发明创造名称：半导体结构的形成方法
外观设计名称：
决定号：198690
决定日：2019-12-26
委内编号：1F272721
优先权日：
申请（专利）号：201410182739.9
申请日：2014-04-30
复审请求人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：白燕
合议组组长：赵致民
参审员：刘婧
国际分类号：H01L21/336,H01L29/78,H01L29/06
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征是其他对比文件结合本领域的公知常识容易得到的，则该项权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410182739.9，名称为“半导体结构的形成方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，申请日为2014年04月30日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局实质部门于2018年10月31日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为: 申请日2014年04月30日提交的说明书第1-13页、摘要附图、说明书附图第1-5页、说明书摘要；2018年07月03日提交的权利要求第1-17项 。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底内具有若干沟槽，相邻沟槽之间的衬底形成鳍部，所述鳍部的顶部具有掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述沟槽底部的衬底内注入介质离子；
采用退火工艺使所述介质离子与衬底的材料进行反应，在所述沟槽底部表面形成第一介质层；
在沟槽内的第一介质层表面和掩膜层表面形成填充满沟槽的第二介质膜；
平坦化所述第二介质膜直至暴露出掩膜层为止，在所述沟槽底部的第一介质层表面形成第二介质层；
回刻蚀所述第二介质层，直至所述第二介质层的表面低于鳍部的顶部表面为止。
2. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的参数包括：掺杂离子为氧离子，注入能量为0KeV～20KeV，注入剂量为1E16atom/cm2～1E17atom/cm2，注入角度垂直于衬底表面、为90°，注入深度为0nm～50nm。
3. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数包括：气体氮气、氩气或氦气，温度为1200℃～1400℃，时间为30分钟～120分钟。
4. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质膜的材料为氧化硅，所述第二介质膜的形成工艺为流体化学气相沉积工艺。
5. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在回刻蚀所述第二介质层之前，去除所述掩膜层。
6. 如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层的工艺为湿法刻蚀工艺，刻蚀液为氢氟酸溶液和磷酸溶液，所述氢氟酸溶液中，水和氢氟酸的体积比为50:1～100:1，氢氟酸的浓度小于49％，所述磷酸溶液的质量百分比浓度为85％。
7. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二介质膜之前，在所述沟槽的侧壁表面、沟槽底部的第一介质层表面、以及掩膜层表面形成衬垫层，所述第二介质膜形成于所述衬垫层表面。
8. 如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫层的材料为氧化硅，所述衬垫层的形成工艺为现场蒸气生成退火工艺。
9. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回刻蚀工艺为远端等离子体化学干法刻蚀工艺，包括：刻蚀气体包括NF3和NH3，NF3与NH3的流量比为1:20～5:1，刻蚀温度为40摄氏度～80摄氏度，压强为0.5托～50托，功率小于100瓦，频率小于100千赫兹。
10. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括氮化硅层。
11. 如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层还包括位于所述氮化硅层和鳍部表面之间的氧化硅层。
12. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的形成工艺包括：在衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖了需要形成鳍部的衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在衬底内形成沟槽。
13. 如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的形成工艺为多重图形化掩膜工艺。
14. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的数量大于或等于2个，所述沟槽的深度为90纳米～130纳米。
15. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为100埃～1000埃，所述第二介质层的厚度为2500埃～5000埃。
16. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在第二介质层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成横跨于所述鳍部的栅极结构。
17. 如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于第二介质层表面、以及鳍部的侧壁和底部表面的栅介质层，位于栅介质层表面的栅极层，以及位于栅极层和栅介质层侧壁表面的侧墙。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件2：CN103050530A，公开日为：2013年04月17日；
对比文件3：US2002/0037627A1，公开日为：2002年03月28日。
