发明创造名称：芯片装置及其凸块配置方法
外观设计名称：
决定号：200228
决定日：2019-12-18
委内编号：1F288544
优先权日：
申请（专利）号：201510888099.8
申请日：2015-12-04
复审请求人：上海兆芯集成电路有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李莹
合议组组长：王文杰
参审员：张一文
国际分类号：H01L21/56,H01L21/60
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条、专利法第22条第2款、专利法第22条第3款
决定要点
：如果复审请求人对申请文件进行了修改，删除了驳回决定和复审通知书中指出的超范围的技术方案，并且依据原说明书和权利要求书的记载可以直接地、毫无疑义地得到修改后的权利要求所限定的技术方案，则该修改不超范围。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510888099.8，名称为“芯片装置及其凸块配置方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为上海兆芯集成电路有限公司。本申请的申请日为2015年12月04日，公开日为2016年03月02日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月12日发出驳回决定，驳回了本申请，驳回的理由为：权利要求1和4的修改不符合专利法第33条的规定。驳回决定具体指出：修改后的权利要求1所限定的技术方案包括了除原申请文件附图3所记载的技术方案的其它技术方案，而这些其它技术方案既未明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容直接地、毫无疑义地确定，即修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围。同样的理由，权利要求4的修改也超出了原说明书和权利要求书记载的范围。
驳回决定所针对的文本是：申请日2015年12月04日提交的说明书附图图1A-5、说明书摘要、摘要附图；2018年06月05日提交的说明书第1-36段；2018年11月13日提交的权利要求第1-6项。
驳回决定所针对的权利要求书为：
“1. 一种芯片装置，其特征在于，包括：
多个第一凸块，配置于该芯片装置的最高金属层，用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
多个第二凸块，配置于该芯片装置的该最高金属层，用以供应第二电压至所述集成电路；以及
基板，与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接，其中所述第一凸块和所述第二凸块配置于该最高金属层；
其中两个最相近的该第一凸块之间的距离大于两个最相近的该第一凸块和该第二凸块之间的距离；以及
相邻每列的该第一凸块在水平方向上的间隔大于一倍行距，并且每列的所述第一凸块和所述第二凸块交错配置，每行的所述第一凸块和所述第二凸块交错配置。
2. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，所述第一凸块对齐于第一方向和第二方向；
其中所述第二凸块同样对齐于该第一方向和该第二方向；以及
该第一方向交叉于该第二方向。
3. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，还包括：
多个第三凸块，配置于该最高金属层，电性连接至该基板，用以提供多个输出输入信号至所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。
4. 一种用于芯片装置的凸块配置方法，其特征在于，该凸块配置方法包括：
经由该芯片装置的最高金属层的多个第一凸块供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
经由该芯片装置的该最高金属层的多个第二凸块供应第二电压至所述集成电路；以及
将所述第一凸块和所述第二凸块电性连接至该芯片装置的基板，其中所述第一凸块和所述第二凸块配置于该最高金属层；
其中两最相近的该两个第一凸块之间的距离大于两个最相近的该第一凸块和该第二凸块之间的距离；以及
交错配置每列的所述第一凸块和所述第二凸块，交错配置每行的所述第一凸块和所述第二凸块，相邻每列的该第一凸块在水平方向上间隔大于一倍行距。
5. 根据权利要求4所述的凸块配置方法，其特征在于，还包括将所述第一凸块对齐于第一方向和第二方向；以及
将所述第二凸块同样对齐于该第一方向和该第二方向；
其中，该第一方向交叉于该第二方向。
6. 根据权利要求4所述的芯片装置，其特征在于，还包括将该芯片装置的该最高金属层的多个第三凸块电性连接至该基板，以提供多个输出输入信号至所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年06月25日向国家知识产权局提出了复审请求，并修改了权利要求，在独立权利要求1和4中加入了技术特征以限定第一凸块和第二凸块的排布，同时也修改了权利要求2和5。复审请求人认为：（1）权利要求1的修改可以由附图2B以及说明书对应文字部分得出，因此，符合专利法第33条的规定。（2）对比文件1中没有公开集成电路距离第一凸块的距离和距离第二凸块的距离相等的技术特征，相比对比文件1来说，上述技术特征可以为修改后的权利要求1、4带来如下有益效果：使芯片装置内部各集成电路至最近的第一凸块的距离与该集成电路至最近的第二凸块的距离相等，从而使得不同集成电路各自的供电强度趋于一致，使得芯片装置内部各集成电路的供电更加均匀。因此，修改后的权利要求1-6具备新颖性和创造性。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种芯片装置，其特征在于，包括：
