发明创造名称：插塞结构及其制作工艺
外观设计名称：
决定号：198737
决定日：2019-12-26
委内编号：1F279585
优先权日：
申请（专利）号：201310109084.8
申请日：2013-03-29
复审请求人：联华电子股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：韩冰
合议组组长：武建刚
参审员：李发喜
国际分类号：H01L23/532，H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与最接近的现有技术之间存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被现有技术中的其他对比文件公开，并且所起的作用与在权利要求中的作用相同，其他区别技术特征是本领域的惯用技术手段，则该权利要求相对于该最接近的现有技术与其他对比文件及本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310109084.8，名称为“插塞结构及其制作工艺”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为联华电子股份有限公司，申请日为2013年03月29日，公开日为2014年10月01日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年01月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求7-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性，并在其他说明中指出：权利要求1-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：2018年09月06日提交的权利要求第1-19项；申请日2013年03月29日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-6页、说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种插塞结构，包含：
第一介电层，位于一基底上，该第一介电层具有第一插塞，位于其中，其中该第一插塞连接位于该基底中的一源/漏极；
第二介电层，位于该第一介电层上，该第二介电层具有开口，暴露出该第一插塞；
阻障层，顺应覆盖该开口，其中该阻障层具有底部以及侧壁部，且该底部为单层并连接该第一插塞，而该侧壁部为双层；
第二插塞，填满该开口并位于该阻障层上；
金属栅极，设置于该第一介电层中，通过该第一插塞连接该第二介电层中的该第二插塞，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞，
其中，该底部被移除使得该第二插塞直接物理性连接该第一插塞。
2. 如权利要求1所述的插塞结构，还包含：
盖层，位于该第一介电层以及该第二介电层之间。
3. 如权利要求2所述的插塞结构，其中该第一插塞延伸至该盖层，因而该第一插塞的高度高于该金属栅极的高度。
4. 如权利要求1所述的插塞结构，其中该底部包含一氮化钛层。
5. 如权利要求1所述的插塞结构，其中该侧壁部包含一钛层以及一氮化钛层。
6. 如权利要求1所述的插塞结构，其中该第一插塞以及该第二插塞包含钨或铜。
7. 一种形成插塞结构的制作工艺，包含：
提供一基底，具有一源/漏极；
依序形成一第一介电层以及一第二介电层于该基底上，其中该第一介电层具有一第一插塞连接该源/漏极，而该第二介电层具有一开口暴露出该第一插塞；
形成一阻障层顺应覆盖该开口以及该第一插塞；
进行一第一溅镀制作工艺，移除该阻障层的一底部，但保留该阻障层的一侧壁部；以及
形成一第二插塞于该开口中，
其中，该底部被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞，
一金属栅极设置于该第一介电层中，通过该第一插塞连接该第二介电层中的该第二插塞，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞。
8. 如权利要求7所述的形成插塞结构的制作工艺，其中依序形成该第一介电层以及该第二介电层于该基底上的步骤，包含：
形成该第一介电层于该基底上，且该第一介电层具有该第一插塞，其中该第一插塞连接该源/漏极；
形成该第二介电层于该第一介电层上；以及
图案化该第二介电层，以形成该开口于该第二介电层中并暴露出该第一插塞。
9. 如权利要求7所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该第一插塞具有一金属氧化层位于其上。
10. 如权利要求9所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该金属氧化层包含一原生氧化层。
11. 如权利要求9所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该金属氧化层在进行该第一溅镀制作工艺时一并移除。
12. 如权利要求7所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该第一溅镀制作工艺包含一氩气溅镀制作工艺。
13. 如权利要求9所述的形成插塞结构的制作工艺，在形成该阻障层之前，还包含：
进行一第二溅镀制作工艺，以移除该金属氧化层。
14. 如权利要求13所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该第一溅镀制作工艺与该第二溅镀制作工艺相同。
15. 如权利要求13所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该第二溅镀制作工艺包含一氩气溅镀制作工艺。
16. 如权利要求7所述的形成插塞结构的制作工艺，其中该阻障层由下而上包含一钛层以及一氮化钛层。
17. 如权利要求16所述的形成插塞结构的制作工艺，其中形成该钛层、形成该氮化钛层以及进行该第一溅镀制作工艺于不同制作工艺腔体中。.
