发明创造名称：集成电路布局以及具有双重图案的方法
外观设计名称：
决定号：198601
决定日：2019-12-26
委内编号：1F274513
优先权日：2013-08-20
申请（专利）号：201310601880.3
申请日：2013-11-22
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吴海涛
合议组组长：宋霖
参审员：田书凤
国际分类号：H01L21/02,H01L21/027,G03F7/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分在另外的对比文件中公开、另一部分属于本领域的公知常识，进而得出该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于现有技术不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310601880.3，发明名称为“集成电路布局以及具有双重图案的方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为台湾积体电路制造股份有限公司，申请日为2013年11月22日，优先权日为2013年08月20日，公开日为2015年03月18日。经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月08日发出驳回决定，以权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，具体理由为：（1）独立权利要求1与对比文件1（CN101490807A，公开日为2009年07月22日）存在的区别技术特征，在对比文件2（US2007/0249170A1，公开日为2007年10月25日）和对比文件3（US2012/0235247A1，公开日为2012年09月20日）中公开，因此独立权利要求1的技术方案不具备创造性。独立权利要求13与对比文件1的区别技术特征在对比文件3中公开；独立权利要求18与对比文件1的区别技术特征，一部分在对比文件3中公开、另一部分属于本领域技术人员的惯用技术手段，因此独立权利要求13、18的技术方案不具备创造性。（2）从属权利要求2-12、14-17、19的附加技术特征或者在对比文件1、对比文件2中公开，或者属于本领域的公知常识，因此从属权利要求2-12、14-17、19在其所引用的权利要求不具备创造性时，也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2013年11月22日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-136段，2018年06月22日提交的权利要求第1-19项、说明书附图图1-41。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种用于集成电路(IC)的方法，包括：
通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；
在所述心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；
去除所述心轴图案；
在所述第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；
去除所述第一间隔件图案；
通过第二光刻工艺在所述第二间隔件图案上形成不规则的切割图案；
去除所述不规则的切割图案的开口内的所述第二间隔件图案的部分；以及
将剩余的所述第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以形成沟槽图案，并且所述沟槽图案包括具有可变且非周期性节距的多个岛状部件。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中：
所述心轴图案包括多个第一部件，所述多个第一部件具有第一宽度L并且以第一间距S间隔开；
所述第一间隔件图案包括多个第二部件，每个所述第二部件均具有第二宽度b；
所述第二间隔件图案包括多个第三部件，每个所述第三部件均具有第三宽度c；以及
所述可变且非周期性节距由参数L、S、b和c共同确定。
3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述沟槽图案中的所述多个岛状部件包括彼此不同的第一节距P1和第二节距P2。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中：
P1等于b和c的和；以及
P2等于L-c。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中，所述可变且非周期性节距由参数L、S、b和c共同确定包括：
根据P2＝L-c确定L和c；以及
根据P1＝b c确定b。
