发明创造名称：用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理
外观设计名称：
决定号：199175
决定日：2019-12-18
委内编号：1F267464
优先权日：2008-07-02,2008-11-25
申请（专利）号：201510540494.7
申请日：2009-06-29
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：凌宇飞
合议组组长：武建刚
参审员：刘天飞
国际分类号：H01L29/786,H01L21/336
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求的技术方案相对于最接近的现有技术存在多个区别技术特征，而区别技术特征之一并未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510540494.7，名称为“用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2009年06月29日，优先权日为2008年07月02日、2008年11月25日，公开日为2015年11月25日 。本申请是申请号为200980125888.9的母案的分案申请，本申请的分案递交日为2015年08月28日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月29日以权利要求1-14不具备创造性为由驳回了本申请，驳回决定所依据的文本为：于分案递交日2015年08月28日提交的说明书第1-11页、说明书附图第1-6页、摘要、摘要附图；2018年05月04日提交的权利要求第1-14项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积栅极介电层至栅极电极和基板上；
使该栅极介电层暴露于含氧等离子体；
在使该栅极介电层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该栅极介电层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个元素，所述一或多个元素选自由锌、镓、铟、镉、锡和所述元素的组合构成的群组；
沉积导电层至该半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该半导体层。
2. 如权利要求1所述的方法，其中该栅极介电层包含氮化硅、氧化硅、或由氮化硅与氧化硅组成的双层。
3. 如权利要求1所述的方法，其中该暴露步骤是在与沉积该栅极介电层相同位置处进行。
4. 如权利要求1所述的方法，其中所述含氧等离子体包括N2O。
5. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氮化硅层至栅极电极和基板上；
沉积氧化硅层至该氮化硅层上；
使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；
在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或 多个元素，所述一或多个元素选自由锌、镓、铟、镉、锡和所述元素的组合构成的群组；
沉积导电层至该半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该半导体层。
6. 如权利要求5所述的方法，其中该暴露步骤是在与沉积该氧化硅层相同位置处进行。
7. 如权利要求5所述的方法，更包括：在使该氧化硅层暴露于N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体。
8. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氧化硅层至栅极电极和基板上；
使该氧化硅层暴露于含氧等离子体；
在暴露于该含氧等离子体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个元素，所述一或多个元素选自由锌、镓、铟、镉、锡和所述元素的组合构成的群组；
沉积导电层至该半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该半导体层。
9. 如权利要求8所述的方法，更包含：
使该氧化硅层暴露于N2O等离子体。
10. 如权利要求9所述的方法，其中该暴露步骤是在与沉积该氧化硅层相同位置处进行。
11. 如权利要求8所述的方法，更包含：
在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体。
12. 如权利要求9所述的方法，更包括：在使该氧化硅层暴露于N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体。
13. 一种薄膜晶体管，包含：
氧化硅层，位于栅极电极和基板上；
使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；
在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
氮氧化物半导体层，位于该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个元素，所述一或多个元素选自由锌、镓、铟、镉、锡和所述元素的组合构成的群组；以及
源极电极与漏极电极，位于该半导体层上，该源极电极和该漏极电极彼此相隔而暴露出该半导体层的一部分，该半导体层的该暴露出的部分形成主动沟道的至少一部分。
14. 如权利要求13所述的晶体管，更包含氮化硅层，位于该栅极电极和该基板的上方且位于该氧化硅层的下方。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：US2007/0057261A1，公开日：2007年03月15日；
对比文件2：US2007/0093013A1，公开日：2007年04月26日；
对比文件3：US4695432A，授权公告日：1987年09月22日。