18. 如权利要求7所述的形成插塞结构的制作工艺，其中形成该阻障层以及进行该第一溅镀制作工艺于不同制作工艺腔体中。
19. 如权利要求16所述的形成插塞结构的制作工艺，在形成该第一介电层之前，还包含：
形成该金属栅极于该基底上，且接触该金属栅极的该第二插塞于后续形成该第二插塞时一起形成。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件1：CN 1979838A，公开日为2007年06月13日；
对比文件2：TW 521379B，授权公告日为2003年02月21日；
对比文件3：CN 101692437A，公开日为2010年04月07日。
驳回决定指出：权利要求7与对比文件1的区别技术特征在于：（1）本申请进行一第一溅镀制作工艺，移除至少部分该阻障层的一底部，但保留该阻障层的一侧壁部，底部的阻障层被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞；（2）本申请金属栅极通过第一插塞连接第二介电层中的第二插塞，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞。对于区别技术特征（1），对比文件3给出了铜互连通孔底部的阻障层被移除使得铜互连通孔直接物理性连接下方的铜通孔以降低通孔中接触电阻的技术启示，对比文件2给出了使用溅镀制作工艺移除底部阻障层保留侧壁阻障层的技术启示。区别技术特征（2）是本领域的惯用技术手段。权利要求7不具备创造性。从属权利要求8-19也不具备创造性。此外，其他说明中指出:权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）本申请阻障层的侧壁部为双层，单层阻障层的底部被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞；（2）金属栅极通过第一插塞连接第二介电层中的第二插塞，且第二插塞完全覆盖第一插塞。对于区别技术特征（1），对比文件2给出了在插塞底部设置单层阻障层并在侧壁设置双层阻障层的技术启示，对比文件3给出了铜互连通孔底部的阻障层被移除使得铜互连通孔直接物理性连接下方的铜通孔以降低通孔中接触电阻的技术启示。区别技术特征（2）是本领域的惯用技术手段。权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-6也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年04月17日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。并分别于2019年06月20日和2019年06月21日提交了权利要求书的全文主动修改替换页。复审请求人于2019年06月21日提交的权利要求书包括18项权利要求，其中修改了独立权利要求1和7，删除了从属权利要求4。修改后的权利要求1和6内容如下：
“1. 一种插塞结构，包含：
第一介电层，位于一基底上，该第一介电层具有第一插塞，位于其中，其中该第一插塞连接位于该基底中的一源/漏极；
第二介电层，位于该第一介电层上，该第二介电层具有开口，暴露出该第一插塞；
阻障层，顺应覆盖该开口，其中该阻障层具有侧壁部，而该侧壁部为双层；
第二插塞，填满该开口并位于该阻障层上；
金属栅极，设置于该第一介电层中，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞，
其中，该第二插塞直接物理性连接该第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极。”
“6. 一种形成插塞结构的制作工艺，包含：
提供一基底，具有一源/漏极；
依序形成一第一介电层以及一第二介电层于该基底上，其中该第一介电层具有一第一插塞连接该源/漏极，而该第二介电层具有一开口暴露出该第一插塞；
形成一阻障层顺应覆盖该开口以及该第一插塞；
进行一第一溅镀制作工艺，移除该阻障层的一底部，但保留该阻障层的一侧壁部；以及
形成一第二插塞于该开口中，
其中，该底部被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞，
一金属栅极设置于该第一介电层中，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极。”
