发明创造名称：生长氮化物半导体层的方法
外观设计名称：
决定号：197909
决定日：2019-12-19
委内编号：1F270256
优先权日：2012-01-10
申请（专利）号：201310009042.7
申请日：2013-01-10
复审请求人：三星电子株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王文杰
合议组组长：王鹏
参审员：王晓峰
国际分类号：H01L33/32,H01L21/205
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点
：若修改后的内容未记载于原说明书和权利要求书之中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容中直接地、毫无疑义地确定，则上述修改超出了原说明书和权利要求书所记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310009042.7，名称为“生长氮化物半导体层的方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为三星电子株式会社。本申请的申请日为2013年01月10日，优先权日为2012年01月10日，公开日为2013年07月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月29日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-25不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2013年01月10日提交的说明书第1-76段、说明书附图图1-12、说明书摘要、摘要附图；2018年05月04日提交的权利要求第1-25项。
驳回决定中引用对比文件1和对比文件2作为现有技术。
对比文件1：US2008127884A1，公开日为2008年06月05日；
对比文件2：US6673149B1，公开日为2004年01月06日。
驳回决定指出：权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：在所述去除所述基板之后，在所述第一氮化物半导体上层叠第二氮化物半导体。对比文件2给出了可通过在氮化镓层上继续形成一层氮化镓层以得到需要的氮化镓层的技术启示。故本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1所要求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2-4、8-10、14的附加技术特征已被对比文件1公开；从属权利要求5-7、17、19的附加技术特征已被对比文件2公开；从属权利要求11-12、18、20的附加技术特征是本领域技术人员根据实际需要进行的常规选择；从属权利要求13的附加技术特征，或者已被对比文件1公开，或者属于本领域的惯用手段；从属权利要求15-16的附加技术特征或者已被对比文件2公开，或者属于本领域的惯用手段。因此，从属权利要求2-20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21与对比文件1的区别技术特征是：其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的第一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的第二氮化物半导体层。对比文件2给出了可通过在氮化镓层上继续形成一层氮化镓层以得到需要的氮化镓层的技术启示，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求21不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求22、24、25的附加技术特征已被对比文件1公开，权利要求23的附加技术特征是本领域技术人员根据实际需要进行的常规设置，因此，权利要求22-25也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种生长氮化物半导体层的方法，所述方法包括：
在反应器中准备基板；
在等于或高于950℃的第一温度在所述基板上生长第一氮化物半导体，所述第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于所述基板的热膨胀系数；
在400℃到1100℃范围的第二温度去除所述基板；以及
在所述去除所述基板之后，在所述第一氮化物半导体上层叠第二氮化物半导体。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述生长第一氮化物半导体包括生长氮化镓。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述反应器是氢化物气相外延反应器，所述准备基板包括在所述氢化物气相外延反应器中准备所述基板，所述生长第一氮化物半导体包括使用氢化物气相外延生长所述第一氮化物半导体。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中所述生长第一氮化物半导体包括在从950℃到1100℃范围内的所述第一温度在所述基板上生长所述第一氮化物半导体。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述层叠第二氮化物半导体包括层叠具有等于或大于10μm的厚度的所述第二氮化物半导体。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述生长第一氮化物半导体包括生长氮化镓，其中所述层叠第二氮化物半导体包括层叠氮化镓。
7. 根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述生长第一氮化物半导体之前，在所述基板上形成缓冲层，