多个第一凸块，配置于该芯片装置的最高金属层，用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
多个第二凸块，配置于该芯片装置的该最高金属层，用以供应第二电压至所述集成电路；以及
基板，与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接；
其中多个该第一凸块与多个该第二凸块布置为多行以及多列，该多列的列距相等，该多行的行距相等；
其中每列的相邻两个分别为该第一凸块以及该第二凸块；
其中每列的第一个与相邻列的第一个分别为该第一凸块以及该第二凸块；
其中该每列的第一个与该相邻列的第一个对齐，或与相间一列的列的第一个对齐；以及
其中该集成电路布置在该第一凸块与该第二凸块之间，使该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。
2. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，
当该每列的第一个与该相邻列的第一个对齐，所述第一凸块沿第一方向和第二方向排列，所述第二凸块同样沿该第一方向和该第二方向排列；
当该每列的第一个与该相间一列的列的第一个对齐，所述第一凸块和所述第二凸块沿该第一方向两两交错排列，所述第一凸块和所述第二凸块沿该第二方向两两交错排列；以及
该第一方向交叉于该第二方向。
3. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，还包括：
多个第三凸块，配置于该最高金属层，电性连接至该基板，用以提供多个 输出输入信号至所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。
4. 一种用于芯片装置的凸块配置方法，其特征在于，该凸块配置方法包括：
经由该芯片装置的最高金属层的多个第一凸块供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
经由该芯片装置的该最高金属层的多个第二凸块供应第二电压至所述集成电路；以及
将所述第一凸块和所述第二凸块电性连接至该芯片装置的基板；
其中多个该第一凸块与多个该第二凸块布置为多行以及多列，该多列的列距相等，该多行的行距相等；
其中每列的相邻两个分别为该第一凸块以及该第二凸块；
其中每列的第一个与相邻列的第一个分别为该第一凸块以及该第二凸块；
其中每列的第一个与相邻列的第一个对齐，或与相间一列的列的第一个对齐；以及
其中该集成电路布置在该第一凸块与该第二凸块之间，使该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。
5. 根据权利要求4所述的凸块配置方法，其特征在于，还包括
当该每列的第一个与该相邻列的第一个对齐，将所述第一凸块沿第一方向和第二方向排列，将所述第二凸块同样沿该第一方向和该第二方向排列；
当该每列的第一个与该相间一列的列的第一个对齐，将所述第一凸块和所述第二凸块沿该第一方向两两交错排列，所将述第一凸块和所述第二凸块沿该第二方向两两交错排列；以及
其中，该第一方向交叉于该第二方向。
6. 根据权利要求4所述的芯片装置，其特征在于，还包括将该芯片装置的该最高金属层的多个第三凸块电性连接至该基板，以提供多个输出输入信号至所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。”
经形式审查合格，国际知识产权局于2019年07月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）修改后的权利要求1包含“该多列的列距相等，该多行的行距相等”的技术特征，该技术特征在原申请文字部分没有记载，由于附图只是示意图，并不能从附图中直接地、且毫无疑义地得出行距、列距相等。（2）修改后的权利要求1包含“与相间一列的列的第一个对齐”的并列技术方案，然而，根据说明书第35段、附图5的记载，在“与相间一列的列的第一个对齐”的技术方案中，还包括相关联的其它特征。修改后的权利要求没有对相关联的其它特征进行限定，超出了原申请记载的范围。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年10月11日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1和4的修改超出了原始权利要求书和说明书公开的范围，不符合专利法第33条的规定。并针对复审请求人的意见陈述指出：虽然在本申请的图5及其对应的说明书文字部分记载了“与相间一列的列的第一个对齐”，但该特征对应的技术方案并不满足“该多列的列距相等，该多行的行距相等”的情况。在原说明书和权利要求书中没有记载同时包含了“与相间一列的列的第一个对齐”和“多个该第一凸块与多个该第二凸块布置为多行以及多列，该多列的列距相等，该多行的行距相等”的技术方案，也没有记载同时包含“与相间一列的列的第一个对齐”和“该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等”的技术方案，并且也不能直接地、毫无疑义地确定这样的技术方案。