复审请求人认为：如本申请的图11所示，第二插塞380物理性连接第一插塞130以及金属栅极M。相比之下，参见对比文件1的附图2，第二插塞235没有物理性连接第一插塞231以及栅极213。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见，合议组认为：对比文件1已经公开了（说明书第4页倒数第2段）：复合插塞230，与半导体元件210的导电部电性连接。此处所谓导电部包括源/漏极215与栅极213，而复合插塞230例如是同时连接一源/漏极区215与一栅极213的共享接触窗插塞(Share Contact Plug)，如图2所示，复合插塞230同时连接了一源/漏极区215与一右侧的伪栅极。在对比文件1公开上述内容的基础上，本领域技术人员根据电连接的需要，容易想到将复合插塞230同时连接一源/漏极区和一真正的栅极, 此时与第一插塞电连接的第二插塞235也与金属栅极电连接。
复审请求人于2019年09月06日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，其中将权利要求2的附加技术特征以及“其中该第一插塞延伸到该盖层中，因而该第一插塞的高度高于该金属栅极的高度”补入权利要求1，将权利要求12作为修改后的独立权利要求4，删除了权利要求2-3、6、8，适应性修改了权利要求的序号及引用关系，修改后的权利要求1和4的内容如下：
“1. 一种插塞结构，包含：
第一介电层，位于一基底上，该第一介电层具有第一插塞，位于其中，其中该第一插塞连接位于该基底中的一源/漏极；
第二介电层，位于该第一介电层上，该第二介电层具有开口，暴露出该第一插塞；
阻障层，顺应覆盖该开口，其中该阻障层具有侧壁部，而该侧壁部为双层；
第二插塞，填满该开口并位于该阻障层上；
金属栅极，设置于该第一介电层中，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞，
其中，该第二插塞直接物理性连接该第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极，
盖层，位于该第一介电层以及该第二介电层之间，其中该第一插塞延伸到该盖层中，因而该第一插塞的高度高于该金属栅极的高度。”
“4. 一种形成插塞结构的制作工艺，包含：
提供一基底，具有一源/漏极；
依序形成一第一介电层以及一第二介电层于该基底上，其中该第一介电层具有一第一插塞连接该源/漏极，而该第二介电层具有一开口暴露出该第一插塞；
形成一阻障层顺应覆盖该开口以及该第一插塞；
进行一第一溅镀制作工艺，移除该阻障层的一底部，但保留该阻障层的一侧壁部；以及
形成一第二插塞于该开口中，
其中，该底部被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞，
一金属栅极设置于该第一介电层中，且该第二插塞完全覆盖该第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极，
其中该第一插塞具有一金属氧化层位于其上，
其中在形成该阻障层之前，进行一第二溅镀制作工艺，以移除该金属氧化层。”
复审请求人认为：（1）修改的权利要求1限定了第一插塞延伸到该盖层中。这样的设计导致第一插塞高于金属栅极。再者，盖层覆盖在金属栅极上，是为了防止后续制作工艺中损伤金属栅极，并且第一插塞延伸至盖层是为了电性接触其他外部电路。对比文件1的第一插塞231没有延伸到保护层223中。因此，修改的权利要求1相对于对比文件1具备创造性。（2）修改的权利要求4在形成该阻障层之前，进行一第二溅镀制作工艺，以移除金属氧化层。对比文件2并没有公开这样的第二溅镀制作工艺来移除金属氧化层，对比文件2的溅射工艺是用来移除阻障层。因此，修改的权利要求4具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条规定。本复审请求审查决定针对的文本为：复审请求人于2019年09月06日提交的权利要求第1-14项；申请日2013年03月29日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-6页、说明书摘要及摘要附图。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与最接近的现有技术之间存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被现有技术中的其他对比文件公开，并且所起的作用与在权利要求中的作用相同，其他区别技术特征是本领域的惯用技术手段，则该权利要求相对于该最接近的现有技术与其他对比文件及本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 1979838A，公开日为2007年06月13日；
对比文件2：TW 521379B，授权公告日为2003年02月21日；
对比文件3：CN 101692437A，公开日为2010年04月07日。
