发明创造名称：一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
外观设计名称：
决定号：199733
决定日：2019-12-17
委内编号：1F299130
优先权日：
申请（专利）号：201610862940.0
申请日：2016-09-28
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方显示技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：窦明生
合议组组长：宋霖
参审员：李晓明
国际分类号：H01L29/786，H01L27/12，H01L21/336
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在该对比文件基础上结合本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案实现了有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610862940.0，名称为“一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司、北京京东方显示技术有限公司，申请日为2016年09月28日，公开日为2017年01月04日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年05月17日以权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其理由是：（1）权利要求1和对比文件1（CN101630692A，公开日为2010年01月20日）相比区别在于：第一半导体层由碳纳米管材料构成，有源层中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极延伸至延伸部且与延伸部接触；和/或，漏极延伸至延伸部且与延伸部接触；在源漏图案相较于有源层远离衬底基板的情况下，源极和/或漏极与延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在源漏图案相较于有源层靠近衬底基板的情况下，延伸部与源极和/或漏极的部分上底面和侧面接触。而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。（2）权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-4也均不具备创造性。（3）权利要求5要求保护一种包括权利要求1-4任一项的薄膜晶体管的阵列基板，权利要求6要求保护一种包括权利要求5所述阵列基板的显示装置，对比文件1公开了包括薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求5、6所保护的技术方案也不具备创造性。（4）权利要求7和对比文件1相比区别在于：第一半导体层由碳纳米管材料构成；通过采用先在衬底基板上形成金属薄膜层，并通过构图工艺形成源漏图案；其中，远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极延伸至延伸部且与延伸部接触；和/或，漏极延伸至所述延伸部且与延伸部接触；在源漏图案相较于有源层远离衬底基板的情况下，源极和/或漏极与延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在源漏图案相较于有源层靠近衬底基板的情况下，延伸部与源极和/或漏极的部分上底面和侧面接触。而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求7相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：于申请日2016年09月28日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1-7c、说明书摘要及摘要附图；于2019年04月09日提交的权利要求第1-7项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的栅极、由源极和漏极组成的源漏图案以及有源层，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
所述有源层中远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；
所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；
所述第一半导体层由碳纳米管材料构成，所述第二半导体层由金属氧化物半导体材料构成；
在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板的情况下，所述源极和/或所述漏极与所述延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在所述源漏图案相较于所述有源层靠近所述衬底基板的情况下，所述延伸部与所述源极和/或所述漏极的部分上底面和侧面接触。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；
和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。
3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度与所述第一半导体层的厚度的比值为2.5～3.5。
4. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板，且所述源漏图案位于所述有源层的相邻层的情况下，
所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层与所述有源层的部分上表面接触，所述有源层的上表面与所述刻蚀阻挡层未接触的部分分别与所述源极和所述漏极相接触。
5. 一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。
7. 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制作栅极以及栅极绝缘层；
