发明创造名称：具有GRIN 光纤的波长不敏感扩展光束
外观设计名称：
决定号：199044
决定日：2019-12-23
委内编号：1F262155
优先权日：2012-04-11；2013-03-14
申请（专利）号：201380024546.4
申请日：2013-04-08
复审请求人：蒂科电子荷兰私人有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：卢萍
合议组组长：朱宇澄
参审员：胡婉约
国际分类号：G02B6/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点
：如果复审请求人对申请文件进行了修改，修改的内容在原说明书和权利要求书中没有文字记载，也不属于根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定的内容，则所述修改超出原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380024546.4，名称为“具有GRIN光纤的波长不敏感扩展光束”的PCT发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2013年04月08日，优先权日为2012年04月11日和2013年03月14日，进入中国国家阶段日期为2014年11月10日，公开日为2015年04月15日，申请人为蒂科电子荷兰私人有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年06月19日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-3、5-16不符合专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定引用如下对比文件：
对比文件1：US6839483B2，公开日为 2005年01月04日；
对比文件2：CN1777828A，公开日为 2006年05月24日；
对比文件3：“COMPACT, LOW-DISPERSION COUPLING BETWEEN SILICAGRIN LENSED FIBER AND NONLINEAR OPTICAL WA VEGUIDE”，Taro Suzuki等，Microoptics Conference，17th，公开日为 2011年11月02日；
对比文件4：US4360249，公开日为1982年11月23日；
对比文件5：GB2225124A，公开日为1990年05月23日。
驳回决定所依据的文本为：2014年11月10日进入中国国家阶段时所提交的说明书第1-82段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图，及2018年04月03日提交的权利要求第1-16项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于光连接两个光纤的光耦合系统，所述系统包括限定光轴和沿着所述光轴隔开设置的两端部的梯度折射率(“GRIN”)光纤透镜，
所述GRIN光纤透镜能够光连接到两个光纤上，每个光纤处于所述两端的对应的一个上，
所述GRIN光纤透镜进一步限定沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度，并且
所述GRIN光纤透镜包括沿着所述光轴限定的芯和轴向围绕所述芯的覆层，所述覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率。
2. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述覆层掺杂有氟。
3. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜没有锗。
4. 根据权利要求2所述的光耦合系统，其特征在于，覆层包含0.016摩尔分数的氟。
5. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜的总透镜长度是一个半间距长度。
6. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少300nm。
7. 根据权利要求6所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少400nm。
8. 根据权利要求7所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少405nm至800nm。
9. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，用于两种波长的所述半间距长度差别不大于100nm。
10. 根据权利要求9所述的光耦合系统，其特征在于，用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。
11. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜包括由其间的界面分隔开的两个透镜部分。
12. 根据权利要求9所述的光耦合系统，其特征在于，所述两个光纤是单模态光纤。
13. 一种光学系统，包括：
根据权利要求1-12中的任一项所述的光耦合系统，和
两个光纤，每个所述光纤限定端部，每个光纤的所述端部与所述GRIN光纤透镜的所述两个端部中的对应的一个界面连接。
