发明创造名称：一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
外观设计名称：
决定号：199248
决定日：2020-01-03
委内编号：1F289714
优先权日：
申请（专利）号：201510354328.8
申请日：2015-06-24
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：蒋煜婧
合议组组长：张弘
参审员：戴丽娟
国际分类号：H01L29/786，H01L21/34，H01L29/45，H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和上述一部分区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同；同时其它的区别技术特征属于本领域的公知常识，则将该两篇对比文件及上述本领域的公知常识结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510354328.8，名称为“一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司，申请日为2015年06月24日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月20日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-4，10-11不符合专利法第22条第3款的规定。权利要求1的技术方案与对比文件1（US2011/0006300A1，公开日为2011年01月13日）公开的技术方案相比，区别技术特征为：所述源极和漏极还包括设置在第一导电层上的第二导电层，且所述第二导电层的导电性大于所述第一导电层的导电性；所述第一导电层的材料包括掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种；所述刻蚀液包括酸性溶液或碱性溶液。由所述区别技术特征可以确定其实际解决的问题为如何保持很好的整体导电性能，且防止导电层的材料扩散到有源层中。对比文件4（CN102769040A，公开日为2012年11月07日）公开了一种薄膜晶体管，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0064]-[0068]段、附图4）：薄膜晶体管包括第二透明导电层7，以及设置在第二透明导电层7之上的源电极8a和漏电极8b，其中源电极8a和漏电极8b可以为铜、钼等金属单质或其合金，第二透明导电层7可以为锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料，如ITO等，即源电极8a和漏电极8b的导电性大于第二透明导电层7；第二透明导电层7位于电极金属铜和有源层5之间用于防止电极金属与有源层5反应引起电极金属扩散，而且源电极8a和漏电极8b均为铜等金属材质，必然能够使源漏极保持很好的整体导电性能。也就是说对比文件4给出了在对比文件1的金属源漏极20A、20B与有源层18之间再设置一导电层以防止电极金属与有源层反应引起电极金属扩散的技术启示。在此基础上，由于该第一导电层直接与有源层接触，在对比文件1的技术启示下，本领域技术人员也会在刻蚀第一导电层时，使得该第一导电层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率，以避免对有源层的破坏。此外，区别技术特征中所限定的所述第一导电层的材料和所述刻蚀液也都是本领域常见的金属氧化物导电材料和湿法蚀刻液。因此，权利要求1相当于对比文件1，4和本领域的公知常识的结合不具备创造性。权利要求2-3的附加技术特征或被对比文件1，4所公开或属于本领域的公知常识，因此权利要求2-3也不具备创造性。基于类似理由，权利要求4，10-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。并在其他说明部分指出从属权利要求5-9的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2（CN101807586A，公开日为2010年08月18日）、对比文件3（CN102646630A，公开日为2012年08月22日）、对比文件4公开，或属于本领域的公知常识，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请日2015年06月24日提交的说明书第1-78段、说明书附图图1a-4b、说明书摘要、摘要附图；2018年12月29日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述源极和漏极包括设置于有源层上的第一导电层；其中：
在对应的刻蚀液中，所述第一导电层的材料的刻蚀速率大于所述有源层的材料的刻蚀速率；
所述源极和漏极还包括设置在第一导电层上的第二导电层，且所述第二导电层的导电性大于所述第一导电层的导电性；
所述有源层的材料包括氧化物半导体；
所述第一导电层的材料包括掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种；
所述刻蚀液包括酸性溶液或碱性溶液。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物；所述刻蚀液包括盐酸、甲酸、乙酸或四甲基氢氧化铵。
3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导电层的材料包括钼、铝、钛和铜中的一种或几种。
4. 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成栅金属层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形；
步骤2、在完成步骤1的衬底基板上形成栅绝缘层薄膜、有源层薄膜、源极和漏极层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形；所述源极和漏极层薄膜包括第一导电层薄膜，在对应的刻蚀液中，所述第一导电层薄膜的材料的刻蚀速率大于所述有源层的材料的刻蚀速率；
所述有源层的材料包括氧化物半导体；
