发明创造名称：半导体器件的制造方法
外观设计名称：
决定号：199506
决定日：2019-12-30
委内编号：1F276815
优先权日：2009-09-04，2009-09-07
申请（专利）号：201510128932.9
申请日：2010-08-20
复审请求人：株式会社半导体能源研究所
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李静
合议组组长：凌宇飞
参审员：刘天飞
国际分类号：H01L21/336，H01L29/786
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，所述多个区别技术特征是本领域技术人员在该作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容的基础上容易得到的，或者是本领域的常规选择，并且相应的技术效果能够合理预期，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510128932.9，名称为“半导体器件的制造方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请是母案为201080039723.2的分案申请，申请人为株式会社半导体能源研究所，申请日为2010年08月20日，优先权日为2009年09月04日、2009年09月07日，分案申请公开日为2015年06月03日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-2、4-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性，其他说明中指出了权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：分案申请递交日2015年03月23日提交的说明书第1-58页、说明书附图第1-37页、说明书摘要及摘要附图，以及于2018年09月03日提交的权利要求第1-10项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、镓和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。
2. 一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、锡和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。
3. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述氧化物半导体层部分晶化。
4. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述第二热处理的所述处理时间大于或等于1小时且小于或等于50小时。
5. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述氧化物半导体层的沟道长度为20 μm或更小。
6. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述第一热处理在氮气氛或者稀有气体气氛中执行。
7. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述第一热处理的所述温度高于或等于350℃且低于或等于750℃。
8. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述第二热处理在空气气氛、氧气氛、氮气氛或者稀有气体气氛中执行。
9. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述第二热处理的所述温度高于或等于100℃且低于或等于300℃。
10. 如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，
其中所述保护绝缘层包括氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜和氮化铝膜中的一个。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：WO 2008/126879 A1，公开日为：2008年10月23日。
驳回决定中指出：（1）独立权利要求1、2与对比文件1的区别技术特征在于：第二热处理的温度比第一热处理的温度低，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度。其中第二热处理的温度比第一热处理的温度低，是在对比文件1的基础上容易想到的，氧化物半导体层的厚度是根据实际需求来设置得到的，其技术效果是可预知的，因此权利要求1、2不具备创造性。（2）从属权利要求4-10的附加技术特征或者属于公知常识，或者被对比文件1公开，权利要求4-10不具备创造性。（3）其他说明中指出：权利要求3的附加技术特征是在对比文件1的基础上容易得到的，权利要求3不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月18日向国家知识产权局提出了复审请求并修改了权利要求书，将从属权利要求3的附加技术特征补入独立权利要求1、2中，删除权利要求3，将权利要求重新编号为1-9。提复审请求时修改的独立权利要求1-2内容如下：
“1. 一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、镓和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢，从而所述氧化物半导体层被部分晶化；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。”
