发明创造名称：一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构及其制备方法
外观设计名称：
决定号：198246
决定日：2019-12-19
委内编号：1F249746
优先权日：
申请（专利）号：201410646142.5
申请日：2014-11-14
复审请求人：易美芯光（北京）科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘婧
合议组组长：梁素平
参审员：杨燕
国际分类号：H01L33/48,H01L25/075,H01L33/64
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，其中该区别技术特征的一部分可在该最接近的现有技术的基础上结合本领域的公知常识得到，另一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开且作用相同，其余部分属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410646142.5，名称为“一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为易美芯光（北京）科技有限公司，申请日为2014年11月14日，公开日为2015年06月03日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2017年12月18日发出驳回决定，以权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的审查文本为：申请日2014年11月14日提交的说明书附图第1-11页、说明书摘要、摘要附图，2017年08月21日提交的权利要求第1-5项，2015年03月30日提交的说明书第1-8页。
驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构，所述结构包括预制基板和覆晶，所述覆晶通过回流焊焊接到预制基板上，
其中，所述预制基板包括氮化铝陶瓷层，所述氮化铝陶瓷层上的敷铜线路层、耐高温反射层、电极焊盘；
回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；
所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀金、镀银或预敷焊锡，以及导线表面镀银或无镀层；
所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线，其表面可镀银或无镀层。
2. 根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述焊锡成分为AuSn(80/20)，或SAC305，或SAC405，或SN100C。
3. 根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶。
4. 根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光源结构应用于不同功率、不同串并联电路、不同尺寸大小的覆晶集成光源。
5. 一种如权利要求1至4任一项所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法，所述方法包括如下步骤：
(1)形成所述预制基板，具体包括：
(1a)通过现有的厚膜印刷技术，或薄膜直接镀铜技术，完成氮化铝陶瓷上布置敷铜线路层，敷铜层有薄铜层和厚铜层；
(1b)制作集成光源发光区耐高温反射层，材料一般为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶，通过平整处理技术，填充覆 盖敷铜线路层周边区域，并保持反射层和敷铜层高度一致；
(1c)通过曝光显影和蚀刻技术，完成其余区域的阻焊层，材质也为白色阻焊层油墨；
(1d)露铜层表面(即厚铜层)进行化学沉银，对应于有预敷焊锡的覆晶应用；
(2)覆晶放置和布满在所述预制基板的芯片焊盘上；
(3)共晶回流焊把阵列覆晶，焊接到预制基板上；
(4)硅胶围坝胶制作；
(5)覆盖荧光粉硅胶层。”
驳回决定引用了三篇对比文件，如下：
对比文件1：CN203260631U，授权公告日为：2013年10月30日；
对比文件2：CN101873929A，公开日为：2010年10月27日；
对比文件3：CN103296153A，公开日为：2013年09月11日。