驳回理由为：权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：在形成鳍部之后、形成第二介质膜之前，以掩膜层为掩膜采用离子注入工艺在沟槽底部的衬底内注入介质离子并采用退火工艺使介质离子与衬底的材料进行反应以在沟槽底部表面形成第一介质层；第二介质膜还形成在沟槽内的第一介质层表面，平坦化第二介质膜至暴露出掩膜层为止，且第二介质层形成在沟槽底部的第一介质层表面。上述区别技术特征是本领域技术人员能够在对比文件3给出的启示下结合本领域的常用技术手段得到，因此，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-17的附加技术特征或被对比文件2、3披露，或是在对比文件2、3公开的基础上可以得到，或属于本领域的惯用手段，因此，从属权利要求2-17不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月30日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件2、3中均未记载沟槽深度较大会导致形成的第二介质层内部具有空隙的问题，影响相邻鳍部之间隔离结构的性能。并且，也没有其他对比文件能够证明本申请实际解决的技术问题为本领域中普遍存在的技术问题。本领域技术人员在对比文件2及对比文件3的教导下，不会想到解决“如何避免引沟槽深度较大导致形成的第二介质层内部具有空隙”这一技术问题，故在设置第一介质层及第二介质层的工艺顺序时，无法毫无疑义地将注入介质离子并采用退火工艺形成第一介质层设置在形成鳍部之后，形成第二介质膜之前。因此，权利要求1-17具有创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为本申请不具备创造性，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月25日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件3与本申请都是解决隔离效果不好的技术问题。而且，浅沟槽隔离的深宽比加大，介质层不容易填满，会造成空隙属于本领域的公知常识（例如：工具书“硅微机械传感器技术[M]”，郑志霞，第35-36页，杭州：浙江大学出版社，2012年12月，已经明确记载了“高深宽比的间隙使得难以沉积形成厚度均匀的膜，以及会产生夹断和空洞，所以填充沉积工艺显得至关重要”），因此浅沟槽隔离的深宽比加大，介质层不容易填满，会造成空隙是本领域普遍存在的技术问题。对比文件3给出了相应的解决方案，即填充介质材料112之前，先在沟槽106底部的衬底102内注入离子108形成掺杂区110；其中掺杂区110和介质材料112共同构成了隔离结构，对比文件2在多鳍之间的浅沟槽填充介质层，也就存在与本申请和对比文件3相同的在沟槽中填充介质层的孔洞问题，为了更好的起到沟槽的隔离效果，将对比文件3的启示运用到对比文件2中对本领域技术人员是显而易见的。
复审请求人于2019年07月31日提交了意见陈述书和新修改的权利要求1-15，将原权利要求17作为新权利要求1，并删除原权利要求1、16。复审请求人认为：在对比文件2中，介电层（相当于栅介质层）虽然形成于绝缘材料上，但信号金属（相当于栅极层）并非直接形成于介电层表面上，信号金属与介电层之间，还存在应变材料。在本申请中，栅极层直接位于栅介质层表面，由此与对比文件2公开的信号金属的位置不同。对比文件3中的浅沟槽隔离结构，是通过在硅衬底上进行蚀刻得到的，用于隔离相邻晶体管（参照说明书第0051段），而并非用于隔离相邻鳍部。因此，对比文件3中的浅沟槽隔离结构与栅极结构位置并不会发生重叠，自然该浅沟槽隔离结构也就无法减小栅极结构与衬底之间的漏电流。而本申请中的第一介质层及第二介质层构成的浅沟槽隔离结构，用于减小栅极结构与衬底之间的漏电流，这与对比文件3中浅沟槽隔离结构的作用明显不同。并且，本领域技术人员可知的是，对比文件3中，在硅衬底上形成浅沟槽隔离结构后，栅极结构应仅形成于被分隔的硅衬底上，并不会覆盖沟槽隔离结构，故对比文件3中的方案，不会存在浅沟槽隔离结构被击穿的问题。对比文件3中未给出解决“如何减小栅极结构与衬底之间的漏电流”这一技术问题的教导。因此，新修改的权利要求具备创造性。
新修改的权利要求1的内容如下：
“1. 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底内具有若干沟槽，相邻沟槽之间的衬底形成鳍部，所述鳍部的顶部具有掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜，采用离子注入工艺在所述沟槽底部的衬底内注入介质离子；
采用退火工艺使所述介质离子与衬底的材料进行反应，在所述沟槽底部表面形成第一介质层；
在沟槽内的第一介质层表面和掩膜层表面形成填充满沟槽的第二介质膜；
平坦化所述第二介质膜直至暴露出掩膜层为止，在所述沟槽底部的第一介质层表面形成第二介质层；
回刻蚀所述第二介质层，直至所述第二介质层的表面低于鳍部的顶部表面为止；
在第二介质层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成横跨于所述鳍部的栅极结构；所述栅极结构包括：位于第二介质层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面的栅介质层，直接位于栅介质层表面的栅极层，以及位于栅极层和栅介质层侧壁表面的侧墙。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年07月31日提交了新修改的权利要求第1-15项，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于申请日2014年04月30日提交的说明书第1-13页、摘要附图、说明书附图第1-5页、说明书摘要；2019年07月31日提交的权利要求第1-15项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征是其他对比文件结合本领域的公知常识容易得到，则该项权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用与驳回决定及复审通知书中相同的对比文件，即：
对比文件2：CN103050530A，公开日为：2013年04月17日；
对比文件3：US2002/0037627A1，公开日为：2002年03月28日。