驳回决定的具体理由是：权利要求1与对比文件1的区别在于：1）使该栅极介电层暴露于含氧等离子体；在使该栅极介电层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别技术特征1）部分被对比文件2公开部分是本领域的惯用技术手段；上述区别技术特征2）部分被对比文件3公开，部分对本领域技术人员来说是容易想到的；上述区别技术特征3）是本领域的惯用技术手段，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-4的附加技术特征分别被对比文件1和2公开，因此权利要求2-4也不具备创造性。权利要求5与对比文件1的区别在于：1）在栅极电极和基板上依次沉积氮化硅层和氧化物层；使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别技术特征1）部分被对比文件2公开，部分对于本领域技术人员来说是可以根据具体需求进行调整的；上述区别技术特征2）部分被对比文件3公开，部分对本领域技术人员来说是容易想到的；上述区别技术特征3）是本领域的惯用技术手段，因此权利要求5不具备创造性。从属权利要求6的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求7的附加技术特征是本领域的惯用技术手段，因此权利要求6、7也不具备创造性。权利要求8与对比文件1的区别在于：1）栅极绝缘层为氧化硅层；使该氧化硅层暴露于含氧等离子体；在暴露于该氧等离子后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别技术特征1）部分被对比文件2公开，部分对于本领域技术人员来说是容易想到的；上述区别技术特征2）部分被对比文件3公开，部分对本领域技术人员来说是容易想到的；上述区别技术特征3）是本领域的惯用技术手段，因此权利要求8不具备创造性。从属权利要求9的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求10、11的附加技术特征在对比文件2的启示下是容易想到的，从属权利要求12的附加技术特征是本领域的惯用技术手段，因此权利要求9-12也不具备创造性。权利要求13与对比文件1的区别在于：1）栅极绝缘层为氧化硅层；使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素。上述区别技术特征1）部分被对比文件2公开，部分对本领域技术人员来说是容易想到的；上述区别技术特征2）部分被对比文件3公开，部分对本领域技术人员来说是容易想到的，因此权利要求13不具备创造性。从属权利要求14的附加技术特征被对比文件2公开，因此权利要求14不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月30日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：（1）在使栅极介电层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体的步骤不属于公知常识；（2）所引用的对比文件没有公开所请求保护的氮氧化物半导体层或致使上述技术特征显而易见；（3）对比文件3不适于与对比文件1或对比文件2组合。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：（1）在母案审查及复审过程中一致将“在使该栅极介质层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介质层暴露于氢等离子体”认定为公知常识，本申请记载了在施予N2O等离子后使栅极介电层暴露于H2等离子能产生媲美只以N2O等离子体处理的次临界斜率，可见增加“氢等离子体处理栅极介电层”这一步骤并未带来新的技术效果；（2）对比文件3具有结合启示。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月09日向复审请求人发出复审通知书，指出全部权利要求1-14不具有创造性，具体为：权利要求1与对比文件1的区别在于：1）使该栅极介电层暴露于含氧等离子体；在使该栅极介电层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别1）部分被对比文件2公开，部分是本领域常用技术手段；上述区别技术特征2）是本领域常用技术手段；上述区别3）是本领域常用技术手段，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-4的附加技术特征分别被对比文件1和2公开，因此权利要求2-4也不具备创造性。权利要求5与对比文件1的区别在于：1）在栅极电极和基板上依次沉积氮化硅层和氧化物层；使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别1）部分被对比文件2公开，部分对于本领域技术人员来说可以根据具体需求进行调整的；上述区别技术特征2）是本领域常用技术手段；上述区别3）是本领域常用技术手段，因此权利要求5不具备创造性。从属权利要求6的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求7的附加技术特征是本领域的常用技术手段，因此权利要求6、7也不具备创造性。权利要求8与对比文件1的区别在于：1）栅极绝缘层为氧化硅层，使该栅极介电层暴露于含氧等离子体；在使该栅极介电层暴露于该含氧等离子体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素；3）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。上述区别1）部分被对比文件2公开，部分是本领域常用技术手段；上述区别技术特征2）是本领域常用技术手段；上述区别3）是本领域常用技术手段，因此权利要求8不具备创造性。