驳回决定的具体理由是：1、独立权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）反射层采用耐高温反射层；（2）回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀金、镀银或预敷焊锡，以及导线表面镀银或无镀层；（3）所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线，其表面可镀银或无镀层。上述区别技术特征（1）被对比文件2公开且作用相同，上述区别技术特征（2）的一部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分属于本领域的常用技术手段，上述区别技术特征（3）为本领域的常用技术手段。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域的公知常识，或可以经过合乎逻辑的分析、推理及有限的试验获得。因此，从属权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、独立权利要求5请求保护一种如权利要求1-4所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法。权利要求5与对比文件1的区别技术特征还在于：（1）步骤1a中可通过现有的厚膜印刷技术，完成氮化铝陶瓷上布置敷铜线路层，敷铜层有薄铜层和厚铜层；（2）步骤1b中制作集成光源发光区耐高温反射层，材料一般为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶，通过平整处理技术，填充覆盖敷铜线路层周边区域，并保持反射层和敷铜层高度一致；（3）步骤1c中通过曝光显影和蚀刻技术，完成其余区域的阻焊层，材质也为白色阻焊层油墨； 步骤1d 中露铜层表面(即厚铜层)进行化学沉银，对应于有预敷焊锡的覆晶应用；（4）步骤3中是对LED阵列封装；还包括步骤4中硅胶围坝胶制作；步骤5中材料为硅胶层。其中，区别技术特征（1）和（4）属于本领域的常用技术手段，区别技术特征（2）的一部分被对比文件2公开且作用相同，其余部分属于本领域的常用技术手段，区别技术特征（3）的一部分被对比文件3公开且作用相同，其余部分属于本领域的常用技术手段。因此，在权利要求1-4不具备创造性时，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年03月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括5项权利要求），其中在权利要求1中加入技术特征“所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶”、“导线薄铜层被耐高温白色陶瓷油墨，或耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶覆盖”、“预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构”。
复审请求人认为：权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：
（1）本申请的反射层和铜线路层均不同于对比文件1的反射层和电极114，本申请的反射层采用的是耐高温反射层，所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶；所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线，其表面可镀银或无镀层；导线薄铜层被耐高温白色陶瓷油墨，或耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶覆盖。
（2）回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；
（3）预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构。
对于区别技术特征（1），首先，对比文件1的反射层是敷在电极114a、114b和基板表面的；而本申请的耐高温反射层是覆盖在发光区导线薄铜层上并敷在厚铜层的周围，保持反射层和厚铜层高度一致(如图3c所示)；即对比文件1的电极114与权利要求1的敷铜线路层的布置方式不同。其次，对比文件1是通过采用反射层覆盖整个基板的发光面侧，以解决采用反射率低、由于光或热而劣化的基板材料的使用问题；而本申请是通过在LED集成光源内铺设耐高温反射层解决由于高温共晶回流焊致使普通反射层黄化以及导线铜层表面镀银后的氧化和硫化而引起的集成光源的光衰的技术问题，因此，对比文件1解决的技术问题不同于本申请要解决的技术问题。
对于区别技术特征（2），本申请不仅在基板的电极的上表面预敷了焊锡，而且在其侧面也预覆了焊锡(参考说明书附图4c中的芯片厚铜层和电极厚铜层)，此种设计可以降低应用端焊接导线时的温度，从而降低基板的黄化程度。对比文件3中没有公开上述技术特征。
另外，本申请还能避免预制基板与覆晶表面同时敷锡导致在回流焊处理过程中，焊锡的熔化引起覆晶产生漂移，致使完成表面贴片的覆晶位置变得杂乱无章的问题。对比文件3没有考虑该问题。
对于区别技术特征（3），以往的覆晶集成光源，基板背面为无其他敷着材料的氮化铝AlN陶瓷表面，覆晶集成光源在散热体上的散热，需要通过导热率不高的导热硅脂或导热膏进行传热。本申请在预制氮化铝(AlN)基板背面形成可选择块状的表面镀银的敷铜结构；用户端可以把集成光源，和集成光源的散热体通过低温焊锡连接，和以往的采用导热硅脂或导热膏连接技术相比，降低了LED集成光源加散热体组合的热阻。
