发明创造名称：保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法
外观设计名称：
决定号：200282
决定日：2020-01-03
委内编号：1F275936
优先权日：2013-07-31
申请（专利）号：201480042661.9
申请日：2014-01-30
复审请求人：琳得科株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘利芳
合议组组长：孙学锋
参审员：熊洁
国际分类号：
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于对比文件的区别特征为本领域技术人员在该对比文件公开内容的基础上结合本领域的公知常识容易得到，则该权利要求相对于该对比文件及本领域公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480042661.9，名称为“保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为琳得科株式会社。本申请的申请日为2014年01月30日，优先权日为2013年07月31日，公开日为2016年03月16日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月03日发出驳回决定，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年09月27日提交的权利要求第1-9项；2016年01月28日提交的说明书第1-207段、说明书附图、说明书摘要及摘要附图。驳回决定中引用了一篇对比文件，即：对比文件1，CN102373020A，公开日为2012年03月14日。驳回理由是：权利要求1-9相对于对比文件1和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种保护膜形成膜，其含有0.05～0.75质量％的无机系颜料及平均粒径0.01～2μm的填料，
该保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。
2. 根据权利要求1所述的保护膜形成膜，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
3. 一种保护膜形成用片，其具备：
权利要求1或2所述的保护膜形成膜、和
叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。
4. 一种保护膜形成用复合片，其具备：
在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和
叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，
所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上，
所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下，
所述保护膜形成膜含有0.05～0.75质量％的无机系颜料及平均粒径0.01～2μm的填料。
5. 根据权利要求4所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
6. 一种检查方法，该方法包括：
通过使用权利要求1或2所述的保护膜形成膜、权利要求3所述的保护膜形成用片、或者权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，
利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。
7. 根据权利要求6所述的检查方法，其中，所述工件为半导体晶片，所述加工物为半导体芯片。
8. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。
9. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的加工物。”
对于权利要求1，驳回决定认为：权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：保护膜含有0.05～0.75质量％的无机系颜料，保护膜形成膜，其在波长1600nm的透光率为25％以上；基于该区别技术特征可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：如何调整保护膜形成膜的透光率提高红外线检查的效果；该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上结合本领域的公知常识容易得到，无需付出创造性的劳动；因此，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识以获得权利要求1请求保持的技术方案对本领域的技术人员而言是显而易见的。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年03月11日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页（共包括9项权利要求），其中将权利要求1、4中的“保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上”改为“保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下”。复审请求人认为：权利要求1中的特征“保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为90%以下”未被对比文件1公开，对比文件1的实施例中列举的背面用膜的成分不包含特别对波长1600nm的光具有吸收的物质，因此其背面用膜的透光率接近100%；该特征也不是本领域惯用技术手段；因此权利要求1及其他权利要求具备创造性。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种保护膜形成膜，其含有0.05～0.75质量％的无机系颜料及平均粒径0.01～2μm的填料，
