发明创造名称：制造高分辨率有机薄膜图案的方法
外观设计名称：
决定号：198863
决定日：2019-12-17
委内编号：1F273099
优先权日：2010-01-11
申请（专利）号：201610115813.4
申请日：2011-01-05
复审请求人：三星显示有限公司 首尔大学校产学协力团
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：凌宇飞
合议组组长：韩冰
参审员：李元
国际分类号：H01L51/00,H01L27/32,H01L51/05,H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术之间存在多个区别技术特征，部分区别技术特征不是本领域的公知常识，并且该部分区别技术特征的引入使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610115813.4，名称为“制造高分辨率有机薄膜图案的方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为三星显示有限公司、首尔大学校产学协力团，申请日为2011年01月05日，优先权日为2010年01月11日，公开日为2016年07月06日。本申请是申请号为201110006544.5的发明专利申请的分案申请，分案递交日为2016年03月01日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年10月26日发出驳回决定，以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于分案申请递交日2016年03月01日提交的说明书第1-11页、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2018年07月12日提交的权利要求第1-10项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：
在基板上形成第一有机层；
通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层；
在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；以及
通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂，
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光；
其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用。
2. 根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层是有机薄膜晶体管的有源层。
3. 根据权利要求1所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由有机滤色器材料形成。
4. 一种形成有机薄膜图案的方法，该方法包括：
(a)在基板上形成第一有机层；
(b)通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并由所述第一有机层的剩余部分形成牺牲层；
(c)在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；
(d)通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并且由剩余的第二有机层形成第二有机层图案；以及
(e)在形成有所述第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)至(d)，以在所述基板的未形成所述第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂,
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色；
其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用。
5. 根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中所述有机发光材料由低分子量的材料形成。
6. 根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料和重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料实现全彩色。
7. 根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由滤色器材料形成。
8. 根据权利要求7所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的滤色器材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的滤色器材料不同的颜色。
9. 根据权利要求8所述的形成有机薄膜图案的方法，其中在形成所述第二有机层期间形成的滤色器材料和重复执行步骤(a)至(d)期间形成的滤色器材料实现全彩色。
10. 根据权利要求4所述的形成有机薄膜图案的方法，其中步骤(e)被重复执行预定的次数。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：WO2009/143357A2，公开日为2009年11月26日。
驳回决定的具体理由是：