复审请求人2019年11月22日答复上述通知书，并提交了意见陈述书和权利要求书替换页，删除了独立权利要求1和4中的“或与相间一列的列的第一个对齐”，并将“多个第一凸块”修改为“多个凸块中的多个第一凸块”，将“多个第二凸块”修改为“多个凸块中的多个第二凸块”，将“多个该第一凸块与多个该第二凸块布置为多行以及多列”修改为“该多个凸块布置为多行以及多列”，将“每列的相邻两个”修改为“该多个凸块中每列的相邻两个”，将“每列的第一个与相邻列的第一个”修改为“该多个凸块中每列的第一个与相邻列的第一个”，删除了权利要求2、6的部分技术特征。复审请求人认为：修改后的权利要求中，一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间，使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等，对比文件1中没有公开上述特征，该特征也不是公知常识。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种芯片装置，其特征在于，包括：
多个凸块，包括：
多个第一凸块，配置于该芯片装置的最高金属层，用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
多个第二凸块，配置于该芯片装置的该最高金属层，用以供应第二电压至所述集成电路；以及
基板，与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接，
其中，该多个凸块布置为多行以及多列，该多列的列距相等，该多行的行距相等，
其中，该多个凸块中每列的相邻两个分别为该第一凸块以及该第二凸块，
其中，该多个凸块中每列的第一个与相邻列的第一个分别为该第一凸块以及该第二凸块，
其中，该多个凸块中该每列的第一个与该相邻列的第一个对齐，
其中，一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间，使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。
2. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，
所述第一凸块沿第一方向和第二方向排列，所述第二凸块同样沿该第一方向和该第二方向排列；
以及
该第一方向交叉于该第二方向。
3. 根据权利要求1所述的芯片装置，其特征在于，还包括：
多个第三凸块，配置于该最高金属层，电性连接至该基板，用以提供多个 输出输入信号至所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。
4. 一种用于芯片装置的凸块配置方法，其特征在于，该凸块配置方法包括：
经由该芯片装置的最高金属层的多个凸块中的多个第一凸块供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路；
经由该芯片装置的该最高金属层的该多个凸块中的多个第二凸块供应第二电压至所述集成电路；以及
将所述第一凸块和所述第二凸块电性连接至该芯片装置的基板，
其中，该多个凸块布置为多行以及多列，该多列的列距相等，该多行的行距相等，
其中，该多个凸块中每列的相邻两个分别为该第一凸块以及该第二凸块，
其中，该多个凸块中每列的第一个与相邻列的第一个分别为该第一凸块以及该第二凸块，
其中，该多个凸块中每列的第一个与相邻列的第一个对齐，
其中，一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间，使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。
5. 根据权利要求4所述的凸块配置方法，其特征在于，还包括
将所述第一凸块沿第一方向和第二方向排列，将所述第二凸块同样沿该第一方向和该第二方向排列；以及
其中，该第一方向交叉于该第二方向。
6. 根据权利要求4所述的芯片装置，其特征在于，还包括将该芯片装置的该最高金属层的多个第三凸块电性连接至该基板，以提供多个输出输入信号至 所述集成电路，其中所述第三凸块配置于所述第一凸块和所述第二凸块的周围。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年11月22日答复复审通知书的同时提交了权利要求书替换页，共6项权利要求。经审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款。本复审决定所针对的文本是：2019年11月22日提交的权利要求第1-6项；2019年06月25日提交的说明书第1-36段；申请日2015年12月04日提交的说明书附图图1A-5，说明书摘要，摘要附图。
（二）关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和使用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围，对外观设计专利申请文件的修改不得超出原图片或者照片表示的范围。