因此，权利要求1具备创造性。
提出复审请求时新修改的权利要求1的内容如下：
“1. 一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构，所述结构包括预制基板和覆晶，所述覆晶通过回流焊焊接到预制基板上，
其中，所述预制基板包括氮化铝陶瓷层，所述氮化铝陶瓷层上的敷铜线路层、耐高温反射层、电极焊盘；所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶；
回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；
所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀金、镀银或预敷焊锡，以及导线表面镀银或无镀层；
所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线，其表面可镀银或无镀层；导线薄铜层被耐高温白色陶瓷油墨，或耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶覆盖；
预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年06月25日受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月16日向复审请求人发出复审通知书。该复审通知书中指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）权利要求1中预制基板为氮化铝陶瓷层，而对比文件1为氮化铝或陶瓷；预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构；（2）反射层是耐高温的反射层，所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶；（3）回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀银或预敷焊锡，或所述电极焊盘表面镀金，以及导线表面镀银；（4）电极焊盘采用厚铜层。其中区别技术特征（1）和（4）为本领域的常用技术手段，区别技术特征（2）中的一部分可在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到，另一部分为本领域的常用技术手段，区别技术特征（3）的一部分被对比文件3公开且作用相同，另一部分为本领域的常用技术手段。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-4的附加技术特征为本领域的常用技术手段，因此，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、独立权利要求5请求保护一种如权利要求1-4任一项所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法。权利要求5与对比文件1的区别技术特征还在于：（1）通过厚膜印刷技术，或薄膜直接镀铜技术形成敷铜线路层；（2）通过曝光显影和蚀刻技术，完成其余区域的阻焊层，材质也为白色阻焊层油墨；（3）露铜层表面(即厚铜层)进行化学沉银，对应于有预敷焊锡的覆晶应用；（4）覆晶布满在所述预制基板的芯片焊盘上；阵列覆晶；硅胶围坝胶制作；覆盖荧光粉硅胶层。上述区别技术特征均为本领域的常用技术手段。因此，在权利要求1-4不具备创造性时，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1已经公开了本申请的发明构思，即，对比文件1公开了（参见说明书第[0013]-[0029]，[0094]-[0121]段、附图10(a)-13(d)）：提供一种抑制来自发光元件的光和热的影响，并高效率地反射来自发光元件的光，使光的利用效率提高的LED光源装置；其中，反射层130覆盖基板上的Cu电极114a、114b，而仅露出与LED芯片焊接的Cu导电性接线柱115a、115c（即芯片焊盘），反射层130的高度与Cu导电性接线柱115a、115c的高度一致，从而解决了露出导线表面氧化、硫化的技术问题。而本领域公知回流焊的高温会导致反射层黄化，采用耐高温反射层属于本领域抑制反射层黄化的常用技术手段。对于电路布置，权利要求1中限定了“所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线；导线薄铜层被耐高温白色陶瓷油墨，或耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶覆盖”，参见权利要求1的评述，对比文件1已经公开了：双层结构的铜层，Cu导电性接线柱115a、115c（即芯片焊盘）的厚度为30μm左右（参见说明书第[0113]段，即厚铜层），Cu电极114a、114b厚度为10-15μm（参见说明书第[0111]段，即薄铜层），而将对比文件1的Cu电极114c、114d（相当于电极焊盘）形成为厚铜层是本领域技术人员为了优化焊盘连接可靠性而容易想到的，属于本领域的常用技术手段。