发明创造名称：导热电磁干扰EMI吸收器
外观设计名称：
决定号：198486
决定日：2019-12-24
委内编号：1F290512
优先权日：2015-10-16，2016-09-16
申请（专利）号：201610903239.9
申请日：2016-10-17
复审请求人：莱尔德电子材料（深圳）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：余永佼
合议组组长：李婷婷
参审员：王健
国际分类号：H05K7/20(2006.01),H05K9/00(2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：专利法第26条第4款
决定要点：如果权利要求所要求保护的技术方案是本领域技术人员能够从说明书充分公开的内容中概括得出的技术方案，并且没有超出说明书充分公开的范围，则权利要求能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610903239.9，名称为“导热电磁干扰EMI吸收器”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为莱尔德电子材料（深圳）有限公司。本申请的申请日为2016年10月17日，最早优先权日为2015年10月16日，公开日为2017年04月26日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年04月11日发出驳回决定，驳回了本申请，其驳回理由是：权利要求1、12、18没有以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款的规定。具体为：权利要求1中的特征“该导热EMI吸收器被配置用于使在所述导热EMI吸收器内传播的EMI衰减”、“使得通过所述开口的EMI被所述结构阻挡并重定向，以在所述板级屏蔽件与所述结构之间在所述导热EMI吸收器内进行传播”、权利要求12中的特征“该导热电磁干扰EMI吸收器被配置为能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减”、以及权利要求18中的特征“使得所述导热EMI吸收器能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减” 概括了一个较宽的保护范围，上述功能性特征包括了在EMI从导热EMI吸收器中出现之后、使经过开口且在导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减的情况，导热EMI吸收器全部位于开口内且仅与结构下表面接触的情况，以及导热EMI吸收器的至少一部分与板级屏蔽件的上表面和结构的下表面有空隙的情况，上述情况显然不能解决本申请所要解决的技术问题，因此该权利要求得不到说明书的支持。驳回决定所依据的文本为：2019年01月28日提交的权利要求第1-22项、说明书第[0001]-[0070]段、说明书摘要，申请日2016年10月17日提交的说明书附图图1-5、摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种用于衰减电磁干扰(EMI)的组件，该组件包括：
板级屏蔽件，该板级屏蔽件包括开口；
导热电磁干扰(EMI)吸收器，该导热EMI吸收器被配置用于使在所述导热EMI吸收器内传播的EMI衰减；以及
结构，该结构相对于所述板级屏蔽件和所述导热EMI吸收器进行定位，使得通过所述开口的EMI被所述结构阻挡并重定向，以在所述板级屏蔽件与所述结构之间在所述导热EMI吸收器内进行传播。
2. 根据权利要求1所述的组件，其中，所述导热EMI吸收器被配置为在所述EMI能够从所述导热EMI吸收器中出现之前，使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的所述EMI衰减。
3. 根据权利要求1所述的组件，其中，所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述板级屏蔽件的上表面与所述结构的下表面之间，并且被配置为能够进行操作用于使在所述板级屏蔽件的所述上表面与所述结构的所述下表面之间在所述导热EMI吸收器的所述至少一部分内进行传播的EMI衰减。
4. 根据权利要求3所述的组件，其中，在所述板级屏蔽件的所述上表面与所述结构的所述下表面之间的所述导热EMI吸收器的所述至少一部分与所述板级屏蔽件的所述上表面和所述结构的所述下表面直接接触。
5. 根据权利要求1到4中任一项所述的组件，其中，所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述板级屏蔽件的所述开口内，并且被配置为能够进行操作以通过所述开口将EMI能量引导到所述板级屏蔽件之外。
6. 根据权利要求1到4中任一项所述的组件，其中：
所述结构包括除热/散热结构；并且
所述导热EMI吸收器限定到所述除热/散热结构的导热热量路径的至少一部分。
7. 根据权利要求6中任一项所述的组件，所述组件还包括热界面材料，该热界面材料被定位在所述板级屏蔽件的所述开口内，并且其中，所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述热界面材料与所述结构之间。
8. 一种电子设备，该电子设备包括在其上具有热源的印刷电路板和根据权利要求1到4中任一项所述的组件，其中：
所述板级屏蔽件被安装到所述印刷电路板，使得所述开口在所述热源上方；
所述导热EMI吸收器限定从所述热源到所述结构的导热热量路径的至少一部分；并且
所述板级屏蔽件和所述导热EMI吸收器能够进行操作用于提供针对所述热源的EMI屏蔽。
9. 根据权利要求8所述的电子设备，其中：
所述结构是所述电子设备的散热器或底盘；
所述热源是所述印刷电路板上的芯片；
所述导热EMI吸收器包括：
抵靠所述芯片的第一部分；
位于所述板级屏蔽件中的开口内的第二部分；以及
在所述板级屏蔽件与所述散热器或所述底盘之间延伸的第三部分。
10. 根据权利要求8所述的电子设备，其中：
所述结构包括除热/散热结构；
所述导热EMI吸收器限定到所述除热/散热结构的导热热量路径的至少一部分；