6. 根据权利要求5所述的方法，还包括：根据S＝L-2c确定S。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述岛状部件还包括第三节距P3，并且根据S＝P3-c来确定第一间距S。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述心轴图案的形成包括：
在所述衬底上沉积心轴材料层；以及
通过进一步包括以下步骤的工序来图案化所述心轴材料层：
在所述心轴材料层上涂布光刻胶层；
使用限定具有所述第一间距S和所述第一宽度L的所述心轴图案的掩模对所述光刻胶层执行曝光工艺；
显影所述光刻胶层以形成具有开口的光刻胶图案；以及
穿过所述光刻胶图案的开口蚀刻所述心轴材料层，从而形成所述心轴图案。
9. 根据权利要求5所述的方法，其中，在所述心轴图案的侧壁上形成所述第一间隔件图案包括：
在所述衬底和所述心轴图案上沉积具有等于b的第一厚度的第一间隔件材料层；以及
对所述第一间隔件材料层执行第一各向异性蚀刻，从而形成所述第一间隔件图案。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一间隔件图案的侧壁上形成所述第二间隔件图案包括：
在所述衬底和所述第一间隔件图案上沉积具有等于c的第二厚度的第二间隔件材料层；以及
对所述第二间隔件材料层执行第二各向异性蚀刻，从而形成所述第二间隔件图案。
11. 根据权利要求2所述的方法，其中，
所述心轴图案中的所述第一部件包括第一间距S1和大于S1的第二间距S2；以及
将所述第二宽度b确定为小于S2/2并且至少等于S1/2，从而使得具有所述第一间距的邻近的两个所述第二部件合并在一起。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，去除所述不规则的切割图案的开口内的所述第二间隔件图案的部分包括去除邻近的两个所述第二部件。
13. 一种用于集成电路(IC)的方法，包括：
接收具有多个部件的集成电路布局；
确定所述多个部件中的可变且非周期性的节距；
基于所述部件中的所述可变且非周期性的节距来确定与心轴图案和不规则的切割图案相关的掩模参数和工艺参数；以及
根据所述掩模参数来制造掩模。
14. 根据权利要求13所述的方法，还包括：根据所述工艺参数并且使用所述掩模来制造晶圆。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中：
所述掩模参数包括在所述部件中限定的宽度L和间距S；以及
所述工艺参数包括将要沉积在所述晶圆上的第一间隔件材料层的第一厚度b以及将要沉积在所述晶圆上的第二间隔件材料层的第二厚度c。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述晶圆的制造包括：
沉积具有所述第一厚度b的所述第一间隔件材料层；以及
对所述第一间隔件材料层进行第一各向异性蚀刻，从而形成第一间隔件图案。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述晶圆的制造包括：
沉积具有所述第二厚度c的所述第二间隔件材料层；以及
对所述第二间隔件材料层进行第二各向异性蚀刻，从而形成第二间隔件图案。
18. 一种用于集成电路(IC)的方法，包括：
接收具有多个部件的集成电路布局，所述多个部件具有彼此不同且非周期性的第一节距P1和第二节距P2；
根据P2＝L-c确定第一工艺参数c，其中L为所述部件的第一宽度；以 及
根据P1＝b c确定第二工艺参数b。
19. 根据权利要求18所述的方法，还包括：制造晶圆，所述晶圆的制造进一步包括：
根据所述集成电路布局在所述晶圆上形成心轴图案；
沉积具有第一厚度b的第一间隔件材料层；
执行第一各向异性蚀刻以在所述心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；
去除所述心轴图案；
沉积具有第二厚度c的第二间隔件材料层；
执行第二各向异性蚀刻以在所述第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；
去除所述第一间隔件图案；以及
将所述第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻所述晶圆。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月20日向国家知识产权局提交了复审请求和经修改的权利要求书（共有19项权利要求）。其修改为：在独立权利要求1、13中增加了“其中，所述不规则的切割图案具有不同宽度的多个开口”，并将权利要求1、12的“开口”修改为“所述多个开口”。复审请求人认为：（1）对比文件1未公开形成“不规则的切割图案”及“沟槽图案包括具有可变且非周期节距的多个岛状部件”等技术特征。（2）对比文件1为了提高半导体制造的特征密度而采用胶体间隔无沉积的间隔减小技术，与本申请为了形成具有多个节距的非周期（不规则）结构的图案，两者的目的不同。（3）对比文件2的掩蔽部分670并非是不规则图案，且相邻的掩蔽部分之间的开口603也是相同的，没有给出相应的启示。（4）在对比文件1给出的反向教导下，本领域技术人员没有动机从对比文件3中得到结合启示，而且上述区别技术特征也不是公知常识。复审请求人于2019年02月20日提交复审请求时修改的权利要求1、12-13的内容如下：