在衬底基板上制作第一半导体层；
在衬底基板上制作第二半导体层，其中所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
在衬底基板上形成金属薄膜层，通过构图工艺形成由源极和漏极组成的源漏图案；其中，远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；所述源极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；
所述第一半导体层由碳纳米管材料构成，所述第二半导体层由金属氧化物半导体材料构成；
在所述源漏图案相较于有源层远离所述衬底基板的情况下，所述源极和/或所述漏极与所述延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在所述源漏图案相较于所述有源层靠近所述衬底基板的情况下，所述延伸部与所述源极和/或所述漏极的部分上底面和侧面接触。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年08月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中将原从属权利要求2的附加技术特征增加到原独立权利要求1、7中，删除原从属权利要求2，对权利要求序号和引用关系进行适应性修改。复审请求人认为：（1）碳纳米管虽然是常规材料，但是在TFT沟道中加入碳纳米管，并且让漏极和碳纳米管搭接并非常规的技术手段；（2）现有技术中不存在延伸部，而本申请中正是因为有了延伸部，使得源极和漏极能与远离源漏图案的半导体层上表面相接触，有效的保证了电子能通过远离源漏图案的半导体层进行传输，从而提高了开态电流。在此基础上进一步设置源漏极与上层半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值，达到有效的增加开态电流、降低漏电流的目的。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括设置于衬底基板上的栅极、由源极和漏极组成的源漏图案以及有源层，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
所述有源层中远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；
所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；
所述第一半导体层由碳纳米管材料构成，所述第二半导体层由金属氧化物半导体材料构成；
在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板的情况下，所述源极和/或所述漏极与所述延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在所述源漏图案相较于所述有源层靠近所述衬底基板的情况下，所述延伸部与所述源极和/或所述漏极的部分上底面和侧面接触；
所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；
和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的厚度与所述第一半导体层的厚度的比值为2.5～3.5。
3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源漏图案相较于所述有源层远离所述衬底基板，且所述源漏图案位于所述有源层的相邻层的情况下，
所述薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层与所述有源层的部分上表面接触，所述有源层的上表面与所述刻蚀阻挡层未接触的部分分别与所述源极和所述漏极相接触。
4. 一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管。
5. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。
6. 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上制作栅极以及栅极绝缘层；
在衬底基板上制作第一半导体层；
在衬底基板上制作第二半导体层，其中所述第一半导体层的电子迁移率大于所述第二半导体层的电子迁移率，所述第一半导体层相较于所述第二半导体层靠近所述栅极；
在衬底基板上形成金属薄膜层，通过构图工艺形成由源极和漏极组成的源漏图案；其中，远离所述源漏图案一侧的半导体层相较于靠近所述源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；所述源极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；和/或，所述漏极与靠近所述源漏图案一侧的半导体层的底面接触，并延伸至所述延伸部且与所述延伸部接触；
所述第一半导体层由碳纳米管材料构成，所述第二半导体层由金属氧化物半导体材料构成；
在所述源漏图案相较于有源层远离所述衬底基板的情况下，所述源极和/或所述漏极与所述延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在所述源漏图案相较于所述有源层靠近所述衬底基板的情况下，所述延伸部与所述源极和/或所述漏极的部分上底面和侧面接触；
所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；