即使在权利要求1中进一步限定电极焊盘位于预制基板表面以区别于对比文件1公开的位于基板背面的Cu电极114c、114d，由于LED封装结构中，引出电极位于基板正反两面都是常用的封装结构，因此，该修改也不能使权利要求1具备创造性。对于区别技术特征（2），本申请的说明书并未记载基板的电极的侧面也预覆了焊锡，也未记载“本申请还能避免预制基板与覆晶表面同时敷锡导致在回流焊处理过程中，焊锡的熔化引起覆晶产生漂移，致使完成表面贴片的覆晶位置变得杂乱无章的问题”，上述技术特征也不能从说明书附图中直接地、毫无疑义地确定。即使上述技术特征在本申请中有记载，也不能使得本申请具备创造性，因为在待焊接的表面预覆焊锡以优化焊接效果是本领域的常用技术手段，预覆焊锡能够避免预制基板与覆晶表面同时敷锡导致在回流焊处理过程中，焊锡的熔化引起覆晶产生漂移，致使完成表面贴片的覆晶位置变得杂乱无章的问题也是本领域公知的预覆焊锡所能够带来的技术效果。对于区别技术特征（3），本领域公知铜块是良好的散热结构，因此，在LED背面设置敷铜结构是优化散热的常用技术手段。而在敷铜结构表面镀银是便于该敷铜结构与外部散热装置焊接、优化焊接效果的常用技术手段。
复审请求人于2019年05月30日和2019年05月31日分别提交了意见陈述书，同时分别提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括5项权利要求，两次意见陈述书和提交的权利要求书的内容相同。所作的修改为：在复审通知书所针对的权利要求书的基础上，在权利要求1中加入技术特征“覆晶是通过固晶和共晶回流焊焊接到预制基板上的”，在权利要求4中加入“2011400637”（明显笔误）。
复审请求人认为：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：覆晶是通过固晶和共晶回流焊焊接到预制基板上的。对比文件1没有公开该技术手段，虽然覆晶是一项封装技术。本申请中，覆晶不仅仅隐含倒装技术，更作为LED集成光源结构之一，不等同于对比文件1的LED芯片。对比文件1的附图3a和3b中，电极14a上分别为镀Ni层15a及镀Ag层16a，而在本申请附图3a和3b中，在焊盘上是整个覆晶结构，由正极、负极、芯片电极和预敷焊锡层组成的一个整体。对比文件或现有技术采用的回流焊技术是在表面进行，从元件的两端融化焊料，因此必然存在焊锡内的空穴多的问题。而本申请采用的覆晶结构，在芯片电极上预敷好焊锡，然后再将覆晶结构底部的焊锡层与芯片焊盘厚铜层匹配，再经过回流焊技术，能够有效地减少焊锡内的空穴。因此，权利要求1-5具备创造性。
修改后的权利要求1和4的内容如下：
“1. 一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构，所述结构包括预制基板和覆晶，所述覆晶通过回流焊焊接到预制基板上，
其中，所述预制基板包括氮化铝陶瓷层，所述氮化铝陶瓷层上的敷铜线路层、耐高温反射层、电极焊盘；所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶；
回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；
所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀金、镀银或预敷焊锡，以及导线表面镀银或无镀层；
所述铜层为双层结构，厚铜层为芯片焊盘和电极焊盘，薄铜层为连接焊盘的导线，其表面可镀银或无镀层；导线薄铜层被耐高温白色陶瓷油墨，或耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶覆盖；
预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构；
覆晶是通过固晶和共晶回流焊焊接到预制基板上的。”
“4. 根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光源结构应用于不同2011400637功率、不同串并联电路、不同尺寸大小的覆晶集成光源。”
在上述程序的基础上，本案合议组认为事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年05月31日提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括5项权利要求。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：申请日2014年11月14日提交的说明书附图第1-11页、说明书摘要、摘要附图，2015年03月30日提交的说明书第1-8页，2019年05月31日提交的权利要求第1-5项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，其中该区别技术特征的一部分可在该最接近的现有技术的基础上结合本领域的公知常识得到，另一部分区别技术特征被另一篇对比文件公开且作用相同，其余部分属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价权利要求的创造性时引用与复审通知书相同的对比文件，即：