“1. 一种用于集成电路(IC)的方法，包括：
通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；
在所述心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；
去除所述心轴图案；
在所述第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；
去除所述第一间隔件图案；
通过第二光刻工艺在所述第二间隔件图案上形成不规则的切割图案，其中，所述不规则的切割图案具有不同宽度的多个开口；
去除所述不规则的切割图案的所述多个开口内的所述第二间隔件图案的部分；以及
将剩余的所述第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以形成沟槽图案，并且所述沟槽图案包括具有可变且非周期性节距的多个岛状部件。”
“12. 根据权利要求11所述的方法，其中，去除所述不规则的切割图案的所述多个开口内的所述第二间隔件图案的部分包括去除邻近的两个所述第二部件。
13. 一种用于集成电路(IC)的方法，包括：
接收具有多个部件的集成电路布局；
确定所述多个部件中的可变且非周期性的节距；
基于所述部件中的所述可变且非周期性的节距来确定与心轴图案和不规则的切割图案相关的掩模参数和工艺参数，其中，所述不规则的切割图案具有不同宽度的多个开口；以及
根据所述掩模参数来制造掩模。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1公开了为了提高半导体制造的特征密度而采用交替间隔无沉积的间距减小技术，且其并未明示节距必须是相等的（或不可以不规则的），也就是说，对比文件1中并未给出反向教导。（2）对比文件2附图6A-6K公开了用阻挡掩膜670辅助图案化开口的技术方案，如在开口603内去除其中的间隔壁660，即形成了相邻间隙壁662之间的间距与开口603两侧的间隙显然是不同的，也就是说给出了通过掩蔽层形成不规则切割图案的技术启示。（3）对比文件3附图10及相应文字部分客观上明确给出了“左侧的两个Fin结构1001的间距与右侧Fin结构1001/1002、及1002/1002间距不同”，即节距是可变的，其实质上也是一种FinFET结构制造过程中形成区域内间距的可变，也即非周期（不规则）。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）独立权利要求1、13与对比文件1存在的区别技术特征，一部分在对比文件2和对比文件3中公开、另一部分属于本领域技术人员的惯用手段，因此独立权利要求1、13的技术方案不具备创造性。独立权利要求18与对比文件1的区别技术特征，一部分在对比文件3中公开、另一部分属于本领域技术人员的惯用手段，因此独立权利要求18的技术方案不具备创造性。（2）从属权利要求2-12、14-17、19的附加技术特征或者在对比文件1、对比文件2中公开，或者属于本领域的常规选择、或为根据实际需要设定、或为惯用手段，因此从属权利要求2-12、14-17、19在其所引用的权利要求不具备创造性时，也不具备创造性。
复审请求人于2019年09月09日提交了意见陈述书和经修改的权利要求书（共有18项权利要求），其修改为在独立权利要求1、13、18中增加了关于第三部件的限定，在独立权利要求13中增加了掩模的制造步骤，将从属权利要求19的附加技术特征增加到独立权利要求18中，并在权利要求18中增加了去除部分第二间隔件图案并将其用作蚀刻掩模的相关步骤。并陈述意见认为：本申请权利要求中记载的是，去除第二间隔图案的外边缘内的开口对应的第三部件，保留形成第二间隔图案的外边缘的第三部件。对比文件1、3中没有公开上述特征；对比文件2是为了消除间隔层660边缘和中心的不均匀性，进而消除涉及图案均匀性的缺陷，利用阻挡掩模670去除了间隔层660的外边缘，因此对比文件2没有公开也不可能教导上述技术特征。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年09月09日提交了意见陈述书和经修改的权利要求书，经审查上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本复审请求审查决定依据的文本为：申请日2013年11月22日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-136段，2018年06月22日提交说明书附图图1-41，2019年09月09日提交的权利要求第1-18项。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分在另外的对比文件中公开、另一部分属于本领域的公知常识，进而得出该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于现有技术不具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN101490807A，公开日为2009年07月22日；