从属权利要求9的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求10、11的附加技术特征在对比文件2的启示下是容易想到的，从属权利要求12的附加技术特征是本领域的常用技术手段，因此权利要求9-12也不具备创造性。权利要求13与对比文件1的区别在于：1）栅极绝缘层为氧化硅层；使该氧化硅层暴露于N2O等离子体；在暴露于该N2O等离子体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；2）所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮、及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的元素。上述区别1）部分被对比文件2公开，部分对于本领域技术人员来说可以根据具体需求进行调整的；上述区别技术特征2）是本领域常用技术手段，因此权利要求13不具备创造性。从属权利要求14的附加技术特征被对比文件2公开，因此权利要求14不具备创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）本申请记载了在施予N2O等离子后使栅极介电层暴露于H2等离子能产生媲美只以N2O等离子体处理的次临界斜率，“媲美”表明在施予N2O等离子后使栅极介电层暴露于H2等离子最多也就获得与仅仅使用N2O等离子体处理相当的技术效果，可见，增加“氢等离子体处理栅极介电层”这一步骤并未带来新的技术效果，换言之，该步骤对本申请技术问题的解决和技术效果的实现未起到实质性作用，是可有可无的。在现有技术中，存在对介电层进行氧等离子处理或氢等离子处理以及既进行氧等离子处理又进行氢等离子体处理的情况，对于本领域技术人员来说，在此基础上先进行氧等离子体处理再进行氢等离子处理是容易想到的。（2）合议组不再使用对比文件3，但是“氮氧化物半导体层”在TFT中被广泛使用采用，在诸如CN1941299A，CN101057339A，US7235810B1等多篇早于本申请的申请日的现有技术中均采用了锌/镓/铟/镉/锡及其组合构成的群组的元素的氮氧化物作为半导体层，这表明“氮氧化物半导体层”已经为本领域技术人员所熟知。
复审请求人于2019年06月24日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积栅极介电层至栅极电极和基板上；
通过使该栅极介电层暴露于N2O等离子体来处理该介电层，及接着使该栅极介电层暴露于N2O气体；
在使该栅极介电层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该栅极介电层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中溅射靶材包含所述一或多个金属，且其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧化物半导体层。
2. 如权利要求1所述的方法，其中该栅极介电层包含氮化硅、氧化硅、或由氮化硅与氧化硅组成的双层。
3. 如权利要求1所述的方法，其中该暴露步骤是在与沉积该栅极介电层相同位置处进行。
4. 如权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体和所述含氮气体包括N2O。
5. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氮化硅层至栅极电极和基板上；
沉积氧化硅层至该氮化硅层上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体来处理该氧化硅层，及接着使该氧化 硅层暴露于N2O气体；
在暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中溅射靶材包含所述一或多个金属，且其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧化物半导体层。
6. 如权利要求5所述的方法，其中该暴露步骤是在与沉积该氧化硅层相同位置处进行。
7. 如权利要求5所述的方法，进一步包含：在使该氧化硅层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体。
8. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氧化硅层至栅极电极和基板上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体来处理该氧化硅层，及接着使该氧化硅层暴露于N2O气体；
在使该氧化硅层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该氮氧化物半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧 化物半导体层。
9. 如权利要求8所述的方法，其中该氧化硅的处理步骤是在与沉积该氧化硅层相同位置处进行。
10. 如权利要求8所述的方法，其中该含氧气体和该含氮气体包括N2O。
11. 一种薄膜晶体管，包含：
氧化硅层，位于栅极电极和基板上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体来处理该氧化硅层，接着使该氧化硅层暴露于N2O气体；
在暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
氮氧化物半导体层，位于该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；以及
源极电极与漏极电极，位于该半导体层上，该源极电极和该漏极电极彼此相隔而暴露出该半导体层的一部分，该半导体层的该暴露出的部分形成主动沟道的至少一部分。
12. 如权利要求11所述的晶体管，进一步包含氮化硅层，位于该栅极电极和该基板的上方且位于该氧化硅层的下方。”
复审请求人于2019年07月12日再次提交了意见陈述书，再次修改权利要求1、5、8、11，修改后权利要求1、5、8、11内容如下：