权利要求1与对比文件1的区别是：1）氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺；3）其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用。对于区别1）：对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择；区别2）是本领域普通技术人员的常用技术手段；对于区别3）：在对比文件1公开内容的基础上，对本领域技术人员来说是容易想到的，因此权利要求1不具备创造性。
从属权利要求2-3的附加技术特征是在对比文件1公开内容的基础上，本领域技术人员容易想到的，因此权利要求2-3也不具备创造性。
权利要求4与对比文件1的区别是：1）氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺；3）第一有机层的一部分是通过照射光能来选择性地去除；在形成第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)到(d)，以在基板的未形成第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案；4）其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用。对于区别1）：对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择；区别2）是本领域普通技术人员的常用技术手段；区别3）是本领域技术人员容易想到的；对于区别4）：在对比文件1公开内容的基础上，对本领域技术人员来说是容易想到的，因此权利要求4不具备创造性。
从属权利要求5、6、8、9的附加技术特征都是本领域的常规选择；从属权利要求7、10的附加技术特征在对比文件1公开基础上是容易想到的；因此权利要求5-10也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月02日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：（1）对比文件1主张采用光刻法应用于半导体工业领域中，并未给本领域技术人员提供采用其他方法应用于半导体工业领域中的技术启示，即本领域技术人员在看到对比文件1时无动机寻求其他方法来代替光刻法，将对比文件1作为最接近现有技术不妥；（2）激光烧蚀工艺是本申请的发明点之一，复审请求人不同意其为常用技术手段，希望合议组提供公知常识性证据；（3）具体氟基聚合物不同。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月13日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：受激准分子激光与氟基聚合物溶于氟基溶剂起到的作用并无关联性，是两个单独的步骤。也就是说对比文件1给出了采用氟基溶剂溶解氟基化合物的技术启示。对于采用准分子激光烧蚀氟基聚合物层的技术特征，由于准分子激光刻蚀（参见现有技术文献CN1700421A、CN1994653A、CN1495854A、CN2349218Y）与光刻显影均为常用的图案化有机层的常用技术手段，因此，本领域技术人员有动机为了简化工艺步骤而采用准分子激光刻蚀。对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，而且二者的作用都是作为掩模并在后续工艺步骤中能够利用含氟溶剂去除。因此，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月17日向复审请求人发出复审通知书，该复审通知书中指出全部权利要求1-10不具有创造性。具体理由如下：
权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：1）本申请中的氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺。针对区别技术特征1）：对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择；针对区别技术特征2）：对于本领域技术人员而言，无论采用曝光和显影技术还是直接采用激光烧蚀技术通过遮罩来去除部分有机层都是本领域常用的形成微细图案的技术手段，受激准分子激光是本领域普通技术人员所常采用的激光类型。并且当本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识选用激光烧蚀技术来去除第一层时，也就不需要另外的化学显影工艺，其是激光烧蚀所具有的公知的技术效果（作为公知常识的举证，可参见《现代加工技术》，北京航空大学出版社，2005年03月第一版，左敦稳主编，第267-268页，第7章第7.5.2节准分子激光直写微细加工工艺）。因此权利要求1不具备创造性。
从属权利要求2-3的附加技术特征是在对比文件1公开基础上，本领域技术人员容易想到的，因此权利要求2-3也不具备创造性。
权利要求4与对比文件1的区别技术特征是：1) 本申请中的氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺；3）第一有机层的一部分是通过照射光能来选择性地去除；在形成第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)到(d)，以在基板的未形成第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案。基于上述区别技术特征，本申请所要解决的技术问题是：选择合适的氟基聚合物，采用另一种不需要光刻的方式去除部分有机层，在基板上构造多层图案的有机层，形成第二有机层，实现白光以及工艺方法的选择。针对区别技术特征1）：对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择；针对区别技术特征2）：对于本领域技术人员而言，无论采用曝光和显影技术还是直接采用激光烧蚀技术通过遮罩来去除部分有机层都是本领域常用的形成微细图案的技术手段，受激准分子激光是本领域普通技术人员所常采用的激光类型。并且当本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识选用激光烧蚀技术来去除第一层时，也就不需要另外的化学显影工艺，其是激光烧蚀所具有的公知的技术效果。针对区别技术特征3）：在对比文件1公开内容的基础上，是本领域的技术人员容易想到的。因此权利要求4不具备创造性。