所述第一导电层薄膜的材料包括掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的 氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种；
所述刻蚀液包括酸性溶液或碱性溶液。。
5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2包括：
在完成步骤1的衬底基板上形成栅绝缘层薄膜、有源层薄膜、源极和漏极层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、源极和漏极的图形；所述源极和漏极层薄膜包括第一导电层薄膜和形成于第一导电层薄膜上的第二导电层薄膜，其中，在对应的刻蚀液中，所述第一导电层薄膜的材料的刻蚀速率大于所述有源层的材料的刻蚀速率，所述第二导电层薄膜的导电性大于所述第一导电层薄膜的导电性。
6. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二导电层的材料包括钼、铝、钛和铜中的一种或几种。
7. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2包括：
采用等离子体增强化学气相沉积方法依次在衬底基板沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜，采用磁控溅射或热蒸发方法沉积源极和漏极层薄膜；
采用普通掩膜板通过第一次构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成包括有源层的图形；
采用普通掩膜板通过第二次构图工艺对源极和漏极层薄膜进行构图，形成包括源极和漏极的图形。
8. 根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤2包括：
采用等离子体增强化学气相沉积方法依次在衬底基板沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜，采用磁控溅射或热蒸发方法沉积源极和漏极层薄膜；
在所述源极和漏极层薄膜上涂覆一层光刻胶；
采用双色调掩膜版或灰阶掩膜版曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区 域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶半保留区域对应源极和漏极的图形之间的缝隙所在区域，光刻胶全保留区域对应所述缝隙以外的有源层的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于所述有源层以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有发生变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减小；
通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源极和漏极层薄膜和有源层薄膜，形成包括有源层的图形；
通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源极和漏极层薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源极和漏极层薄膜中的第二导电层薄膜；
通过第三次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源极和漏极层薄膜中的第一导电层薄膜，形成包括源极和漏极的图形；
剥离剩余光刻胶。
9. 根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二次刻蚀工艺采用干法刻蚀；所述第三次刻蚀工艺采用湿法刻蚀。
10. 一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。
11. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年07月03日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：本申请第一导电层的材料既可以阻挡第二导电层中的金属材料向有源层中扩散利于提高器件的性能，又可以与刻蚀液有更好的配合以使第一透明导电层与有源层形成更合适的刻蚀速率比，在源漏极刻蚀形成时更好的保护有源层，减少刻蚀工艺对有源层的损伤。对比文件1中明确记载了有源层上的源电极和漏电极为金属膜形成，并没有公开本申请中的第一导电层，以及第一导电层的材料，且对比文件4中明确记载在有源层5上设置有刻蚀阻挡层6，即对比文件4通过刻蚀阻挡层6解决有源层被损坏的问题，且源漏极均是金属铜材质，第二透明电极层7仅仅是为了阻止电极金属铜与有源层发生反应引起的电极金属铜扩散而设置的，根本无法达到本申请中第一导电层的效果，所以，第二透明导电层也不同于本申请中的第一导电层，且对比文件1和对比文件4均未公开本申请中的第一导电层的具体材料，本申请中将第一导电层为掺杂类氧化物和酸性或碱性氧化物配合，会有更合适的刻蚀速率，以使第一透明导电层与有源层形成更合适的刻蚀速率比，在源漏极刻蚀过程中更好的保护有源层，避免有源层受损。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年07月09日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，对比文件 1 公开了本申请的发明构思，即在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18 的材料的刻蚀速率（具体参见说明书第[0153]段），由此可以减小刻蚀工艺对有源层的损伤。基于区别技术特征，本申请权利要求1实际解决的技术问题是如何保持很好的整体导电性能，且防止导电层的材料扩散到有源层中。对比文件4（参见说明书第[0064]-[0068]段、附图4）进一步公开多层源漏极结构，其中包括第二透明导电层7（相当于第一导电层），以及设置在第二透明导电层7之上的源电极8a和漏电极8b〔相当于第二导电层），其中源电极8a和漏电极8b可以为铜、钥等金属单质或其合金，第二透明导电层7可以为锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料，如ITO等，即源电极8a和漏电极8b的导电性大于第二透明导电层7；第二透明导电层7位于电极金属铜和有源层5之间用于防止电极金属与有源层5反应引起电极金属扩散，而且源电极8a和漏电极8b均为铜等金属材质，必然能够使源漏极保持很好的整体导电性能。