置的背接触层，其中所述背接触层包含金属。至于背接触层包含铜-掺杂的元素碲、石墨，或它们的组合，也是本领域惯用的背接触材料。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求23要求保护一种光生伏打装置，对比文件1公开了一种包括界面层的光伏器件（即一种光生伏打装置），并具体公开了（参见说明书第[0004]-[0077]段，图1-5C）其包括：透明导电层，位于基底上；第一半导体层，包括宽带隙半导体（参见说明书第[0024]段）（第一半导体层、以及透明导电层和基底，共同构成层堆叠）；第二半导体层，具有表面,第二半导体层可以包括CdTe的合金，其中Te至少部分地被S、Se或O代替（即在所述层堆叠上布置的包含镉、碲和硒的吸收剂层）（参见说明书第[0005]段）；界面层（即半导体层），与第二半导体层接触(即吸收剂层上布置的半导体层)（参见说明书第[0044]段），其中，所述界面层将第二半导体层的化学势保持在受控级。
第二半导体层可以包括CdTe的合金，其中Te至少部分地被S、Se或O代替（即在层堆叠上布置的包含CdSezTe1-z的吸收剂层，其中"z"为在约0-约1范围内的数）（参见说明书第[0005]段）；半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带（参见说明书第[0036]段），同时由于CdTe的禁带宽度一般为1.45ev，CdSe的禁带宽度为0.52ev，界面层ZnTe的禁带宽度为约2.26ev，因而，第二半导体层（即CdTe的合金，其中Te至少部分地被Se代替后的合金）与界面层ZnTe（约2.26ev）接触后的能级差别必然小于约1.3ev。
界面层的材料可以为ZnTe（参见说明书第[0037]段），本领域中室温下ZnTe的禁带宽度为2.26ev，77K下，禁带宽度为2.38ev，即半导体层的带隙在约1.2电子伏特-约3.5电子伏特的范围内。
对比文件1还公开了（参见说明书第[0037]段）：ZnTe具有附加的优点，即CdTe和ZnTe之间的导带中的正阶梯作为趋于从CdTe运动到ZnTe中的电子的电子反射器,即相对于所述吸收剂层的传导带能量水平，所述半导体层的传导带能量水平具有偏移；
该权利要求和对比文件1相比，区别技术特征是：半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移大于-0.2电子伏特和小于约1.3电子伏特，价带偏移通过式VBO＝Ev_abs-Ea-Eg定义，其中VBO是价带偏移，Ev_abs为与半导体层材料相邻的吸收剂层的价带能量水平，Ea为电子亲和力，Eg为半导体层材料的带隙。基于上述区别技术特征，权利要求23实际要解决的技术问题是：如何选择合适的吸收剂层与半导体层材料以实现空穴低损耗传输。
对于上述区别技术特征，对比文件1公开了（参见说明书第[0036]段）：大量工作已经被针对能够将来自CdTe的空穴进行低损耗传输的CdTe，半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带，即对比文件1给出本领域技术人员基于空穴低损耗传输的需求，是有动机去选择合适的吸收剂层与半导体层材料，来使得半导体层的价带顶相对靠近CdTe（吸收剂层）的价带顶的。虽然权利要求1是通过上述公式具体限定的价带偏移，但其表征的同样是两种半导体材料接触之后所形成的价带能级的差异，与本领域通常意义上的价带偏移的区别仅在于计算和表征的角度不同，但技术含义的方向是一致。因而，在对比文件1已经给出了上述技术教导的基础上，本领域技术人员有动机将吸收剂层与半导体层材料接触之后的价带能级差异选择为尽量的小，这不需要付出创造性的劳动，而将上述尽量小的差异具体表达为使用上述公式以及公式中的数值限定的方式也不需要付出创造性的劳动，属于本领域的公知常识。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求23请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求23不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求24要求保护一种光生伏打装置，参考对权利要求1、23的评述，该权利要求和对比文件1相比，区别技术特征是：（1）半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移大于-0.2电子伏特和小于约1.3电子伏特，价带偏移通过式VBO＝Ev_abs-Ea-Eg定义，其中VBO是价带偏移，Ev_abs为与半导体层材料相邻的吸收剂层的价带能量水平，Ea为电子亲和力，Eg为半导体层材料的带隙。（2）横过所述吸收剂层的厚度，硒的浓度变化。基于上述区别技术特征，基于上述区别技术特征，权利要求24实际要解决的技术问题是：（1）如何选择合适的吸收剂层与半导体层材料以实现空穴低损耗传输；（2）如何调制带隙或优化电场分布。