所述组件还包括热界面材料，该热界面材料被定位在所述板级屏蔽件的所述开口内，并且其中，所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述热界面材料与所述结构之间；
所述板级屏蔽件被安装到所述印刷电路板，使得所述开口在所述热源上方；
所述热界面材料和所述导热EMI吸收器进行合作以限定从所述热源到所述除热/散热结构的导热热量路径的至少一部分；并且
所述板级屏蔽件和所述导热EMI吸收器能够进行操作用于提供针对所述热源的EMI屏蔽。
11. 根据权利要求10所述的电子设备，其中：
所述结构是所述电子设备的散热器或底盘；
所述热源是所述印刷电路板上的芯片；并且
所述热界面材料与所述导热EMI吸收器不同或相同。
12. 一种屏蔽件，该屏蔽件包括：
其中具有开口的上表面；
一个或更多个侧壁，该一个或更多个侧壁从所述上表面下垂并且被配置用于总体上围绕基板上的一个或更多个部件而安装到所述基板；以及
导热EMI吸收器，该导热EMI吸收器至少包括在所述开口上方的第一部分和沿着所述上表面的第二部分，所述导热EMI吸收器被配置为能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减。
13. 根据权利要求12所述的屏蔽件，其中，所述导热EMI吸收器被配置为在所述EMI能够从所述导热EMI吸收器中出现之前，使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的所述EMI衰减。
14. 根据权利要求13所述的屏蔽件，其中，所述导热EMI吸收器包括位于所述上表面中的所述开口内的第三部分，并且被配置为能够进行操作以通过所述开口将EMI能量引导到所述屏蔽件之外。
15. 根据权利要求12至14中的任一项所述的屏蔽件，所述屏蔽件还包括被定位在所述上表面中的所述开口内的热界面材料，并且其中，所述导热EMI吸收器的所述第一部分与所述热界面材料相邻或相接触。
16. 一种用于衰减电磁干扰(EMI)的组件，该组件包括根据权利要求12至14中任一项所述的屏蔽件以及一结构，该结构相对于所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器进行定位，使得经过所述开口的EMI被所述结构阻挡并且重定向以在所述导热EMI吸收器的所述第二部分内进行传播，其中，所述导热EMI吸收器的所述第二部分位于所述屏蔽件的所述上表面与所述结构的下表面之间，并且被配置为能够进行操作用于使在所述屏蔽件的所述上表面与所述结构的所述下表面之间在所述导热EMI吸收器的所述第二部分内进行传播的EMI衰减。
17. 一种电子设备，该电子设备包括在其上具有热源的印刷电路板和根据权利要求16所述的组件，其中：
所述屏蔽件被安装到所述印刷电路板，使得所述开口在所述热源上方；
所述结构是所述电子设备的散热器或底盘；
所述导热EMI吸收器限定从所述热源到所述散热器或所述底盘的导热热量路径；并且
所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器能够进行操作用于提供针对所述热源的EMI 屏蔽。
18. 一种用于衰减电磁干扰(EMI)的方法，该方法包括以下步骤：
将导热EMI吸收器定位在屏蔽件的上表面中的开口上方和/或内部；和/或
将具有所述开口的所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器定位在基板上的热源上方，使得所述导热EMI吸收器能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减。
19. 根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：将结构相对于所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器进行定位，使得所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述屏蔽件的所述上表面与所述结构的下表面之间，并且使得通过所述开口的EMI被所述结构阻挡并重定向，以在所述屏蔽件的所述上表面与所述结构的所述下表面之间在所述导热EMI吸收器的所述至少一部分内进行传播并发生衰减。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中：
所述导热EMI吸收器限定从所述热源到所述结构的导热热量路径的至少一部分；
所述导热EMI吸收器被配置为在所述EMI能够从所述导热EMI吸收器中出现之前，使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的所述EMI衰减；并且
所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器能够进行操作用于提供针对所述热源的EMI屏蔽。
21. 根据权利要求19或20所述的方法，其中，所述方法包括以下步骤：
将所述导热EMI吸收器的至少一部分定位在所述屏蔽件的所述开口内；和/或
将所述导热EMI吸收器定位为与所述屏蔽件的所述上表面和所述结构的所述下表面直接接触。
22. 根据权利要求19或20所述的方法，所述方法还包括以下步骤：将热界面材料定位在所述屏蔽件的所述上表面中的所述开口内，使得所述导热EMI吸收器的至少一部分位于所述热界面材料与所述结构之间。”
