发明创造名称：整流器及其制造方法
外观设计名称：
决定号：199481
决定日：2019-12-27
委内编号：1F276816
优先权日：
申请（专利）号：201310456990.5
申请日：2013-09-29
复审请求人：无锡华润上华科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：黄丽娜
合议组组长：树奇
参审员：曹毓涵
国际分类号：H01L27/08，H01L29/861，H01L29/06，H01L21/822
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果复审请求人答复复审通知书时删除了驳回决定和复审通知书所指出的不具备创造性的权利要求，驳回决定和复审通知书中所指出的该缺陷已得到克服，则应在修改文本的基础上撤销驳回决定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310456990.5，发明名称为“整流器及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为无锡华润上华科技有限公司，申请日为2013年09月29日，公开日为2015年04月15日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月04日发出驳回决定，以权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年07月10日提交的权利要求第1-8项，申请日2013年09月29日提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-5页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求1内容如下：
“1.一种整流器，其特征在于，包括元胞区域和位于元胞区域周围的保护环区域，所述元胞区域包括多个整流二极管，所述整流二极管包括衬底、位于衬底上的外延层、位于外延层上的P型区、贯穿所述P型区的沟槽、设于所述沟槽内的沟道多晶硅、位于所述沟槽的槽壁与所述沟道多晶硅之间的氧化层、位于所述P型区内且位于所述沟槽两侧的N 区、位于所述P型区、N 区和沟道多晶硅上的正面金属层作为阳极以及位于所述衬底背面的背面金属层作为阴极；由N 区、P型区、外延层、氧化层以及沟道多晶硅形成的MOS结构与P型区、N 区形成的二极管结构相并联；所述外延层的厚度为2～20微米，所述外延层的电阻率为0.5～5Ω?cm。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN103117308A，公开日为2013年05月22日；
对比文件2：CN101853850A，公开日为2010年10月06日。
驳回决定的具体理由为：权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）N型区为重掺杂N 区；（2）外延层的厚度为2～20微米，外延层的电阻率为0.5～5Ω?cm。上述区别技术特征（1）、（2）均属于本领域技术人员根据实际需求进行的常规技术选择，权利要求1相对于对比文件1和本领域常规技术选择的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
此外，在驳回决定的其他说明部分还指出：权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：（1）器件包括位于元胞区域周围的保护环区域；（2）其中一个二极管结构为N 区与P区构成，N 区位于P型区内；（3）外延层的厚度为2～20微米，外延层的电阻率为0.5～5Ω?cm。上述区别技术特征（1）-（3）均属于本领域技术人员根据实际需求进行的常规技术选择，权利要求1相对于对比文件2和本领域常规技术选择的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月18日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-8项），具体修改内容如下：在权利要求1中加入技术特征“且与所述P型区、N 区和沟道多晶硅直接接触”。
提出复审请求时新提交的权利要求1内容如下：
“1.一种整流器，其特征在于，包括元胞区域和位于元胞区域周围的保护环区域，所述元胞区域包括多个整流二极管，所述整流二极管包括衬底、位于衬底上的外延层、位于外延层上的P型区、贯穿所述P型区的沟槽、设于所述沟槽内的沟道多晶硅、位于所述沟槽的槽壁与所述沟道多晶硅之间的氧化层、位于所述P型区内且位于所述沟槽两侧的N 区、位于所述P型区、N 区和沟道多晶硅上且与所述P型区、N 区和沟道多晶硅直接接触的正面金属层作为阳极以及位于所述衬底背面的背面金属层作为阴极；由N 区、P型区、外延层、氧化层以及沟道多晶硅形成的MOS结构与P型区、N 区形成的二极管结构相并联；所述外延层的厚度为2～20微米，所述外延层的电阻率为0.5～5Ω?cm。”
复审请求人认为：（1）本申请的P型区外露且横置，N 区范围小于P型区范围，使得阳极金属覆盖整个表面时，将MOS管栅极、源极以及二极管正极电连接在一起，可以形成MOS结构与二极管结构并联的结构，用于消除寄生JFET，降低整流器件的正向导通压降；而对比文件1的N型源区54位于P型体区53之上，未将P型体区53外露，无法获得隔离形成单独的MOS结构；体区53被多晶硅42隔开，没有特别明显的单个整流二极管结构；从电连接关系来看，对比文件1无法获得与本申请相同的元胞结构且制造工序复杂，解决的技术问题与本申请也不同；（2）对比文件2的P型区虽然是外露的，但是P型区包括P-区和P 区，P型区结构与本申请不同且工艺复杂。