从属权利要求5、6、8、9的附加技术特征都是本领域的常规选择；从属权利要求7、10的附加技术特征在对比文件1公开基础上是容易想到的；因此权利要求5-10也不具备创造性。
对于复审请求人的答复意见，合议组认为：（1）对比文件1与本申请领域相同，基本发明构思相同，适于作为最接近现有技术。（2）激光烧蚀技术是本领域的公知常识，合议组已经提供相关公知常识性证据供复审请求人参考，在相关公知常识性证据中已经表明光刻工艺的固有缺陷，以及准分子激光直写技术的优点。在此基础上本领域技术人员有动机对对比文件1中存在缺陷的“光刻技术”进行替换，因此现有技术整体给出了技术启示。（3）对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃和本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物都是本领域常用的含氟有机材料，使用本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择。
复审请求人于2019年09月02日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-10项）。具体修改内容如下：将独立权利要求1、4中“包括”修改为“由以下步骤组成”。
复审请求人于2019年09月02日提交的权利要求1、4的内容如下：
“1. 一种形成有机薄膜图案的方法，该方法由以下步骤组成：
在基板上形成第一有机层；
通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并将所述第一有机层的剩余部分形成为牺牲层；
在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；以及
通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并将剩余的第二有机层形成为第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数； -图片作一致修改
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂，
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光；
其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用，
其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺。”
“4. 一种形成有机薄膜图案的方法，该方法由以下步骤组成：
(a)在基板上形成第一有机层；
(b)通过选择性地向所述第一有机层照射光能来选择性地去除所述第一有机层的一部分，并由所述第一有机层的剩余部分形成牺牲层；
(c)在所述基板和所述牺牲层的整个表面上形成第二有机层，所述第二有机层利用沉积方法形成；
(d)通过利用溶剂去除所述牺牲层来剥离形成在所述牺牲层上的第二有机层，并且由剩余的第二有机层形成第二有机层图案；以及
(e)在形成有所述第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)至(d)，以在所述基板的未形成所述第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案；
其中在形成第一有机层时，所述第一有机层包括氟基聚合物，所述氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数；
其中在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光；
其中在剥离所述第二有机层时，所述溶剂是氟基溶剂,
其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，
在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色；
其中所述第一有机层是氟基聚合物膜，并且所述氟基聚合物膜通过熔化具有低沸点的氟化溶剂来利用，
其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺。”
复审请求人认为：（1）不同意本申请中化学式1和化学式2表示的氟基聚合物是本领域技术人员根据实际情况可作出的常规选择。对比文件1中间苯二酚杯芳烃需要增溶剂处理，而本申请化学式1和化学式2表示的氟基聚合物无需增溶剂处理。（2）不同意本领域技术人员有动机对对比文件1中存在缺陷的“光刻技术”采用准分子激光直写技术进行替换。复审请求人认为准分子激光直写技术不能使间苯二酚杯芳烃的化学键断裂。（3）本申请实际上是组合发明，技术特征“使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩膜照射受激准分子激光”和“氟基聚合物溶于氟基溶剂”的组合是非显而易见且具有预料不到技术效果的。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年09月02日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，2019年09月02日所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于分案申请递交日2016年03月01日提交的说明书第1-11页、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2019年09月02日提交的权利要求第1-10项。
