发明创造名称：阵列基板及其制备方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：198723
决定日：2019-12-25
委内编号：1F273664
优先权日：
申请（专利）号：201510175829.X
申请日：2015-04-14
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 成都京东方光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王晓峰
合议组组长：赵颖
参审员：张健
国际分类号：H01L27/12，H01L27/02，H01L29/40，H01L21/28
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是，部分区别技术特征被另外的对比文件公开，并起到了相同的作用，部分区别技术特征属于本领域的公知常识，即现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的技术启示，在上述对比文件和本领域公知常识相结合的基础上得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510175829.X，名称为“阵列基板及其制备方法、显示装置”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司。本申请的申请日为2015年04月14日，公开日为2015年09月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月15日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是权利要求第1-5、7、8不具备专利法第22条第3款规定的创造性，同时，驳回决定的其它说明部分指出了权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年04月14日提交的说明书第1-84段、说明书附图图1-6、说明书摘要、摘要附图，2018年07月26日提交的权利要求1-8。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括：
薄膜晶体管，包括有源区、源漏极、栅极；
设于所述有源区下方的由导电金属材料构成的遮光结构；
存储电容，包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片；
其特征在于，
所述第一极片与遮光结构同层设置，所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置；
所述遮光结构与第二极片所在层之间设有至少一个减薄绝缘层；
所述第一极片上方的所述减薄绝缘层比遮光结构上方的减薄绝缘层的厚度小；
所述阵列基板包括位于边缘部的栅极驱动电路，所述存储电容为栅极驱动电路中的存储电容。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第二极片与源漏极或栅极同层设置。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容还包括：
通过过孔与第一极片相连的第三极片；所述第二极片设于第一极片与第三极片之间，而所述第二极片和第三极片分别与栅极、源漏极、有源区中不同的两个结构同层设置。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在远离阵列基板的基底的方向上，依次设有遮光结构、缓冲层、有源区、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极；且
所述第二极片与栅极同层设置；
所述第三极片与源漏极同层设置。
5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述减薄绝缘层为覆盖在遮光结构上的缓冲层；
所述有源区设于缓冲层上。
6. 根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述有源区由低温多晶硅构成。
7. 一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。
8. 一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：
通过构图工艺形成包括所述第一极片和遮光结构的图形；
通过构图工艺形成所述第二极片的图形，并同时形成包括有源区、源漏极、栅极中的任意一种的图形。”
驳回决定引用了如下对比文件：
对比文件1：CN104008999A，公开日：2014年08月27日；
对比文件4：CN103268047A，公开日：2013年08月28日。
驳回决定指出：权利要求1请求保护一种阵列基板，其相对于对比文件4的区别技术特征是：所述阵列基板包括位于边缘部的栅极驱动电路，所述存储电容为栅极驱动电路中的存储电容。基于上述区别技术特征，其实际解决的技术问题是：如何提高栅极驱动电路中的存储电容。然而上述区别技术特征是本领域技术人员的常规选择，在对比文件4的基础上结合本领域常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、4、5的附加技术特征被对比文件1公开，权利要求3的附加技术特征被对比文件4公开，因此，权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7请求保护一种显示装置，将阵列基板应用于显示器件中形成相应的显示装置仅涉及本领域技术人员的常规选择，由于权利要求1-5不具备创造性，因此，权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8请求保护一种阵列基板的制造方法，对比文件4进一步公开了阵列基板的制备方法，由于权利要求1-5不具备创造性，因此，权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定的其它说明部分还指出了权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2019年01月25日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了经过修改的权利要求1-5。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，包括：
薄膜晶体管，包括有源区、源漏极、栅极；
设于所述有源区下方的由导电金属材料构成的遮光结构；
存储电容，包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片；