其中所述生长所述第一氮化物半导体包括在所述缓冲层上生长所述第一氮化物半导体。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述去除所述基板包括蚀刻所述基板。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括在所述生长第一氮化物半导体之后蚀刻所述基板，所述第一氮化物半导体具有从1μm到几mm范围内的厚度。
10. 根据权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括在所述反应器中使用HCl气体。
11. 根据权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括使用分压在从1％到100％范围内的所述HCl气体。
12. 根据权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括蚀刻所述基板直到暴露所述第一氮化物半导体的N面表面。
13. 根据权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括在所述生长第一氮化物半导体期间或之后蚀刻所述基板。
14. 根据权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻所述基板包括在所述生长第一氮化物半导体之后，将所述基板从所述反应器移动到另一腔室以及所述蚀刻所述基板。
15. 根据权利要求7所述的方法，其中所述形成缓冲层包括使用金属化学气相沉积、溅射和氢化物气相外延中的任一种。
16. 根据权利要求7所述的方法，其中所述形成缓冲层包括形成AlN、TaN、TiN、HfN、GaN和AlGaN中的任一种。
17. 根据权利要求7所述的方法，其中所述形成缓冲层包括形成厚度在从10nm到3μm范围内的所述缓冲层。
18. 根据权利要求7所述的方法，其中所述形成缓冲层包括形成具有3重对称晶体结构的所述缓冲层。
19. 根据权利要求1所述的方法，其中所述生长第一氮化物半导体以及所述层叠第二氮化物半导体形成用作自支撑氮化物半导体基板的氮化物半导体层。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中所述形成氮化物半导体层包括形成厚度在从1μm至3mm范围内且直径在从10mm到18英寸范围内的所述氮化物半导体层。
21. 一种包括至少一个氮化物半导体层的氮化物半导体晶片，
其中所述至少一个氮化物半导体层在第一温度生长于在反应器中准备的基板上，所述基板的热膨胀系数不同于所述至少一个氮化物半导体层的热膨胀系数，所述基板在第二温度被去除，其中所述第一温度等于或高于950℃以及所述第二温度在400℃到1100℃的范围内，
其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的第 一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的第二氮化物半导体层。
22. 根据权利要求21所述的氮化物半导体晶片，其中所述第一氮化物半导体层通过使用氢化物气相外延生长，所述第一温度在从950℃到1100℃的范围。
23. 根据权利要求21所述的氮化物半导体晶片，其中所述第二氮化物半导体层具有等于或大于10μm的厚度。
24. 根据权利要求21所述的氮化物半导体晶片，其中所述第一氮化物半导体层的厚度在从1μm到几mm的范围内。
25. 根据权利要求21所述的氮化物半导体晶片，其中所述至少一个氮化物半导体层是氮化镓半导体层。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月03日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了经过修改的权利要求第1-25项，其中，对权利要求1进行了修改。
复审请求人认为：对比文件1至少没有公开或教导修改后的权利要求1中的特征“在等于或高于950℃的第一温度在所述基板上生长第一氮化物半导体，所述第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于所述基板的热膨胀系数；在400℃到1100℃范围的第二温度去除所述基板；以及在所述去除所述基板之后，在所述第一氮化物半导体上层叠第二氮化物半导体，其中所述自支撑氮化物半导体基板包括所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体”。在本申请中，自支撑氮化物半导体基板包括所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体，而在对比文件1中，基板仅包括单层氮化物。本领域的技术人员没有动机将对比文件1中的技术方案修改为在生长温度处或附近从单晶M*N层蚀刻去除基板之后，进一步形成另一M*N层。对比文件1旨在通过在生长温度或接近生长温度原位地去除基板来消除由不同的热膨胀系数导致的位错，并且通过生长足够厚的一层M*N来消除由于M*N层与基板之间而导致的晶格失配造成的位错。对比文件2旨在通过首先形成能够富含缺陷的或非常粗糙的GaN第二层1107并随后生长层1108来消除在冷却至室温以去除基板时由于不同的热膨胀系数导致的位错和由晶格失配造成的位错。因此，对比文件1和2的GaN层以截然不同的机制形成，因而在对比文件1和2中用于形成GaN结构的方法不能结合。
复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种生长自支撑氮化物半导体基板的方法，所述方法包括：
在反应器中准备基板；
在等于或高于950℃的第一温度在所述基板上生长第一氮化物半导体，所述第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于所述基板的热膨胀系数；
在400℃到1100℃范围的第二温度去除所述基板；以及
在所述去除所述基板之后，在所述第一氮化物半导体上层叠第二氮化物半导体，