因此，权利要求1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：(1)首先，对比文件1公开了“包括元胞区和位于元胞区周围的保护环区域，元胞区包括多个整流二极管”（参见说明书附图2，与本申请说明书附图1相同）；其次，虽然对比文件1未公开P型区、N 区和沟道多晶硅直接接触，P型区不是外露的，但是，从电学连接关系来看，对比文件1中MOS结构由外延层、沟槽多晶硅栅极、及其两边的N型区形成的源极和漏极构成，二极管由N型区及其下方的P型区形成的PN结构成，P型区、N 区与多晶硅均通过通孔与金属层电连接，因此，MOS管的源极、栅极以及二极管的正极均连接在一起，本申请和对比文件1的二极管与MOS结构都是并联连接的，两者的等效电路相同；至于电引出的方式，这仅仅属于对整流器结构的常规调整设计；（2）对比文件2中P区包括P-区和P 两个部分，其都属于P区，相当于本申请的P型区，对比文件2公开了“阳极金属与P型区、N区和沟道多晶硅直接接触”这一特征。本申请解决的技术问题是由沟道型MOS结构与PN结构并联的结构本质决定的，同样的，对比文件1和2中的整流器均采用了沟道型MOS结构，对比文件1和2都能解决“消除寄生JFET，降低整流器的正向导通压降”的技术问题。基于以上理由，实质审查部门坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月06日向复审请求人发出复审通知书。复审通知书中指出：（1）权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由如下：权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：①N型区为重掺杂N 区，正面金属层与P型区、N 区和沟道多晶硅直接接触；②外延层的厚度为2-20微米，外延层的电阻率为0.5-5Ω?cm。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：如何降低源漏区电阻，如何简化电连接结构、降低成本以及如何改善器件的耐压性能。对比文件2公开了区别技术特征①，且作用相同，即对比文件2给出了将相应技术特征结合到对比文件1的技术启示；区别技术特征②属于本领域常规技术选择。因此，基于对比文件1和对比文件2以及本领域常规技术选择的结合，权利要求1不具备创造性。（2）关于复审请求人的意见陈述，合议组认为：第一，对比文件1的MOS管和PN结二极管的结构与本申请相同，即，MOS管由N型源区、P型体区、外延层、栅氧化层以及沟道多晶硅形成，PN结二极管由P型体区、N型源区形成；第二，根据对比文件1说明书第[0082]段及附图22的记载，P型体区、N型源区以及沟道多晶硅分别通过通孔中的金属钨被电引出与第一金属电极电连接，使得第一金属电极与P型体区、N型源区以及沟道多晶硅均形成良好的欧姆接触，所以，虽然对比文件1的P型体区未外露，但是其MOS管栅极、源极以及PN结二极管的正极是电连接在一起的，即，MOS管结构与PN结二极管结构相并联，由此，对比文件1的等效电路结构与本申请相同；第三，对比文件1中的整流二极管也是被保护环分隔呈阵列排布（参见附图2），其整个结构是由MOS管和PN结二极管并联构成的整流二极管结构，最外面的表面为阳极金属，并在其中内嵌纵向沟道的MOS结构，元胞结构与本申请相同，同样能够解决本申请所述的消除寄生JFET，降低整流器件的正向导通压降的技术问题；第四，对比文件2同为一种内嵌纵向沟道的MOS结构的整流器，其P 包围层和P-阱层整体相当于P型区，且该P型区外露，对比文件2的说明书附图9明确公开了“正面金属层与P型区、N 区和沟道多晶硅直接接触”的技术特征，并且对比文件2给出了将上述特征用于对比文件1以解决其技术问题的技术启示。
复审请求人于2019年09月17日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-7项，所作的修改为：删除权利要求1，适应性修改权利要求2-8的编号和引用关系，形成新的权利要求第1-7项。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年09月17日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-7项。经审查，上述修改符合专利法实施细则第61条第1款及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定依据的文本为：2019年09月17日提交的权利要求第1-7项；申请日2013年09月29日提交的说明书第1-6页、说明书附图第1-5页、说明书摘要、摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果复审请求人答复复审通知书时删除了驳回决定和复审通知书所指出的不具备创造性的权利要求，驳回决定和复审通知书中所指出的该缺陷已得到克服，则应在修改文本的基础上撤销驳回决定。
驳回决定指出权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性，复审通知书指出权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。复审请求人在答复复审通知书时，删除了权利要求1，保留了驳回决定和复审通知书均未评述过创造性的权利要求2-8，因此，驳回决定和复审通知书中所指出的权利要求1不具备创造性的缺陷已经被克服。驳回决定未对权利要求2-8的创造性进行过评述，因而合议组对权利要求2-8的创造性不予审查，留待实质审查部门继续进行审查。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。至于本申请中是否存在其它不符合专利法和专利法实施细则规定的问题，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月04日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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