该保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下、在波长550nm的透光率为20％以下。
2. 根据权利要求1所述的保护膜形成膜，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
3. 一种保护膜形成用片，其具备：
权利要求1或2所述的保护膜形成膜、和
叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。
4. 一种保护膜形成用复合片，其具备：
在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和
叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，
所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下，
所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下，
所述保护膜形成膜含有0.05～0.75质量％的无机系颜料及平均粒径0.01～2μm的填料。
5. 根据权利要求4所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
6. 一种检查方法，该方法包括：
通过使用权利要求1或2所述的保护膜形成膜、权利要求3所述的保护膜形成用片、或者权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，
利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。
7. 根据权利要求6所述的检查方法，其中，所述工件为半导体晶片，所述加工物为半导体芯片。
8. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。
9. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的加工物。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1的实施例中列举的背面用膜的成分仅是实施例中的技术方案，不能认为所公开的半导体背面用膜在波长1600nm的透光率接近于100%；通过降低透光率减少容易受到红外线影响的加工物出现误动作是本领域的常用技术手段；在对比文件1公开了填料和无机颜料的基础上，调整其比例即可获得保护膜在在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下，无需付出创造性劳动。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
其中对于权利要求1，复审通知书中认为：权利要求1与对比文件1相比，区别特征为：保护膜形成膜中无机系颜料的含量为0.05～0.75质量%，保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25%以上且90%以下；基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是：使可见光对保护膜形成膜的透光率低于20%，同时使检查红外线能较好透过保护膜形成膜，但保护膜形成膜对红外线仍具备一定遮光性；该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上结合本领域的公知常识容易得到，无需付出创造性的劳动；因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的。关于复审请求人的意见，合议组指出：首先，膜层对光透过率的影响，除了吸收之外，还包括反射、折射等，复审请求人仅仅从“吸收”来考虑，并断言对比文件1的实施例中列举的背面用膜的成分物质对波长1600nm的光吸收率低、其透光率接近100%，此断言没有说服力；其次，如前所述，对比文件1中的半导体背面用膜2包括热固性树脂、着色剂、填料和其它添加剂等，其对于波长1600nm的检查红外线必然具有一定遮光性，而其透光率为90%以下也是本领域常见的，将该值设于90%以下也并不具备出乎意料的技术效果；因此，复审请求人的意见合议组不能接受。
复审请求人于2019年09月16日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页，其中将权利要求1、4中的“无机系颜料”改为“平均粒径3～100nm的炭黑”。复审请求人认为：本申请通过将着色剂设定为炭黑、且将炭黑的平均粒径设定为3～100nm而容易将波长1600nm的透光率控制为25%以上且90%以下、将波长550nm的透光率控制为20%以下，对比文件1中没有公开该特征；而且通过将着色剂设定为炭黑、且将炭黑的平均粒径设定为3～100nm可得到优异的磨痕掩蔽性及红外线检查适应性，这是本领域技术人员无法预料的技术效果。复审请求人提交的权利要求书如下：
“1. 一种保护膜形成膜，其含有0.05～0.75质量％的平均粒径3～100nm的炭黑及平均粒径0.01～2μm的填料，
该保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下、在波长550nm的透光率为20％以下。
2. 根据权利要求1所述的保护膜形成膜，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
3. 一种保护膜形成用片，其具备：
权利要求1或2所述的保护膜形成膜、和
叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。
4. 一种保护膜形成用复合片，其具备：
在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和
叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，
所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下，
所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下，
