发明创造名称：半导体装置及其制造方法
外观设计名称：
决定号：199169
决定日：2019-12-31
委内编号：1F298586
优先权日：2010-10-22
申请（专利）号：201610263564.3
申请日：2011-04-11
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吕媛
合议组组长：商纪楠
参审员：蒋煜婧
国际分类号：H01L29/40，H01L29/49，H01L29/78，H01L21/336，H01L29/45
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别特征，其中部分区别特征属于本领域的公知常识，但是其余部分区别特征未被对比文件公开，也不是本领域的公知常识，且该其余部分区别特征的引入使该权利要求的整体技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610263564.3，名称为“半导体装置及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为台湾积体电路制造股份有限公司。申请日为2011年04月11日，优先权日为2010年10月22日，分案递交日为2016年04月25日，公开日为2016年06月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年05月13日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。1.权利要求1请求保护一种半导体装置，对比文件1（US7405443B1，公告日为：2008年07月29日）公开了一种半导体装置，该权利要求与对比文件1相比，区别特征是：第一栅极还包括第一栅极间隙壁，第一栅极间隙壁形成于第一栅极层的侧壁上，第二栅极还包括第二栅极间隙壁，第二栅极间隙壁形成于第二栅极层的侧壁上，硅化物形成于第二掺杂区中且位于第一栅极间隙壁与第二栅极间隙壁之间；通过第一电压源提供第一电压，通过第二电压源提供第二电压，操作第一电压源和第二电压源使第一电压小于第二电压，以于第二掺杂区中且于第二栅极下方形成空乏区；电流路径从第一掺杂区中的第一重掺杂部分经由空乏区的周围延伸至第二掺杂区中的第二重掺杂部分。上述区别特征属于本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求所不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2.从属权利要求2-6的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3.权利要求7请求保护一种半导体装置的制造方法，对比文件1公开了一种半导体装置的制造方法，该权利要求与对比文件1相比，区别特征是：组件栅极还包括第一栅极间隙壁，第一栅极间隙壁形成于第一栅极层的侧壁上，虚设栅极还包括第二栅极间隙壁，第二栅极间隙壁形成于第二栅极层的侧壁上；在形成源极区和漏极区之后，首先移除保护屏蔽，随后形成用于源极区、漏极区、组件栅极、虚设栅极和从空隙暴露出来的一部分第二井的硅化表面；其中用于从空隙暴露出来的一部分第二井的硅化表面位于第一栅极间隙壁与第二栅极间隙壁之间；设置第二电压大于第一电压以于第二阱中且于虚设栅极下方形成空乏区进而形成从源极区经由空乏区的周围延伸至漏极区的电流路径。上述区别特征属于本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4.从属权利要求8-9的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的公知常识，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：复审请求人于分案申请递交日2016年04月25日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图；2019年02月02日提交的权利要求第1-9项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体装置，包括：
一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，一部分的该基板使该第一掺杂区和该第二掺杂区彼此分离，该第一掺杂区和该第二掺杂区具有相反导电类型的掺质；
一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分、该部分的该基板、和该第二掺杂区的一部分，其中该第一栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，其中该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上；
一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分，其中该第二栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，其中该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；