（一）、权利要求1-15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种半导体结构的形成方法，对比文件2公开了一种半导体结构的形成方法，其具体公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：
提供衬底210，所述衬底210内具有若干沟槽，相邻沟槽之间的衬底210形成鳍部（218a、218b和218c），所述鳍部的顶部具有介电层212和掩模层214（其中介电层212和掩模层214共同相当于本申请中的掩膜层，简称掩膜层）；
在沟槽内和掩膜层表面形成填充满沟槽的绝缘材料220（相当于第二介质膜）；
平坦化所述绝缘材料220直至暴露出鳍部的顶部为止（此处的绝缘材料220相当于本申请中的第二介质层，简称第二介质层）；
回刻蚀所述第二介质层，直至所述第二介质层的表面低于鳍部的顶部表面为止（见附图6）；
在第二介质层表面以及鳍部侧壁和顶部表面形成横跨于所述鳍部的栅极结构，
所述栅极结构包括：位于第二介质层表面以及鳍部的侧壁和顶部表面的介电层222（相当于栅介质层），位于介电层222表面的信号金属228（相当于栅极层）。
该权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征是：在形成鳍部之后、形成第二介质膜之前，以掩膜层为掩膜采用离子注入工艺在沟槽底部的衬底内注入介质离子并采用退火工艺使介质离子与衬底的材料进行反应以在沟槽底部表面形成第一介质层；第二介质膜形成在沟槽内的第一介质层表面，平坦化第二介质膜至暴露出掩膜层为止，第二介质层形成在沟槽底部的第一介质层表面，栅极层直接位于栅介质层的表面，还有位于栅极层和栅介质层侧壁表面的侧墙。基于该区别技术特征确定本申请实际解决的技术问题是：避免沟槽深度较大导致形成的第二介质层内部具有空隙，以改善隔离性能，进而改善漏电；形成何种栅极结构。
对比文件3公开了一种半导体结构的形成方法，其具体公开了如下技术特征（见说明书第0001-0041段及附图1-4）：由于器件尺寸的缩小，浅沟槽隔离中介质层的填充效果影响了器件的隔离性能，因此，采用了如下技术方案提高填充效果，提高器件的隔离性能，即提供衬底102；在所述衬底102表面形成图形化的掩膜层104；以掩膜层104为掩膜在衬底内形成沟槽106；以所述掩膜层104为掩膜，采用离子注入工艺在所述沟槽106底部的衬底102内注入离子108形成掺杂区110，所述离子108 可以为但不限于碳、氮或氧离子（相当于公开了介质离子）；在沟槽106内填充介质材料112（相当于第二介质层）；退火激活掺杂区110中的离子108（相当于公开了采用退火工艺使所述离子108与衬底102的材料进行反应，在沟槽底部表面形成第一介质层）；其中，掺杂区110充当了沟槽隔离结构的延伸部分。上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决技术问题所起的作用相同，均是沟槽深宽比大带来的绝缘材料填充效果不好从而导致器件隔离性能的技术问题，并且采用了相同的手段，通过离子注入退火形成第一介质层，在此之上在进行第二次绝缘层的填充，从而改善隔离性能，改善漏电。
在此基础上，本领域技术人员有动机将对比文件3中的沟槽隔离结构设置运用于对比文件2中，以改善其隔离性能；进一步，具体将注入介质离子并采用退火工艺形成第一介质层设置在形成鳍部之后、形成第二介质膜之前，是本领域的常规技术选择；且平坦化第二介质膜直至暴露出掩膜层为止，第二介质膜还形成在沟槽内的第一介质层表面，第二介质层形成在沟槽底部的第一介质层表面，是本领域的常规技术手段，将栅极直接形成在栅介质层表面，设置栅极结构还包括位于栅极层和栅介质层侧壁表面的侧墙，是本领域的常规技术手段。
由此可知，在对比文件2的基础上结合对比文件3以及本领域公知常识得到该权利要求所请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2对权利要求1作了进一步限定，对比文件3还公开了如下技术特征（见说明书第0001-0041段及附图1-4）：离子108可以为氧离子，注入剂量为1.0E14-5.0E16 atoms/cm2，注入能量5-200 keV，注入角度垂直于衬底102表面，为90度。
对本领域技术人员来说，根据实际需要具体设置合适的注入深度，以得到所需厚度的介质层，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3对权利要求1作了进一步限定，对本领域技术人员来说，根据注入离子的种类、剂量等具体选择合适的退火工艺气体、退火温度和时间，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4对权利要求1作了进一步限定，对比文件2还公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：绝缘材料220（相当于第二介质膜）可以为氧化硅。
对本领域技术人员来说，具体选择流体化学气相沉积工艺来形成第二介质膜，是本领域的常用技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5、权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5对权利要求1作了进一步限定，对比文件2还公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：在回刻蚀第二介质层之前，去除所述掩模层214和介电层212。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6、权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6对权利要求4作了进一步限定，对本领域技术人员来说，具体选择采用湿法刻蚀去除掩膜层，并根据掩膜层的材料等具体选择氢氟酸溶液和磷酸溶液为刻蚀液，且选择合适的氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比、氢氟酸的浓度、磷酸溶液的质量百分比浓度，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-7、权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7对权利要求1作了进一步限定，对比文件2还公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：可以生长任选的热氧化物沟槽衬垫以改善沟槽界面（相当于公开了在形成第二介质膜之前，在沟槽的侧壁表面、形成衬垫层，所述第二介质膜形成于衬垫层表面）。