14. 一种制造根据权利要求1-12中的任一项所述的光耦合系统的方法，所述光耦合系统用于使得一个光纤的光束传输进另一光纤中，所述方法包括：
选定一定范围的波长，所述耦合系统用于在所述一定范围的波长上传输；
提供GRIN光纤透镜，所述GRIN光纤透镜限定光轴和沿着所述光轴分开设置的两端部，所述GRIN光纤透镜可光连接到两个光纤上，每个所述光纤处于所述两端部中的对应的一个上，
确定用于所述GRIN光纤透镜的组分分布，使得
所述GRIN光纤透镜光能的衰减对于在所述选定的波长范围内的所有波长而言都小于1dB，并且
对于在所述波长范围内的两种波长的所述半间距长度差别不大于1μm；
所述GRIN光纤透镜具有所述确定的组分分布，并且限定了沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度。
15. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述波长范围包括UV波长，并且，所述确定的组分是无锗的，且在所述GRIN光纤透镜的覆层上包括氟。
16. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述选定的波长范围是从405nm到800nm，并且，确定所述组分分布的步骤包括：确定组分范围，使得用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。”
驳回决定认为：1、独立权利要求1与对比文件1的区别在于：所述GRIN光纤透镜进一步限定沿着所述光轴的所述半间距长度的基本整数倍的总透镜长度，格林透镜隔开设置，所述覆层在所述波长范围上比纯硅具有更低的折射率。上述区别技术特征已被对比文件2-5或公知常识公开，因此权利要求1不具备创造性。2、从属权利要求2、3、5-12的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或是本领域技的公知常识，因此权利要求2、3、5-12不具备创造性。3、独立权利要求13与对比文件1的区别在于：GRIN光纤透镜具有在至少约200nm的波长范围上差别不大于约1μm的半间距长度，所述GRIN光纤透镜进一步限定沿着所述光轴的所述半间距长度的基本整数倍的总透镜长度，每个所述光纤限定端部，每个光纤的所述端部与所述GRIN光纤透镜的所述两个端部中的对应的一个界面连接，格林透镜隔开设置，所述覆层在所述波长范围上比纯硅具有更低的折射率。上述区别技术特征已被对比文件2-5或公知常识公开，因此权利要求13不具备创造性。4、独立权利要求14与对比文件1的区别在于：选定一定范围的波长，所述耦合系统用于在所述一定范围的波长上传输，确定用于所述GRIN光纤透镜的组分分布，使得所述GRIN光纤透镜光能的衰减对于在所述选定的波长范围内的所有波长而言都小于1dB，并且对于在所述波长范围内的两种波长的所述半间距长度差别不大于1微米；所述GRIN光纤透镜具有所述确定的组分分布，并且限定了沿着所述光轴的所述半间距长度的基本整数倍的总透镜长度，格林透镜隔开设置，包括权利要求1-12任一项所述的系统。上述区别技术特征已被对比文件2-5或公知常识公开，因此权利要求14不具备创造性。5、从属权利要求15、16的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或是本领域技的公知常识，因此权利要求15、16不具备创造性。
申请人蒂科电子荷兰私人有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月08日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：“所述覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率”并非公知常识，并且在本领域中使用纯硅作为芯也不是公知常识。此外，即使覆层具有比纯硅的折射率低是已知的，但是使用这种覆层来达到特定效果不是已知的，本申请通过在覆层中掺杂氟，在中心处的芯使用纯硅，可以在UV波长范围内具有较低的损耗。没有现有技术教导了在中心使用纯硅的光纤，因此本领域技术人员没有理由或动机将光纤构建成具有折射率低于纯硅的折射率覆层。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为权利要求仍不具备创造性，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月31日向复审请求人发出复审通知书，在复审通知书中指出：
（一）、在实质审查过程中，申请人修改权利要求1，将权利要求1中的特征“所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度”删除。在原说明书和权利要求书中，均对GRIN光纤透镜在一定波长范围内的半间距长度进行了限定，从而限定了GRIN光纤透镜在该波长范围内具有较小的色散。而权利要求1删除特征“所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度”后的技术方案未对GRIN光纤透镜的色散性能进行任何限定，其包括原说明书和权利要求书中限定的色散较小的技术方案，还包括原说明书和权利要求书中未限定的色散较大的技术方案，删除特征“所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度”后的技术方案其既未明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，因此该修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