和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年09月09日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1中沟道层C1的结构设置与本申请中有源层的结构设置相同，因此对比文件1必然能够达到与本申请相同的技术效果：薄膜晶体管在导通状态时，电子能够通过第一氧化物层10进行传输，而在截止状态时，电子能够通过第二氧化物层20进行传输；即提高开态电流、同时降低漏电流；（2）在半导体领域中，碳纳米管的电子迁移率高于金属氧化物半导体材料的电子迁移率，是碳纳米管本身的特性，且对比文件1也是为了得到具有高迁移率和正阈值电压的增强型晶体管，在此基础上，本领域技术人员可以根据需要选择具有较高电子迁移率的碳纳米管作为沟道层，来进一步提高晶体管的载流子迁移率，从而增加开态电流，而不需付出创造性劳动；（3）在半导体领域中，源漏电极与沟道层（即有源层）的接触方式有台阶式接触、斜坡式接触、侧壁式接触、上表面式接触、下表面式接触等；且现有技术中也存在：双层沟道中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部，源极延伸至延伸部且与延伸部接触，漏极延伸至延伸部且与延伸部接触；在此基础上，合理选择台阶式接触以进一步增强源漏电极与有源层的电接触特性，是本领域技术人员易想到的，不需付出创造性劳动；（4）本领域技术人员可以根据需要，通过常规实验手段，在有限的试验后得到源极与有源层中靠近源漏图案一侧的半导体层的接触面积和源极与延伸部的接触面积的比值，和/或，漏极与有源层中靠近源漏图案一侧的半导体层的接触面积和漏极与延伸部的接触面积的比值；以进一步增强源漏电极与有源层的电接触特性。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年08月30日提交复审请求时提交了权利要求书修改替换页（包括6项权利要求），经审查，其修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于2019年08月30日提交的权利要求第1-6项；于申请日2016年09月28日提交的说明书第1-72段，说明书附图图1-7c，说明书摘要及摘要附图。
（二）具体审查意见
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在该对比文件基础上结合本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案实现了有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定中引用与驳回决定相同的对比文件，为：
对比文件1：CN101630692A，公开日为2010年01月20日。
1、关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种薄膜晶体管，对比文件1公开了一种薄膜晶体管，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第1页第5段至第3页第16行、第4页第10行至第13页第6行，附图1-11D）：设置于基底SUB1（相当于衬底基板）上的栅极G1、由源极电极S1和漏极电极D1组成的源漏图案以及沟道层C1（相当于有源层），所述沟道层C1包括层叠设置的第一氧化物层10（相当于第一半导体层）和第二氧化物层20（相当于第二半导体层），所述第一氧化物层10的电子迁移率大于所述第二氧化物层20的电子迁移率，所述第一氧化物层10相较于所述第二氧化物层20靠近所述栅极G1；所述源极电极S1与所述沟道层C1中靠近所述源漏图案一侧的第二氧化物层20的上底面接触，并与第一氧化物层10的侧面接触；所述漏极电极D1与所述沟道层C1中靠近所述源漏图案一侧的第二氧化物层20的上底面接触，并与第一氧化物层10的侧面接触；第二氧化物层20可以为氧化镓铟锌(GIZO)层（相当于金属氧化物半导体材料）；在所述源漏图案相较于所述沟道层C1远离所述基底SUB1的情况下，所述源极电极S1和所述漏极电极D1均与第一氧化物层10的侧面以及第二氧化物层20的上底面和侧面接触。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）第一半导体层由碳纳米管材料构成。（2）有源层中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极延伸至延伸部且与延伸部接触；和/或，漏极延伸至延伸部且与延伸部接触；在源漏图案相较于有源层远离衬底基板的情况下，源极和/或漏极与延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在源漏图案相较于有源层靠近衬底基板的情况下，延伸部与源极和/或漏极的部分上底面和侧面接触；所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。基于该区别技术特征确定权利要求1实际解决的技术问题是：选择一种高迁移率半导体材料及如何进一步提高开态电流和降低漏电流。
对于区别技术特征（1），对比文件1已经公开第一氧化物层10的电子迁移率大于所述第二氧化物层20的电子迁移率。在此基础上，本领域技术人员容易想到使用高电子迁移率的半导体材料作为第一氧化物层10的材料，而碳纳米管的高电子迁移率特性是本领域的公知常识。因此，本领域技术人员有动机使用碳纳米管作为第一氧化物层10的材料，不需要付出创造性的劳动。
对于区别技术特征（2），对比文件1为解决氧化物半导体层作为沟道层的晶体管的阈值电压难以控制的问题，采用了双层沟道层，根据形成双层沟道层的材料及其厚度的不同来调整晶体管的阈值电压。因此对比文件1不涉及保证TFT器件的开态电流较大而漏电流较小的技术问题，没有给出在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值的技术启示。并且，该区别技术特征（2）也并非本领域的公知常识。因此在没有其它技术启示的情况下，本领域技术人员从对比文件1公开的技术方案的基础上对其进行改进时，想到在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
基于上述区别技术特征（2），权利要求1的技术方案解决了现有技术中不能同时保证TFT器件的开态电流较大而漏电流较小的问题，并取得了相应的有益技术效果。
因此权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、关于权利要求2-5的创造性
权利要求2-5直接或间接引用权利要求1，由于权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具备创造性，则权利要求2-5相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求6的创造性