2、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术之间存在多个区别技术特征，部分区别技术特征不是本领域的公知常识，并且该部分区别技术特征的引入使得该项权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该项权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：WO2009/143357A2，公开日为2009年11月26日。
2.1权利要求1请求保护一种形成有机薄膜图案的方法，对比文件1是一篇与本申请最接近的现有技术，它公开了一种利用剥离方法制造有机结构图案的方法(参见说明书摘要、说明书第0001-0013段，0079-0081段，附图12-13)，并具体公开了以下技术内容：从附图13中可以看出，在基材上形成由间苯二酚杯芳烃薄膜构成的光阻抗蚀剂层(相当于第一有机层，第一有机层是氟基聚合物)，对其曝光及显影以去除该光阻抗蚀剂层的一部分；使用增溶剂（典型的例如HDMS）处理显影后的光阻抗蚀剂层；在光阻抗蚀剂层的剩余部分和基材的整个表面上旋涂形成功能材料(相当于第二有机层)；通过HFE-7100溶液（相当于溶剂是氟基溶剂）剥离光阻抗蚀剂的剩余部分(该剩余部分必然是作为牺牲层而使用)，同时其上的功能材料也被移除，从而构成了由剩余的功能材料所形成的有机图案，这表明光阻抗蚀剂层是通过溶化具有低沸点的氟化溶剂来利用。如图12(d)所示，在电子束曝光条件下，不需要大量优化即可得到80nm的图形，这表明使用氟化溶剂的光刻是实现100nm下的特征的有用工具。对比文件1公开的有机结构形成图案的方法可用于有机电子设备如各种有机半导体、有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、传感器等。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：1）本申请中的氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数，权利要求1为封闭式权利要求，即方法不存在其他步骤；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃，其方法包括采用增溶剂进行处理；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，形成不同颜色的多层有机发光材料以便发出白光，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺。基于上述区别技术特征，本申请实际所要解决的技术问题是：选择合适的氟基聚合物，采用另一种不需要光刻的方式图案化有机层，以简化制备工艺，实现白光以及工艺方法的选择。
针对区别技术特征2），对于本领域技术人员而言，无论采用曝光和显影技术还是直接采用激光烧蚀技术通过遮罩来去除部分有机层都是本领域常用的形成微细图案的技术手段，受激准分子激光是本领域普通技术人员所常采用的激光类型。并且当本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识选用激光烧蚀技术来去除第一层时，也就不需要另外的化学显影工艺，这是激光烧蚀所具有的公知的技术效果（具体可参见《现代加工技术》，北京航空大学出版社，2005年03月第一版，左敦稳主编，第267-268页，第7章第7.5.2节准分子激光直写微细加工工艺：其中公开了：凡应用曝光原理的微细加工，都要涉及掩膜以及抗蚀剂，这必然引入掩膜和抗蚀剂材料，以及前期和后期处理，这些步骤无疑在时间成本，加工精度上都会造成严重的负面影响，直写加工利用激光高能束以不同手段直接在加工工件上制造微细结构，它将大大简化整个生产过程。利用准分子激光可以对材料实现直接刻蚀）。根据对比文件1公开的有机结构形成图案的方法可用于有机电子设备如各种有机半导体、有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、传感器等，本领域普通技术人员容易想到将上述有机结构形成图案的方法用来形成在有机发光器件中的位于第一电极和第二电极之间的有机发光材料。形成不同颜色的多层有机发光材料以发白光是本领域普通技术人员为了构造白光有机发光二极管所常采用的技术手段。采用沉积方法获得有机材料是本领域普通技术人员的常用技术手段。
针对区别技术特征1），对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃在利用含氟溶剂去除之前，需要采用增溶剂进行处理，而权利要求1中采用的化学式1和化学式2表示的氟基聚合物无需增溶剂处理即可利用含氟溶剂去除。对比文件1没有公开或教导权利要求1中采用的化学式1和化学式2表示的氟基聚合物不需要增溶剂进行处理即可溶于溶剂，其也不是本领域的公知常识，并且选择使用化学式1和化学式2表示的氟基聚合物能够使得工艺简化，避免引入增溶剂带来的污染，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求1所请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，因此权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2权利要求4请求保护一种形成有机薄膜图案的方法，对比文件1公开了一种利用剥离方法制造有机结构图案的方法(参见说明书摘要、说明书第0001-0013段，0079-0081段，附图12-13)，并具体公开了以下技术内容：从附图13中可以看出，在基材上形成由间苯二酚杯芳烃薄膜构成的光阻抗蚀剂层(相当于第一有机层，第一有机层是氟基聚合物)，对其曝光及显影以去除该光阻抗蚀剂层的一部分；使用增溶剂（典型的例如HDMS）处理显影后的光阻抗蚀剂层；在其的剩余部分和基材的整个表面上旋涂形成功能材料(相当于第二有机层)；通过HFE-7100溶液（相当于溶剂是氟基溶剂）剥离光阻抗蚀剂的剩余部分(该剩余部分必然是作为牺牲层而使用)，同时其上的功能材料也被移除，从而构成了由剩余的功能材料所形成的有机图案，这表明光阻抗蚀剂层是通过溶化具有低沸点的氟化溶剂来利用。