（二）、即使复审请求人将特征“所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度”加入权利要求1，修改后的权利要求1-16仍不具备创造性。具体理由如下：1、独立权利要求1与对比文件1的区别在于GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度；GRIN光纤透镜的总长度为沿着光轴的半间距长度的整数倍；覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率。上述区别技术特征已被对比文件2或公知常识公开，因此权利要求1不具备创造性。2、从属权利要求2-12的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或是本领域技的公知常识，因此权利要求2-12不具备创造性。3、由于权利要求1-12中的光耦合系统相对于对比文件1、2及公知常识不具备创造性，独立权利要求13的其他特征已被对比文件1公开，因此权利要求13也不具备创造性。4、独立权利要求14与对比文件1的区别在于选定一定波长范围，耦合系统用于在一定范围的波长上传输，该波长范围至少为200nm；确定用于GRIN光纤透镜的组分分布，使得GRIN光纤透镜光能的衰减对于在选定的波长范围内的波长而言都小于1db，并且在波长范围内两种波长的半间距长度差别不大于1μm；GRIN光纤透镜的总长度为沿着光轴的半间距长度的整数倍；覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率。上述区别技术特征已被对比文件2或公知常识公开，因此权利要求14不具备创造性。5、从属权利要求15、16的附加技术特征或被对比文件2公开，或是本领域技的公知常识，因此权利要求15、16不具备创造性。
针对复审请求人在复审请求中的意见陈述，合议组认为：本申请权利要求1中仅限定了“所述覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率”，并未对纤芯是否为纯硅进行限定，并未对纤芯掺杂了何种物质、覆层掺杂了何种物质进行限定，该限定仅仅是对覆层折射率的一种限定，其不能带来复审请求人声称的上述效果。此外，通过覆层掺杂获得所需的性能为本领域技术人员的常用技术手段，现有技术中只有光纤覆层上掺杂和光纤覆层下掺杂这两种情况，其技术效果也是可以预期的，“所述覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率”仅是其中的一种，根据实际应用场景的需求，本领域技术人员很容易想到采用覆层下掺杂，其不会带来预料不到的技术效果。
复审请求人于2019年09月12日及2019年10月09日分别提交了意见陈述书，以及权利要求全文的修改替换页，其中，相对于复审通知书针对的权利要求书，在2019年10月09日提交的权利要求全文替换页中将技术特征“所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度”及“所述芯具有不高于纯硅的折射率”加入到权利要求1中。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种用于光连接两个光纤的光耦合系统，所述系统包括限定光轴和沿着所述光轴隔开设置的两端部的梯度折射率(“GRIN”)光纤透镜，
所述GRIN光纤透镜能够光连接到两个光纤上，每个光纤处于所述两端的对应的一个上，
所述GRIN光纤透镜具有在至少200nm的波长范围上差别不大于1μm的半间距长度，
所述GRIN光纤透镜进一步限定沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度，并且
所述GRIN光纤透镜包括沿着所述光轴限定的芯和轴向围绕所述芯的覆层，所述芯具有不高于纯硅的折射率，并且所述覆层在至少200nm的波长范围上比纯硅具有更低的折射率。
2. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述覆层掺杂有氟。
3. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜没有锗。
4. 根据权利要求2所述的光耦合系统，其特征在于，覆层包含0.016摩尔分数的氟。
5. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜的总透镜长度是一个半间距长度。
6. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少300nm。
7. 根据权利要求6所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少400nm。
8. 根据权利要求7所述的光耦合系统，其特征在于，所述波长范围为至少405nm至800nm。
9. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，用于两种波长的所述半间距长度差别不大于100nm。
10. 根据权利要求9所述的光耦合系统，其特征在于，用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。
11. 根据权利要求1所述的光耦合系统，其特征在于，所述GRIN光纤透镜包括由其间的界面分隔开的两个透镜部分。
12. 根据权利要求9所述的光耦合系统，其特征在于，所述两个光纤是单模态光纤。
13. 一种光学系统，包括：
根据权利要求1-12中的任一项所述的光耦合系统，和