“2. 一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、锡和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢，从而所述氧化物半导体层被部分晶化；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。”
复审请求人认为：对比文件1并没有公开或教导氧化物半导体膜的晶化。因此修改后权利要求1-9具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1虽然未公开氧化物半导体的晶化，然而在本领域中，采用包括部分晶化的氧化物半导体来作为TFT沟道区，以及采用热处理使氧化物半导体部分晶化，均是本领域的常规技术手段。在对比文件1公开了非晶结构的氧化物半导体需要经过热处理的情况下，本领域技术人员为简化工艺容易想到在此热处理中实现氧化物半导体的部分晶化。因此，权利要求1-9不具备创造性，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性，针对复审请求人的意见，合议组认为：（1）任何体系的非晶态固体与其对应的晶态材料相比，都是亚稳态，当升温时，会从非晶态转变为晶态（可参考《现代材料科学与工程辞典》，作者：李恒德 主编，2001年，第68页；《无机合成化学》，作者：张克立 等编著，2004年，第302页；《精细化工概论》，作者：丁志平 主编，2005年，第17-19页），非晶态氧化物半导体层是亚稳态，在热处理时必定开始晶化，对比文件1公开了在栅极绝缘层3之上形成铟-镓-锌-氧系统的非晶态氧化物半导体层4（参见说明书第36页第15-19行），之后对氧化物半导体层4在150℃下执行热处理，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定在150℃下热处理非晶态氧化物半导体层，能够使得亚稳态的该氧化物半导体层4被部分晶化。（2）本申请技术方案中记载的“第二热处理”为具体限定的“处理时间比第一热处理的处理时间长，温度比第一热处理的温度低，温度的上升和下降重复多次”的热处理、或“处理时间比第一热处理的处理时间长，温度比第一热处理的温度低，包括温度上升期间、高温保持期间、温度下降期间，各期间仅进行一次，且高温保持期间时间大于温度上升期间和温度下降期间时间之和”的热处理，才能形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0 V的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并不是只要“处理时间比第一热处理的处理时间长，温度比第一热处理的温度低”的热处理就是第二热处理，就能形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0 V的氧化物半导体层的薄膜晶体管，权利要求1中仅限定了第二热处理的“处理时间比第一热处理的处理时间长，温度比第一热处理的温度低”，对比文件1公开了在形成保护绝缘层7之后，对氧化物半导体层4执行热处理的处理时间10分钟比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间5分钟长，未公开第二热处理的温度比第一热处理的温度低。未公开的上述技术特征在权利要求1实际解决的技术问题是：如何提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率。对比文件1还公开了脱水或脱氢的热处理温度越高，自铟-镓-锌-氧系统的氧化物半导体层解离的水含量减少的程度越大，较佳热处理温度高达约300℃（参见说明书第24页第18-25行）；同时，本领域技术人员周知，改变脱水或脱氢的热处理条件，例如升高热处理温度、或者延长热处理时间，都能够改善脱水或脱氢的情况，热处理温度高时间短能够实现和热处理温度低时间长相当的脱水或脱氢的状态，这属于本领域公知常识；当本领域技术人员在对比文件1附图5对应实施例的基础上，为了提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率而选择时间短的脱水或脱氢热处理的温度时，有动机将热处理温度增加到约300℃，以短时间高温度的热处理方式实现充分的脱水或脱氢，即容易得到“第二热处理的温度比第一热处理的温度低”，这无需付出创造性劳动，且其带来的技术效果是可以合理预期的。因此权利要求1-9不具备创造性。
复审请求人于2019年09月29日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，将权利要求1-2中请求保护的主题名称“一种半导体器件的制造方法”修改为“一种显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管的制造方法”，增加了权利要求10。新修改的权利要求1-2、10的内容如下：
“1. 一种显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、镓和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢，从而所述氧化物半导体层被部分晶化；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。”
“2. 一种显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：
在具有绝缘表面的衬底之上形成栅电极层；
在所述栅电极层之上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层之上形成含有铟、锡和锌的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有大于或等于5 nm且小于或等于200 nm的厚度；
在形成所述氧化物半导体层之后对所述氧化物半导体层执行第一热处理，以便对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢，从而所述氧化物半导体层被部分晶化；
在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；