一硅化物，形成于该第二掺杂区中且位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；
一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压；
一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中操作该第一电压源和该第二电压源使该第一电压小于该第二电压，以于该第二掺杂区中且于该第二栅极下方形成一空乏区；以及
一电流路径，从该第一掺杂区中的一第一重掺杂部分经由该空乏区的周围延伸至该第二掺杂区中的该第二重掺杂部分。
2. 如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一电压源和该第二电压源的其中一个耦接至一电源，且该第一电压源和该第二电压源的另外一个耦接至一电性接地。
3. 如权利要求1所述的半导体装置，其中：
该第一重掺杂部分以构成一晶体管的一源极；
该第二重掺杂部分以构成该晶体管的一漏极，该第一重掺杂部分和该第二重掺杂部分分别掺杂与该第二掺杂区相同极性；以及
该第一栅极构成该晶体管的一栅极。
4. 如权利要求1所述的半导体装置，还包括一第三栅极，形成于该第二 掺杂区上。
5. 如权利要求1所述的半导体装置，还包括多个额外虚设栅极结构，设置于第二掺杂井的上方。
6. 如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极具有一完全硅化上表面。
7. 一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：
于一基板中形成一第一井和相反掺杂的一第二井，一部分的该基板使该第一井和该第二井彼此分离；
于该基板上方形成一组件栅极和一虚设栅极，该组件栅极形成于该第一井和该第二井的上方，且该虚设栅极形成于该第二井的上方，且该组件栅极和该虚设栅极借由一空隙隔开，其中该组件栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上，其中该虚设栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；
形成一保护屏蔽，以覆盖该组件栅极和该虚设栅极之间的该空隙；
形成一源极区和具有与该源极区相同掺杂极性的一漏极区，该源极区形成于未被该组件栅极保护的一部分该第一井中，且该漏极区形成于未被该虚设栅极和该保护屏蔽保护的一部分该第二井中；
移除该保护屏蔽；
形成用于该源极区、该漏极区、该组件栅极、该虚设栅极和从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面，其中用于从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；以及
形成一电流路径，其中形成该电流路径的步骤包括：
对该虚设栅极施加偏压至一第一电压；
对该漏极区施加偏压至大于该第一电压的一第二电压，以于该第二井中且于该虚设栅极下方形成一空乏区，使得该电流路径从该源极区经由该空乏区的周围延伸至该漏极区。
8. 如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中形成该硅化表面的步骤包括硅化该组件栅极的一全部上表面。
9. 如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，更包括对该组件栅极施 加一第三电压，其中该第三电压大于该第二电压，使得一压降形成于该组件栅极与该漏极区之间。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年08月28日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-9项。复审请求人在独立权利要求1中增加技术特征“该第一掺杂区为一P型掺杂区，该第二掺杂区为一N型掺杂区，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型”，删除技术特征“该第一掺杂区和该第二掺杂区具有相反导电类型的掺质”，在独立权利要求7中增加技术特征“其中该第一井为一P型井，该第二井为一N型井，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型”。复审请求人认为：对比文件1没有公开P型的第一掺杂区与N型的第二掺杂区被P型基板的P型部分分离。复审请求时新修改的权利要求1和7如下：
“1. 一种半导体装置，包括：
一第一掺杂区和一第二掺杂区，两者形成于一基板中，一部分的该基板使该第一掺杂区和该第二掺杂区彼此分离，其中该第一掺杂区为一P型掺杂区，该第二掺杂区为一N型掺杂区，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型；
一第一栅极，形成于该基板上方，该第一栅极部分重叠于该第一掺杂区的一部分、该部分的该基板、和该第二掺杂区的一部分，其中该第一栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，其中该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上；