也就是说对比文件4给出了在对比文件 1 的金属源漏极20A 、20B 与有源层18 之间再设置一导电层（即第一导电层）以防止电极金属20A、20B与有源层反应引起电极金属扩散的技术启示。而且，由于此时该第一导电层将会直接与有源层接触，在对比文件1 的技术启示下（具体参见说明书第[0153]段），本领域技术人员容易意识到刻蚀该第一导电层将会对有源层造成损伤，并容易想到在刻蚀第一导电层时，使得该第一导电层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率，以避免对有源层的破坏。此外，区别技术特征中所限定的所述第一导电层的材料和所述刻蚀液也都是本领域常见的金属氧化物导电材料和湿法蚀刻液，在对比文件1、4 的技术启示下，本领域技术人员容易选择合适的导电材料和湿法蚀刻液，以满足高刻蚀速率比率。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月09日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的陈述意见，合议组认为：首先，对比文件 1 公开了本申请的发明构思，即在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18 的材料的刻蚀速率（具体参见说明书第[0153]段），由此可以减小刻蚀工艺对有源层的损伤以保护有源层。其中源极20A和漏极20B的材料为W或Mo，根据本领域的公知常识可知，这两种金属的导电性较差，而对比文件4公开了在由锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料构成的第二透明导电层7（导电性较差的导电层）上形成由铜层来共同构成源漏电极，其必然能够提高源漏电极的导电性，也就是对比文件4给出了在对比文件1的为了蚀刻率选择比选择的但导电率较差的源漏电极上形成导电性好的铜层来提高源漏电极的导电性的启示。同时，根据蚀刻率的要求，本领域的技术人员通过有限的试验可以得到使用掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种作为第一导电层的材料，不需要付出创造性的劳动，且没有产生意料不到的技术效果。
复审请求人于2019年10月17日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1未公开第一导电层的材料，对比文件4中明确公开了在有源层5上设置有刻蚀阻挡层，即对比文件4中是通过在有源层上设置刻蚀阻挡层解决有源层被损坏的问题，并不是通过利用膜层之间的刻蚀速率的差别，第二透明导电层7的作用是阻止金属扩散，其不同于本申请中的第一导电层。本申请中的第一导电层的材料为掺杂类氧化物，第一导电层为掺杂类氧化物和酸性或碱性氧化物配合，使第一透明导电层与有源层形成更合适的刻蚀速率比，在源漏极刻蚀过程中更好的保护有源层，避免有源层受损。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于复审阶段未对申请文件进行修改，因此，本复审决定所针对的文本与驳回决定、复审通知书针对的文本相同，即：复审请求人于申请日2015年06月24日提交的说明书第1-78段、说明书附图图1a-4b、说明书摘要、摘要附图；2018年12月29日提交的权利要求第1-11项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和上述一部分区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同；同时其它的区别技术特征属于本领域的公知常识，则将该两篇对比文件及上述本领域的公知常识结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
在本复审决定中引用的对比文件与复审通知书中引用的对比文件相同，即原审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1-4：
对比文件1：US2011/0006300A1，公开日为2011年01月13日；
对比文件2：CN101807586A，公开日为2010年08月18日；
对比文件3：CN102646630A，公开日为2012年08月22日。
对比文件4：CN102769040A，公开日为2012年11月07日。
2.1. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种薄膜晶体管，对比文件1公开了一种薄膜晶体管，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0128]-[0156]段、图1，3）：薄膜晶体管包括栅极12、有源层18、源极20A和漏极20B，所述源极20A和漏极20B（相当于第一导电层）包括设置于有源层18上的导电层；在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18的材料的刻蚀速率（具体参见说明书第[0153]段）；其中，所述有源层18采用IGZO氧化物半导体材料，所述源极20A和漏极20B采用W或Mo金属材料，蚀刻液的主要成分是过氧化氢（相当于刻蚀液包括酸性溶液）。
该权利要求的技术方案与对比文件1相比，其区别技术特征是：1）所述源极和漏极还包括设置在第一导电层上的第二导电层，且所述第二导电层的导电性大于所述第一导电层的导电性；2）所述第一导电层的材料包括掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种。基于上述区别技术特征，该权利要求实际所要解决的技术问题是提高源漏极的导电性以及选择合适的导电层。
