发明创造名称：层积体及阻气膜
外观设计名称：
决定号：200466
决定日：2019-12-19
委内编号：1F246531
优先权日：2013-03-27
申请（专利）号：201480018522.2
申请日：2014-03-19
复审请求人：凸版印刷株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：岳媛媛
合议组组长：何楚
参审员：武姿
国际分类号：B32B9/00,C23C16/40,C23C16/455
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，如果本领域技术人员能够从其他现有技术中获得启示，并且能够结合本领域公知常识加以改进，以得到该权利要求请求保护的技术方案，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性；此处最接近的现有技术是指最接近的对比文件中的最接近的技术方案，其他现有技术可以是最接近的现有技术中除最接近的技术方案之外的其它技术方案。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480018522.2，名称为“层积体及阻气膜”的PCT发明专利申请（下称本申请）。申请人为凸版印刷株式会社。本申请的申请日为2014年3月19日，优先权日为2013年3月27日，进入中国国家阶段日期为2015年9月25日，公开日为2016年1月20日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年10月26日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-5相对于对比文件1（WO2013/015417A1，公开日为2013年1月31日）和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为2015年9月25日提交的说明书第1-107段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2017年1月9日提交的权利要求第1-5项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种层积体，其包括：
具有表面的基材，
覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜、以及
覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，其中，
在将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为tOC时，所述保护膜层的厚度满足ta＜tOC≦10ta的关系。
2. 根据权利要求1所述的层积体，其中，
所述保护膜层由水溶性高分子和金属醇盐构成。
3. 根据权利要求1所述的层积体，其中，
所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种构成。
4. 根据权利要求1所述的层积体，
其中，所述保护膜层利用湿式涂布或干式涂布中的任一种技术而形成。
5. 一种阻气膜，其是使权利要求1至4中任一项所述的层积体形成为薄膜状而得到的。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年2月6日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：1.对比文件1实施例1-4正文部分OC层膜厚为0.5μm，图3中膜厚0.1μm应为笔误；2.本申请与权利要求1的区别技术特征在于“所述保护膜层的厚度满足ta＜tOC≦10ta的关系”，这样既可以避免因外力损伤，又可以较高地维持层积体的阻气性。
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了该复审请求，并于2018年4月2日将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，首先，虽然对比文件1正文部分和附图部分关于OC层厚度记载内容不一致，但上述两部分记载的内容均属于对比文件1公开的现有技术，当本领域技术人员在面对获得良好阻隔性能时，有动机按照上述公开内容去实践；其次，对于复审请求人所声称的图3公开“膜厚0.1μm”是笔误，本领域技术人员从对比文件1公开内容无法获得上述结论，即本领域技术人员根据说明书第0096-0109段和附图3记载的不一致内容，无法确定上述附图3的膜厚是笔误。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018 年11 月16日向复审请求人发出复审通知书，指出：1.对比文件1实施例1-4的文字部分与附图3中的列表，在关于OC层膜厚方面记载的确不同，但本领域技术人员无法直接地毫无疑义地确定关于该记载的对与错，但是可以确定，对比文件1中附图3的列表记载了ALD的膜厚为0.1μm。且原子层沉积膜的厚度为10nm，即tOC=10ta，满足关系式ta＜tOC≦10ta因此，对比文件1公开了权利要求1的技术方案，权利要求1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。权利要求2-3、5的附加技术特征也被对比文件1公开，因此，权利要求2-3也不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求4的附加技术特征，是本领域技术人员在对比文件1的启示下容易想到的常规选择，因此，权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性，当权利要求5引用权利要求4时也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2018 年12 月27 日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的修改替换页，仅在权利要求1中增加特征“所述保护膜层为含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜”，其余权利要求未做修改。修改后的权利要求1为：
“1. 一种层积体，其包括：
具有表面的基材，
覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜、以及
覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，其中，
所述保护膜层为含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜，
在将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为toc时，所述保护膜层的厚度满足ta＜toc≦10ta的关系。”
复审请求人认为：对比文件1没有公开“所述保护保护膜层的厚度满足ta＜toc≦10ta的关系”，修改后的权利要求具备新颖性和创造性。