2-1、权利要求1请求保护一种插塞结构。对比文件1公开了一种插塞结构，与本申请属于相同的技术领域，并具体公开了以下技术内容（参见说明书4页第2段至第8页第4段、附图2），该插塞结构包含：下介电层222（对应于第一介电层），位于一衬底200上，金属栅极213，设置于该下介电层222中；该下介电层222具有第一插塞231位于下介电层222中，该第一插塞231同时连接位于该基底220中的一源/漏极215与一栅极213（合议组认定附图2中与第一插塞231连接的栅极213为伪栅）；上介电层225（对应于第二介电层），位于下介电层222上，该上介电层225具有开口357，暴露出该第一插塞231；阻障层239，顺应覆盖该开口，其中该阻障层239具有底部以及侧壁部；第二插塞235，填满该开口并位于该阻障层239上；该第二插塞235物理性连接第一插塞231；插塞结构还包含保护层223（对应于盖层），位于该第一介电层222以及该第二介电层225之间；从对比文件1的附图2可以看出第一插塞231的高度高于金属栅极的高度。
可见，权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）阻障层的侧壁部为双层；（2）第二插塞直接物理性连接第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极；第二插塞完全覆盖第一插塞；（3）第一插塞延伸到该盖层中，因而该第一插塞的高度高于该金属栅极的高度。基于上述区别技术特征，可以确定权利要求1实际所要解决的技术问题是：如何提高阻障效果；如何降低接触阻抗，如何电性连接源/漏极和栅极。
对于上述区别技术特征（1），对比文件1公开了阻障层237、239的材质例如是钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨或钛钨合金等。对比文件2公开了一种插塞结构，其中进一步公开了（参见说明书第13页第2段至第16页第2段、附图 6）：侧壁具有CVD阻障层30和 PVD阻障层40组成的双层阻障层。并且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中的作用相同，都是用于提高对插塞材料扩散的阻挡能力，因此，对比文件2给出了将上述技术特征用于对比文件1以进一步解决其技术问题的启示。
对于上述区别技术特征（2），对比文件3公开了一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，其中公开了（参见说明书第[0017]、[0028]-[0036]段、附图 9）：铜通孔100（对应于第一插塞）形成在低介电常数介质101（对应于第一介电层）中，低介电常数介质薄膜201（对应于第二介电层）位于该第低介电常数介质101上，在低介电常数介质薄膜201中的开口302的侧壁形成有扩散阻挡层薄膜205a和205b；扩散阻挡层在铜互连通孔底部以外的地方淀积，去除铜通孔中不必要的扩散阻挡层，从而降低通孔中的接触电阻。可见对比文件3给出了去除互连通孔底部的扩散阻挡层，使得插塞直接物理性连接铜通孔100的技术手段，并且其在对比文件3中所起的作用与在本申请中的作用相同，都是用于降低接触电阻。因此，对比文件3给出了将上述技术特征用于对比文件1以进一步解决其技术问题的启示。此外，对比文件1已经公开了（说明书第4页倒数第2段）：复合插塞230，与半导体元件210的导电部电性连接。此处所谓导电部包括源/漏极215与栅极213，而复合插塞230例如是同时连接一源/漏极区215与一栅极213的共享接触窗插塞(Share Contact Plug)。如对比文件1的附图2所示，复合插塞230同时连接源/漏极区215与一伪栅极213，在对比文件1公开上述内容的基础上，本领域技术人员根据电连接的需要，容易想到将复合插塞230中的第一插塞231同时连接源/漏极区和一真正的金属栅极，此时与第一插塞电连接的第二插塞235也与金属栅极电连接。而将上方的第二插塞完全覆盖下方的第一插塞是本领域的惯用技术手段，这样的设置所带来的技术效果也是本领域技术人员根据常识能够了解和预期的。
对于上述区别技术特征（3），无论是本申请的第一插塞延伸到盖层以实现与第二插塞的互连，还是对比文件1的第二插塞235延伸到保护层223中以实现与第一插塞231的互连，二者的目的都是实现第一插塞与第二插塞的互连，在本领域中是常见的两种可替换的结构，属于本领域的惯用技术手段。
综上，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和本领域的公知常识，以获得该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求不具有突出的实质性特点，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
