发明创造名称：一种SiC JFET串的多阶段驱动电路
外观设计名称：
决定号：198895
决定日：2019-12-18
委内编号：1F281903
优先权日：
申请（专利）号：201611029426.5
申请日：2016-11-14
复审请求人：南京工程学院
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：黄君
合议组组长：李晓艳
参审员：徐珍霞
国际分类号：H02M1/08
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条，专利法第22条第3款
决定要点：如果权利要求修改后的技术方案能够根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，那么这种修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201611029426.5，名称为“一种SiC JFET串的多阶段驱动电路”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为南京工程学院，申请日为2016年11月14日，公开日为2017年05月31日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月19日发出驳回决定，以权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其理由是：权利要求1与对比文件1（“高压SiC器件在FREEDM系统中的应用”，倪喜军，《电源学报》第14卷第4期，公开日为2016年07月31日）的区别技术特征在于：设置JFET管的数量，上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2、5、6的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求3、7的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求4的附加技术特征的一部分被对比文件1公开，其余部分被对比文件2（CN102948076A，公开日为2013年02月27日）公开；因此权利要求2-7也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2016年11月14日提交的权利要求第1-7项、说明书第1-48段、说明书附图图1-3、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：包括主要由低压MOSFET管和N个JFET管依次串联构成的JFET串以及N个JFET管驱动电路；
N个JFET管驱动电路依次串联，第i个JFET管驱动电路的输出端与其相邻的第i 1个JFET管驱动电路的输入端连接，i为整数，0<><>
2. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：还包括N个驱动电阻，驱动电阻的两端分别与JFET管驱动电路的输出端以及该JFET管驱动电路驱动的JFET栅极连接。
3. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端。
4. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第二个至第N个JFET管驱动电路结构一致，包括并联的二极管、静态均压电阻和电阻电容串联回路，二极管的阳极、静态均压电阻的一端以及电阻电容串联回路的一端连接成第一节点，第一节点为JFET管驱动电路的输入端，二极管的阴极、静态均压电阻的另一端以及电阻电容串联回路的另一端连接成第二节点，第二节点为JFET管驱动电路的输出端，第2个JFET管驱动电路输入端输入N个JFET管的驱动脉冲信号PGJ。
5. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第N个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间设置有静态均压电阻。
6. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：JFET串的具体结构为，
低压MOSFET管的源极作为JFET串的源极，低压MOSFET管的栅极输入低压MOSFET管的驱动脉冲信号PGM，N个JFET管依次串联，第i个JFET管的漏极与其相邻的第i 1个JFET的源极连接，第1个JFET管的源极与低压MOSFET管的漏极连接，第1个JFET管栅极作为JFET串的栅极，第N个JFET管的漏极作为JFET串的漏极。