“1. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积栅极介电层至栅极电极和基板上；
通过使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着使该栅极介电层暴露于N2O气体。来处理该栅极介电层；
在使该栅极介电层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该栅极介电层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中溅射靶材包含所述一或多个金属，且其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧化物半导体层。”
“5. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氮化硅层至栅极电极和基板上；
沉积氧化硅层至该氮化硅层上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气 体，来处理该氧化硅层；
在暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中溅射靶材包含所述一或多个金属，且其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧化物半导体层。 ”
“8. 一种薄膜晶体管制造方法，该方法包含：
沉积氧化硅层至栅极电极和基板上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气体，来处理该氧化硅层；
在使该氧化硅层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；
溅射沉积氮氧化物半导体层至该氧化硅层上，该氮氧化物半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；
沉积导电层至该氮氧化物半导体层上；以及
蚀刻该导电层而界定源极电极与漏极电极和主动沟道，该主动沟道包括该氮氧 化物半导体层。 ”
“11. 一种薄膜晶体管，包含：
氧化硅层，位于栅极电极和基板上；
通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气体，来处理该氧化硅层；
在暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氧等离子体；
氮氧化物半导体层，位于该氧化硅层上，该半导体层包含氧、氮、及一或多个金属，所述一或多个金属选自由锌、镓、铟、镉、锡和上述金属的组合构成的群组，其中含氧气体和含氮气体与所述一或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；以及
源极电极与漏极电极，位于该半导体层上，该源极电极和该漏极电极彼此相隔而暴露出该半导体层的一部分，该半导体层的该暴露出的部分形成主动沟道的至少一部分。”
复审请求人于2019年06月24日及2019年07月12日提交的意见陈述内容基本一致，复审请求人认为修改后权利要求相对于对比文件1和2具有创造性，具体为：
（1）修改后的独立权利要求1、5、8、11包含“通过使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着使该栅极介电层暴露于N2O气体”的步骤。相比之下，对比文件1没有教导或建议栅极介电层的处理，对比文件2仅教导了通过暴露于含氧“等离子体”来氧化栅极介电层208，所述含氧“等离子体”包括O2，NO,N2O及其类似物中的至少一种。对比文件2没有提及通过使栅极介电层暴露于N2O等离子体随后暴露于N2O气体来处理该栅极介电层。（2）对比文件1和2均没有公开修改后的权利要求中限定的“氮氧化物半导体层”。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年07月12日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，2019年07月12日所作的修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于2019年07月12日提交的权利要求第1-12项、于分案递交日2015年08月28日提交的说明书第1-11页、说明书附图第1-6页、摘要、摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案相对于最接近的现有技术存在多个区别技术特征，而区别技术特征之一并未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2007/0057261A1，公开日：2007年03月15日；
对比文件2：US2007/0093013A1，公开日：2007年04月26日；
对比文件3：US4695432A，授权公告日：1987年09月22日。
2.1权利要求1请求保护一种薄膜晶体管制造方法。对比文件1公开了一种薄膜晶体管制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0041-0055段、附图3-4）：所述薄膜晶体管制造方法包括以下步骤：沉积一栅极绝缘层220至一栅极电极210和一基板200上；溅射沉积一透明半导体层230至所述栅极绝缘层220上，该透明半导体层230可为ZnO；通过溅射沉积一透明导电金属层在半导体层230上，并图案化以形成预定的源漏电极图案240a、240b和一主动沟道，该主动沟道包括该半导体层230。权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：1）使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着使该栅极介电层暴露于N2O气体，来处理该栅极介电层；在使该栅极介电层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该栅极介电层暴露于氢等离子体；所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属，溅射靶材包含上述一个或多个金属，在含氧气体和含氮气体与所述一个或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；2）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。基于上述区别技术特征可以确定权利要求1相对于对比文件1公开的内容，实际解决的技术问题是：改进TFT的次临界斜率和迁移率；以及提供图案化的方法。