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2019年07月08日向国家知识产权局提出了复审请求，复审请求人没有修改申请文件，仅在意见陈述书中陈述了本申请的权利要求能够得到说明书的支持的理由，复审请求人认为：EMI必须首先经过开口108且在导热EMI吸收器112内进行传播，然后未被吸收的EMI可以从导热EMI吸收器中出现，“在EMI从导热EMI吸收器中出现之后、使经过开口且在导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减”的情况不可能存在。“导热EMI吸收器的一部分与BLS上表面116和散热器或底盘128的下表面140直接接触，在其之间没有任何空隙”仅仅是优选的，而非必要的。导热EMI吸收器的至少一部分与板级屏蔽件的上表面和结构的下表面有空隙的情况也能够通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量来减轻EMI和/或RFI。对于导热EMI吸收器全部位于开口内且仅与结构下表面接触的情况，通过开口的EMI被结构阻挡并重定向，以在板级屏蔽件与结构之间在导热EMI吸收器内进行传播是不可能成立的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年07月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为权利要求1、12、18仍然得不到说明书的支持，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
复审程序中，复审请求人没有修改申请文件。本复审请求审查决定针对的文本与驳回决定针对的文本相同：2019年01月28日提交的权利要求第1-22项、说明书第[0001]-[0070]段、说明书摘要，申请日2016年10月17日提交的说明书附图图1-5、摘要附图。
（二）、关于得不到说明书的支持
专利法第26条第4款规定：权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
1、对于权利要求1，根据说明书的记载（参见说明书第[0002]-[0007]、[0023]段）：现有技术中在板级屏蔽件BLS上制作孔或开口来允许热量逸出，热界面材料(TIM)还可以用来将热量引导到BLS的外部。但是，孔和TIM创建了用于电磁干扰(EMI)从BLS的下面逸出的有效通道。本申请要解决的技术问题为：如何防止由于上述开口而导致的EMI溢出。为了解决该问题，本申请在相对于BLS中的开口(例如，在开口内、上面、与开口相邻、等)进行定位以在EMI能够辐射或出现之前(例如，在EMI能够干扰相邻电子设备的操作之前等)使通过BLS中的开口的EMI衰减。即通过在BLS的开口内部和/或上方增加导热EMI吸收器来解决现有技术中由于对BLS开口所导致的EMI溢出问题。具体地，说明书具体实施部分记载了两个具体实施例，分别为如附图1所示的：在BLS100顶部或上表面116中的开口108 内的部分在内的导热EMI吸收器112，导热EMI吸收器112包括设置在开口108的周界外部的部分132。部分132被设置在BLS上表面116与散热器或底盘128的底表面或下表面140之间进行分离或限定的空隙或空间136内。以及如附图2所示的：导热EMI吸收器212包括设置在开口208的周界外部的部分232。部分232被设置于在BLS上表面216与散热器或底盘228的底表面或下表面240之间进行分离或限定的空隙或空间236内。部分232优选地与BLS上表面216和散热器或底盘228 的下表面240直接接触，在其之间没有可能使得EMI泄露或逸出而不首先经过导热EMI吸收器212的任何空隙。此外，说明书具体实施方式部分第[0051]段还记载了“本文中还公开了示例性方法。例如，一种方法通常可以包括将导热EMI吸收器定位在屏蔽件的上表面上的开口上方和/或内部。另外或者另选地，该方法可以包括：将具有开口的屏蔽件和导热EMI吸收器定位在基板上的热源上方，使得导热EMI吸收器可以进行操作用于使经过开口并且在导热EMI吸收器内部进行传播的EMI衰减”。根据上述记载可知，在上述各实施例中均明确地限定了导热EMI吸收器可以在屏蔽件开口的上方和/或内部。因此，无论在具体的设置中，导热EMI吸收器是否全部位于开口内、或者导热EMI吸收器与BLS的上表面和散热板结构的下表面是否有空隙，只要在BLS的开口内部和/或上方增加导热EMI吸收器均能够解决本申请的技术问题。而现有权利要求1中已经记载了“结构，该结构相对于板级屏蔽件和导热EMI吸收器进行定位，使得通过所述开口的EMI被所述结构阻挡并重定向，以在所述板级屏蔽件与所述结构之间在所述导热EMI吸收器内进行传播”，上述特征限定了导热EMI吸收器位于板级屏蔽件的开口和散热结构之间，能够实现衰减由于BLS开口导致的EMI泄露。由于EMI是从基板上的热源中出现，而不是从导热EMI吸收器中出现，不存在“在EMI从导热EMI吸收器中出现之后、使经过开口且在导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减的情况”；即使出现“导热EMI吸收器全部位于开口内且仅与结构下表面接触的情况”、或“导热EMI吸收器的至少一部分与板级屏蔽件的上表面和结构的下表面有空隙的情况”，由于上述限定的具体结构，其仍能够实现衰减由于BLS开口导致的EMI泄露。因此，权利要求1能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
同理，权利要求12中记载了“导热EMI吸收器至少包括在所述开口上方的第一部分和沿着所述上表面的第二部分，所述导热EMI吸收器被配置为能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减”；权利要求18中记载了“将导热EMI吸收器定位在屏蔽件的上表面中的开口上方和/或内部；和/或将具有所述开口的所述屏蔽件和所述导热EMI吸收器定位在基板上的热源上方，使得所述导热EMI吸收器能够进行操作用于使经过所述开口并且在所述导热EMI吸收器内进行传播的EMI衰减”。基于评述权利要求1相似的理由，权利要求12、18同样能够减少由于BLS的开口导致的EMI泄露。因此，权利要求12、18能够得到说明书的支持，符合专利法第26条第4款的规定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年04月11日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2019年01月28日提交的权利要求1-22，说明书第[0001]-[0070]段，说明书摘要；
复审请求人于申请日2016年10月17日提交的说明书附图图1-5，摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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