发明创造名称：半导体衬底中的可控氧浓度
外观设计名称：
决定号：199160
决定日：2019-12-16
委内编号：1F254364
优先权日：
申请（专利）号：201380075050.X
申请日：2013-03-27
复审请求人：北京通美晶体技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：胡晓珊
合议组组长：裴少平
参审员：严艳
国际分类号：C30B11/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求的技术方案最接近的现有技术；继而，将该权利要求的技术方案和最接近现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别特征而得到的技术方案对于本领域技术人员来说是否显而易见，如果是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求案涉及申请号为201380075050.X，名称为“半导体衬底中的可控氧浓度”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为北京通美晶体技术有限公司，国际申请日为2013年03月27日，进入国家阶段日为2015年09月24日，公开日为2016年03月16日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年03月15日以权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改，说明书摘要、说明书第1-35段、说明书附图第1-5页；2015年09月24日提交的摘要附图；2018年01月08日提交的权利要求第1-16项（下称驳回文本）。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：
在容器中放置多个III-V族化合物半导体衬底；
在所述容器中放置预定量的对氧具有高度反应性的材料；
对所述容器抽真空到预定压力并密封；以及
对所述多个III-V族化合物半导体衬底进行退火，使所述晶体衬底中产生可控的氧浓度，其中所述氧浓度由所述预定量的对氧具有高度反应性的材料之间的关联关系所决定，所述对氧具有高度反应性的材料为碳和硼中的一种或多种以及任选地铝和钛中的一种或多种。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述对氧具有高度反应性的材料包含对氧具有较大的负反应焓的一种或多种材料。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族化合物半导体衬底为GaAs衬底，所述退火还包括将所述容器以小于100℃/小时的预定加热速率加热到1000℃至1100℃之间的平台温度。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述退火还包括保持所述平台温度达10至20小时。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火还包括以小于100℃/小时的预定冷却速率来冷却所述容器。
6. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述容器中放置预定量的V族元素，该V族元素与构成所述III-V族化合物半导体衬底的V族元素相同在所述容器中提供预定量的源材料。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中：所述III-V族化合物半导体衬底为GaAs，在所述容器中提供预定量的单质砷。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族化合物半导体衬底为垂直梯度凝固工艺(VGF)生长得到的衬底。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族晶体衬底在退火前经过边缘修圆。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述容器中放置所述多个III-V族晶体衬底还包括将所述多个III-V族晶体衬底装载在衬底支撑架上，并将所述衬底支撑架装载在所述容器中。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述容器抽真空到10托以下的压力后密封。
12. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族晶体衬底在退火前经过清洗。
13. 一种III-V族化合物半导体衬底，通过在退火过程中放置对氧具有高度反应性的材料来调控衬底中的氧浓度，其氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm-3的范围内，其中所述衬底的光点缺陷密度(LPD)小于0.25颗/cm2。
14. 根据权利要求13所述的衬底，其特征在于：与退火过程之前相比，所述衬底的光点缺陷密度大幅降低。