对于上述区别技术特征2），采用蚀刻方式来形成源漏极，是本领域的常用技术手段，本领域技术人员容易想到使用蚀刻方式来取代对比文件1中所公开的溅射成形方式。
对于上述区别技术特征1），对比文件2公开了一种栅极介电层的制造的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0006、0045段）：使栅极介电层208暴露于一含氧等离子体，所述含氧等离子体包括O2、NO、N2O至少一者，但是对比文件2并未公开使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着暴露于N2O气体，然后再暴露于氢等离子体的连续工艺，也没有公开采用选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属的氮氧化物作为半导体层；该区别技术特征1）作为一个整体没有被对比文件3公开，并且上述采用特定工艺处理栅极介电层以及采用特定材料形成半导体层的组合并非本领域的公知常识。通过采用上述方法处理栅极介电层并后续沉积上述氮氧化物半导体层能够使得制得的TFT不仅具有比较大的迁移率，同时还具有比较好的次临界斜率，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求1相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2权利要求5请求保护一种薄膜晶体管制造方法。对比文件1公开了一种薄膜晶体管制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0041-0055段、附图3-4）：所述薄膜晶体管制造方法包括以下步骤：沉积一栅极绝缘层220至一栅极电极210和一基板200上，所述栅极绝缘层220为氮化物层或氧化物层；溅射沉积一透明半导体层230至所述栅极绝缘层220上，该透明半导体层230可为ZnO；通过溅射沉积一透明导电金属层在半导体层230上，并图案化以形成预定的源漏电极图案240a、240b和一主动沟道，该主动沟道包括该半导体层230。权利要求5请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：1）在栅极电极和基板上依次沉积氮化硅层和氧化物层；使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气体，来处理该氧化硅层；在使该氧化硅层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属，溅射靶材包含上述一个或多个金属，在含氧气体和含氮气体与所述一个或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；2）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。基于上述区别技术特征可以确定权利要求5相对于对比文件1公开的内容，实际解决的技术问题是：改进TFT的次临界斜率和迁移率；以及提供图案化的方法。
对于上述区别技术特征2），采用蚀刻方式来形成源漏极，是本领域的常用技术手段，本领域技术人员容易想到使用蚀刻方式来取代对比文件1中所公开的溅射成形方式。
对于上述区别技术特征1），对比文件2公开了一种栅极介电层的制造的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0006、0045段）：栅极介电层包括氮化硅层208和氧化硅层，使栅极介电层208暴露于一含氧等离子体，所述含氧等离子体包括O2、NO、N2O至少一者，但是对比文件2并未公开使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着暴露于N2O气体，然后再暴露于氢等离子体的连续工艺，也没有公开采用选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属的氮氧化物作为半导体层；该区别技术特征1）作为一个整体没有被对比文件3公开，并且上述采用特定工艺处理栅极介电层以及采用特定材料形成半导体层的组合并非本领域的公知常识。通过采用上述方法处理栅极介电层并后续沉积上述氮氧化物半导体层能够使得制得的TFT不仅具有比较大的迁移率，同时还具有比较好的次临界斜率，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求5相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3权利要求8请求保护一种薄膜晶体管制造方法。对比文件1公开了一种薄膜晶体管制造方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0041-0055段、附图3-4）：所述薄膜晶体管制造方法包括以下步骤：沉积一栅极绝缘层220至一栅极电极210和一基板200上；溅射沉积一透明半导体层230至所述栅极绝缘层220上，该透明半导体层230可为ZnO；通过溅射沉积一透明导电金属层在半导体层230上，并图案化以形成预定的源漏电极图案240a、240b和一主动沟道，该主动沟道包括该半导体层230。权利要求8请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：1）栅极绝缘层为氧化硅层，使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气体，来处理该氧化硅层；在使该氧化硅层暴露于该N2O等离子体和该N2O气体后，使该氧化硅层暴露于氢等离子体；所述半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属，溅射靶材包含上述一个或多个金属，在含氧气体和含氮气体与所述一个或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；2）蚀刻导电层而界定一源极与一漏极和一主动沟道。基于上述区别技术特征可以确定权利要求8相对于对比文件1公开的内容，实际解决的技术问题是：改进TFT的次临界斜率和迁移率；以及提供图案化的方法。