其特征在于，
所述第一极片与遮光结构同层设置，所述第二极片与栅极同层设置；
所述遮光结构与第二极片所在层之间设有至少一个减薄绝缘层；
所述第一极片上方的所述减薄绝缘层比遮光结构上方的减薄绝缘层的厚度小；
所述阵列基板包括位于边缘部的栅极驱动电路，所述存储电容为栅极驱动电路中的存储电容；
在远离阵列基板的基底的方向上，依次设有遮光结构、缓冲层、有源区、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极；
所述存储电容还包括：通过过孔与第一极片相连的第三极片；所述第二极片设于第一极片与第三极片之间，所述第二极片与栅极同层设置，所述第三极片与源漏极同层设置。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述减薄绝缘层为覆盖在遮光结构上的缓冲层；
所述有源区设于缓冲层上。
3. 根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，
所述有源区由低温多晶硅构成。
4. 一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板。
5. 一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括：
通过构图工艺形成包括所述第一极片和遮光结构的图形；
通过构图工艺形成所述第二极片的图形，并同时形成包括栅极的图形。”
复审请求人在意见陈述中认为：（1）对比文件4中存储电容的第二电极与有源层同层设置，存储电容的第三电极与栅极同层设置，两者均与本申请不同，且对比文件4中的第二电极采用半导体材质，其电阻显然较大，对存储电容的性能不利；（2）对比文件1中的存储电容仅涉及两个电极，无法确定其上电极对应于本申请中的哪个电极，因而对比文件1无法给出如何改变对比文件4中某个电极所在层的启示；（3）对比文件4中的第三电极与栅极同层，因而本领域技术人员不可能想到将第二电极设置为与栅极同层，因为将存储电容的两个电极同层设置是不合理的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）本申请的发明构思在于：通过与薄膜晶体管中各导电层同层设置第一极片、第二极片和第三极片，能够在不增加工艺步骤和工艺复杂度的情况下，增加存储电容极片总面积，从而提高电容值，而对比文件4已经公开了与本申请相同的发明构思。且进一步参见本申请原始权利要求3，其原始记载的技术方案中，可以设置第二极片与有源层同层设置，也可以设置第三极片与栅极同层设置；（2）对比文件1中的两个电极31和33属于存储电容相对的两个电极（即两者不连接），因而上电极33只能对应于本申请中的第二电极，在此基础上，本领域技术人员有动机根据实际需要设置对比文件4中的第二电极与栅极同层；（3）对比文件4的整体发明构思在于通过与薄膜晶体管中各导电层同层设置202B、204和2052，在不增加工艺复杂度的前提下，增加存储电容值，在此基础上，具体设置存储电容的各电极层与薄膜晶体管中的任一导电层同层均仅涉及本领域技术人员的常规选择；此外，参考对比文件1中的设置，对比文件1虽然仅涉及两电极电容结构，然而其中底电极与遮光层同层，上电极与栅极同层，引出电极17与源漏极同层，该设置本身就是出于简化工艺的考虑，在对比文件1的启示下，本领域技术人员也有动机设置对比文件4中的三层电极分别与遮光层、栅极、源漏极同层。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月26日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件4公开了本申请的发明构思：通过与薄膜晶体管中各导电层同层设置第一极片、第二极片和第三极片，能够在不增加工艺步骤和工艺复杂度的情况下，增加存储电容极片总面积，从而提高电容值。本领域技术人员可以根据实际需求具体设置存储电容的各电极层与薄膜晶体管中的某一导电层同层，这仅涉及本领域技术人员的常规选择；对比文件1还公开了极片可以与栅极同层，本领域技术人员显然也知晓基板材料性能对于电容器的影响，因此，在对比文件1的技术启示下对对比文件4做出改进，是本领域技术人员容易做到的。（2）对比文件1中的两个电极31和33属于存储电容相对的两个极片（即两者不连接），因而，本领域技术人员能够意识到上电极33对应于本申请中的第二极片，在此基础上，本领域技术人员有动机根据实际需要设置对比文件4中的第二极片与栅极同层；（3）在根据对比文件1的技术启示对对比文件4做出改进的基础上，即在将第二极片与栅极同层设置的基础上，本领域技术人员容易做到将位于第二极片之上的第三极片与在栅极之后形成的导电层同层形成以简化制备工艺，例如将第三极片与源漏极同层形成，这是本领域技术人员根据工艺顺序能够做到的常规技术选择，属于常规技术手段，其所能产生的技术效果也是可以预料的。
复审请求人于2019年09月02日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：本申请权利要求1相对于对比文件1至少具有如下区别技术特征：第二电极与栅极同层，第三电极与源漏极同层，存储电容也能够与栅极驱动电路中。本申请存储电容具有三个电极，对比文件1中的存储电容仅涉及两个电极，无法确定其上电极对应于本申请中的哪个电极，因而对比文件1无法给出如何改变对比文件4中某个电极所在层的启示。对比文件4中的第三电极与栅极同层，因而本领域技术人员不可能想到将第二电极设置为与栅极同层，因为将存储电容的两个电极同层设置是不合理。本申请中存储电容电极均与金属材料同层制备，性能好，适用于栅极驱动电路，而对比文件1和对比文件4中存储电容均不是用于栅极驱动电路。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时并未修改申请文件，因此，本复审决定所依据的文本与复审通知书所依据的文本相同，为：申请日2015年04月14日提交的说明书第1-84段、说明书附图图1-6、说明书摘要、摘要附图，2019年01月25日提交的权利要求第1-5项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是，部分区别技术特征被另外的对比文件公开，并起到了相同的作用，部分区别技术特征属于本领域的公知常识，即现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到该作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的技术启示，在上述对比文件和本领域公知常识相结合的基础上得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN104008999A，公开日：2014年08月27日；
对比文件4：CN103268047A，公开日：2013年08月28日。