对本领域技术人员来说，具体设置在形成第二介质膜之前，还在沟槽底部的第一介质层表面、以及掩膜层表面形成衬垫层，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-8、权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8对权利要求7作了进一步限定，对比文件2还公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：可以生长任选的热氧化物沟槽衬垫以改善沟槽界面，衬底210为体硅衬底（相当于公开了衬垫层的材料为氧化硅）。
对本领域技术人员来说，具体采用现场蒸气生成退火工艺来形成衬垫层，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-9、权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9对权利要求1作了进一步限定，对本领域技术人员来说，具体采用远端等离子体化学干法刻蚀工艺来进行回刻蚀第二介质层，根据第二介质层的材料等具体选择包括NF3和NH3的刻蚀气体，并设置NF3与NH3的流量比、刻蚀温度、压强、功率、和频率为一合适的范围，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-10、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10对权利要求1作了进一步限定，对比文件2公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：所述掩模层214包括氮化硅。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-11、权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11对权利要求10作了进一步限定，对比文件2公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：介电层212包括氧化硅，其中介电层212位于掩模层214和鳍部表面之间。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-12、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12对权利要求1作了进一步限定，对比文件2公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：在衬底210表面形成介电层212和掩膜层214（其中介电层212和掩膜层214共同相当于掩膜层，简称掩膜层），所述掩膜层覆盖了需要形成鳍部的衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底210，在衬底210内形成沟槽。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-13、权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13对权利要求12作了进一步限定，对本领域技术人员来说，根据实际需要具体选择多重图形化掩膜工艺来形成掩膜层，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-14、权利要求14不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14对权利要求1作了进一步限定，对比文件2公开了如下技术特征（见说明书第0001-0063段及附图1-12）：沟槽的数量大于2个。
对本领域技术人员来说，根据实际需要具体设置沟槽的深度为一合适值，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-15、权利要求15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15对权利要求1作了进一步限定，对比文件3公开了如下技术特征（见说明书第0001-0041段及附图1-4）：掺杂区110的厚度为200-300埃。
在此基础上，对本领域技术人员来说，合理选择第二介质层的厚度，以便后续的刻蚀，是本领域的常规技术手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求所请求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（二）、针对复审请求人的意见答复
对于复审请求人答复复审通知书时陈述的意见，合议组认为：首先，对比文件2中信号金属层与介电层之间，还存在应变材料，该应变材料是为了解决应变及其他问题设置的，并非在信号金属层与介电层之间一定要设置应变材料，当不需要解决应变问题时，将栅极层直接设置在栅极介电层上是本领域的常用技术手段，并不需要付出创造性劳动，其效果也是本领域技术人员可以预期的；其次，对比文件3是为了解决小尺寸浅沟槽隔离中介质层的填充带来的器件隔离效果的问题，本申请也是为了解决在多鳍之间的浅沟槽中填充介质层隔离效果不好，带来的漏电流问题，具体来说就是如何减小栅极结构与衬底之间的漏电流，都是由于沟槽填充不好造成空隙引起的，因此，属于相同的技术问题。而且，浅沟槽隔离的深宽比加大，介质层不容易填满，会造成空隙属于本领域的公知常识（例如：工具书“硅微机械传感器”，郑志霞，第35-36页，杭州：浙江大学出版社，2012年12月，已经明确记载了“高深宽比的间隙使得难以沉积形成厚度均匀的膜，以及会产生夹断和空洞，所以填充沉积工艺显得至关重要”），因此浅沟槽隔离的深宽比加大，介质层不容易填满，会造成空隙是本领域普遍存在的技术问题。对比文件3给出了相应的解决方案，即填充介质材料112之前，先在沟槽106底部的衬底102内注入离子108形成掺杂区110；其中掺杂区110和介质材料112共同构成了隔离结构，对比文件2在多鳍之间的浅沟槽填充介质层，也就存在与本申请和对比文件3相同的在沟槽中填充介质层的孔洞问题，为了更好的起到沟槽的隔离效果，将对比文件3的启示运用到对比文件2中以减小栅极结构与衬底之间的漏电流对本领域技术人员而言是显而易见的。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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