所述保护膜形成膜含有0.05～0.75质量％的平均粒径3～100nm的炭黑及平均粒径0.01～2μm的填料。
5. 根据权利要求4所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
6. 一种检查方法，该方法包括：
通过使用权利要求1或2所述的保护膜形成膜、权利要求3所述的保护膜形成用片、或者权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，
利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。
7. 根据权利要求6所述的检查方法，其中，所述工件为半导体晶片，所述加工物为半导体芯片。
8. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。
9. 基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的加工物。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本
复审请求人在2019年09月16日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文替换页（共包括9项权利要求），经审查，该修改符合专利法第33条、实施细则第61条第1款的相关规定，予以接受。因此，本通知书针对的文本为：2019年09月16日提交的权利要求第1-9项；2016年01月28日提交的说明书第1-207段、说明书附图、说明书摘要及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于对比文件的区别特征为本领域技术人员在该对比文件公开内容的基础上结合本领域的公知常识容易得到，则该权利要求相对于该对比文件及本领域公知常识的结合不具备创造性。
本决定引用的对比文件与复审通知书和驳回决定所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102373020A，公开日为2012年03月14日。
（1）权利要求1要求保护一种保护膜形成膜。对比文件1（说明书0009-0164段，附图1-2C）公开了一种半导体背面用膜2（相当于保护膜形成膜），其优选地至少由热固性树脂形成，并具有对半导体晶片背面的粘合性；优选地将半导体背面用膜2着色，着色剂可为无机黑色颜料，例如炭黑（如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑）（参见说明书0058-0064段）；向半导体背面用膜2中，根据需要可适当共混其它添加剂，例如填料等，优选为无机填料，其平均粒径优选在0.1μm-80μm（与0.01～2μm有范围重叠）的范围内（参见说明书0074-0075段）；半导体背面用膜2在可见光区域（波长400nm-800nm）的透光率优选在20%以下，光透过率能够通过半导体背面用膜2的树脂组分的种类和含量、着色剂的种类和含量以及无机填料的含量等来控制（参见说明书0093段）；在检查步骤中，可通过IR（即红外线）照射检查通过切割获得的半导体芯片的不足如碎裂等，IR射线从切割带侧朝向通过切割形成的半导体芯片之间的间隙来照射，在其上通过IR照相机等拍摄图像来进行检测。
权利要求1与对比文件1相比，区别特征为：保护膜形成膜中炭黑的平均粒径为3～100nm、含量为0.05～0.75质量%，保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25%以上且90%以下。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题是：使可见光对保护膜形成膜的透光率低于20%，同时使检查红外线能较好透过保护膜形成膜，但保护膜形成膜对红外线仍具备一定遮光性。
如前所述，对比文件1已经公开了半导体背面用膜2在可见光区域的透光率优选在20%以下；对比文件1还公开了需从半导体芯片背面侧透过半导体背面用膜2对半导体芯片进行红外线检查，因此半导体背面用膜2对于检查红外线的透光率必须高于一定数值，而且使用1600nm附近的红外线进行红外线照射检查是本领域的惯用技术手段；对比文件1中还公开了可通过调整着色剂的种类和含量以及无机填料的含量等参数来控制半导体背面用膜2的光透过率。在对比文件1所公开内容的基础上，本领域技术人员有动机通过调整半导体背面用膜2中无机颜料炭黑的含量等参数，以得到该膜对可见光的透光率低于20%，同时对波长1600nm的检查红外线的透光率高于一定数值例如常见的高于25%，该调整通过有限次试验即可得以实现，并不需付出创造性的劳动，无机颜料炭黑的含量、粒径即可经过上述试验调整过程得以确定。而至于所确定炭黑含量处于0.05～0.75质量%的范围，这是本领域常见的选值范围，并不具备出乎意料的技术效果；3～100nm也是炭黑用作颜料时常见的粒径范围，本申请说明书中也并未记载采用该粒径范围的炭黑具有何种技术效果。此外，半导体背面用膜2至少由热固性树脂形成，其中还包含着色剂、填料、和其它添加剂等，其对于波长1600nm的检查红外线必然具有一定遮光性，其红外线透光率必定低于100%，而该透光率为90%以下也是本领域常见的，将该值设于90%以下也并不具备出乎意料的技术效果。
复审请求人认为：本申请通过将着色剂设定为炭黑、且将炭黑的平均粒径设定为3～100nm而容易将波长1600nm的透光率控制为25%以上且90%以下、将波长550nm的透光率控制为20%以下，对比文件1中没有公开该特征；而且通过将着色剂设定为炭黑、且将炭黑的平均粒径设定为3～100nm可得到优异的磨痕掩蔽性及红外线检查适应性，这是本领域技术人员无法预料的技术效果。
对此，合议组认为：首先，对比文件1中已经公开了着色剂可为炭黑；其次，3～100nm也是炭黑用作颜料时常见的粒径范围，选择此范围内粒径的炭黑用作颜料是本领域常见的，其技术效果也是本领域技术人员可以预料的。本申请说明书中也并未记载采用该粒径范围的炭黑具有何种技术效果。复审请求人声称平均粒径3～100nm的炭黑可带来无法预料的、优异的磨痕掩蔽性及红外线检查适应性，该说法没有任何依据，合议组不能接受。因此，在对比文件1的基础上将着色剂设为“平均粒径3～100nm的炭黑”对本领域技术人员而言是显而易见的，并不需付出创造性的劳动。