2-2、权利要求2-3直接引用了权利要求1。
对于权利要求2，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第2段）：阻障层237、239的材质例如是钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨或钛钨合金等。而将双层的阻障层材料选择为一钛层以及一氮化钛层是本领域技术人员的常规选择。
对于权利要求3，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第2段）：第一插塞231、第二插塞235的材质例如是铝、铜、钨、钼、金、铂或其合金。因此，从属权利要求3的附加技术特征也已经被对比文件1公开。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的前提下，从属权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求4请求保护一种形成插塞结构的制作工艺。对比文件1公开了一种插塞结构的制作工艺，与本申请属于相同的技术领域，并具体公开了以下技术内容（参见说明书4页第2段至第8页第4段、附图3A-3E），形成插塞结构的制作工艺包含：提供一衬底300，具有源/漏极315；依序形成一下介电层321（对应于第一介电层）和一上介电层339（对应于第二介电层）；金属栅极213，设置于该下介电层222中；下介电层321中形成有第一插塞335，该第一插塞335同时连接位于衬底300中的一源/漏极315与一栅极313（合议组认定附图中与第一插塞335连接的栅极313为伪栅）；在上介电层339中形成开口357，暴露出该第一插塞321；形成一阻障层359顺应覆盖该开口327以及该第一插塞321；形成一第二插塞360于该开口357中。
可见，权利要求4与对比文件1的区别技术特征在于：（1）进行一第一溅镀制作工艺，移除该阻障层的一底部，但保留该阻障层的一侧壁部，该底部被移除使得第二插塞直接物理性连接第一插塞；（2）第二插塞完全覆盖第一插塞，第二插塞物理性连接第一插塞和金属栅极；（3）其中该第一插塞具有一金属氧化层位于其上，其中在形成该阻障层之前，进行一第二溅镀制作工艺，以移除该金属氧化层。基于上述区别技术特征，可以确定权利要求4实际所要解决的技术问题是：如何降低接触阻抗，如何电性连接源/漏极和栅极。
对于上述区别技术特征（1），对比文件3公开了一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，其中公开了（参见说明书第[0017]、[0028]-[0036]段、附图 9）：铜通孔100（对应于第一插塞）形成在低介电常数介质101（对应于第一介电层）中，低介电常数介质薄膜201（对应于第二介电层）位于该第低介电常数介质101上，在低介电常数介质薄膜201中的开口302侧壁形成有扩散阻挡层薄膜205a和205b；扩散阻挡层在铜互连通孔底部以外的地方淀积，去除铜通孔中不必要的扩散阻挡层，从而降低通孔中的接触电阻。可见对比文件3给出了去除互连通孔底部的扩散阻挡层，使得插塞直接物理性连接铜通孔100的技术手段，并且其在对比文件3中所起的作用与在本申请中的作用相同，都是用于降低接触电阻。此外，对比文件2公开了（参见说明书第11页第2段至第23页第5段、说明书附图 1-11）：在两个反应室中形成一层介层阻障层；形成CVD阻障层30之后，接着将基材传送至以钽金属做为溅射靶的PVD反应室中；在相同的PVD反应室执行两个步骤，第一个步骤具有去除介层洞底部之CVD阻障层之功效；第二个步骤则可完成PVD阻障层之沉积；首先，在第一个步骤中，并未沉积任何物质而仅是溅射CVD阻障层30；其次，第一个步骤兼去除或溅射CVD下阻障层32以及CVD阻障层顶部区36，未去除第3图中所绘示之CVD阻障层侧壁区34；然后在同一个阻障层PVD反应器内进行的第二个步骤中，在介层洞底部以外的其它区域以溅射的方式沉积PVD阻障层40。可见，对比文件2给出了使用溅镀制作工艺移除底部阻障层保留侧壁阻障层的技术启示。
对于上述区别技术特征（2），对比文件1已经公开了（说明书第4页倒数第2段）：复合插塞230，与半导体元件210的导电部电性连接。此处所谓导电部包括源/漏极215与栅极213，而复合插塞230例如是同时连接一源/漏极区215与一栅极213的共享接触窗插塞(Share Contact Plug)。如对比文件1的附图3E所示，复合插塞同时连接源/漏极区315与一伪栅极313，在对比文件1公开上述内容的基础上，本领域技术人员根据电连接的需要，容易想到将复合插塞中的第一插塞335同时连接源/漏极区和一真正的金属栅极，此时与第一插塞电连接的第二插塞360也与金属栅极电连接。而将上方的第二插塞完全覆盖下方的第一插塞是本领域惯用的技术手段，这样的设置所带来的技术效果也是本领域技术人员根据常识能够了解和预期的。