对比文件1：CN203260631U，授权公告日为：2013年10月30日；
对比文件3：CN103296153A，公开日为：2013年09月11日。
2-1、独立权利要求1请求保护一种低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构。对比文件1公开了一种倒装封装的LED集成光源结构，并具体公开了如下技术内容（参见说明书第[0013]-[0029]，[0094]-[0121]段、附图10(a)-13(d)）：预制的基板110和倒装LED元件140，所述倒装的LED元件140通过回流焊焊接到预制基板110上，所述预制基板为氮化铝或陶瓷构成，所述预制基板上具有Cu电极114a、114b以及Cu导电性接线柱115a、115c（相当于覆铜线路层），反射层130；该反射层130为白色油墨，该反射层130能够降低光衰（公开了主题名称的“低光衰”）；Cu导电性接线柱115a、115c（相当于芯片焊盘）的表面镀Ni-Au层118a、118c，该Ni-Au层118a、118c是在Ni层上有Au层这样的两层构造（即芯片焊盘表面镀金）；预制基板110上具有双层结构的Cu层，分别是Cu电极114a、114b（相当于连接焊盘的导线）以及Cu导电性接线柱115a、115c（相当于芯片焊盘），其中，Cu电极114a、114b厚度为10-15μm（参见说明书第[0111]段，即薄铜层），Cu导电性接线柱115a、115c厚度为30μm左右（参见说明书第[0113]段，即厚铜层），Cu电极114a、114b表面无镀层，Cu电极114a、114b（相当于连接焊盘的导线）连接Cu导电性接线柱115a、115c（相当于芯片焊盘）和Cu电极114c和114d（相当于电极焊盘）；Cu电极114a、114b（相当于连接焊盘的导线）被反射层130覆盖。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）权利要求1中预制基板为氮化铝陶瓷层，而对比文件1为氮化铝或陶瓷；预制氮化铝(AlN)基板背面，可选择块状的表面镀银的敷铜结构；（2）反射层是耐高温的反射层，所述耐高温反射层为耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶；（3）回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，或所述预制基板芯片电极上预敷了焊锡而与其对应的所述覆晶上镀金；所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀银或预敷焊锡，或所述电极焊盘表面镀金，以及导线表面镀银；覆晶是通过固晶和共晶回流焊焊接到预制基板上的；（4）电极焊盘采用厚铜层。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：（1）优化LED装置的散热性能；（2）防止反射层遇高温黄化、提高反射率；（3）优化焊接效果；（4）优化电连接可靠性。
对于区别技术特征（1），氮化铝陶瓷层是本领域制造LED光源装置的常用基板，而在LED基板背面设置块状的表面镀银的敷铜结构以优化LED装置与外部散热装置的热传导性能以及焊接性能是容易想到的，属于本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征（2），本领域公知，LED的反射层在回流焊过程中容易黄化，因而采用耐高温的反射层是容易想到的，在对比文件1已经公开了该反射层130为白色油墨的基础上（参见说明书第[0100]段），进一步选择耐高温白色陶瓷油墨，耐高温阻焊油墨，或耐高温白色硅胶是本领域常见的耐高温的反射层，属于本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征（3），对比文件3公开了一种LED芯片封装，包括（参见说明书第[0003]-[0022]段、附图1）：电路板基板5上的电极6上预敷了焊锡而与其对应的倒装LED芯片的P极3和N极4的凸点的材料为金等材料，对LED芯片加热、加压进行共晶焊接；在电路板基板5的上表面除电极6以外的部分设置胶8，对LED芯片加热时，使胶8固化，以使LED芯片与电路板基板5相连（相当于固晶）。并且该技术特征在该对比文件中的作用与其在该权利要求中相同，都是优化焊接效果。而为了节省制造成本，仅在芯片电极上镀金或镀银，属于本领域的常用技术手段。另外，在回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，所述电极焊盘表面镀金，所述预制基板的芯片焊盘、电极焊盘表面镀银，所述预制基板的电极焊盘表面预敷焊锡，以及导线表面镀银是本领域优化焊接效果的常用技术手段。
对于区别技术特征（4），将对比文件1的Cu电极114c、114d（相当于电极焊盘）形成为厚铜层是本领域技术人员为了优化焊盘连接可靠性而容易想到的，属于本领域的常用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的常用技术手段以得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