其中所述自支撑氮化物半导体基板包括所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月09日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：权利要求1中的“自支撑氮化物半导体基板”包含两层半导体，这是在生长工艺完成之后的产品，权利要求1中的“自支撑氮化物半导体基板”并非权利要求1中的技术特征“基板”，前者是最终的产品，而后者是生长“自支撑氮化物半导体基板”的衬底结构。同理，对比文件1中的硅基板是氮化镓层生长的衬底材料，申请人将权利要求1中的“自支撑氮化物半导体基板”与对比文件1中的“硅基板”相对应是不恰当的。其次，对比文件2公开了在去除衬底1101之后，在氮化镓层1107上形成另一氮化镓层1108。对比文件2给出的启示是当一层氮化镓层不能满足要求的情况下，可在其上继续生长形成第二氮化物层。在该技术启示的指引下，本领域技术人员有动机为了得到期望厚度的氮化物层，在底层氮化物层上继续生长一层氮化物层以满足厚度的需求。根据本申请说明书第62段的记载，可通过层叠的方式获得期望厚度的氮化物半导体层，也可以仅包括预先层叠的第一氮化物半导体层；退一步讲，在本领域，LED外延层通常需要多层不同组分的氮化物层相互层叠以形成PN结，从而实现发光、光电转换等功能，因此当需要在对比文件1的M*N层之上形成另一组份的半导体层时，本领域技术人员也能够容易的想到在去除硅衬底之后调整工艺参数，从而形成新的半导体层，故复审请求人的意见陈述不具备说服力。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月17 日向复审请求人发出复审通知书，以对比文件2作为最接近的现有技术，指出：权利要求1-25不具备专利法第22条第3款规定的创造性 。
复审通知书中指出，权利要求1与对比文件2的区别技术特征为：在400℃到1100℃范围的第二温度去除基板。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是选择何种条件去除基板。对比文件1公开了一种生长氮化镓半导体层的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第15-81段，附图2-4）：在反应器中准备硅基板；在1000-1100℃的温度下生长氮化镓层；在700-1200℃的温度下去除硅基板。可见，上述区别技术特征被对比文件1所公开，且其在对比文件1中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是选择合适的温度去除基板。由此可见，对比文件1给出了将上述技术特征应用在对比文件2中以解决其技术问题的技术启示。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1得到权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年05月15 日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，对权利要求1、21进行了修改，将权利要求1和21中的“第一氮化物半导体层”和“第二氮化物半导体层”进一步限定为“作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层”和“作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层”。
复审请求人于2019年05月15 日时新修改的权利要求1、21如下：
“1. 一种生长自支撑氮化物半导体基板的方法，所述方法包括：
在反应器中准备基板；
在等于或高于950℃的第一温度在所述基板上生长作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体，所述第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于所述基板的热膨胀系数；
在400℃到1100℃范围的第二温度去除所述基板；以及
在所述去除所述基板之后，在所述第一氮化物半导体上层叠作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体，
其中所述自支撑氮化物半导体基板包括所述第一氮化物半导体和所述第二氮化物半导体。”
“21. 一种包括至少一个氮化物半导体层的氮化物半导体晶片，
其中所述至少一个氮化物半导体层在第一温度生长于在反应器中准备的基板上，所述基板的热膨胀系数不同于所述至少一个氮化物半导体层的热 膨胀系数，所述基板在第二温度被去除，其中所述第一温度等于或高于950℃以及所述第二温度在400℃到1100℃的范围内，
其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层。”
随后，复审请求人于2019年09月02日再次提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，对权利要求21进行了修改，将权利要求21中的“其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层”修改为“其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层”。
复审请求人认为：（1）对比文件2中的第二GaN层1107与本申请中的第一氮化物半导体不同。对比文件2中，第二GaN层1107中的缺陷密度和/或粗糙度使得其不适于用作用于器件应用的GaN基板，也就是，不能用作半导体晶片。而在本申请中，第一氮化物半导体具有氮化物半导体晶片的特性。与对比文件2中的包括富含缺陷的或非常粗糙的第二GaN层1107和高品质的第三GaN层1108的自支撑基板1120相比，本申请中的包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体的自支撑氮化物半导体基板将具有整体上更加优异的性能。（2）对比文件1中的“去除牺牲衬底”与本申请中的“在400°C到1100°C范围的第二温度去除所述基板”起不同的作用，其不能对于本申请中去除基板的步骤给出任何教导。在本申请中，在生长第一氮化物半导体之后且在层叠第二氮化物半导体之前去除基板，从而防止在基板上生长厚的氮化物半导体而引起的自支撑氮化物半导体基板的裂纹。对比文件1中的去除牺牲衬底的步骤并不能防止在自支撑氮化物半导体基板中产生裂纹，对比文件1教导了采用薄的牺牲衬底，以吸收生长过程中的缺陷。对比文件1和2的GaN层以截然不同的机制形成，因而在对比文件1和2中用于形成GaN结构的方法不能结合。