针对区别特征1），对比文件4公开了一种薄膜晶体管，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0064]-[0068]段、附图4）：薄膜晶体管包括第二透明导电层7，以及设置在第二透明导电层7之上的源电极8a和漏电极8b（相当于第二导电层），其中源电极8a和漏电极8b可以为铜，第二透明导电层7可以为锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料，如ITO等，即源电极8a和漏电极8b的导电性大于第二透明导电层7；源电极8a和漏电极8b均为铜，必然能够提高源漏电极的导电性。由此可见，上述区别特征已经被对比文件4公开了，而且该技术特征在对比文件4中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于提高源漏电极的导电性，也就是说对比文件4给出了将该技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的启示。
针对区别特征2），根据蚀刻率的要求，本领域的技术人员通过有限的试验可以得到使用掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种作为第一导电层的材料，不需要付出创造性的劳动，且没有产生意料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4和本领域的公知常识得到该权利要求所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于权利要求1中刻蚀液包括碱性溶液的并列技术方案，由于刻蚀液包括碱性溶液是本领域技术人员的公知常识。因此上述技术特征限定的并列技术方案也不具备创造性。
2.2. 权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2的部分附加技术特征被对比文件1公开（参见说明书第[0128]-[0156]段、图1，3）：有源层18采用铟镓锌氧化物IGZO。此外，附加技术特征所限定的刻蚀液也都是本领域常见的湿法蚀刻液，将以上蚀刻液应用于对比文件1以用于形成源、漏极属于本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备创造性。
从属权利要求3的附加技术特征被对比文件4公开（参见说明书第[0064]段）：源电极8a和漏电极8b（相当于第二导电层）可以采用铜、铝、钛、钼等单质或其合金。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备创造性。
2.3. 权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4请求保护一种薄膜晶体管的制备方法，对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0128]-[0156]段、图1，3）：提供衬底10，在所述衬底10上形成栅金属层薄膜，通过构图工艺形成栅极12；在所述衬底10上形成栅绝缘层薄膜14、有源层薄膜16、源极和漏极层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层18、源极20A和漏极20B（相当于第一导电层）的图形；在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18的材料的刻蚀速率（具体参见说明书第[0153]段）；其中，所述有源层18采用IGZO氧化物半导体材料，所述源极20A和漏极20B采用W或Mo金属材料，蚀刻液的主要成分是过氧化氢（相当于刻蚀液包括酸性溶液）。
该权利要求的技术方案与对比文件1相比，其区别技术特征是：所述第一导电层的材料包括掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种。基于此区别技术特征，该权利要求实际所要解决的技术问题是选择合适的导电层。根据蚀刻率的要求，本领域的技术人员通过有限的试验可以得到使用掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种作为第一导电层的材料，不需要付出创造性的劳动，且没有产生意料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到该权利要求所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
对于权利要求4中刻蚀液包括碱性溶液的技术方案，由于刻蚀液包括碱性溶液是本领域技术人员的公知常识。因此上述技术特征限定的技术方案不具备创造性。
2.4. 权利要求5-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求5的部分附加技术特征被对比文件1公开（参见说明书第[0128]-[0156]段、图1，3）：在形成有栅极12的衬底10上形成栅绝缘层薄膜、有源层薄膜、源极和漏极层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层18、源极20A和漏极20B的图形；在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18的材料的刻蚀速率。此外，对比文件4公开一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0064]-[0068]段、附图4）：薄膜晶体管包括第二透明导电层7，以及设置在第二透明导电层7之上的源电极8a和漏电极8b（相当于第二导电层），其中源电极8a和漏电极8b均为铜，第二透明导电层7可以为锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料，如ITO等，即源电极8a和漏电极8b的导电性大于第二透明导电层7，而且源电极8a和漏电极8b均为铜，必然能够提高源漏电极的导电性，也就是说对比文件4给出了将该技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的启示。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4以及本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而不具备创造性。
从属权利要求6的附加技术特征被对比文件4公开（参见说明书第[0064]段）：源电极8a和漏电极8b（相当于第二导电层）可以采用铜、铝、钛、钼等单质或其合金。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备创造性。
