发明创造名称：具有可调整击穿电压的齐纳二极管
外观设计名称：
决定号：198292
决定日：2019-12-18
委内编号：1F295079
优先权日：2015-03-19
申请（专利）号：201510818928.5
申请日：2015-11-23
复审请求人：意法半导体(鲁塞)公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱科
合议组组长：梁素平
参审员：见姬
国际分类号：H01L29/866,H01L29/06
外观设计分类号：
法律依据：专利法第26条第4款
决定要点：如果本领域技术人员根据权利要求中相关技术特征的限定可以界定权利要求请求保护的范围，则该权利要求符合专利法第26条第4款有关“清楚”的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510818928.5，名称为“具有可调整击穿电压的齐纳二极管”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为意法半导体(鲁塞)公司，申请日为2015年11月23日，优先权日为2015年03月19日，公开日为2016年10月05日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年04月30日发出驳回决定，以权利要求1不符合专利法第26条第4款有关“清楚”的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2019年03月12日提交的权利要求第1-13项，申请日2015年11月23日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求1的内容如下：
“1. 一种齐纳二极管，包括：
齐纳二极管结，形成在半导体衬底中并且平行于在阴极区域与阳极区域之间的所述衬底的表面，所述阳极区域具有第一传导类型，所述阴极区域由在所述衬底的所述表面上的具有第二传导类型的区域形成；以及
第一传导区域，被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场，
其特征在于，所述齐纳二极管包括第二传导区域，所述第二传导区域被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场，
其中所述第二传导区域包括仅通过介电层与所述齐纳二极管结分离的嵌入式栅极。”
驳回决定认为：权利要求1中仅用“被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场”和“所述第二传导区域被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场”来分别限定第一传导区域和第二传导区域，然而这种简单的限定不能使本领域技术人员明了第一传导区域和第二传导区域的结构和位置，例如，第一传导区域和阳极区域与阴极区域之间的关系、第二传导区域与第一传导区域的位置关系等，因而权利要求1不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年08月05日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括13项权利要求），其中将权利要求1中的技术特征“形成在半导体衬底中并且平行于在阴极区域与阳极区域之间的所述衬底的表面”修改为“形成在半导体衬底中，在阴极区域与阳极区域之间，并且平行于所述衬底的表面”。
复审请求时新修改的权利要求1的内容如下：
“1. 一种齐纳二极管，包括：
齐纳二极管结，形成在半导体衬底中，在阴极区域与阳极区域之间，并且平行于所述衬底的表面，所述阳极区域具有第一传导类型，所述阴极区域由在所述衬底的所述表面上的具有第二传导类型的区域形成；以及
第一传导区域，被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场，
其特征在于，所述齐纳二极管包括第二传导区域，所述第二传导区域被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场，
其中所述第二传导区域包括仅通过介电层与所述齐纳二极管结分离的嵌入式栅极。”
复审请求人认为：（1）只要部件之间满足权利要求1记载的技术特征，技术方案即落入权利要求1的范围，权利要求的目的在于界定要保护的范围，并非记载技术方案的所有细节。（2）第一传导区域或第二传导区域与齐纳二极管之间的关系由权利要求1记载的特征清楚地进行了定义，这些特征虽然不是结构特征，但仍然可以反应这些部件之间的耦合关系，在此基础上，这些部件之间可以具有任何结构和位置关系。（3）权利要求1限定了通过第一传导区域和第二传导区域向结施加电压，在此基础上，第一传导区域和第二传导区域之间可以具有各种位置关系，没有必要再限定第一传导区域和第二传导区域之间的位置关系。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年08月09日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：权利要求1中仅用“被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场”和“所述第二传导区域被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场”来分别限定第一传导区域和第二传导区域，然而这种简单的限定不能使本领域技术人员明了第一传导区域和第二传导区域的结构和位置，例如，第一传导区域和阳极区域与阴极区域之间的关系、第二传导区域与第一传导区域的位置关系等，从而无法清楚地限定该技术方案的保护范围，因而权利要求1不清楚，不符合专利法第26条第4款的规定。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
经过充分阅卷和合议，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月05日提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括13项权利要求。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年08月05日提交的权利要求第1-13项，申请日2015年11月23日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于专利法第26条第4款
专利法第26条第4款规定：权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。
如果本领域技术人员根据权利要求中相关技术特征的限定可以界定权利要求请求保护的范围，则该权利要求符合专利法第26条第4款有关“清楚”的规定。
权利要求1符合专利法第26条第4款有关“清楚”的规定，具体理由如下：
对于第一传导区域和第二传导区域，权利要求1中限定了“第一传导区域，被配置成在受到适当的电压时生成垂直于所述齐纳二极管结的第一电场”以及“所述第二传导区域被配置成在受到适当的电压时生成沿着所述齐纳二极管结的平面的第二电场，其中所述第二传导区域包括仅通过介电层与所述齐纳二极管结分离的嵌入式栅极”。由于权利要求1中还限定了“齐纳二极管结，形成在半导体衬底中，在阴极区域与阳极区域之间，并且平行于所述衬底的表面”，即限定了齐纳二极管结在阴极区域与阳极区域之间；由于第二传导区域包括仅通过介电层与所述齐纳二极管结分离的嵌入式栅极，即栅极也处于阴极区域与阳极区域之间；在上述结构的基础上，当在齐纳二极管的阴极和阳极上施加电压时，电子必然会由阳极（N型区域）绕过中间的栅极而迁移到阴极（P型区域），在此流动过程中，电子既存在垂直于齐纳二极管结方向的移动，也存在平行于齐纳二极管结方向的移动，因而第一传导区域在受到适当的电压时生成垂直于齐纳二极管结的第一电场，第二传导区域在受到适当的电压时生成沿着齐纳二极管结的平面的第二电场。由此可见，权利要求1已对第一传导区域和第二传导区域进行了清楚的描述，本领域技术人员根据权利要求1的描述可以界定其专利保护的范围，因而权利要求1是清楚的，符合专利法第26条第4款有关“清楚”的规定。
3、关于驳回决定和前置审查意见
对于驳回决定和前置审查意见，合议组认为：根据权利要求1的整体描述，本领域技术人员可以确定第一传导区域和第二传导区域有关第一电场和第二电场的形成；虽然权利要求1中未具体限定第一传导区域和第二传导区域的具体结构和位置，但其并不影响权利要求本身保护范围的清楚与否；只要满足权利要求1中有关第一传导区域和第二传导区域的相关限定，即落入权利要求1的保护范围，权利要求1本身是清楚的，其保护范围的边界也是清楚的；至于权利要求1中是否需要具体限定第一传导区域和第二传导区域的具体结构和位置，例如第一传导区域与阴阳极区域之间的关系、第一和第二传导区域之间的位置关系等，其属于权利要求是否能得到说明书支持的问题，并不属于权利要求清楚与否的问题。
综上所述，驳回决定和前置审查意见所指出的权利要求1不清楚的缺陷已克服。至于本申请是否还存在专利法及其实施细则规定的其它缺陷，由实审审查部门继续进行审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年04月30日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门在本复审请求审查决定所针对的审查文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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