2-2、权利要求2是权利要求1的从属权利要求。其附加技术特征的焊锡是本领域常用的焊锡材料，属于本领域的常用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求3是权利要求1的从属权利要求。其附加技术特征的材料是本领域常用的耐高温反射层，属于本领域的常用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4. 权利要求4是权利要求1的从属权利要求。其附加技术特征是本领域制造覆晶集成光源的常用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5. 独立权利要求5请求保护一种如权利要求1-4任一项所述的低光衰的覆晶封装的LED集成光源结构的制备方法。
对比文件1还公开了一种倒装封装的LED集成光源结构的制备方法，并具体公开了如下技术内容（参见说明书第[0013]-[0029]，[0094]-[0121]段、附图10(a)-13(d)）：提供氮化铝或陶瓷基板110，在基板110上布置Cu电极114a、114b以及Cu导电性接线柱115a、115c（相当于覆铜线路层），其中Cu电极114a、114b厚度为10-15μm（参见说明书第[0111]段，即薄铜层），Cu导电性接线柱115a、115c厚度为30μm左右（参见说明书第[0113]段，即厚铜层）；制作发光区的白色油墨层131，研磨白色油墨层131的上部直到导电性接线柱115a、115c的上部表面暴露出来（即露铜层），填充覆盖Cu电极114a、114b周边区域，形成反射层130；倒装LED元件140放置在预制的基板110的导电性接线柱115a、115c上；回流焊把倒装LED元件140焊接到预制的基板110上。
参见权利要求1-4的评述，除了权利要求1-4与对比文件1的区别技术特征以外，权利要求5与对比文件1的区别技术特征还在于：（1）通过厚膜印刷技术，或薄膜直接镀铜技术形成敷铜线路层；（2）通过曝光显影和蚀刻技术，完成其余区域的阻焊层，材质也为白色阻焊层油墨；（3）露铜层表面(即厚铜层)进行化学沉银，对应于有预敷焊锡的覆晶应用；（4）覆晶布满在所述预制基板的芯片焊盘上；阵列覆晶；硅胶围坝胶制作；覆盖荧光粉硅胶层。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：（1）提高敷铜线路层质量；（2）防止反射层遇高温黄化、提高反射率；（3）优化焊接效果；（4）优化LED装置的散热性能、提高LED光源亮度、优化封装效果、按需提供发光颜色。
对于区别技术特征（1），厚膜印刷技术以及薄膜直接镀铜技术均是本领域形成敷铜线路层的常用技术手段。
对于区别技术特征（2），在待焊接区域附近通过曝光显影和蚀刻技术设置白色油墨阻焊层也是本领域优化焊接效果的常用技术手段。
对于区别技术特征（3），在铜层表面化学沉银，并且在覆晶上预敷焊锡是本领域优化焊接效果的常用技术手段。
对于区别技术特征（4），在预制基板的芯片焊盘上布满阵列覆晶以得到所需的亮度是本领域的常用技术手段，而硅胶围坝胶制作以及覆盖荧光粉硅胶层也是本领域优化封装效果、按需提供发光颜色的常用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的常用技术手段以得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：首先，权利要求1的评述没有采用意见陈述中提到的对比文件1的采用打线方式封装的附图1，附图3a和3b，而是采用对比文件1的采用倒装方式封装的附图10(a)-13(d)进行评述。其次，对比文件1公开了回流焊，虽然其没有公开以固晶、共晶的方式回流焊，但对比文件3（参见说明书第[0003]-[0022]段、附图1）公开了该技术特征，即电路板基板5上的电极6上预敷了焊锡而与其对应的倒装LED芯片的P极3和N极4的凸点的材料为金等材料，对LED芯片加热、加压进行共晶焊接；在电路板基板5的上表面除电极6以外的部分设置胶8，对LED芯片加热时，使胶8固化，以使LED芯片与电路板基板5相连（相当于固晶）。也就是说，对比文件3倒装的芯片也是LED芯片，也采用了胶进行固晶，并且由于其在电路板基板的电极上预敷了焊锡，因而在共晶回流焊后可以减少焊锡内的空穴。对于在倒装芯片上先预敷焊锡再回流焊的技术特征，在回流焊前所述覆晶上预敷了焊锡而与其相对应的所述预制基板上镀金或镀银，是本领域优化焊接效果的常用技术手段，并且可以预期其减少焊锡内空穴的技术效果。
综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
根据以上事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年12月18日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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