权利要求6请求保护一种薄膜晶体管的制备方法，对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开了如下技术特征（见说明书第1页第5段至第3页第16行、第4页第10行至第13页第6行及附图1-11D）：在基底SUB1（相当于衬底基板）上制作栅极G1以及栅极绝缘层GI1；在基底SUB1上制作第一氧化物层10（相当于第一半导体层）；在基底SUB1上制作第二氧化物层20（相当于第二半导体层），其中所述第一氧化物层10的电子迁移率大于所述第二氧化物层20的电子迁移率，所述第一氧化物层10相较于所述第二氧化物层20靠近所述栅极G1；在基底SUB1上形成源极电极S1和漏极电极D1（相当于由源极和漏极组成的源漏图案）；所述源极电极S1与靠近所述源漏图案一侧的第二氧化物层20的上底面接触，并与第一氧化物层10的侧面接触；所述漏极电极D1与靠近所述源漏图案一侧的第二氧化物层20的上底面接触，并与第一氧化物层10的侧面接触；第二氧化物层20可以为氧化镓铟锌(GIZO)层（相当于金属氧化物半导体材料）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1相比，区别技术特征是：（1）第一半导体层由碳纳米管材料构成；（2）通过采用先在衬底基板上形成金属薄膜层，并通过构图工艺形成源漏图案；（3）远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部；源极延伸至延伸部且与延伸部接触；和/或，漏极延伸至所述延伸部且与延伸部接触；在源漏图案相较于有源层远离衬底基板的情况下，源极和/或漏极与延伸部的上底面和侧面接触；和/或，在源漏图案相较于有源层靠近衬底基板的情况下，延伸部与源极和/或漏极的部分上底面和侧面接触。所述源极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述源极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5；和/或，所述漏极与所述有源层中靠近所述源漏图案一侧的半导体层的接触面积，和所述漏极与所述延伸部的接触面积的比值为0.5～1.5。基于该区别技术特征确定权利要求6的技术方案实际解决的技术问题是：选择一种高迁移率半导体材料、如何形成源漏图案及如何进一步提高开态电流和降低漏电流。
对于区别技术特征（1），对比文件1已经公开第一氧化物层10的电子迁移率大于所述第二氧化物层20的电子迁移率。在此基础上，本领域技术人员容易想到使用高电子迁移率的半导体材料作为第一氧化物层10的材料，而碳纳米管的高电子迁移率是本领域的公知常识。因此，本领域技术人员有动机使用碳纳米管作为第一氧化物层10的材料，不需要付出创造性的劳动。
对于区别技术特征（2），通过采用先在衬底基板上形成金属薄膜层，并通过构图工艺来形成源漏图案，是本领域中形成源漏电极的惯用手段。
对于区别技术特征（3），对比文件1为解决氧化物半导体层作为沟道层的晶体管的阈值电压难以控制的问题，采用了双层沟道层，根据形成双层沟道层的材料及其厚度的不同来调整晶体管的阈值电压。因此对比文件1不涉及保证TFT器件的开态电流较大而漏电流较小的技术问题，没有给出在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值的技术启示。并且，该区别技术特征（3）也并非本领域的公知常识。因此在没有其它技术启示的情况下，本领域技术人员从对比文件1公开的技术方案的基础上对其进行改进时，想到在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
基于上述区别技术特征（3），权利要求6的技术方案解决了现有技术中不能同时保证TFT器件的开态电流较大而漏电流较小的问题，并取得了相应的有益技术效果。
因此权利要求6相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、关于驳回决定和前置审查意见
对于驳回决定和前置审查意见中的相关意见，合议组认为：（1）本申请针对现有技术中不能同时保证TFT器件的开态电流较大而漏电流较小的问题，采用了双层有源层，有源层中远离源漏图案一侧的半导体层相较于靠近源漏图案一侧的半导体层在对应源极和/或漏极的位置具有延伸部，源漏极与延伸部的上底面和侧面接触，从而增大了源漏极与远离源漏图案一侧的半导体层的接触面积，保证较大的开态电流，进而合理设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值，从而达到了晶体管具有较大开态电流的同时漏电流较小的技术效果。而对比文件1为解决氧化物半导体层作为沟道层的晶体管的阈值电压难以控制的问题，采用了双层沟道层，根据形成双层沟道层的材料及其厚度的不同来调整晶体管的阈值电压，从而得到理想的阈值电压。由此可见，本申请和对比文件1解决不同的技术问题，采用不同的技术方案，达到不同的技术效果，二者的发明构思在整体上并不相同；（2）通过上述评述可知，权利要求1、6与对比文件1相比至少存在区别技术特征“在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值”，虽然在本领域中源漏电极与沟道层（即有源层）的常见接触方式有台阶式接触，但台阶式接触通常是一层有源层，或者如对比文件1虽然是双层有源层，但将双层有源层整体设置为一个台阶与源漏极进行接触，也就是说对比文件1就是一种本领域中常见的台阶式接触。并且在前置意见中给出的用于佐证该区别技术特征为本领域公知常识的多篇专利文献均没有公开该区别技术特征。即该区别技术特征并非本领域的公知常识，在没有其它技术启示的情况下，本领域技术人员从对比文件1公开的技术方案的基础上对其进行改进时，想到在有源层中远离源漏图案一侧的半导体层中设置延伸部并使源漏极覆盖延伸部从而增大接触面积，以及进一步设置源漏极与另一半导体层的接触面积和源漏极与延伸部的接触面积的比值是非显而易见的，需要付出创造性劳动。本复审决定仅针对驳回决定和前置审查意见中指出的缺陷进行评述，至于本申请中是否还存在其他不符合专利法及实施细则的缺陷，留待实质审查部门继续审查。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年05月17日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2019年08月30日提交的权利要求第1-6项；
复审请求人于申请日2016年09月28日提交的说明书第1-72段，说明书附图图1-7c，说明书摘要及摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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