对于上述区别技术特征（3），对比文件2公开了（参见说明书第14页第1段）：金属导体14的蚀刻具有如同预清洗步骤之好处，可用以去除此处任何自然形成的氧化物，第一溅镀制作工艺包含一氩气溅镀制作工艺，通过包含氩气的溅镀制作工艺移除金属导体露出表面的金属氧化层。可见，对比文件2已经给出了通过溅镀制作工艺以移除金属表面的自然氧化层的技术启示。并且本领域公知，金属在表面通常会形成一自然氧化层，在对比文件2给出的上述技术启示下，本领域技术人员为了降低接触电阻，选用与第一溅镀制作工艺相同的同样包含氩气的第二溅镀制作工艺移除第一插塞金属氧化层是本领域技术人员的常规选择，该选择也没有带来任何预料不到的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和本领域的公知常识，以获得该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，该权利要求不具有突出的实质性特点，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
2-4、权利要求5-14直接或间接引用了权利要求4。
对于权利要求5，对比文件1还公开了（参见说明书第6页第2段至第8页第3段、附图3A- 3D）：形成上介电层321于衬底300上，且该上介电层321具有该第一插塞335，其中该第一插塞335连接源/漏极315；形成下介电层339于该上介电层321上；图案化该下介电层339，以形成该开口357于该下介电层339中并暴露出该第一插塞335。因此，从属权利要求5的附加技术特征也已经被对比文件1公开。
对于权利要求6-10，对比文件2公开了（参见说明书第14页第1段）：金属导体14的蚀刻具有如同预清洗步骤之好处，可用以去除此处任何自然形成的氧化物，第一溅镀制作工艺包含一氩气溅镀制作工艺，通过包含氩气的溅镀制作工艺移除金属导体露出表面的金属氧化层。可见，对比文件2已经给出了通过溅镀制作工艺以移除金属表面的自然氧化层的技术启示。并且本领域公知，金属在表面通常会形成一自然氧化层，在对比文件2给出的上述技术启示下，本领域技术人员为了降低接触电阻，选用与第一溅镀制作工艺相同的同样包含氩气的溅镀制作工艺移除第一插塞的原生金属氧化层是本领域技术人员的常规选择，该选择也没有带来任何预料不到的技术效果。
对于权利要求11，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第2段）：阻障层237、239的材质例如是钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、氮化钨或钛钨合金等。而将双层的阻障层材料选择为钛层以及一氮化钛层是本领域技术人员的常规选择。
对于权利要求12、13，将移除底部阻障层的第一溅镀制作工艺与形成阻障层在不同制作工艺腔体中进行是本领域的技术人员根据实际需要进行的选择，这样的选择和设置也没有带来预料不到的技术效果。
对于权利要求14，对比文件1公开了（参见说明书第8页第4段，附图3E）：在形成该第一介电层321之前，形成一金属栅极313于该基底300上，且接触金属栅极300的一第二插塞360与其他第二插塞一起形成。因此，从属权利要求14的附加技术特征也已经被对比文件1公开。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，从属权利要求5-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）无论是本申请的第一插塞延伸到该盖层中以实现与第二插塞的互连，还是对比文件1的第二插塞235延伸到保护层223中以实现与第一插塞231的互连中，二者的目的都是实现第一插塞与第二插塞的互连，在本领域中均是常见的两种可替换的结构，属于本领域的惯用技术手段。（2）对比文件2明确公开了（参见说明书第14页第1段）：少数氩离子甚至会轻微蚀刻至下方导体特征14暴露出之表面38,导体特征14的蚀刻具有如同预清洗步骤之好处，可用以去除此处任何自然形成的氧化物。因此，复审请求人所陈述的“对比文件2并没有公开这样的第二溅镀制作工艺来移除金属氧化层，对比文件2所描述的溅射工艺是用来移除阻障层”理由不成立。
综上，修改后的权利要求仍不具备创造性。
基于以上事实和理由，合议组现作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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