对比文件2：US2007/0249170A1，公开日为2007年10月25日；
对比文件3：US2012/0235247A1，公开日为2012年09月20日。
2-1、独立权利要求1的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求1要求保护一种用于集成电路的方法，对比文件1（参见权利要求1，说明书第1页第1段、第3页第2段-第5页第5段、第9页第5段，附图7-15）公开了一种在半导体装置制作期间使用的方法：通过使用各种保形层及选择性蚀刻借助光刻掩模在起始特征密度下形成特征，并形成第一密度的n倍的最终密度的方法，包括通过蚀刻工艺在衬底72上形成分区段的光致抗蚀剂特征70（即心轴图案）；如图10，在上述光致抗蚀剂特征70的侧壁上蚀刻形成第一间隔物90’（即第一间隔件图案）；如图11，移除所述光致抗蚀剂特征70；如图12-13，在所述第一间隔物90’的侧壁上形成第二间隔物120’（即第二间隔件图案）；如图14，去除所述第一间隔物90’；如图15，将剩余的第二间隔物120’用作图案来蚀刻衬底72以形成特征。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：通过第二光刻工艺在第二间隔件图案上形成不规则的切割图案，以至少覆盖形成所述第二间隔件图案的外边缘的第三部件，不规则的切割图案在所述外边缘包围的区域内具有不同宽度的多个开口，去除不规则切割图案的多个开口内的第二间隔件图案的部分，其中剩余的所述第二间隔件图案至少包括形成所述第二间隔件图案的外边缘的第三部件；将所述剩余的第二件隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底，以形成沟槽图案，且沟槽图案包括具有可变且非周期性节距的多个岛状部件。基于上述区别技术特征，该权利要求实际要解决的技术问题是：根据实际工艺需要通过掩膜光刻工艺去除不需要的间隔件图案，以便利用剩余的间隔件在衬底中刻蚀以形成不同节距（不规则）或节距可变（非周期）岛状部件。
对比文件3（参见说明书第[0020]-[0029]段，附图1-10）公开了一种具有不同沟道厚度的鳍型场效应晶体管（FinFET），包括：在衬底201上依次形成BOX层202、SOI层203、氧化层204，在氧化层204上形成芯轴301，在其两侧形成厚度不同的间隙壁601、801，去除芯轴301，利用所述间隙壁601、801为掩膜进行蚀刻，蚀刻到BOX层202为止，以形成不同沟道宽度的Fin结构（即岛状部件）；如附图10所示，左侧的两个Fin结构1001的间距与右侧Fin结构1001/1002、及1002/1002间距是三个宽度不同的间距（即可变非周期性的节距）。
对比文件2（参见说明书第[0029]-[0033]、[0041]-[0059]段，附图4E-4H、6A-6K）公开了一种形成集成电路图案的方法：包括在衬底610上依次形成目标层620、第一硬掩模层630，在第一硬掩模层630上形成包括多个间隔件662的（即第三部件）间隔壁660（即第二间隔件），在间隔壁660上形成阻挡掩膜670，覆盖部分间隔件662的间隔壁660；如图6G-6H所示，阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）经图案化形成有对应于块矩阵区域的开口603以及对应于外围区域602的剩余的阻挡掩膜670，去除开口603内的间隔壁660。
本领域技术人员为了利用对比文件1的方法进行不同沟道宽度的Fin结构的生产，从而可以获得兼顾提高特征密度和不同沟道宽度的效果，本领域技术人员可以将对比文件2中所公开的这种加工方法，用于对比文件1的生产，将对比文件2中的利用阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）覆盖对比文件1中的如附图15所示的第二间隔物120’，并在对应于对比文件3中的三个宽度不同的间距位置（即开口）处空出相应的第二间隔物120’，将这些第二间隔物120’去除，即可获得兼顾提高特征密度和不同沟槽宽度的Fin结构，并且上述对比文件2、3所公开的技术特征，与上述区别技术特征所起的作用相同，都是为了蚀刻去除部分间隔壁、而保留部分间隔壁，以便利用剩余的不规则的间隙壁进行后续衬底图案化工艺。