如图12(d)所示，在电子束曝光条件下，不需要大量优化即可得到80nm的图形，这表明使用氟化溶剂的光刻是实现100nm下的特征的有用工具。公开的有机结构形成图案的方法可用于有机电子设备如各种有机半导体、有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、传感器等。
权利要求4与对比文件1的区别技术特征是：1) 本申请中的氟基聚合物是下面化学式1或2所表示的化合物：
化学式1
其中n是50与1000之间的整数，
化学式2
其中m是50与1000之间的整数，并且n是50与1000之间的整数，权利要求4为封闭式权利要求，即方法不存在其他步骤；而对比文件1公开的是间苯二酚杯芳烃，其方法包括采用增溶剂进行处理；2）在选择性地去除所述第一有机层时，使用激光烧蚀方法向布置在所述第一有机层上的具有预定图案的掩模照射受激准分子激光，其中在形成所述第二有机层时，所述第二有机层由包含布置在所述基板上且位于第一电极与第二电极之间的有机发光材料的有机发光器件的有机发光材料形成，在形成所述第二有机层期间形成的有机发光材料具有与重复执行步骤(a)至(d)期间形成的有机发光材料不同的颜色，第二有机层利用沉积方法形成，其中所述形成有机薄膜图案的方法不需要另外的化学显影工艺；3）第一有机层的一部分是通过照射光能来选择性地去除；在形成第二有机层图案的基板上重复执行步骤(a)到(d)，以在基板的未形成第二有机层图案的区域上形成另一第二有机层图案。基于上述区别技术特征，本申请所要解决的技术问题是：选择合适的氟基聚合物，采用另一种不需要光刻的方式去除部分有机层，以简化制备工艺，在基板上构造多层图案的有机层，形成第二有机层，实现白光以及工艺方法的选择。
针对区别技术特征2），对于本领域技术人员而言，无论采用曝光和显影技术还是直接采用激光烧蚀技术通过遮罩来去除部分的有机层都是本领域的常用技术手段，受激准分子激光是本领域普通技术人员所常采用的激光类型。并且当本领域技术人员根据其掌握的普通技术知识选用激光灼烧技术来去除第一层时，也就不需要另外的化学显影工艺，这是激光烧蚀所具有的公知的技术效果（具体可参见《现代加工技术》，北京航空大学出版社，2005年3月第一版，左敦稳主编，第267-268页，第7章第7.5.2节准分子激光直写微细加工工艺：其中公开凡应用曝光原理的微细加工，都要涉及掩膜以及抗蚀剂，这必然引入掩膜和抗蚀剂材料，以及前期和后期处理，这些步骤无疑在时间成本，加工精度上都会造成严重的负面影响，直写加工利用激光高能束以不同手段直接在加工工件上制造微细结构，它将大大简化整个生产过程，……，利用准分子激光可以对材料实现直接刻蚀）。根据对比文件1公开的有机结构形成图案的方法可用于有机电子设备如各种有机半导体、有机发光二极管、有机薄膜晶体管、有机太阳能电池、传感器等，本领域普通技术人员容易想到将上述有机结构形成图案的方法用来形成在有机发光器件中的位于第一电极和第二电极之间的有机发光材料。形成不同颜色的多层有机发光材料以发白光是本领域普通技术人员为了构造白光有机发光二极管所常采用的技术手段。采用沉积方法获得有机材料是本领域普通技术人员的常用技术手段。
针对区别技术特征3），根据对比文件1公开的内容，本领域的技术人员容易想到，重复有机结构形成图案的步骤以形成多层图案的有机层。
针对区别技术特征1），对比文件1公开的间苯二酚杯芳烃在利用含氟溶剂去除之前，需要采用增溶剂进行处理，而权利要求4中采用的化学式1和化学式2表示的氟基聚合物无需增溶剂处理即可利用含氟溶剂去除。对比文件1没有公开或教导权利要求4中采用的化学式1和化学式2表示的氟基聚合物不需要增溶剂进行处理即可溶于溶剂，其也不是本领域的公知常识，并且选择使用化学式1和化学式2表示的氟基聚合物能够使得工艺简化，避免引入增溶剂带来的污染，取得了有益的技术效果。
由此可知，权利要求4所请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，其具有突出的实质性特点和显著的进步，因此权利要求4具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3权利要求2、3是独立权利要求1的从属权利要求；权利要求5-10是独立权利要求4的从属权利要求，因此当权利要求1、4具备创造性时，权利要求2、3、5-10也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定和前置审查相关意见的答复：
对于驳回理由和前置审查意见，合议组认为：由于复审请求人将独立权利要求1、4由开放式修改为封闭式，因此权利要求1、4的保护范围发生改变。对比文件1中采用的间苯二酚杯芳烃需要增溶剂处理，而本申请化学式1和化学式2表示的氟基聚合物无需增溶剂处理，这使得本申请所选材料能够使得工艺简化，避免引入增溶剂带来的污染，取得了有益的技术效果，进而使得权利要求1、4具备创造性。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。至于本申请中是否存在其他不符合专利法以及专利法实施细则的规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年10月26日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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