对于从属权利要求7，对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0062]-[0078]段、附图1-19）：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或其它成膜方式依次在衬底基板1沉积栅绝缘层3、半导体层4（具体参见说明书第[0066]段、附图6）；采用磁控溅射或热蒸发方法沉积透明导电薄膜21和源漏金属薄膜22（具体参见说明书第[0073]段、附图14）；采用普通掩膜板通过第一次构图工艺对半导体层薄膜4进行构图，形成包括有半导体层4的图形（具体参见说明书第[0068]段、附图8）；采用普通掩膜板通过第二次构图工艺对透明导电薄膜21和源漏金属薄膜22进行构图，形成包括源极和漏极的图形（具体参见说明书第[0075]段、附图16），其作用也是用于形成薄膜晶体管，也就是说对比文件2给出了将该技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4，对比文件2结合本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
对于从属权利要求8，对比文件3公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开如下技术特征（参见说明书第[0003]-[0016]段、附图1）：依次在衬底基板1沉积栅绝缘层3、半导体层4 、源漏电极层5；在所述源漏电极层5上涂覆一层光刻胶6；使光刻胶6形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶半保留区域对应源极和漏极的图形之间的缝隙所在区域，光刻胶全保留区域对应所述缝隙以外的有源层的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于所述有源层以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有发生变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减小；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏电极层5和半导体层4，形成包括半导体层4的图形；通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏电极层5；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源极和漏极层薄膜中的上层导电层；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏电极层5中的第一导电层薄膜，形成包括源极和漏极的图形；剥离剩余光刻胶。由此可见，大部分附加技术特征被对比文件3公开，且作用也是用于形成薄膜晶体管，也就是说对比文件3给出了将该技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。此外，采用等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射或热蒸发方法沉积膜层属于本领域的惯用手段，采用双色调掩膜版或灰阶掩膜版曝光使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域也属于本领域的惯用手段。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4，对比文件3结合本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
从属权利要求9的附加技术特征属于本领域常用的蚀刻方式，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备创造性。
2.5. 权利要求10-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求10请求保护一种阵列基板，包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。独立权利要求11请求保护一种显示装置，包括权利要求10所述的阵列基板。对比文件1（参见说明书第[0128]-[0156]段、图1，3）进一步公开了包括薄膜晶体管的阵列基板和包括该阵列基板的显示装置。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求10-11也不具备创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人2019年10月17日提交的意见陈述，合议组认为：首先，对比文件 1 公开了本申请的发明构思，即在刻蚀液中，所述源极20A和漏极20B的导电材料的刻蚀速率大于所述有源层18 的材料的刻蚀速率（具体参见说明书第[0153]段），由此可以减小刻蚀工艺对有源层的损伤以保护有源层，也就是说对比文件1中的源极20A和漏极20B具有与本申请中的第一导电层相同的作用。并且，其中源极20A和漏极20B的材料为W或Mo，根据本领域的公知常识可知，这两种金属的导电性较差，而对比文件4公开了在由锌氧化物、铟锡氧化物等透明导电材料构成的第二透明导电层7（导电性较差的导电层）上形成铜层以共同构成源漏电极，其必然能够提高源漏电极的导电性，虽然对比文件4中的第二透明导电层7的作用与本申请中的第一导电层不同，但第二透明导电层上的铜层和本申请中导电性好的第二导电层的作用相同，也就是对比文件4给出了在对比文件1的为了蚀刻率选择比选择的但导电率较差的源漏电极上形成导电性好的铜层来提高源漏电极的导电性的启示。同时，根据蚀刻率的要求，本领域的技术人员通过有限的试验可以得到使用掺杂氧的氮化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硅的氧化锌、掺杂锗的氧化锌、掺杂钛的氧化锌、掺杂铪的氧化锌、掺杂钇的氧化锌、掺杂锆的氧化锌、掺杂氟的氧化锌和掺杂铟的氧化镉中的一种或几种作为第一导电层的材料，不需要付出创造性的劳动，且没有产生意料不到的技术效果。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年03月20日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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