而且本领域技术人员可以根据需要适当保留衬底上不需要被蚀刻的部分，即可获得“沟槽图案”，上述做法属于本领域的惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3及本领域的惯用手段，即可得出权利要求1所要求保护的技术方案，这对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2、从属权利要求2-12的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于从属权利要求2-7，对比文件1公开了每个光致抗蚀剂特征70的宽度为l-X（即第一宽度L）、间距为l X（即第一间距S）；第一间隔物90’具有厚度a（即第二宽度b）；第二间隔物120’具有厚度a（即第三宽度c）；间距为l-X；蚀刻衬底得到的距离122等于l-X-2a（m-l）、距离124等于l X-2am，即上述节距可用符号l、X、a、m来共同确定。此外，对比文件1说明书最后1段还公开了较厚的第一间隔物可与较薄的第二间隔物一起使用，在选择性地移除第一间隔物之后，形成间距宽松的最终图案，由此可以认为对比文件1中存在技术启示，可以使沟槽图案的岛状部件包括不同间距的参数，是本领域技术人员可根据实际需要而进行设定的。
对于从属权利要求8，对比文件1公开了在衬底72上形成光致抗蚀剂特征70（即心轴图案），光致抗蚀剂70本身也是掩膜材料（即心轴材料层104），光致抗蚀剂特征70的宽度为l-X（即第一宽度）、间距为l X（即第一间距）。而且对光致抗蚀剂特征70（即心轴图案）进行曝光、显影、蚀刻的工序，是本领域对光刻胶或光致抗蚀剂进行光刻从而形成光刻图形的惯用手段。
对于从属权利要求9、10，对比文件1附图8-13公开了在光致抗蚀剂特征70（即心轴图案）上方沉积第一间隔物层90，厚度为原始图案70的0.25倍（即第一厚度），对第一间隔物层90进行刻蚀形成间隔物90’（即第一间隔件图案）；在衬底72和第一间隔物90’图案上沉积第二间隔物层120，其目标厚度也为原始未经修整光致抗蚀剂特征的厚度的0.25倍（即第二厚度），执行各向异性蚀刻以形成图13的具有第二间隔物120’（即第二间隔件图案）的结构。
对于从属权利要求11，对于第一间距S1、第二间距S2、第二宽度b等结构参数之间的关系，本领域技术人员根据实际需要而进行设定，这属于本领域的惯用手段。
对于从属权利要求12，对比文件3公开了：如附图10所示，左侧的两个Fin结构1001的间距与右侧Fin结构1001/1002、及1002/1002间距是三个宽度不同的间距。而且对比文件2公开了：如图6G-6H所示，阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）经图案化形成有对应于块矩阵区域的开口603以及对应于外围区域602的剩余的阻挡掩膜670，去除开口603内的间隔壁660。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求2-12也不具备创造性。
3、独立权利要求13的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13要求保护一种用于集成电路的方法。对比文件1（参见权利要求1，说明书第1页第1段、第3页第2段-第5页第5段、第9页第5段，附图7-15）公开了一种在半导体装置制作期间使用的方法：通过使用各种保形层及选择性蚀刻借助光刻掩模在起始特征密度下形成特征，并形成第一密度的n倍的最终密度的方法，其工艺及结构可用于存储器集成电路，某些实施例中的间隔物厚度均等于目标CD，线与间距具有相等宽度；此外，还披露了可形成间距宽松的最终图案（即接受集成电路布局，确定多个部件中的节距）；所述两种类型的间隔物材料的间隔物的厚度可是不同的，因而可形成具有各种占空系数的最终图案。其掩模的制造工艺包括：通过蚀刻工艺在衬底72上形成分区段的光致抗蚀剂特征70（即心轴图案）；如图10，在上述光致抗蚀剂特征70的侧壁上蚀刻形成第一间隔物90’（即第一间隔件图案）；如图11，移除所述光致抗蚀剂特征70；如图12-13，在所述第一间隔物90’的侧壁上形成第二间隔物120’（即第二间隔件图案）；如图14，去除所述第一间隔物90’；如图15，将剩余的第二间隔物120’用作图案来蚀刻衬底72以形成特征。
权利要求13与对比文件1的区别技术特征在于：部件的节距是可变且非周期性的节距；基于所述部件中的所述可变非周期性的节距来确定与心轴图案和不规则的切割图案相关的掩模参数和工艺参数，其中不规则的切割图案具有不同宽度的多个开口，根据掩模参数来制造掩模；在第二间隔件图案上形成不规则的切割图案，以至少覆盖形成所述第二间隔件图案的外边缘的第三部件，不规则的切割图案在所述外边缘包围的区域内具有不同宽度的多个开口，去除不规则切割图案的多个开口内的第二间隔件图案的部分，其中剩余的所述第二间隔件图案至少包括形成所述第二间隔件图案的外边缘的第三部件。基于上述区别技术特征，权利要求13实际解决的问题是如何根据所要获得的部件可变节距的工艺参数来制造掩模，制造合乎尺寸的掩模来推进集成电路的光刻工艺。