7. 根据权利要求1-6任意一项所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：N＝6。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月07日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书（共计6项权利要求），将技术特征“低压MOSFET管的驱动信号输入端输入驱动脉冲信号PGM，第2个JFET管驱动电路输入端输入N个JFET管的驱动脉冲信号PGJ，第1个JFET管驱动电路的输入端输入驱动脉冲信号PGJA，第N个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间设置有静态均压电阻，低压MOSFET管为P沟道MOSFET管”补入独立权利要求1，删除权利要求4的附加技术特征“第2个JFET管驱动电路输入端输入N个JFET管的驱动脉冲信号PGJ”，删除权利要求5，同时适应性地修改了权利要求的序号。复审请求人认为：（1）本申请采用的是低压MOSFET管，对比文件1中的MOSFET管不是低压MOSFET管，而是SiC MOSFET；（2）对比文件1中存在电路拓扑错误；（3）本申请JFET管驱动有三个驱动信号，D1中的驱动仅一个驱动信号；对比文件1的第N个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间还设置有电容。
复审请求时修改的权利要求书如下：
“1. 一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：包括主要由低压MOSFET管和N个JFET管依次串联构成的JFET串以及N个JFET管驱动电路；
N个JFET管驱动电路依次串联，第i个JFET管驱动电路的输出端与其相邻的第i 1个JFET管驱动电路的输入端连接，i为整数，0<><>
2. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：还包括N个驱动电阻，驱动电阻的两端分别与JFET管驱动电路的输出端以及该JFET管驱动电路驱动的JFET栅极连接。
3. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端。
4. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第二个至第N个JFET管驱动电路结构一致，包括并联的二极管、静态均压电阻和电阻电容串联回路，二极管的阳极、静态均压电阻的一端以及电阻电容串联回路的一端连接成第一节点，第一节点为JFET管驱动电路的输入端，二极管的阴极、静态均压电阻的另一端以及电阻电容串联回路的另一端连接成第二节点，第二节点为JFET管驱动电路的输出端。
5. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：JFET串的具体结构为，
低压MOSFET管的源极作为JFET串的源极，低压MOSFET管的栅极输入低压MOSFET管的驱动脉冲信号PGM，N个JFET管依次串联，第i个JFET管的漏极与其相邻的第i 1个JFET的源极连接，第1个JFET管的源极与低压MOSFET管的漏极连接，第1个JFET管栅极作为JFET串的栅极，第N个JFET管的漏极作为JFET串的漏极。
6. 根据权利要求1-5任意一项所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：N＝6。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）不管MOSFET是高压器件或者低压器件，本申请与对比文件1中的MOSFET都是实现JFET串的开通特性，即实现JFET串的开通与关断，而本领域技术人员根据JFET串的工作场景设置MOSFET的耐压等级，当不需要对MOSFET实现与JFET开关相同均压的时候，可以选择具有较低耐压的MOSFET，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。并且，参见对比文件1的15.3第一段，其公开了合理选择低压MOSFET器件，而SiC MOSFET仅仅是其中选择应用的实施例而已，因此，选择SiC MOSFET或者其他类型和规格的MOSFET，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。（2）不管是N沟道MOSFET，还是P沟道MOSFET，虽然开关导通所需要的开通电压不同，但是在本申请和对比文件1中的作用都是实现JFET串的导通或者关断，区别仅仅是在于导通工作时高低电平驱动信号的不同，本领域技术人员有动机设置不同规格和类型的MOSFET实现相同的导通或者关断功能，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。