在所述氧化物半导体层上形成保护绝缘层；以及
在形成所述保护绝缘层之后，对所述氧化物半导体层执行第二热处理，
其中所述第二热处理的处理时间比所述第一热处理的处理时间长，以及
其中所述第二热处理的温度比所述第一热处理的温度低。”
“10. 如权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，
其中所述显示装置是液晶显示装置或电子纸。”
复审请求人认为：本申请在显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管使用要求保护的制造方法来制造的情况下，能够缩短沟道长度，而几乎没有引起阈值电压的负偏移，由此能够实现驱动器电路部分中的薄膜晶体管的高速操作和较低功率消耗。而对比文件1的主要目标是形成用于控制EL元件的OS-TFT，其中OS-TFT直接连接/设置为与EL元件重叠，如图1和5所示，因此，对比文件1中的OS-TFT并不是“显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管”。因此权利要求1-10具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年09月29日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查所述修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于分案申请递交日2015年03月23日提交的说明书第1-58页、说明书附图第1-37页、说明书摘要及摘要附图，以及于2019年09月29日提交的权利要求第1-10项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，所述多个区别技术特征是本领域技术人员在该作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容的基础上容易得到的，或者是本领域的常规选择，并且相应的技术效果能够合理预期，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：WO 2008/126879 A1，公开日为：2008年10月23日。
2.1、权利要求1请求保护一种显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管的制造方法。对比文件1公开了一种半导体发光装置的制造方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第34页第18行-第38页第1行，附图5）：一种有机EL显示面板的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：在玻璃基板1之上形成栅电极层2；在栅电极层2之上形成栅极绝缘层3；在栅极绝缘层3之上形成铟-镓-锌-氧系统的非晶态氧化物半导体层4（参见说明书第36页第15-19行），该氧化物半导体层4具有40 nm的厚度（落在权利要求1限定的数值范围内）；在形成非晶态氧化物半导体层4之后对非晶态氧化物半导体层4执行热处理（相当于第一热处理），以便对所述非晶态氧化物半导体层4进行脱水或脱氢，所述热处理为在空气中150℃下脱水5分钟，虽然对比文件1中未记载第一热处理使非晶态氧化物半导体层4被部分晶化，但是非晶态氧化物半导体层是亚稳态，在热处理时必定开始晶化，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定在空气中150℃下脱水处理非晶态氧化物半导体层5分钟，能够使得该非晶态氧化物半导体层4被部分晶化；在所述氧化物半导体层4之上形成源电极层5和漏电极层6；在所述氧化物半导体层4上形成保护绝缘层7；以及在形成所述保护绝缘层7之后，对所述氧化物半导体层4执行热处理（相当于第二热处理），所述热处理为在空气中150℃下脱水10分钟，所述热处理的处理时间10分钟比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间5分钟长。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：本申请所述的薄膜晶体管的制造方法应用于显示装置的驱动器电路部分中，第二热处理的温度比第一热处理的温度低。
基于该区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：如何实现驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗，以及如何提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率。但是无论是显示装置的像素部分中的薄膜晶体管，还是显示装置的驱动器部分中的薄膜晶体管，都是薄膜晶体管在显示装置中作为开关器件的常规应用，在对比文件1已经公开对非晶态氧化物半导体层4执行热处理，以对其进行脱水或脱氢，及在形成保护绝缘层7之后，对氧化物半导体层4再执行热处理进一步脱水或脱氢，能够提高薄膜晶体管的可靠性的基础上，当本领域技术人员面对如何实现驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗的技术问题时，有动机借鉴显示装置的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，容易获得驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗，这属于本领域常用技术手段，属于公知常识。