15. 根据权利要求13所述的衬底，其中，所述对氧具有高度反应性的材料包括碳、铝、钛和硼中的至少一种。
16. 根据权利要求13所述的半导体衬底，其中，所述衬底包括GaAs、InP和GaP中的一种。”
驳回决定认为：（1）权利要求1与对比文件2（CN101688323A，公开日为2010年03月31日）相比，其区别特征在于：权利要求1通过放置对氧具有高度反应性的碳和硼中的一种或多种以及任选地铝和钛中的一种或多种来控制衬底氧浓度，而对比文件2仅通过真空度来控制氧浓度。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题为：如何进一步控制衬底的氧浓度。对于该区别特征，或是对比文件3（CN1320173A，公开日2001年10月31日）和对比文件4（CN101595249A，公开日2009年12月02日）给出了技术启示，或是本领域技术人员在对比文件3和4给出的技术启示上能够想到的。因此，权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2-12的附加技术特征或被公开或为本领域的公知常识，独立权利要求13的技术方案是在对比文件2的基础上结合对比文件3或4给出的技术启示能够得到的，从属权利要求14-16的附加技术特征被公开，因此，权利要求2-16也不具备创造性。（3）对于申请人的如下意见陈述：“对比文件3仅公开了加入由纯钛制成的块状部件来吸收加热到高温的容器中的氧气，而并未公开控制晶片中的氧浓度，对比文件4公开的吸氧物质均为金属元素或者金属化合物，均未公开使用碳或硼作为高氧反应性材料；对比文件2退火工艺与本申请不同，本领域技术人员无法预期如何得到权利要求13中限定的半导体衬底，尤其是具有其光电密度范围的半导体衬底”，驳回决定指出：首先，对比文件3公开了加入由纯钛制成的块状部件来吸收加热到高温的容器中的氧气，而控制氛围中的氧浓度，其目的必然是为了改善产品性能，即Ⅲ-ⅤA族半导体衬底的性能，因而设置钛吸氧的目的必然是控制Ⅲ-ⅤA族半导体衬底的氧浓度；其次，对比文件3、4均通过放置易于与氧发生反应的材料对气氛中的氧进行吸附从而实现了控制Ⅲ-ⅤA族半导体衬底中氧浓度的技术效果，本领域技术人员在此基础上，容易想到采用其他具有高氧反应性的材料，同样可实现上述技术效果，而除钛、铝之外，碳、硼亦是本领域公知的高氧反应性材料，也是半导体领域常用的材料，并且，本申请中并未记载使用碳、硼取得了除控制氧浓度之外的其他技术效果。对比文件2退火工艺的升降温速率、平台温度、平台保持时间均与本申请范围重叠，并且本领域技术人员在对比文件2基础上，能够结合对比文件3或4的技术启示，通过在容器中放置高氧反应性材料控制获得所需氧浓度，从而获得本申请的退火处理方法，进而制备获得与本申请具有相同氧浓度和光点缺陷密度的衬底。并且，本申请文件中并未记载其采用何种额外的其他工艺步骤以控制光点缺陷密度。因此，申请人的意见陈述不具有说服力，权利要求1-16不具备创造性。
申请人北京通美晶体技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年06月21日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共3页，15项），相对于驳回文本，复审请求人将原权利要求3的技术特征加入到权利要求1中，并限定衬底中的氧浓度，同时删除了权利要求3。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在容器中放置多个III-V族化合物半导体衬底；在所述容器中放置预定量的对氧具有高度反应性的材料；对所述容器抽真空到预定压力并密封；以及对所述多个III-V族化合物半导体衬底进行退火，使所述晶体衬底中产生可控的氧浓度，其中所述氧浓度由所述预定量的对氧具有高度反应性的材料之间的关联关系所决定，所述对氧具有高度反应性的材料为碳和硼中的一种或多种以及任选地铝和钛中的一种或多种，其中所述III-V族化合物半导体衬底为GaAs衬底，所述退火还包括将所述容器以小于100℃/小时的预定加热速率加热到1000℃至1100℃之间的平台温度，并且所述衬底中的氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm-3的范围内。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述对氧具有高度反应性的材料包含对氧具有较大的负反应焓的一种或多种材料。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火还包括保持所述平台温度达10至20小时。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火还包括以小于100℃/小时的预定冷却速率来冷却所述容器。