（3）虽然本申请权利要求1限定了JFET串的三个驱动信号，但并未限定出如本申请说明书实施例所记载的技术方案，无法确定第1个JFET与第2个JFET之间的连接关系，也不能确定驱动脉冲信号PGJ和驱动脉冲信号PGJA是否有区别，同时将MOSFET和JFET驱动脉冲信号独立控制是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识，而创造性的评述针对的是权利要求保护的内容；同时根据本申请说明书记载的方案中JFET开关JA，即第1个JFET，其作用是在JFET开关JA导通的时候辅助JFET开关J1的关断，其工作过程为在MOSFET关断时，MOSFET等效为一个电容，JFET串由导通变为关断时MOSFET的断电CJS1电压升高，又由于JFET开关JA导通而其漏源极短路，因此JFET开关J1栅源极电压会降低，即节点CJG1和节点CJS1的电压会下降到JFET开关J1的栅极阈值电压以下，从而辅助关断；而对比文件1是静态均压电阻RZ1连接MOSFET的漏源极之间，当MOSFET关断时，也由于MOSFET与JFET开关J1连接端的电压升高，由于静态均压电阻RZ1的影响，其JFET开关J1的栅极驱动端电压维持不变，而JFET开关J1的源极电压升高，因而JFET开关J1的栅源极电压也会下降到JFET开关J1的栅极阈值电压以下，从而实现关断JFET开关J1的功能，本申请与对比文件1的区别仅仅在于实现JFET开关J1的被动关断与主动关断的区别，这样的改变无需付出创造性的劳动，且其技术效果可以预期，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。另外，对比文件1电容C1-C5是实现开关动态均压功能，在减少一个电容的情况下，其中一个开关的动态均压功能将受到影响，但是动态均压电容的设置可以根据实际应用的需要进行设置，为了减少成本等影响，可以设定一定数量的动态均压电容，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。同时文献“Balancing circuit for a 5kV/50ns pulsed power switch based on SiC-JFET Super Cascode”（J. Biela 等, 《2009 IEEE Pulsed Power Conference》，2010年01月19日）的图5公开的JFET串驱动控制电路中JFET开关J2未使用动态均压电容。因此，权利要求1-6不具备创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年10月14日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1的修改不符合专利法第33条的规定，权利要求1目前的修改采用“驱动电路”这种概括性的记载，涵盖了除“驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端”的这种实现方式之外的其他电路形式，而这种概括性的记载又不能从原申请记载的内容中直接地、毫无疑义地确定，因此权利要求1的修改不符合专利法第33条的规定。即使复审请求人将权利要求1中的技术特征“第1个JFET管驱动电路的输入端输入驱动脉冲信号PGJA”删除，修改后的权利要求1及其从属权利要求2、4-6仍然不具备专利法第22条第3款规定的创造性。修改后的权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：MOSFET管为低压MOSFET，并且MOSFET管为P沟道MOSFET管。上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此修改后的权利要求1不具备创造性。从属权利要求2、5的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求4的附加技术特征的一部分被对比文件1公开，其余部分被对比文件2公开；从属权利要求6的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求2、4-6也不具备创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对于本领域技术人员来说，出于对JFET串工作场景中的电压等级要求、功率管的成本、以及实际采用的功率管数量等因素的综合考虑来选用低压MOSFET，这是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。（2）即使对比文件1存在着一定的电路拓扑错误，但是对于本领域技术人员来说，P沟道和N沟道MOSFET管均属于本领域技术人员通常选用的功率开关管，选用P沟道MOSFET来实现电路并且根据电路基本原理合理设置其开关信号从而实现其基本功能，这是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。（3）权利要求1中记载的“第1个JFET管驱动电路的输入端输入驱动脉冲信号PGJA”修改超范围，另外，对比文件1公开了MOSFET管的驱动信号输入端输入驱动脉冲信号G，第2个JFET管驱动电路输入端输入3个JFET管（第2-4个JFET管）的驱动脉冲信号，该驱动脉冲信号为二极管DF1的阴极输出信号。另外，权利要求1要求保护的是“第N个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间设置有静态均压电阻”，属于开放式的表述方式，而对比文件1公开了“第4个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间设置有静态均压电阻”，即对比文件1公开了上述特征，至于对比文件1是否还包括其他元件以进一步提高其性能，并不能作为本申请与对比文件1的区别。