同时，对比文件1还公开了脱水或脱氢的热处理温度为150℃-300℃（参见说明书第20页第10-12行），脱水或脱氢的热处理温度越高，自铟-镓-锌-氧系统的半导体层解离的水含量减少的程度越大，较佳热处理温度高达约300℃（参见说明书第24页第18-25行）；同时，本领域技术人员周知，改变脱水或脱氢的热处理条件，例如升高热处理温度、或者延长热处理时间，都能够改善脱水或脱氢的情况，热处理温度高时间短能够实现和热处理温度低时间长相当的脱水或脱氢的状态，这属于本领域公知常识；当本领域技术人员在对比文件1附图5对应实施例已经公开“形成保护绝缘层7之后热处理的处理时间比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间长”的基础上，为了提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率而选择时间短的脱水或脱氢热处理的温度时，有动机将热处理温度增加到约300℃，以短时间高温度的热处理方式实现充分的脱水或脱氢，即容易得到“第二热处理的温度比第一热处理的温度低”，这无需付出创造性劳动，且其带来的技术效果是可以合理预期的。
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得出该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2请求保护一种显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管的制造方法。对比文件1公开了一种半导体发光装置的制造方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第34页第18行-第38页第1行，附图5）：一种有机EL显示面板的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：在玻璃基板1之上形成栅电极层2；在栅电极层2之上形成栅极绝缘层3；在栅极绝缘层3之上形成铟-镓-锌-氧系统的非晶态氧化物半导体层4（参见说明书第36页第15-19行），该氧化物半导体层4具有40 nm的厚度（落在权利要求2限定的数值范围内）；在形成非晶态氧化物半导体层4之后对非晶态氧化物半导体层4执行热处理（相当于第一热处理），以便对所述非晶态氧化物半导体层4进行脱水或脱氢，所述热处理为在空气中150℃下脱水5分钟，虽然对比文件1中未记载第一热处理使非晶态氧化物半导体层被部分晶化，但是非晶态氧化物半导体层是亚稳态，在热处理时必定开始晶化，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定在空气中150℃下脱水处理非晶态氧化物半导体层5分钟，能够使得该非晶态氧化物半导体层4被部分晶化；在所述氧化物半导体层4之上形成源电极层5和漏电极层6；在所述氧化物半导体层4上形成保护绝缘层7；以及在形成所述保护绝缘层7之后，对所述氧化物半导体层4执行热处理（相当于第二热处理），所述热处理为在空气中150℃下脱水10分钟，所述热处理的处理时间10分钟比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间5分钟长。
权利要求2与对比文件1的区别技术特征在于：本申请所述的薄膜晶体管的制造方法应用于显示装置的驱动器电路部分中，氧化物半导体层为含有铟、锡和锌的氧化物半导体层，第二热处理的温度比第一热处理的温度低。
基于该区别技术特征，权利要求2实际解决的技术问题是：如何实现驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗，以及如何提高对另一材料的氧化物半导体层脱水或脱氢的效率。但是无论是显示装置的像素部分中的薄膜晶体管，还是显示装置的驱动器部分中的薄膜晶体管，都是薄膜晶体管在显示装置中作为开关器件的常规应用，在对比文件1已经公开对非晶态氧化物半导体层4执行热处理，以对其进行脱水或脱氢，及在形成保护绝缘层7之后，对氧化物半导体层4再执行热处理进一步脱水或脱氢，能够提高薄膜晶体管的可靠性的基础上，当本领域技术人员面对如何实现驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗的技术问题时，有动机借鉴显示装置的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，容易获得驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗，这属于本领域常用技术手段，属于公知常识。
同时，对比文件1还公开了氧化物半导体层含铟、镓、锌、锡等，可改变组成（参见说明书第16页第23-27行），本领域技术人员周知，无论是含有铟、镓和锌的氧化物半导体层，还是含有铟、锡和锌的氧化物半导体层，都是薄膜晶体管中氧化物半导体层的常用材料，其属于本领域的常规选择；对比文件1还公开了脱水或脱氢的热处理温度为150℃-300℃（参见说明书第20页第10-12行），脱水或脱氢的热处理温度越高，自铟-镓-锌-氧系统的半导体层解离的水含量减少的程度越大，较佳热处理温度高达约300℃（参见说明书第24页第18-25行）；同时，本领域技术人员周知，改变脱水或脱氢的热处理条件，例如升高热处理温度、或者延长热处理时间，都能够改善脱水或脱氢的情况，热处理温度高时间短能够实现和热处理温度低时间长相当的脱水或脱氢的状态，这属于本领域公知常识；当本领域技术人员在对比文件1附图5对应实施例已经公开“形成保护绝缘层7之后热处理的处理时间比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间长”的基础上，为了提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率而选择时间短的脱水或脱氢热处理的温度时，有动机将热处理温度增加到约300℃，以短时间高温度的热处理方式实现充分的脱水或脱氢，即容易得到“第二热处理的温度比第一热处理的温度低”，这无需付出创造性劳动，且其带来的技术效果是可以合理预期的。