5. 根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述容器中放置预定量的V族元素，该V族元素与构成所述III-V族化合物半导体衬底的V族元素相同在所述容器中提供预定量的源材料。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中：所述III-V族化合物半导 体衬底为GaAs，在所述容器中提供预定量的单质砷。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族化合物半导体衬底为垂直梯度凝固工艺(VGF)生长得到的衬底。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族晶体衬底在退火前经过边缘修圆。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述容器中放置所述多个III-V族晶体衬底还包括将所述多个III-V族晶体衬底装载在衬底支撑架上，并将所述衬底支撑架装载在所述容器中。
10. 根据权利要求1所述的方法，其中，对所述容器抽真空到10托以下的压力后密封。
11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述III-V族晶体衬底在退火前经过清洗。
12. 一种III-V族化合物半导体衬底，通过在退火过程中放置对氧具有高度反应性的材料来调控衬底中的氧浓度，其氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm-3的范围内，其中所述衬底的光点缺陷密度(LPD)小于0.25颗/cm2。
13. 根据权利要求12所述的衬底，其特征在于：与退火过程之前相比，所述衬底的光点缺陷密度大幅降低。
14. 根据权利要求12所述的衬底，其中，所述对氧具有高度反应性的材料包括碳、铝、钛和硼中的至少一种。
15. 根据权利要求12所述的半导体衬底，其中，所述衬底包括 GaAs、InP和GaP中的一种。”
复审请求人认为：（1）对比文件2未公开退火处理的加热速率，仅公开了平台温度保持的时间，并且也没有公开通过退火参数的设定来控制衬底中的氧浓度；（2）对比文件2中需要高的真空度，而碳作为与氧反应的材料会破坏高真空度，因而本领域技术人员不会考虑使用碳。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年07月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
国家知识产权局原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）对比文件2中公开了在退火步骤中要控制加热速率，且“在约10至约48小时之内”指的就是加热时间，而并非平台温度保持时间，由上述加热时间和加热温度（(900-1050)/(10-48)）可计算得出对比文件2中加热速率为18.75-105℃/小时，与权利要求1中加热速率范围重叠。（2）对比文件2中的高真空度仅是针对退火处理前去除内部空气，以避免引入空气中的氧等杂质，而后进行密封，在退火处理过程中并非需要高真空度，因而不需要担心由于引入碳而破坏高真空度；同样，在本申请中，其在退火处理前，也需要对容器内部抽真空以去除空气，而后密封才能形成对衬底稳定的气氛，抽真空也是本领域中对半导体衬底进行高温处理前通常会采取的基本步骤。此外，对比文件2中真空度高于本申请，其容器内残余氧更少，碳与氧反应后产生的CO或CO2更少，若CO或CO2会产生不利影响的话，则对本申请的不利影响更大。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。合议组于2019年08月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1与对比文件2相比，其区别特征在于：①权利要求1通过放置对氧具有高度反应性的碳和硼中的一种或多种以及任选地铝和钛中的一种或多种从而将衬底氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm3的范围内；②权利要求1限定了加热到平台温度的加热速率为小于100℃/小时。基于上述区别技术特征，权利要求1相对于对比文件2实际解决的技术问题为：如何进一步控制衬底的氧浓度并降低缺陷密度。对于区别特征①，或是对比文件3和对比文件4给出了技术启示，或是本领域技术人员在对比文件3和4给出的技术启示上能够想到的。对于区别特征②，对比文件2给出了技术启示。因此权利要求1不具备创造性。（2）从属权利要求2-11的附加技术特征或被公开或为本领域的公知常识，独立权利要求12的技术方案是在对比文件2的基础上结合对比文件3或4给出的技术启示能够得到的，从属权利要求13-15的附加技术特征被公开，因此，权利要求2-15也不具备创造性。（3）对于复审请求人提出复审请求时的意见陈述，合议组认为：①首先，本申请说明书仅文字部分记载了“除其它外，可以针对加热速率、平台温度和/或冷却速率来优化退火工艺，以实现可控的氧浓度”，但本申请并未提供相应的实验数据，因此，本申请并没有提供有效的实验数据用于证明加热速率能够达到控制衬底氧浓度的技术效果，且现有技术中也没有加热速率能够控制衬底氧浓度的技术教导。其次，对比文件2的权利要求14明确公开了退火期间控制加热速率，其中所述加热速率为在约10至约48小时之内约900-约1050℃，并且对比文件2的说明书第4页第3段还公开了，针对加热速率、平台温度和冷却速率优化退火处理的条件，从而达到非常低LPD的水平（