其中，对比文件4为最接近的现有技术。
1：权利要求1要求保护一种阵列基板。对比文件4公开了一种阵列基板，并具体公开了如下技术特征（说明书第0039-0065段，附图16）：
阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管具有多晶硅层204（即有源区）、源漏极207、栅极2051，设于多晶硅层204下方的遮光层202A，遮光层的材质例如为钼铝合金、铬金属、钼金属等（说明书第0042段），存储电容，包括间隔且相对设置的存储层202B（即第一极片）和多晶硅层204（即第二极片），存储层202B与遮光层202A同层设置，第二极片（即多晶硅层204）与有源区同层设置，如图16所示，遮光层202A与多晶硅层204之间设置有减薄的缓冲层203（即绝缘层），存储层202B上方的减薄绝缘层203比遮光层202A上的减薄的缓冲层203的厚度小（说明书第0058-0060段）；在远离阵列基板的基底的方向上，依次设有遮光层202A、缓冲层203、多晶硅层204、栅绝缘层205、栅极2051、介质层206（即层间绝缘层）、源漏极207；存储电容还包括通过过孔与存储层202B相连的公共电极线2052（第三极片），多晶硅层204设于存储层202B与公共电极线2052之间，公共电极线2052与栅极2051同层设置。
该权利要求所要保护的技术方案与对比文件4相比，其区别技术特征是：
（1）所述第二极片与栅极同层设置，第三极片与源漏极同层设置；
（2）所述阵列基板包括位于边缘部的栅极驱动电路，所述存储电容为栅极驱动电路中的存储电容。
基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求请求保护技术方案实际解决的技术问题是：
（1）如何设置存储电容各个极片的位置；
（2）如何设置栅极驱动电路中的存储电容。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了一种阵列基板，并具体公开了（说明书第0001、0030-0054段，附图1-10）：上电极33（即第二极片）与栅极23同层设置。该技术特征在对比文件1中的作用与其在本申请中相同，都是为了简化制备工艺，对比文件1给出了将上述技术特征结合到对比文件4中的启示。同时，在将第二极片与栅极同层设置以对对比文件4做出改进的基础上，本领域技术人员容易做到将第三极片与栅极之后形成的导电层同层形成以简化制备工艺，例如将第三极片与源漏极同层形成，这是本领域的常规技术手段。
对于区别技术特征（2），在阵列基板技术领域，存储电容的大小应当根据实际应用的需要进行设置和调整，在对比文件4公开了能够利用相应的技术手段提高存储电容的基础上，根据实际需要将栅极驱动电路设置于阵列基板的边缘部且采用相应的存储电容作为栅极驱动电路中的存储电容，这是是本领域技术人员的常规技术手段，不需要付出创造性的劳动。由此可见，在对比文件4的基础上结合对比文件1和本领域常规技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2：对比文件4公开了减薄的绝缘层为覆盖在遮光层202A上的缓冲层203，多晶硅层204设于缓冲层203上，多晶硅层204为LTPS，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3：权利要求4请求保护一种现实装置，本次复审通知书已经评述了权利要求1-3请求保护的阵列基板不具备创造性，而将阵列基板应用到显示装置是本领域的常规技术手段，因此，在对比文件4的基础上结合对比文件1和本领域常规技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4：权利要求5请求保护一种阵列基板的制备方法。在权利要求1-3请求保护的阵列基板不具备创造性的基础上，对比文件4进一步公开了阵列基板的制备方法（说明书第0039-0065段，附图16）：通过构图工艺形成包括遮光层202A、存储层202B的图形（说明书第0042段），通过构图工艺形成多晶硅层204，其中多晶硅204在晶体管区域用作有源层，在存储电容区域用作第二极片。
由此可见，该权利要求相对于对比文件4的进一步的区别技术特征是：第二极片与栅极同时形成。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求请求保护技术方案实际解决的技术问题是：如何设置第二极片以及栅极的形成工艺。
对比文件1公开了一种阵列基板的制备方法，并具体公开了（说明书第0001、0030-0054段，附图1-10）：通过构图工艺同时形成上电极33（即第二极片）与栅极23的图形。该技术特征在对比文件1中的作用与其在本申请中相同，都是为了简化制备工艺，对比文件1给出了将上述技术特征结合到对比文件4中的启示。因此，在对比文件4的基础上结合对比文件1和本领域常规技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求所要保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件4公开了本申请的发明构思：通过与薄膜晶体管中各导电层同层设置第一极片、第二极片和第三极片，其中，第一极片和第三极片相连接，能够在不增加工艺步骤和工艺复杂度的情况下，增加存储电容极片总面积，从而提高电容值。对比文件4虽未公开各个电极层与薄膜晶体管中各个部件层的具体的对应关系，但是，本领域技术人员可以根据实际需求具体设置存储电容的各电极层与薄膜晶体管中的某一导电层同层，这仅涉及本领域技术人员的常规选择。具体而言，对比文件1公开了极片可以与栅极同层，本领域技术人员显然也知晓基板材料性能对于电容器的影响，因此，在对比文件1的技术启示下对对比文件4做出改进，设置对比文件4中的第二极片与栅极同层，这是本领域技术人员容易做到的，这样的改进不需要付出创造性劳动，也不存在技术障碍。在此基础上，考虑到对比文件4中三个极片的堆叠顺序，在将第二极片与栅极同层设置的基础上，本领域技术人员必然会将第三极片选择为与栅极层之后的某一导电材料层同层，例如将第三极片与源漏极同层形成，这是本领域技术人员根据工艺顺序能够做到的常规技术选择，属于常规技术手段，其所能产生的技术效果也是可以预料的。而在栅极与电容器某一电极片同层设置的情况下，便于栅极与电容器的电连接，使电容器用于栅极驱动是本领域技术人员容易做到的。因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
在上述工作基础上，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月15日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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