对于上述区别技术特征2），采用蚀刻方式来形成源漏极，是本领域的常用技术手段，本领域技术人员容易想到使用蚀刻方式来取代对比文件1中所公开的溅射成形方式。
对于上述区别技术特征1），对比文件2公开了一种栅极介电层的制造的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0006、0045段）：使栅极介电层208暴露于一含氧等离子体，所述含氧等离子体包括O2、NO、N2O至少一者，但是对比文件2并未公开使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着暴露于N2O气体，然后再暴露于氢等离子体的连续工艺，也没有公开采用选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属的氮氧化物作为半导体层；该区别技术特征1）作为一个整体没有被对比文件3公开，并且上述采用特定工艺处理栅极介电层以及采用特定材料形成半导体层的组合并非本领域的公知常识。通过采用上述方法处理栅极介电层并后续沉积上述氮氧化物半导体层能够使得制得的TFT不仅具有比较大的迁移率，同时还具有比较好的次临界斜率，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求8相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4权利要求11请求保护一种薄膜晶体管。对比文件1公开了一种薄膜晶体管，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0041-0048段、附图3）：所述薄膜晶体管包含一栅极绝缘层220，位于一栅极电极210和一基板200上，所述栅极绝缘层220为氧化物层；一透明半导体层230位于所述栅极绝缘层220上，该透明半导体层230可为ZnO；源极240a和漏极240b，位于透明半导体层230上，该源极240a和漏极240b彼此相隔而暴露出一部分的该半导体层230，所暴露的部分的该半导体230形成主动沟道的至少一部分。权利要求11请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：栅极绝缘层为氧化硅层，通过使该氧化硅层暴露于N2O等离子体，并接着使该氧化硅层暴露于N2O气体，来处理该氧化硅层；然后使该氧化硅层暴露于氢等离子体；半导体层为氮氧化物，其包含氧、氮及一或多个选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属，含氧气体和含氮气体与所述一个或多个金属反应的同时溅射沉积该氮氧化物半导体层；基于上述区别技术特征可以确定权利要求11相对于对比文件1公开的内容，实际解决的技术问题是：改进TFT的次临界斜率和迁移率；以及提供图案化的方法。
对于上述区别技术特征，对比文件2公开了一种栅极介电层的制造的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0006、0045段）：使栅极介电层208暴露于一含氧等离子体，所述含氧等离子体包括O2、NO、N2O至少一者，但是对比文件2并未公开使该栅极介电层暴露于N2O等离子体，并接着暴露于N2O气体，然后再暴露于氢等离子体的连续工艺，也没有公开采用选自由锌、镓、铟、镉、锡和其组合构成的群组的金属的氮氧化物作为半导体层；该区别技术特征作为一个整体没有被对比文件3公开，并且上述采用特定工艺处理栅极介电层以及采用特定材料形成半导体层的组合并非本领域的公知常识。通过采用上述方法处理栅极介电层并后续沉积上述氮氧化物半导体层能够使得制得的TFT不仅具有比较大的迁移率，同时还具有比较好的次临界斜率，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求11相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5 权利要求2-4引用独立权利要求1，权利要求6、7引用独立权利要求5，权利要求9、10引用独立权利要求8，权利要求12引用独立权利要求11，由于权利要求1、5、8、11具备创造性，因此，权利要求2-4、6、7、9、10、12也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定和前置审查相关意见的答复：
关于驳回决定和前置审查中的相关意见，合议组认为：如前述决定理由中指出的，修改后的独立权利要求相对于对比文件1的区别技术特征1）作为一个整体并没有被对比文件2、3公开，并且该区别技术特征中采用特定工艺处理栅极介电层以及采用特定材料形成半导体层的组合并非本领域的公知常识。通过采用上述方法处理栅极介电层并后续沉积上述氮氧化物半导体层能够使得制得的TFT不仅具有比较大的迁移率，同时还具有比较好的次临界斜率，取得了有益的技术效果。因此，目前的权利要求1-12相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。至于本申请中是否存在其他不符合专利法以及专利法实施细则的规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年08月29日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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