合议组于2019 年3月22日继续发出复审通知书，指出：权利要求1新增加的技术特征为“所述保护膜层为含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜”。复审请求人陈述该修改的依据为说明书第8页第3-4行。然而根据说明书第8页涉及到该处的记载可以看出，保护膜层不仅仅包含“Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜”，而是在“OC层4由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成的情况下，例如优选为由 SiOx、AlOx、TiOx中的一种构成的氧化膜；含有上述元素的氮化膜、 氮氧化膜”的基础上，还包含“Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜”。修改后的技术方案无法从原申请文件中直接地、毫无意义地确定，因此，权利要求1的修改超出原申请文件记载的范围，不符合专利法第33条的规定。对比文件1中附图3的列表记载了ALD的膜厚为0.1μm。即公开了膜的厚度关系；由于对比文件1新修改的技术方案超出了原申请记载的范围，合议组不再对新修改的权利要求进行创造性审查。
复审请求人于2019 年5月5 日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的修改替换页，将权利要求1中“所述保护膜层为含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜”修改为“所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成，并且进一步含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物”，以克服复审通知书中指出的超范围的缺陷，其余权利要求未做修改。修改后的权利要求1为：
“1. 一种层积体，其包括：
具有表面的基材，
覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜、以及
覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，其中，
所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成，并且进一步含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物，
在将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为tOC时，所述保护膜层的厚度满足ta＜tOC≦10ta的关系。”
复审请求人认为：修改后的权利要求1克服了专利法第33条的缺陷；且，对比文件1由水系阻挡涂布体形成，其材料为有机高分子和金属醇盐，而本申请则通过干式涂布技术形成，两者组成成分和形成方法不同；本申请中保护膜层由无机膜构成，耐久性提高，进而阻隔性也提高。这样，在形成有OC层4的层积体中，在卷绕时ALD膜3不与其它基材直接接触，不可能在膜厚方向产生贯穿孔，通过在ALD膜3的表面形成OC层4，可以提高层积体的阻气性。
合议组于2019 年7月5日继续发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的实施例1的区别在于：所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成，并且进一步含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物。然而，在对比文件1第171-172段，层积体的制造工序的实施例2中还公开了可以通过CVD而形成OC层，该OC层是二氧化硅膜，在对比文件1的附图3的实施例4中公开了OC层是二氧化钛。对比文件1的其它技术方案给出了上述成膜方式和材料选择的启示。对于进一步包含的材料，也属于本领域的公知常识。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征或者被对比文件1公开或者属于本领域公知常识，因此，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年8月20 日提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：1.对比文件1中OC层由水系阻挡布形成，不仅组成成分不同，形成方法也不同；本申请中采用干式涂布技术，以满足关系式ta＜tOC≦10ta的方式，形成上述保护膜层（OC层），从而获得了这样的有益技术效果：即使以辊状来输送、保管阻气膜，阻气膜的阻气性也不会降低。2.实施例2属于第4实施方式，其厚度比例不在本申请所限定的范围内，附图3的实施例4属于第2实施方式，第2实施方式和第4实施方式是两个平行的技术方案，合议组将两者的内容重新组合是不合理的。3.通过保护膜层由这些无机膜构成，耐久性提高，进而阻隔性也提高，获得了有益的技术效果。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
关于审查文本
本复审决定针对的审查文本为：2015年9月25日提交的说明书第1-107段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2019年5月5日提交的权利要求第1-5项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，如果本领域技术人员能够从其他现有技术中获得启示，并且能够结合本领域公知常识加以改进，以得到该权利要求请求保护的技术方案，则该权利要求请求保护的技术方案不具备创造性；此处最接近的现有技术是指最接近的对比文件中的最接近的技术方案，其他现有技术可以是最接近的现有技术中除最接近的技术方案之外的其它技术方案。
具体到本申请，权利要求1-5不具备创造性，理由如下：
权利要求1请求保护一种层积体，对比文件1公开了一种层积体，其中的实施例1（参见说明书第41段、91或94段、实施例1、第162段、附图3）具体公开了如下技术特征：其包括：具有表面的基材，覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为10nm（该数值落在本申请的“3nm以上500nm以下”的范围内）的原子层沉积膜、以及覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，即使OC层具有与ALD层相同的机械强度，若OC层的膜厚比ALD膜厚，则即使施加稍微使ALD膜产生伤痕程度的外力，也没有在OC层产生贯通孔的顾虑，其结果是能够良好地保持层叠体的阻气性。如果将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为tOC时，则ta＜tOC。并且在附图3中OC层膜厚0.1μm，即100nm，此时，tOC=10ta。因此，权利要求1与对比文件1的实施例1的区别在于：所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成，并且进一步含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物。