对于上述区别技术特征（1），对比文件1公开了（参见说明书第[0036]段）：大量工作已经被针对能够将来自CdTe的空穴进行低损耗传输的CdTe，半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带，即对比文件1给出本领域技术人员基于空穴低损耗传输的需求，是有动机去选择合适的吸收剂层与半导体层材料，来使得半导体层的价带顶相对靠近CdTe（吸收剂层）的价带顶的。虽然权利要求1是通过上述公式具体限定的价带偏移，但其表征的同样是两种半导体材料接触之后所形成的价带能级的差异，与本领域通常意义上的价带偏移的区别仅在于计算和表征的角度不同，但技术含义的方向是一致。因而，在对比文件1已经给出了上述技术教导的基础上，本领域技术人员有动机将吸收剂层与半导体层材料接触之后的价带能级差异选择为尽量的小，这不需要付出创造性的劳动，而将上述尽量小的差异具体表达为使用上述公式以及公式中的数值限定的方式也不需要付出创造性的劳动，属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（2），将吸收层中的掺杂元素Se在厚度方向上设置为浓度具有变化来调制带隙或优化电场分布，是本领域的惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到该权利要求要求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
复审请求人陈述意见认为：对比文件1没有教导或暗示包括区别技术特征，包括由特定式限定的VBO值介于-0.2至1.3ev之间的功能和技术效果，相应技术方案具备创造性。
经审查，合议组认为：
首先，对比文件1已经公开了“所述界面层将第二半导体层的化学势保持在受控级，半导体（即半导体层）的价带顶相对靠近CdTe的价带”（参见对比文件1说明书第[0036]段），并且由于CdTe的禁带宽度一般为1.45ev，CdSe的禁带宽度为一般为0.52ev，界面层ZnTe的禁带宽度为约2.26ev，因而，第二半导体层（即CdTe的合金，其中Te至少部分地被Se代替后的合金）与界面层ZnTe（约2.26ev）接触后的二者之间的价带之差异必然小于约1.3ev。
第二，在现有技术所公开的上述内容的基础上，本领域技术人员在对比文件1的启示和指引下，有动机将吸收剂层的材料选择为半导体层与吸收剂层之间的价带差尽量的小，以获得低损耗的空穴传输。
第三，本申请权利要求将价带偏移通过式VBO＝Evabs-Ea-Eg定义和限定；其中VBO是价带偏移，Evabs为与半导体层材料相邻的吸收剂层的价带能量水平，Ea为电子亲和力，Eg为半导体层材料的带隙；并将价带偏移的数值选择为大于-0.2电子伏特和小于约1.3电子伏特。上述公式表征的也是半导体层材料与吸收剂层接触后，两种半导体材料接触之后所形成的价带能级的差异，与本领域通常意义上的价带偏移的区别仅在于计算和表征的角度不同，但技术含义的方向是一致。本领域技术人员在对比文件1所给出的半导体层与吸收剂层之间的价带差需要尽量的小的基础上，会容易想到将两者材料的价带差值选择的尽量的小，这不需要付出创造性的劳动，而将上述尽量小的差异具体表达为使用上述公式以及公式中的数值限定的方式也不需要付出创造性的劳动，这属于本领域的公知常识。
综上，复审请求人的意见没有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年01 月23 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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