复审请求人于2019年10月23日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的修改替换页（共计5项权利要求），其中将原从属权利要求3的附加技术特征补入独立权利要求1中，删除权利要求1中的技术特征“第1个JFET管驱动电路的输入端输入驱动脉冲信号PGJA”，删除原权利要求3，并且适应性地修改了权利要求的序号。复审请求人认为：通过对权利要求的修改已经克服了修改超范围以及创造性的问题。
2019年10月23日答复复审通知书时修改的权利要求书如下：
“1. 一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：包括主要由低压MOSFET管和N个JFET管依次串联构成的JFET串以及N个JFET管驱动电路；
N个JFET管驱动电路依次串联，第i个JFET管驱动电路的输出端与其相邻的第i 1个JFET管驱动电路的输入端连接，i为整数，0<><>
第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端；
低压MOSFET管的驱动信号输入端输入驱动脉冲信号PGM，第2个JFET管驱动电路输入端输入N个JFET管的驱动脉冲信号PGJ，第N个JFET管驱动电路的输出端与JFET串的漏极之间设置有静态均压电阻，低压MOSFET管为P沟道MOSFET管。
2. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：还包括N个驱动电阻，驱动电阻的两端分别与JFET管驱动电路的输出端以及该JFET管驱动电路驱动的JFET栅极连接。
3. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：第二个至第N个JFET管驱动电路结构一致，包括并联的二极管、静态均压电阻和电阻电容串联回路，二极管的阳极、静态均压电阻的一端以及电阻电容串联回路的一端连接成第一节点，第一节点为JFET管驱动电路的输入端，二极管的阴极、静态均压电阻的另一端以及电阻电容串联回路的另一端连接成第二节点，第二节点为JFET管驱动电路的输出端。
4. 根据权利要求1所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：JFET串的具体结构为，
低压MOSFET管的源极作为JFET串的源极，低压MOSFET管的栅极输入低压MOSFET管的驱动脉冲信号PGM，N个JFET管依次串联，第i个JFET管的漏极与其相邻的第i 1个JFET的源极连接，第1个JFET管的源极与低压MOSFET管的漏极连接，第1个JFET管栅极作为JFET串的栅极，第N个JFET管的漏极作为JFET串的漏极。
5. 根据权利要求1-4任意一项所述的一种SiC JFET串的多阶段驱动电路，其特征在于：N=6。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年10月23日提交了权利要求书的全文修改替换页（共计5项权利要求），经审查，其修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：2019年10月23日提交的权利要求第1-5项，申请日2016年11月14日提交的说明书第1-48段、说明书附图图1-3、说明书摘要、摘要附图。
（二）、关于专利法第33条
专利法第33条规定，申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
如果权利要求修改后的技术方案能够根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，那么这种修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2019年10月23日答复复审通知书时，对权利要求书进行了修改（具体修改内容参见本复审决定案由部分），修改后的权利要求1限定了“第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端”，其中清楚地限定了第一个JFET管驱动电路的具体电路结构，上述修改是本领域技术人员根据申请日2016年11月14日提交的权利要求1、3-6公开的内容以及说明书第24-29段和附图1公开的内容可以直接毫无疑义地确定的。因此上述修改符合专利法第33条的规定。
（三）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，上述区别技术特征的一部分没有被其它对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该权利要求的技术方案基于该部分区别技术特征产生了有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于该最接近现有技术的对比文件、其它对比文件和公知常识的结合具备创造性。
本复审决定中所引用的对比文件与驳回决定、复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：“高压SiC器件在FREEDM系统中的应用”，倪喜军，《电源学报》第14卷第4期，第139-146页，2016年07月；
对比文件2：CN102948076A，公开日为2013年02月27日。