如果复审请求人对申请文件进行了修改，删除了驳回决定和复审通知书中指出的超范围的技术方案，并且依据原说明书和权利要求书的记载可以直接地、毫无疑义地得到修改后的权利要求所限定的技术方案，则该修改不超范围。
复审请求人在2019年11月22日提交的权利要求替换页中，删除了“或与相同一列的列的第一个对齐”，因而删除了包含该技术特征的并列技术方案，从而克服了复审通知书中所指出的修改超范围的缺陷。修改后的权利要求1-6没有超出原说明书和权利要求书的记载范围，符合专利法第33条的规定。
（三）关于专利法第22条第2款和专利法第22条第3款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案相比于现有技术存在区别技术特征，且该区别技术特征不是惯用手段的直接替换，二者技术方案不同，则该权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术具备新颖性。
如果权利要求请求保护的技术方案相比于作为最接近的现有技术存在区别技术特征，而且该区别技术特征也不是本领域的公知常识，即现有技术中没有给出将该区别技术特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，且采用该区别技术特征能获得有益的技术效果，那么该权利要求请求保护的技术方案具有创造性。
本复审决定中引用原审查部门在实质审查过程中所引用的对比文件1，即：
对比文件1：CN1357920A，公开日为2002年07月10日。
1.关于权利要求1
权利要求1请求保护一种芯片装置，对比文件1公开了一种芯片装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第1页第20行-第8页第4行，附图3-6）：
多个凸块；
该芯片装置包括多个电压源导电凸块P（相当于第一凸块），用以供应电源电压（相当于第一电压）至晶片20（相当于集成电路）内；
多个接地导电凸块G（相当于第二凸块），用以供应接地电压（相当于第二电压）至晶片20内；
该多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块G设计于晶片20（相当于芯片装置）的最上层（相当于第一凸块和第二凸块配置于芯片装置的最高金属层）；
封装基板26上有对应的导电凸块垫以阵列方式与晶片20上层的导电凸块对应设置，以承接晶片20上层的导电凸块，其中晶片20上层的导电凸块包括多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块（相当于基板与所述第一凸块和所述第二凸块互相电性连接）；
多个导电凸块P呈多行和多列布置，多个导电凸块G呈多行和多列布置，多行的行距相等，多列的列距相等（参见附图5），每一纵行的P凸块和G凸块交替呈现（相当于每列的相邻两个分别为第一和第二凸块），每列的第一个与相邻列的第一个分别为P凸块和G凸块；每列的第一个和与该相邻列的第一个对齐（参见附图5）；
此外，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定在晶片20内存在多个集成电路，且该多个集成电路由晶片20最上层的多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块G分别供电（相当于多个第一凸块用以供应第一电压至该芯片装置内的多个集成电路，多个第二凸块用以供应第二电压至所述集成电路）。
权利要求1与对比文件1相比具有区别技术特征：其中一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间；使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。基于该区别，本申请实际解决了均匀化供电的技术问题。
可见，对比文件1中没有公开集成电路，因而没有公开“其中一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间；使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等”的技术特征，而且该技术特征不是惯用手段的直接替换，因此，权利要求1相对于对比文件1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对比文件1中虽然公开了凸块P和凸块G的交错排列，但对比文件1中没有公开集成电路的位置，本领域中，集成电路通常置于凸块之上，通过走线与凸块互连，但是集成电路与第一凸块以及第二凸块的位置关系不是公知常识，因此，上述区别技术特征不是本领域的公知常识。本申请中，通过将集成电路与最近的第一凸块和第二凸块的距离设置为相等，可以使得不同集成电路各自的供电强度趋于一致，解决了均匀化供电的技术问题，产生了使得芯片装置内部各集成电路的供电更加均匀的有益效果。因此，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1和公知常识相比具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.关于权利要求2-3
权利要求2-3引用了权利要求1，为权利要求1的从属权利要求。
在权利要求1相对于对比文件1具有新颖性的基础上，权利要求2-3相对于对比文件1同样也具有专利法第22条第2款规定的新颖性。