一第二栅极，形成于该基板上方，该第二栅极部分重叠于该第二掺杂区的一不同部分，其中该第二栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，其中该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；
一硅化物，形成于该第二掺杂区中且位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；
一第一电压源，对该第二栅极提供一第一电压；
一第二电压源，对该第二掺杂区提供一第二电压，其中操作该第一电压源和该第二电压源使该第一电压小于该第二电压，以于该第二掺杂区中且于该第二栅极下方形成一空乏区；以及
一电流路径，从该第一掺杂区中的一第一重掺杂部分经由该空乏区的周围延伸至该第二掺杂区中的该第二重掺杂部分。
7. 一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：
于一基板中形成一第一井和相反掺杂的一第二井，一部分的该基板使该第一井和该第二井彼此分离，其中该第一井为一P型井，该第二井为一N型井，该基板为一P型基板，且该部分的该基板的一导电型态为P型；
于该基板上方形成一组件栅极和一虚设栅极，该组件栅极形成于该第一井和该第二井的上方，且该虚设栅极形成于该第二井的上方，且该组件栅极和该虚设栅极借由一空隙隔开，其中该组件栅极包括一第一栅极层以及一第一栅极间隙壁，该第一栅极间隙壁形成于该第一栅极层的一侧壁上，其中该虚设栅极包括一第二栅极层以及一第二栅极间隙壁，该第二栅极间隙壁形成于该第二栅极层的一侧壁上；
形成一保护屏蔽，以覆盖该组件栅极和该虚设栅极之间的该空隙；
形成一源极区和具有与该源极区相同掺杂极性的一漏极区，该源极区形成于未被该组件栅极保护的一部分该第一井中，且该漏极区形成于未被该虚设栅极和该保护屏蔽保护的一部分该第二井中；
移除该保护屏蔽；
形成用于该源极区、该漏极区、该组件栅极、该虚设栅极和从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面，其中用于从该空隙暴露出来的一部分该第二井的硅化表面位于该第一栅极间隙壁与该第二栅极间隙壁之间；以及
形成一电流路径，其中形成该电流路径的步骤包括：
对该虚设栅极施加偏压至一第一电压；
对该漏极区施加偏压至大于该第一电压的一第二电压，以于该第二井中且于该虚设栅极下方形成一空乏区，使得该电流路径从该源极区经由该空乏区的周围延伸至该漏极区。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年09月06日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：在CMOS电路中，NMOS和PMOS有如下常规设置方式：1、衬底中设置有双阱：NMOS器件形成在P阱中，PMOS器件形成在N阱中；2、衬底中设置有单阱：NMOS器件形成在P型衬底中，PMOS器件形成在N阱中；或者NMOS器件形成在P阱中，PMOS器件形成在N型衬底中；在此基础上，本领域技术人员可以根据需要将NLDMOS器件设置在P型衬底中，也即P型体区和N型阱区被一部分P型衬底间隔开，而不需付出创造性劳动。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月28日提出复审请求时提交了权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-9项。经审查，上述修改文本符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审请求审查决定针对的文本是：复审请求人于分案申请递交日2016年04月25日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图；2019年08月28日提交的权利要求第1-9项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别特征，其中部分区别特征属于本领域的公知常识，但是其余部分区别特征未被对比文件公开，也不是本领域的公知常识，且该其余部分区别特征的引入使该权利要求的整体技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定引用了驳回决定中的对比文件1：
对比文件1：US7405443B1，公告日为：2008年07月29日
2.1关于独立权利要求1