其中，对比文件1为最接近的现有技术。
3.1、权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种SiC JFET串的多阶段驱动电路。对比文件1公开了一种SiC JFET串的多阶段驱动电路（参见第144-145页，附图11），并具体公开了以下技术特征：包括由MOSFET管和4个JFET管依次串联构成的JFET串以及4个JFET管驱动电路（相当于包括主要由MOSFET管和N个JFET管依次串联构成的JFET串以及N个JFET管驱动电路）；4个JFET管驱动电路依次串联（相当于N个JFET管驱动电路依次串联），第i个JFET管驱动电路的输出端与其相邻的第i 1个JFET管驱动电路的输入端连接（相当于第i个JFET管驱动电路的输出端与其相邻的第i 1个JFET管驱动电路的输入端连接），i为整数，0<><>
可见，该权利要求和对比文件1的区别技术特征是：（1）MOSFET管为低压MOSFET，并且MOSFET管为P沟道MOSFET管；（2）第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端。基于上述区别技术特征，该权利要求相对于对比文件1实际解决的技术问题是：（1）选择功率管来满足实际需求；（2）用于实现SiC JFET串是否短路的检测。
对于区别技术特征（1），对于本领域技术人员来说，出于对JFET串工作场景中的电压等级要求、功率管的成本、以及实际采用的功率管数量等因素的综合考虑来选用低压MOSFET，这是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。另外，P沟道和N沟道MOSFET管均属于本领域技术人员通常选用的功率开关管，选用P沟道MOSFET来实现电路并且合理设置其开关信号，这也是本领域技术人员的惯用手段，属于公知常识。
对于区别技术特征（2），首先，对比文件2仅公开了一种串联布置的JFET开关装置以及在JFET管驱动电路中包括并联在驱动电路输入端和输出端之间的二极管和电阻电容串联回路（参见说明书第21-29段，附图1），并没有公开上述辅助低压JFET管的设置与控制。
另外，本申请通过上述辅助低压JFET管的设置与控制，可以在静态工作时，首先使得低压MOSFET的驱动电路处于不工作的状态，保证低压MOSFET是关断状态，然后为辅助低压JFET管提供不为封锁信号的驱动信号PGJA，此时，当直流高压加到SiC JFET串两端时，如果SiC JFET串无短路情况，则通过这个电路可以保证SiC JFET串处于关断状态，承受SiC JFET串漏极和源极两端直流高压。在检测到SiC JFET串无短路情况后，逻辑芯片开始启动过程，首先PGJA将延迟输出闭锁信号从而闭锁辅助低压JFET管，然后PGM将延迟输出常导通信号；此后，PGJ就可以正常输出脉冲信号以通过控制低压MOSFET，实现变流器PWM输出。
而对比文件1的电路是直接通过对MOSFET管的控制极和第2个JFET管驱动电路输入端输入相同的控制信号来控制SiC JFET串的导通和关断，实现其正常输出。对比文件2的电路是直接通过控制MOSFET管的控制极来控制SiC JFET串的导通和关断，实现其正常输出。上述控制方式与本申请的控制方式不同，本申请在静态工作时，通过MOSFET和辅助低压JFET管的控制来实现SiC JFET串是否短路的检测，并且在正常工作时，可以通过第2个JFET管驱动电路输入端输入的驱动脉冲信号PGJ来控制SiC JFET串的导通和关断，从而使得SiC JFET串是否短路的检测控制信号与SiC JFET串的通断的控制信号可相互分离。
由上所述可知，对比文件1、2均没有公开区别技术特征（2），上述区别技术特征（2）也不属于本领域的公知常识；并且，采用“第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端”的技术方案，可以实现在静态工作时，通过MOSFET和辅助低压JFET管的控制来实现SiC JFET串是否短路的检测，并且在正常工作时，可以通过第2个JFET管驱动电路输入端输入的驱动脉冲信号PGJ来控制SiC JFET串的导通和关断，从而使得SiC JFET串是否短路的检测控制信号与SiC JFET串的通断的控制信号可相互分离，由此获得电路的安全性得到进一步保障的有益效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2或本领域的公知常识或其任意组合而得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是非显而易见的。权利要求1相对于对比文件1、2和本领域公知常识，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-5具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2-5是从属权利要求，由于权利要求1相对于对比文件1、2和本领域公知常识来说具备创造性，因此，从属权利要求2-5相对于对比文件1、2和本领域公知常识来说，也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（四）、关于驳回决定和前置审查意