在权利要求1相对于对比文件1和公知常识具有创造性的基础上，权利要求2-3相对于对比文件1和公知常识同样也具有专利法第22条第3款规定的创造性。
3.关于权利要求4
权利要求4请求保护一种芯片装置的凸块配置方法，对比文件1公开了一种芯片装置的凸块配置方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第1页第20-25行，说明书第6页第12行至第8页第4行，附图3-6）：
经由晶片20（相当于芯片）的多个电压源导电凸块P（相当于第一凸块）供应电源电压（相当于第一电压）至晶片20内，经由晶片20的多个接地导电凸块G（相当于第二凸块）供应接地电压（相当于第二电压）至晶片20内；其中该多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块G设计于晶片20的最上层（相当于第一凸块和第二凸块配置于芯片装置的最高金属层）；而且，本领域技术人员可以毫无疑义地确定在晶片20内存在多个集成电路，且多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块G是用于供应该多个集成电路的电源/接地接口端；
将晶片20带有导电凸块的一面翻转过来，使得晶片上层阵列分布的导电凸块朝下连接于对应的基板26上，封装基板26上有对应的导电凸块垫以阵列方式与晶片20上层的导电凸块对应设置，以承接晶片20上层的导电凸块，其中晶片20上层的导电凸块包括多个电压源导电凸块P和多个接地导电凸块（相当于将第一凸块和第二凸块电性连接至芯片装置的基板）；
多个导电凸块P呈多行和多列布置，多个导电凸块G呈多行和多列布置，多行的行距相等，多列的列距相等（参见附图5），每一纵行的P凸块和G凸块交替呈现（相当于每列的相邻两个分别为第一和第二凸块），每列的第一个与相邻列的第一个分别为P凸块和G凸块；每列的第一个和与该相邻列的第一个对齐（参见附图5）；
权利要求4与对比文件1相比具有区别技术特征：其中一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间：使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等。基于该区别，本申请实际解决了均匀化供电的技术问题。
可见，对比文件1中没有公开集成电路，因而没有公开“其中一个该集成电路布置在一个该第一凸块与一个该第二凸块之间；使该个该集成电路至最近的该第一凸块的距离与该集成电路至最近的该第二凸块的距离相等”的技术特征，而且该技术特征不是惯用手段的直接替换，因此，权利要求4相对于对比文件1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对比文件1中虽然公开了凸块P和凸块G的交错排列，但对比文件1中没有公开集成电路的位置，本领域中，集成电路通常置于凸块之上，通过走线与凸块互连，但是集成电路与第一凸块以及第二凸块的位置关系不是公知常识，因此，上述区别技术特征不是本领域的公知常识。本申请中，通过将集成电路与最近的第一凸块和第二凸块的距离设置为相等，可以使得不同集成电路各自的供电强度趋于一致，解决了均匀化供电的技术问题，产生了使得芯片装置内部各集成电路的供电更加均匀的有益效果。因此，权利要求4请求保护的技术方案与对比文件1和公知常识相比具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.关于权利要求5-6
权利要求5-6引用了权利要求4，为权利要求4的从属权利要求。
在权利要求4相对于对比文件1具有新颖性的基础上，权利要求5-6相对于对比文件1同样也具有专利法第22条第2款规定的新颖性。
在权利要求4相对于对比文件1和公知常识具有创造性的基础上，权利要求5-6相对于对比文件1和公知常识同样也具有专利法第22条第3款规定的创造性。
5.关于驳回决定和前置意见书中的相关意见
合议组认为：（1）原说明书和权利要求书中对于第一和第二凸块的位置还记载了每列的第一个与相邻列的第一个对齐，每列相邻的两个分别为第一和第二凸块，并且还记载了设置在第一和第二凸块之间的集成电路与第一和第二凸块的走线长度相等，根据这些记载以及说明书附图1A-4，可以得到各个凸块的分布是均匀的，因而可以直接直接地、毫无疑义地得到多列的列距相等，多行的行距相等。（2）复审请求人在2019年11月22日提交的修改中，已经删除了包含“与相间一列的列的第一个对齐”的并列技术方案，克服了该并列技术方案修改超范围的缺陷。
综上所述，本申请的权利要求第1-6项所请求保护的技术方案与对比文件1和公知常识的结合相比具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。至于本申请是否还存在其它不符合专利法及其实施细则规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年03月12日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
2019年11月22日提交的权利要求第1-6项；2019年06月25日提交的说明书第1-36段；申请日2015年12月04日提交的说明书附图图1A-5，说明书摘要，摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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