复审请求人于2019年09月02日时新修改的权利要求21如下：
“21. 一种包括至少一个氮化物半导体层的氮化物半导体晶片，
其中所述至少一个氮化物半导体层在第一温度生长于在反应器中准备的基板上，所述基板的热膨胀系数不同于所述至少一个氮化物半导体层的热 膨胀系数，所述基板在第二温度被去除，其中所述第一温度等于或高于950℃以及所述第二温度在400℃到1100℃的范围内，
其中所述至少一个氮化物半导体层包括在去除所述基板之前生长的作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层以及在去除所述基板之后在所述第一氮化物半导体层上生长的作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层。”
合议组于2019年09月11日向复审请求人发出第二次复审通知书，指出权利要求1、21不符合专利法第33条的规定；还指出了即使复审请求人将权利要求1、21中的“作为第一氮化物半导体晶片部的”和“作为第二氮化物半导体晶片部的”删除，权利要求1-25也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见，合议组认为：（1）虽然对比文件2公开的第二GaN层1107的缺陷密度和/或粗糙度使得其不适于用作用于器件应用的GaN基板，但是对比文件2同本申请一样，都是在基板材料硅上生长GaN层，对于本领域技术人员来说，完全可以选择合适的试验参数，设置生长GaN层的条件，从而使得在对比文件2公开的基板材料上生长的GaN层的缺陷密度和/或粗糙度满足用于器件应用的要求，使其具有氮化物半导体晶片的特性。（2）对于权利要求1与对比文件2的区别技术特征“在400℃到1100℃范围的第二温度去除基板”，权利要求1实际解决的技术问题是选择何种条件去除基板。对比文件1公开了一种生长氮化镓半导体层的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第15-81段，附图2-4）：在反应器中准备硅基板；在1000-1100℃的温度下生长氮化镓层；在700-1200℃的温度下去除硅基板。可见，上述区别技术特征被对比文件1所公开，且其在对比文件1中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是选择合适的温度去除基板。由此可见，对比文件1给出了将上述技术特征应用在对比文件2中以解决其技术问题的技术启示。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1得到权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对比文件1教导的是合适的温度去除基板，并不是复审请求人所认为的采用薄的牺牲衬底，以吸收生长过程中的缺陷，对比文件1和对比文件2可以结合。
复审请求人于2019年10月14日提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：（1）权利要求1中的修改方案是指第一和第二氮化物半导体都是晶片形式，即，第一和第二氮化物半导体都具有氮化物半导体晶片的特性。第一和第二氮化物半导体两者都是最终的氮化物半导体晶片（即，自支撑氮化物半导体基板）的一部分，并且一起构成最终的氮化物半导体晶片。也就是，第一氮化物半导体是最终的氮化物半导体晶片的第一部分，即，第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是最终的氮化物半导体晶片的第二部分，即，第二氮化物半导体晶片部。
（2）根据说明书第6页第15-18行的记载“包括氮化物半导体层100的自支撑氮化物半导体基板200可以用作氮化物半导体晶片”以及说明书第9页第15-22行的记载“可以通过在基板1上预先层叠第一氮化物半导体20至期望厚度然后蚀刻基板1而形成氮化物半导体层100'，从而可以制造如图6所示的自支撑氮化物半导体基板200'而不用层叠第二氮化物半导体30。也就是说，自支撑氮化物半导体基板200'可以形成为仅包括预先层叠的第一氮化物半导体20而不包括附加层叠在第一氮化物半导体20上的第二氮化物半导体30”，可以看出，第一氮化物半导体自身可以用作氮化物半导体晶片。因而，第一氮化物半导体必然是氮化物半导体晶片形式。也就是，第一氮化物半导体是最终的氮化物半导体晶片的第一部分，即，第一氮化物半导体晶片部。至少根据说明书第8页第14-20行的记载“在附加地层叠第二氮化物半导体30之后获得的氮化物半导体层100可以用作自支撑氮化物半导体基板200，也就是说，氮化物半导体晶片，如图5所示。例如，在去除基板1之后通过在第一GaN上附加地层叠第二GaN而得到的具有期望厚度的GaN层可以用作自支撑GaN基板（GaN晶片），其中该第一GaN在去除（即蚀刻）基板1之前形成”，可以看出第二GaN，即，第二氮化物半导体为氮化物半导体晶片形式。其可以用作最终的氮化物半导体晶片的一部分，即，第二氮化物半导体晶片部，以与作为最终的氮化物半导体晶片的另一部分的第一氮化物半导体一起形成最终的氮化物半导体晶片。因此，将权利要求1和21中的“第一氮化物半导体”和“第二氮化物半导体”进一步限定为“作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体”和“作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体”在原始公开范围内，符合专利法第33条的规定。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年10月14日答复第二次复审通知书时，未对申请文件进行修改。本复审决定与第二次复审通知书所针对的文本相同，为申请日2013年01月10日提交的说明书第1-76段、说明书附图图1-12、说明书摘要、摘要附图；2019年09月02日提交的权利要求第1-25项。