综上所述，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2）权利要求2对权利要求1作了进一步限定。对比文件1（参见说明书第0039、0040、0052、0073段）公开了半导体背面用膜2至少由热固性树脂形成，其具有对半导体晶片背面的粘合性，在粘贴于半导体晶片前处于未固化状态；其可为添加有着色剂的单层膜。
由此可见，权利要求2的附加技术特征已经被对比文件1公开，在其所引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2要求保护的技术方案也不具备创造性。
（3）权利要求3要求保护一种保护膜形成用片，其引用权利要求1或2。
如前所述，权利要求1或2要求保护的保护膜形成膜相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。
此外，对比文件1（说明书第0091段）公开了“优选地，半导体背面用膜2在其至少一个表面上用隔离膜（剥离衬垫）保护”，即权利要求3中的特征“叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片”已经被对比文件1公开。
因此，在权利要求1、2均相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性的情况下，权利要求3要求保护的技术方案也不具备创造性。
（4）权利要求4要求保护一种保护膜形成用复合片。
其中部分特征“所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上且90％以下，所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下，所述保护膜形成膜含有0.05～0.75质量％的平均粒径3～100nm的炭黑及平均粒径0.01～2μm的填料”限定了一种保护膜形成膜，参见对权利要求1的评述，该部分特征所限定的保护膜形成膜相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。
权利要求4中的其余特征“一种保护膜形成用复合片，其具备在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜”也已经被对比文件1公开（参见说明书第0037段、附图1）：半导体背面用切割带集成膜1（相当于保护膜形成用复合片），包括基材31，在基材31上形成的压敏粘合剂层32（相当于叠层粘合剂层而成的粘合片），以及在压敏粘合剂层32上形成的半导体背面用膜2（相当于叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜）。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求4要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求4要求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（5）权利要求5对权利要求4作了进一步限定，其附加技术特征与权利要求2的附加技术特征相同，参见对权利要求2的评述，其附加技术特征已经被对比文件1公开，在其所引用的权利要求4不具备创造性的情况下，权利要求5要求保护的技术方案也不具备创造性。
（6）权利要求6要求保护一种检查方法，其引用权利要求1-5。
如前所述，权利要求1或2所述的保护膜形成膜、权利要求3所述的保护膜形成用片、或者权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片相对于对比文件1和本领域公知常识的结合均不具备创造性。
除了引用权利要求1-5所限定结构之外，权利要求6中还限定了通过使用上述结构“在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查”。对比文件1（说明书0143-0152段）公开了一种半导体器件的生产及检查方法，包括：将半导体晶片（相当于工件）粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜（相当于在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件），切割半导体晶片以形成半导体芯片（相当于加工物），通过红外射线从切割带侧朝向半导体芯片照射以此检测可能的芯片不足，因此，良好产品和不良产品可以迅速且容易地区分。由此可见，权利要求6中的特征“在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，利用红外线并隔着所述保护膜对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查”已经被对比文件1公开；在此基础上，本领域技术人员还容易想到可利用红外线直接对晶片进行检查，即权利要求6中的特征“利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件进行检查”是容易想到的。
综上所述，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求6要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求6要求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（7）权利要求7对权利要求6作了进一步限定。参见对权利要求6的评述，权利要求7的附加技术特征已经被对比文件1公开，在其所引用的权利要求6不具备创造性的情况下，权利要求7要求保护的技术方案也不具备创造性。
（8）权利要求8、9引用权利要求6或7。参见对权利要求6的评述，其所公开的红外线检查方法可判断被检查物为良品或不良品。因此，在其所引用的权利要求6或7都不具备创造性的情况下，权利要求8、9要求保护的技术方案也不具备创造性。
基于上述理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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