独立权利要求1请求保护一种半导体装置，对比文件1公开了一种横向双扩散晶体管（LDMOS）（参见说明书第1栏第5行至第8栏第35行及附图1A-7G）：p型体区330（相当于第一掺杂区，该第一掺杂区为一P型掺杂区）和n型浅掺杂漏324（相当于第二掺杂区，该第二掺杂区为一N型掺杂区），两者形成于P型衬底302（相当于基板）中，一部分的衬底302上的HV-n阱300 使该p型体区330和n型浅掺杂漏324彼此分离；第一栅极310，形成于该衬底302 上方，该第一栅极310部分重叠于该p型体区330的一部分、该部分的衬底302和该n型浅掺杂漏324的一部分，其中该第一栅极310包括导电层314（相当于第一栅极层）；第二栅极312，形成于该衬底302 上方，该第二栅极312部分重叠于该n型浅掺杂漏324的一不同部分，其中该第二栅极312包括导电层318（相当于第二栅极层）；其中，第一栅极310和第二栅极312可以接相同电压或偏压（相当于给第二栅极提供第一电压源），以便在第二栅极的下方产生电荷积累区（相当于公开了对该第二栅极提供一第一电压）；由附图2电路所示，在第一晶体管214和第二晶体管216构成的横向双扩散晶体管的漏极区和源极区分别施加电压源（相当于对第二掺杂区提供一第二电压）。p型体区330包括n 区326（相当于第一重掺杂部分）；n型浅掺杂漏324包括n 区322（相当于第二重掺杂部分）。
该独立权利要求与对比文件1相比，其区别特征在于：
（1）使第一掺杂区和第二掺杂区彼此分离的部分的基板的导电型态为P型 ；（2）第一栅极还包括第一栅极间隙壁，第一栅极间隙壁形成于第一栅极层的侧壁上，第二栅极还包括第二栅极间隙壁，第二栅极间隙壁形成于第二栅极层的侧壁上，硅化物形成于第二掺杂区中且位于第一栅极间隙壁与第二栅极间隙壁之间；（3）操作第一电压源和第二电压源使第一电压小于第二电压，以于第二掺杂区中且于第二栅极下方形成空乏区；电流路径从第一掺杂区中的第一重掺杂部分经由空乏区的周围延伸至第二掺杂区中的第二重掺杂部分。
基于上述区别特征确定本申请实际解决的技术问题是：（1）设置晶体管的类型；（2）形成高电阻有助于重掺杂漏极区的“外推”；（3）施加偏压增加导电路径的电阻。
对于区别特征（1），在P型衬底上形成不同导电类型的掺杂区并用基板的一部分进行隔离是本领域技术人员设置高压晶体管类型时常用的衬底结构，属于本领域的公知常识。其对晶体管类型选择的影响作用也是可以预料的。
对于区别特征（2）和（3），对比文件1没有公开在栅极的侧壁形成间隙壁以便于形成硅化物层的技术方案，也没有公开在第二掺杂区施加的第二电压大于在第二栅极上施加的第一电压以形成反向的偏压使得第二栅极下形成空乏区的技术方案，其中栅极间隙壁的存在使得电流流经第二掺杂区的较低掺杂剂量漂移区时构成高电阻，而硅化物可以有效地与高电阻漂移区串接，在增加将重掺杂的漏极区外推的距离同时形成高电阻，而施加偏压的技术方案是为了增加第二栅极下电流围绕空乏区后的导电路径的长度，上述技术手段的结合，可以在保证晶体管尺寸不变的前提下，更多地增加导电路径的电阻。
上述区别特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员难以由对比文件1的技术方案想到独立权利要求1的技术方案。该区别特征使得独立权利要求1的整体的技术方案具有有益的技术效果，即通过间隙壁和硅化物配合的结构在增加重掺杂漏区外推的距离的同时形成高电阻，并通过施加偏压的方式增加电路路径的距离以增加晶体管电路的整体电阻，最终起到在保证晶体管尺寸不变的前提下更多地增加导电路径电阻的效果。
由此可知，本领域技术人员无法从对比文件1以及本领域的公知常识中得到技术启示，从而获得独立权利要求1的技术方案，并解决独立权利要求1实际所要解决的技术问题。因此，独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于从属权利要求2-6
从属权利要求2-6引用独立权利要求1，在独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识具备创造性的情况下，其从属权利要求2-6也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于独立权利要求7
权利要求7请求保护一种半导体装置的制造方法，对比文件1公开了一种横向双扩散晶体管（LDMOS）的制造方法，并具体公开了如下技术特征（见说明书第1栏第5行至第8栏第35行及附图1A-7G）：于衬底302（相当于基板）中形成p型体区330（相当于第一井）和n型浅掺杂漏324（相当于相反掺杂第二井），一部分的衬底302上的HV-n阱300 使该p型体区330和n型浅掺杂漏324彼此分离；于衬底302（相当于基板）上方形成第一栅极310（相当于组件栅极）和第二栅极312（相当于虚设栅极），该第一栅极310形成于p型体区330和n型浅掺杂漏324的上方，且该第二栅极312形成于该n型浅掺杂漏324的上方，且该第一栅极310和第二栅极312借由空隙间隔开，其中该第一栅极310包括导电层314（相当于第一栅极层），该第二栅极312包括导电层318（相当于第二栅极层）； 形成n 区326（相当于源极区）和n 区322（相当于具有与源极区相同掺杂极性的漏极区），该n 区326形成于未被该第一栅极310保护的一部分该p型体区330中，且该n 区322形成于未被该第二栅极312和保护屏蔽保护的一部分该n型浅掺杂漏324中；其中，第一栅极310和第二栅极312可以接相同电压或者偏压（相当于对虚设栅极施加偏压至第一电压），以便在第二栅极的下方产生电荷积累区，从而形成电流路径。由附图2电路所示，在第一晶体管214和第二晶体管216构成的横向双扩散晶体管的漏极区和源极区分别施加电压源（相当于对漏极区提供第二电压）。
该独立权利要求与对比文件1相比，其区别特征在于：