关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和使用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
若修改后的内容未记载于原说明书和权利要求书之中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容中直接地、毫无疑义地确定，则上述修改超出了原说明书和权利要求书所记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
2.1、权利要求1、21的修改不符合专利法第33条的规定。
复审请求人将权利要求1和21中的“第一氮化物半导体层”和“第二氮化物半导体层”限定为“作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体层”和“作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体层”，使得权利要求1和21的技术方案中，自支撑氮化物半导体基板包括作为第一氮化物半导体晶片部的第一氮化物半导体和作为第二氮化物半导体晶片部的第二氮化物半导体。上述修改超出了原说明书和权利要求书所记载的范围。
参见本申请的说明书第8页第14行-第10页第1行记载的内容，如“在附加地层叠第二氮化物半导体30之后获得的氮化物半导体层 100可以用作自支撑氮化物半导体基板200，也就是说，氮化物半导体晶片，如图5所示。例如，在去除基板1之后通过在第一GaN上附加地层叠第二 GaN而得到的具有期望厚度的GaN层可以用作自支撑GaN基板（GaN晶片），其中该第一GaN在去除（即，蚀刻）基板1之前形成”，“可以通过在基板1上预先层叠第一氮化物半导体20至期望厚度然后蚀刻基板1而形成氮化物半导体层100'，从而可以制造如图6所示的自支撑氮化物半导体基板200'而不用层叠第二氮化物半导体30。也就是说，自支撑氮化物半导体基板200'可以形成为仅包括预先层叠的第一氮化物半导体20而不包括附加层叠在第一氮化物半导体20上的第二氮化物半导体30。在示例实施方式中，自支撑氮化物半导体基板200'可以包括缓冲层10，如图 6所示。在示例实施方式中，在蚀刻基板1的同时，可以停止或执行层叠氮化物半导体的工艺”，“通过预先层叠第一氮化物半导体20再附加层叠第二氮化物半导体30而获得或通过仅预先层叠第一氮化物半导体20而不附加层叠第二氮化物半导体30而获得的氮化物半导体层100或100'，即，自支撑氮化物半导体基板200或200'，可以具有从例如大约1μm到大约10mm范围内的厚度。通过根据示例实施方式的生长方法制造的自支撑氮化物半导体层100或100'，即，自支撑氮化物半导体基板200或200'，可以形成为具有适于所需直径的厚度”等，可知，本申请的原申请文件中仅仅记载了：氮化物半导体晶片部包括两种情形，一种是包括层叠的第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，另一种是仅包含第一氮化物半导体而不包含第二氮化物半导体；第二氮化物半导体并不能单独作为氮化物半导体晶片部。
本申请原申请文件并没有记载自支撑氮化物半导体基板包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体时，第一氮化物半导体是作为第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是作为第二氮化物半导体晶片部。根据本申请原申请文件文字记载的内容以及说明书附图无法直接地、毫无疑义地确定出自支撑氮化物半导体基板包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体时，第一氮化物半导体是作为第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是作为第二氮化物半导体晶片部。因此，权利要求1、21请求保护的技术方案超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：
（1）首先，“晶片形式”并不意味着作为“晶片部”；其次，根据权利要求1的表述，并不能得出“第一氮化物半导体是最终的氮化物半导体晶片的第一部分，即，第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是最终的氮化物半导体晶片的第二部分，即，第二氮化物半导体晶片部”的结论。
（2）本申请说明书第6页第15-18行以及说明书第9页第15-22行，记载的是氮化物半导体晶片部的一种情形，仅包含第一氮化物半导体而不包含第二氮化物半导体。说明书第8页第14-20行，记载的是氮化物半导体晶片部的另一种情形，包括层叠的第一氮化物半导体和第二氮化物半导体。也就是说，本申请的原申请文件中仅仅记载了：氮化物半导体晶片部包括两种情形，一种是包括层叠的第一氮化物半导体和第二氮化物半导体，另一种是仅包含第一氮化物半导体而不包含第二氮化物半导体；第二氮化物半导体并不能单独作为氮化物半导体晶片部。本申请原申请文件并没有记载自支撑氮化物半导体基板包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体时，第一氮化物半导体是作为第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是作为第二氮化物半导体晶片部。根据本申请原申请文件文字记载的内容以及说明书附图无法直接地、毫无疑义地确定出自支撑氮化物半导体基板包括第一氮化物半导体和第二氮化物半导体时，第一氮化物半导体是作为第一氮化物半导体晶片部，第二氮化物半导体是作为第二氮化物半导体晶片部。
因此，权利要求1请求保护的技术方案超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
基于上述理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月29日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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