驳回决定和前置审查意见中认为：本领域技术人员在对比文件1的基础上，可以设置辅助二极管以实现SiC JFET串工作与不工作两种状态，即相当于设置了一个使能电路，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。同时根据本申请说明书记载的方案中JFET开关JA，即第1个JFET，其作用是在JFET开关JA导通的时候辅助JFET开关J1的关断，其工作过程为在MOSFET关断时，MOSFET等效为一个电容，JFET串由导通变为关断时MOSFET的端点CJS1电压升高，又由于JFET开关JA导通而其漏源极短路，因此JFET开关J1栅源极电压会降低，即节点CJG1和节点CJS1的电压会下降到JFET开关J1的栅极阈值电压以下，从而辅助关断；而对比文件1是静态均压电阻RZ1连接在MOSFET的漏源极之间，当MOSFET关断时，也由于MOSFET与JFET开关J1连接端的电压升高，由于静态均压电阻RZ1的影响，其JFET开关J1的栅极驱动端电压维持不变，而JFET开关J1的源极电压升高，因而JFET开关J1的栅源极电压也会下降到JFET开关J1的栅极阈值电压以下，从而实现关断JFET开关J1的功能，本申请与对比文件1的区别仅仅在于实现JFET开关J1的被动关断与主动关断的区别，这样的改变无需付出创造性的劳动，且其技术效果可以预期，这是本领域技术人员的常用技术手段，属于公知常识。
对此，合议组认为：首先，复审请求人答复复审通知书时，在权利要求1中增加了技术特征“第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端”，从而限定了第1个JFET管驱动电路的结构，使得本申请的驱动电路结构与对比文件1、2均不相同。
其次，辅助低压JFET管的设置与控制并非仅是用于作为使能电路或者用于辅助JFET开关J1的关断。本申请通过上述辅助低压JFET管的设置与控制，可以在静态工作时，首先使得低压MOSFET的驱动电路处于不工作的状态，保证低压MOSFET是关断状态，然后为辅助低压JFET管提供不为封锁信号的驱动信号PGJA，此时，当直流高压加到SiC JFET串两端时，如果SiC JFET串无短路情况，则通过这个电路可以保证SiC JFET串处于关断状态，承受SiC JFET串漏极和源极两端直流高压。在检测到SiC JFET串无短路情况后，逻辑芯片开始启动过程，首先PGJA将延迟输出闭锁信号从而闭锁辅助低压JFET管，然后PGM将延迟输出常导通信号；此后，PGJ就可以正常输出脉冲信号以通过控制低压MOSFET，实现变流器PWM输出。
而对比文件1的电路是直接通过对MOSFET管的控制极和第2个JFET管驱动电路输入端输入相同的控制信号来控制SiC JFET串的导通和关断，实现其正常输出。对比文件2的电路是直接通过控制MOSFET管的控制极来控制SiC JFET串的导通和关断，实现其正常输出。上述控制方式与本申请的控制方式不同，本申请在静态工作时，通过MOSFET和辅助低压JFET管的控制来实现SiC JFET串是否短路的检测，并且在正常工作时，可以通过第2个JFET管驱动电路输入端输入的驱动脉冲信号PGJ来控制SiC JFET串的导通和关断，从而使得SiC JFET串是否短路的检测控制信号与SiC JFET串的通断的控制信号可相互分离。
综上所述，对比文件1、2均没有公开区别技术特征（2），上述区别技术特征（2）也不属于本领域的公知常识，并且，采用“第1个JFET管驱动电路包括辅助低压JFET管，辅助低压JFET管的栅极输入辅助低压JFET管的驱动脉冲信号PGJA，辅助低压JFET管的源极与JFET串的源极连接，辅助低压JFET管的漏极为第1个JFET管驱动电路的输出端”的技术方案，可以实现在静态工作时，通过MOSFET和辅助低压JFET管的控制来实现SiC JFET串是否短路的检测，并且在正常工作时，可以通过第2个JFET管驱动电路输入端输入的驱动脉冲信号PGJ来控制SiC JFET串的导通和关断，从而使得SiC JFET串是否短路的检测控制信号与SiC JFET串的通断的控制信号可相互分离，由此获得电路的安全性得到进一步保障的有益效果。
因此，权利要求1相对于对比文件1、2和本领域公知常识，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在上述工作的基础上，合议组做出如下审查决定。
至于本申请是否存在不符合专利法及实施细则的其它规定，留待原审查部门继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年03月19日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2019年10月23日提交的权利要求第1-5项；
复审请求人于2016年11月14日提交的说明书第1-48段，说明书附图图1-3；
复审请求人于2016年11月14日提交的说明书摘要；
复审请求人于2016年11月14日提交的摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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