由此可见，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得出该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、对于从属权利要求3，对比文件1公开了在形成保护绝缘层7之后，对所述氧化物半导体层4执行热处理（相当于第二热处理），所述热处理为在空气中150℃下脱水10分钟，脱水不充分情况下，可改变热处理的条件（参见说明书第37页第21-27行），同时，对比文件1背景技术部分公开了有机EL显示装置中脱水热处理的时间较佳为1至6小时的范围内（参见说明书第5页第1-19行），当本领域技术人员在对比文件1附图5对应的实施例的基础上，为了充分脱水而需要设置热处理时间时，根据其掌握的本领域公知常识通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验可以得到“第二热处理的处理时间大于或等于1小时且小于或等于50小时”，且其带来的技术效果也是可以预料的，因此，在其引用的权利要求1或2不具备创造性时，权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、对于从属权利要求4，其附加技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上，为了形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V的氧化物半导体膜薄膜晶体管而选择氧化物半导体层沟道长度时，根据其掌握的本领域公知常识通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验可以得到的，其带来的技术效果也是可以预料的，因此，在其引用的权利要求1或2不具备创造性时，权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、对于从属权利要求5、7-8，对比文件1公开了脱水或脱氢的热处理在空气气氛、氧气氛、氮气氛或者稀有气体气氛中执行（对应权利要求5、7，参见说明书第20页第4-9行），在形成保护绝缘层7之后，对氧化物半导体层4执行热处理（相当于第二热处理）的温度为150℃（其落在权利要求8限定的数值范围内，参见说明书第37页第21-25行），即对比文件1公开了该权利要求5、7-8的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5、7-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、对于从属权利要求6，当本领域技术人员在对比文件1附图5对应的实施例已经公开“形成保护绝缘层7之后热处理的处理时间比在形成氧化物半导体层4之后对氧化物半导体层4进行的热处理的处理时间长”的基础上，为了提高对氧化物半导体层脱水或脱氢的效率而选择时间短的脱水或脱氢热处理的温度时，有动机将热处理温度增加到约300℃，以短时间高温度的热处理方式实现充分的脱水或脱氢，根据其掌握的本领域公知常识通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验可以得到“第一热处理的所述温度高于或等于350℃且低于或等于750℃”，且其带来的技术效果也是可以预料的，因此，在其引用的权利要求1或2不具备创造性时，权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、对于从属权利要求9，对比文件1（参见说明书第37页第21-25行）公开了保护绝缘层7为氧化硅膜，即对比文件1公开了该权利要求9一个并列技术方案中的附加技术特征，至于未被公开的其余并列技术方案中的附加技术特征，是本领域设置保护绝缘层时的常规选择，属于本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的答复：
对复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
本申请技术方案中（参见本申请说明书第[0066]-[0073]段）记载了通过“对氧化物半导体层432进行第一热处理脱水或脱氢，形成保护绝缘层407后，进行第二热处理，允许栅极绝缘层402与氧化物半导体层432之间的界面以及氧化物半导体层432与保护绝缘层407之间的界面处的悬空键被封闭或者允许氧化物半导体层432的空间的周边中的原子逐渐被重新排列，形成使上述部分的结构稳定的氧化物半导体层403”的技术手段，解决了“第一热处理形成的悬空键致使的薄膜晶体管的阈值电压远离0 V或者引起一个衬底之上的多个薄膜晶体管的阈值电压的变化”的技术问题，实现了“提高薄膜晶体管的可靠性，增加场效应迁移率”的技术效果，当其应用于显示装置的像素部分中的薄膜晶体管时，能够抑制因相应像素的薄膜晶体管的阈值电压的变化引起的显示不均匀，当其应用于显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管时，能够缩短沟道长度而没有引起阈值电压的负偏移，由此能够实现驱动器电路部分中的薄膜晶体管的高速操作和较低功率消耗。
对比文件1公开了一种有机EL显示面板的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，对非晶态氧化物半导体层4执行热处理，以进行脱水或脱氢，形成保护绝缘层7之后，对氧化物半导体层4再执行热处理进一步脱水或脱氢，能够提高薄膜晶体管的可靠性，可见，对比文件1公开了应用于显示装置像素部分中的薄膜晶体管以提高其可靠性的制备方法，虽未公开权利要求1、2中限定的应用于显示装置的驱动器电路部分中的薄膜晶体管，但是无论是显示装置的像素部分中的薄膜晶体管，还是显示装置的驱动器部分中的薄膜晶体管，都是薄膜晶体管在显示装置中作为开关器件的常规应用，当在对比文件1的基础上，本领域技术人员面对如何实现驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗的技术问题时，有动机借鉴显示装置的像素部分中的薄膜晶体管的制造方法，容易获得驱动器电路部分中薄膜晶体管的高可靠性、高速操作和较低功率消耗，这属于本领域常用技术手段，属于公知常识。因此权利要求1、2不具备创造性。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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