对于上述区别技术特征：对比文件3（参见说明书第[0020]-[0029]段，附图1-10）公开了一种具有不同沟道厚度的鳍型场效应晶体管（FinFET）的制造方法，包括：在衬底201上依次形成BOX层202、SOI层203、氧化层204，在氧化层204上形成芯轴301，在其两侧形成厚度不同的间隙壁601、801，去除芯轴301，利用所述间隙壁601、801为掩膜进行蚀刻，蚀刻到BOX层202为止，以形成不同沟道宽度的Fin结构（即岛状部件）；如附图10所示，左侧的两个Fin结构1001的间距与右侧Fin结构1001/1002、及1002/1002间距是三个宽度不同的间距（即可变非周期性的节距）。
对比文件2（参见说明书第[0029]-[0033]、[0041]-[0059]段，附图4E-4H、6A-6K）公开了一种形成集成电路图案的方法：包括在衬底610上依次形成目标层620、第一硬掩模层630，在第一硬掩模层630上形成包括多个间隔件662的（即第三部件）间隔壁660（即第二间隔件），在间隔壁660上形成阻挡掩膜670，覆盖部分间隔件662的间隔壁660；如图6G-6H所示，阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）经图案化形成有对应于块矩阵区域的开口603以及对应于外围区域602的剩余的阻挡掩膜670，去除开口603内的间隔壁660。
本领域技术人员为了利用对比文件1的方法进行不同沟道宽度的Fin结构的生产，从而可以获得兼顾提高特征密度和不同沟道宽度的效果，本领域技术人员可以将对比文件2中所公开的这种加工方法，用于对比文件1的生产，将对比文件2中的利用阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）覆盖对比文件1中的如附图15所示的第二间隔物120’，并在对应于对比文件3中的三个宽度不同的间距位置（即开口）处空出相应的第二间隔物120’，将这些第二间隔物120’去除，即可获得兼顾提高特征密度和不同沟槽宽度的Fin结构，并且上述对比文件2、3所公开的技术特征，与上述区别技术特征所起的作用相同，都是为了蚀刻去除部分间隔壁、而保留部分间隔壁，以便利用剩余的不规则的间隙壁进行后续衬底图案化工艺。而且本领域技术人员可以根据需要适当保留衬底上不需要被蚀刻的部分，即可获得“沟槽图案”，上述做法属于本领域的惯用手段。
本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和本领域的惯用手段，即可得到权利要求13的技术方案，这对于本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求13所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
4、从属权利要求14-17的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求14，对比文件1公开了：其工艺和结构用于制造晶圆。
对于权利要求15-17，对比文件1还公开了：光致抗蚀剂70的宽度为l-X（即部件宽度L）、间距为l X（即部件间距S）；第一间隔物层90、第二间隔物层120的厚度为原始图案70的0.25倍（即第一厚度b、第二厚度c）并执行各向异性蚀刻以形成间隔物90’、第二间隔物120’的结构（即第一间隔件图案、第二间隔件图案）。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求14-17也不具备创造性。
3、针对复审请求人意见的答复：
合议组认为：对比文件2（参见说明书第[0029]-[0033]、[0041]-[0059]段，附图4E-4H、6A-6K）公开了包括多个间隔件662的（即第三部件）间隔壁660（即第二间隔件），在间隔壁660上形成阻挡掩膜670，覆盖部分间隔件662的间隔壁660；如图6G-6H所示，阻挡掩膜670（即不规则的切割图案）经图案化形成有对应于块矩阵区域的开口603以及对应于外围区域602的剩余的阻挡掩膜670，去除开口603内的间隔壁660。本领域技术人员可以利用对比文件2公开的上述加工的工艺，将其用于对比文件1的第二间隔物120’的加工，并根据需要，去除外边缘内的开口对应的第二间隔物120’，保留外边缘的第二间隔物120’。而且本申请边缘处保留的第三部件，相对于其它位置保留的第三部件，也并未带来任何意料不到的技术效果。
综上所述，合议组对复审请求人的陈述意见不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局原审查部门于2018年11月08日针对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人自收到本决定之日起三个月内可向北京知识产权法院起诉。
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