（1）使第一掺杂区和第二掺杂区彼此分离的部分的基板的导电型态为P型 ；（2）形成保护屏蔽，以覆盖该组件栅极和虚设栅极之间的空隙并在形成源极区和漏极区之中移除该保护屏蔽；（3）组件栅极还包括第一栅极间隙壁，第一栅极间隙壁形成于第一栅极层的侧壁上，虚设栅极还包括第二栅极间隙壁，第二栅极间隙壁形成于第二栅极层的侧壁上；（4）在形成源极区和漏极区之后，首先移除保护屏蔽，随后形成用于源极区、漏极区、组件栅极、虚设栅极和从空隙暴露出来的一部分第二井的硅化表面；其中用于从空隙暴露出来的一部分第二井的硅化表面位于第一栅极间隙壁与第二栅极间隙壁之间；设置第二电压大于第一电压以于第二阱中且于虚设栅极下方形成空乏区进而形成从源极区经由空乏区的周围延伸至漏极区的电流路径。
基于上述区别特征确定本申请实际解决的技术问题是：（1）设置晶体管的类型；（2）保护空隙下方的第二井在之后的掺杂工艺不被掺杂杂质；（3）用于形成高电阻，有助于重掺杂漏极区的“外推”；（4）施加偏压增加导电路径的电阻。
对于区别特征（1），在P型衬底上形成不同导电类型的掺杂区并用基板的一部分进行隔离是本领域技术人员设置高压晶体管类型时常用的衬底结构，属于本领域的公知常识。其对晶体管类型选择的影响作用也是可以预料的。
对于区别特征（2），为了在进行掺杂形成源漏区时不对空隙下方的掺杂区产生影响，本领域技术人员通常采用施加保护屏蔽并在掺杂后移除的技术方案，是本领域技术人员的惯用手段，其对不希望再被掺杂区域的保护效果也是可以预料的。
对于区别特征（3）和（4），对比文件1没有公开在栅极的侧壁形成间隙壁以便于形成间隙壁之间的硅化表面的技术方案，也没有公开在漏极区施加第二电压大于在虚设栅极上施加的第一电压以形成反向的偏压使得第二栅极下形成空乏区的技术方案，其中栅极间隙壁的存在使得电流流经第二掺杂区的较低掺杂剂量漂移区时构成高电阻，而硅化表面可以有效地与高电阻漂移区串接，在增加将重掺杂的漏极区外推的距离同时形成高电阻，而施加偏压的技术方案是为了增加虚设栅极下电流围绕空乏区后的导电路径的长度，上述技术手段的结合，可以在保证晶体管尺寸不变的前提下，更多地增加导电路径的电阻。
上述区别特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员难以由对比文件1的技术方案想到独立权利要求7的技术方案。上述区别特征使得独立权利要求7的技术方案具有有益的技术效果，即制作间隙壁和硅化物配合的结构在增加重掺杂漏区外推的距离的同时形成高电阻，并通过施加偏压的方式增加电路路径的距离以增加晶体管电路的整体电阻，最终起到在保证晶体管尺寸不变的前提下更多地增加导电路径电阻的效果。
由此可知，本领域技术人员无法从对比文件1以及本领域的公知常识中得到技术启示，从而获得独立权利要求7的技术方案，并解决独立权利要求7实际所要解决的技术问题。因此，独立权利要求7的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于从属权利要求8-9
从属权利要求8-9引用独立权利要求7，在独立权利要求7的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识具备创造性的情况下，其从属权利要求8-9也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
关于驳回决定和前置审查意见的相关意见
针对原审查部门的意见（参见案由部分），合议组认为：本申请的技术方案相对于对比文件1的现有技术存在多个区别特征，首先，对比文件1没有公开间隙壁和硅化物以及施加电压的方式，其中间隙壁和硅化物的结构是用于在增加重掺杂漏区外推的距离的同时形成高电阻，而施加偏压的方式是用于增加第二栅极下电流围绕空乏区后的导电路径的长度，上述手段共同使用起到在保证晶体管尺寸不变的前提下，更多地增加电流整体路径以增加电阻的效果。其次，上述区别特征也不是本领域的公知常识，并且在整体上能带来有益的技术效果，上述手段整体作用于高压晶体管，即通过间隙壁和硅化物配合的结构在增加重掺杂漏区外推的距离的同时形成高电阻，并通过施加偏压的方式增加虚设栅极下的空乏区致使电路路径距离增长，以增加整体电阻，最终起到在保证晶体管尺寸不变的前提下更多地增加整体的导电路径电阻的效果。因此，独立权利要求1和7及其从属权利要求2-6和8-9的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
至于本申请相对于其他现有技术是否具备新颖性或创造性，或者是否还存在其他实质性缺陷，皆留待原审查部门继续审查。
基于上述理由，合议组做出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年05月13日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在分案申请递交日2016年04月25日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图，2019年08月28日提交的权利要求第1-9项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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