基于该区别技术特征，可以确定本申请实际要解决的技术问题为：选择哪些材料和方式形成保护膜层。然而，在对比文件1第171-172段，层积体的制造工序的实施例2中还公开了可以通过CVD而形成OC层，该OC层是二氧化硅膜，在对比文件1的附图3的实施例4中公开了OC层是二氧化钛。因此，对比文件1的层积体的制造工序的实施例2以及附图3的实施例4，给出了上述成膜方式和材料选择的启示。对于进一步包含的材料，则属于本领域的公知常识。具体参见证据1（《表面涂层技术》，陈学定、韩文政主编，机械工业出版社出版，1994年5月北京第1次印刷）。在证据1中，第四章记载了镀膜技术，包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜、化学气相沉积膜，在该书第182页记载了PVD和CVD薄膜特点及主要用途，在表4-9中给出了薄膜的用途，包括耐磨蚀，润滑，耐磨，装饰，能源，光学，磁学等，其中公开了不同目的所使用的不同材料，在第240页表7-1中也公开了一般表面涂层材料选择，其中公开了钽。可见，上述材料是镀膜技术中常规的镀膜材料，本领域技术人员容易想到根据不同的用处需求，来对材料进行不同的组合，以实现相应的效果。由此可见，在对比文件1实施例1的基础上结合其他实施例以及本领域公知常识，从而得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1，对比文件1（参见其说明书第0043-0053段）还公开了：OC层5通过水系阻挡涂布体来形成，该水系阻挡涂布体是通过由水系有机高分子、金属醇盐或硅烷偶联剂等有机金属化合物组成的水解聚合物，以及它们的复合物所构成的具有阻挡性的涂布膜，作为水系有机高分子例如聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯亚胺等。由此可见，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求2也不具备创造性。
权利要求3引用权利要求1，其附加技术特征与权利要求1中部分特征完全重合，因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该从属权利要求3也不具备创造性。
权利要求4引用权利要求1，对比文件1（参见其0043-0053段，图3）还公开了：OC层是调整固体含量为5%的溶液作为涂布剂、在120℃-1分钟的加工条件下采用棒式涂布法形成膜厚。在对比文件1公开了上述涂布方式的启示下，本领域技术人员能够想到采用其他湿式涂布或干式涂布技术手段形成上述保护膜层。因此，当其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5请求保护一种阻气膜，其是使用权利要求1-4所述的层积体形成为薄膜状而得到的。对比文件1为最接近的现有技术，其公开内容如上所述。对比文件1（参见其权利要求书）还公开一种阻气膜，其使用层叠体形成为膜状。因此，基于其引用的权利要求1-4不具备创造性，权利要求5也不具备创造性。
关于复审请求人意见评述
合议组认为：
1.本申请在权利要求中仅限定了OC层的组成成分，没有关于形成方法的限定。因此，在创造性的审查过程，也不会考虑上述形成方法对权利要求的限定。在本申请第43段记载有“形成于UC层2的表面的ALD膜3具有优异的阻隔性。另一方面，由于ALD膜3的膜厚薄，因此，通过卷绕时的基材彼此的接触等，有可能在ALD膜3上产生损伤及针孔等。这种情况成为层积体的阻气性能降低的原因。”第44段记载有“因此，为了防止因卷绕时的基材彼此的接触等而在ALD膜3上产生损伤及针孔等，在ALD膜3的表面形成OC层4作为保护层。”，可见本申请为了达到“即使以辊状来输送、保管阻气膜，阻气膜的阻气性也不会降低”的技术效果，所采用的技术方案为设置“覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层”。而关系式“ta＜tOC≦10ta”所带来的技术效果在说明书第45段也有明确记载“此时，将ALD膜3的厚度设为ta、将所形成的OC层4的厚度设为tOC时，OC层4的厚度优选满足ta＜tOC＜50ta的关系，更优选满足ta＜tOC≦10ta的关系。OC层4的厚度tOC为ta以下时，因外在因素会使损伤到达ALD膜3，不能充分地发挥作为保护层的功能。另外，超过50ta时，认为因内部应力而产生裂纹，阻气性降低。在此，ALD膜3的厚度ta及OC层4的厚度tOC为纳米级。”对比文件1公开了“ta＜tOC=10ta”的厚度关系，必然也能带来相同的技术效果。关于保护膜层的组成成分，也被对比文件1的其它实施例公开，在对比文件1第二实施方式实施例1的基础上结合第四实施方式中的实施例2以及第二实施方式中的实施例4，容易得到本申请的权利要求1请求保护的技术方案，因而权利要求1不具备创造性。
2.在对比文件1第二实施方式实施例1公开了各膜层，以及厚度比例关系，而区别技术特征“所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成，并且进一步含有Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物”，包括多个并列的方案，其中实施方式四中的实施例2公开了OC层是二氧化硅膜，实施方式二的实施例4公开了OC层是二氧化钛膜；两处分别公开了不同的方案，分别给出了OC层是二氧化硅膜、OC层是二氧化钛膜的技术启示，本领域技术人员容易想到将其结合到“说明书第41段、91或94段、实施例1、第162段、附图3”公开的方案中，并非如复审请求人所述的“将两个平行的技术方案重新组合”。
3. 对比文件1的实施方式四中的实施例2公开了OC层是二氧化硅膜，实施方式二的实施例4公开了OC层是二氧化钛膜，它们也是由无机膜构成，并且进一步包含的Sn、Ta和Zr中任意一者的无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物、或它们的混合物，也是属于本领域常规添加的膜层材料。因此，这些无机膜层必然也具有“耐久性提高，进而阻隔性也提高”的技术效果。至于在说明技术第57段有记载“这样，在形成有OC层4的层积体中，在卷绕时ALD膜3不与其它基材直接接触。即，如果ALD膜3为最外表面，则即使有在膜厚方向产生贯穿孔的程度的大小的外力作用于层积体的表面，也由于在最外表面形成了厚度大于ALD膜3的OC层4，因此不可能在膜厚方向产生贯穿孔。因此，通过在ALD膜3的表面形成OC层4， 可以提高层积体的阻气性。”此处可以看出，设置OC层，取得了提高层积体的阻气性的技术效果。而对比文件1也正是设置了OC层，取得了同样的技术效果。
综上所述，复审请求人意见陈述不具备说服力。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年10月26日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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