两个光纤，每个所述光纤限定端部，每个光纤的所述端部与所述GRIN光纤透镜的所述两个端部中的对应的一个界面连接。
14. 一种制造根据权利要求1-12中的任一项所述的光耦合系统的方法，所述光耦合系统用于使得一个光纤的光束传输进另一光纤中，所述方法包括：
选定一定范围的波长，所述耦合系统用于在所述一定范围的波长上传输；
提供GRIN光纤透镜，所述GRIN光纤透镜限定光轴和沿着所述光轴分开设置的两端部，所述GRIN光纤透镜可光连接到两个光纤上，每个所述光纤处于所述两端部中的对应的一个上，
确定用于所述GRIN光纤透镜的组分分布，使得
所述GRIN光纤透镜光能的衰减对于在所述选定的波长范围内的所有波长而言都小于1dB，并且
对于在所述波长范围内的两种波长的所述半间距长度差别不大于1μm；
所述GRIN光纤透镜具有所述确定的组分分布，并且限定了沿着所述光轴的所述半间距长度的整数倍的总透镜长度。
15. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述波长范围包括UV波长，并且，所述确定的组分是无锗的，且在所述GRIN光纤透镜的覆层上包括氟。
16. 根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述选定的波长范围是从405nm到800nm，并且，确定所述组分分布的步骤包括：确定组分范围，使得用于405nm和800nm的所述半间距长度差别不大于1μm。”
复审请求人认为：修改后的权利要求符合专利法第33条的规定，并且具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人分别于2019年09月12日及2019年10月09日提交了权利要求书第1-16项的修改替换页，本决定以2014年11月10日进入中国国家阶段时所提交的说明书第1-82段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图以及2019年10月09日提交的权利要求第1-16项为基础作出。
2、关于修改超范围
专利法第33条规定，申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
如果复审请求人对申请文件进行了修改，修改的内容在原说明书和权利要求书中没有文字记载，也不属于根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定的内容，则所述修改超出原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
具体到本申请：
复审请求人于2019年10月09日提交的权利要求书中，权利要求1中增加了特征“所述芯具有不高于纯硅的折射率”，上述修改的内容超出了原申请的原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。具体理由如下：本申请原权利要求书及说明书仅公开了“在本发明中示出的示例中，GRIN光纤透镜的芯基本没有锗，锗对于UV波长范围内的光的传输是有害的。代替的是，GRIN光纤透镜的覆层掺杂有元素，例如氟，其降低覆层的折射率。该元素(例如氟) 的掺杂水平可被选择，使得对于至少两种预定波长的半间距长度zp相同”（参见说明书第7段）、“此外，光纤芯区通常具有锗掺杂，以增加折射率。在高能UV波长处，锗的存在是不允许的。在本发明中公开的某些示例的目的是通过氟掺杂产生梯度折射率分布，使得连接器能够在UV波长上有效操作。在有些示例中，使用纯硅芯，并且氟的浓度被调节成使得该系统变成对于重要光谱区是充分波长独立的”（参见说明书第22段）、“为了获得芯的折射率的抛物线形分布，通常使用掺杂元素(例如锗)，其提高主材料(例如硅)的折射率。但是，锗对于UV光的传输是有害的，UV光在某些高能激光应用中是重要的光谱色。因此，在根据本发明的GRIN光纤透镜的有些示例中，不使用锗掺杂。代替的是，氟被掺杂在覆层中，以降低覆层的折射率。此外，通过远离芯的中心放射状地逐步增加氟浓度，在芯中产生抛物线形的折射率。在覆层区域，氟浓度全部被保持基本恒定”（参见说明书第28段），亦即本申请原说明书及权利要求书对芯的具体掺杂材料有所限定。而权利要求1新增加的特征“所述芯具有不高于纯硅的折射率” 并未限定芯中具体的掺杂材料，可以包括芯既掺杂锗又掺杂氟、但是掺杂氟的量高于掺杂锗的量从而使得混合掺杂后的折射率仍不高于纯硅的折射率的技术方案，还可以包括芯中掺杂除氟外其他折射率低于纯硅的折射率的材料的技术方案，或者包括芯中混合掺杂多种折射率分别高于和低于纯硅折射率的物质，掺杂后的折射率低于纯硅的折射率的技术方案等。而这些技术方案均未记载在原说明书和权利要求书中，也不属于根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定的内容。由此可见，“所述芯具有不高于纯硅的折射率”在原说明书和权利要求书中没有文字记载，也不属于根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定的内容，因此，权利要求1的修改超出了原申请的原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
根据以上事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年06月19日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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