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年09月25日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（共3页，15项），相对于提交复审请求时的文本，复审请求人对权利要求1的技术特征进行了修改，修改的主要方式为将对氧具有高度反应性的材料“硼”由与“碳”择一选择修改为任选，同时“碳”变为必选。修改后的权利要求1如下：
“1. 一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在容器中放置多个III-V族化合物半导体衬底；在所述容器中放置预定量的对氧具有高度反应性的材料；对所述容器抽真空到预定压力并密封；以及
对所述多个III-V族化合物半导体衬底进行退火，使所述晶体衬底中产生可控的氧浓度，其中所述氧浓度由所述预定量的对氧具有高度反应性的材料之间的关联关系所决定，所述对氧具有高度反应性的材料为碳以及任选地硼、铝和钛中的一种或多种，
其中所述III-V族化合物半导体衬底为GaAs衬底，所述退火还包括将所述容器以小于100℃/小时的预定加热速率加热到1000℃至1100℃之间的平台温度，
并且所述衬底中的氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm-3的范围内。”
复审请求人认为：对比文件2中砷的量及其蒸汽压是在退火之前预先精确控制的，因此显然不希望在接下来的退火中对其进行改变，如果向对比文件2的安瓿中加入碳，则退火过程中产生的气体产物将使得安瓿中的高真空度难以保持，且难以准确控制，因此，即使考虑了对比文件3和对比文件4的教导，将碳加入到对比文件2的安瓿中对于本领域技术人员也是非显而易见的。在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年09月25日在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页（共3页，15项），经审查，所述修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改，说明书摘要、说明书第1-35段、说明书附图第1-5页；2015年09月24日提交的摘要附图；2019年09月25日提交的权利要求第1-15项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
在判断创造性时，首先，应当确定与权利要求的技术方案最接近的现有技术；继而，将该权利要求的技术方案和最接近现有技术进行对比，确定二者之间的区别特征，并客观分析要求保护的发明相对于最接近的现有技术实际解决的技术问题；然后，从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断由引入这些区别特征而得到的技术方案对于本领域技术人员来说是否显而易见，如果是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
（1）就本申请而言，权利要求1请求保护一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法（具体参见案由部分）。对比文件2公开了一种控制Ⅲ-Ⅴ半导体晶片的氧浓度的退火方法：通过垂直梯度凝固进行GaAs晶体生长，一旦晶锭成形之后，则将晶锭切割成晶片，然后进行退火处理，在此处理过程中，将这些晶片垂直地装入一个水平的石英舟中，并与所需的砷块一起插入一个水平的石英安瓿中；精确地称量这些砷块的重量，以便在退火温度下提供所需要的蒸汽压，防止砷从衬底中离解出来；然后，将石英安瓶抽到高真空水平(<>
权利要求1的技术方案与对比文件2的技术方案相比，其区别特征在于：（1）权利要求1通过放置对氧具有高度反应性的碳以及任选地硼、铝和钛中的一种或多种从而将衬底氧浓度控制在1.2×1016至6×1017个原子/cm3的范围内；（2）权利要求1限定了加热到平台温度的加热速率为小于100℃/小时。
为了确定区别特征在本申请中所起到的作用，合议组进一步核实，对于区别特征（1）的作用，根据说明书第[0003]和[0004]段的记载，本申请的发明目的是提供一种在控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法。说明书第[0019]段还记载了“为了在GaAs和/或其它类型的（一个或多个）衬底中产生不同的氧浓度水平，可以将图2中示为材料210的、预定量的对氧原子具有高化学反应性的材料放入容器206中。该预定量的材料对氧原子具有大的负反应焓，例如，-98.4KJ/mol。材料210可以包括反应焓为-98.4KJ/mol的碳、反应焓为-273.4KJ/mol的铝、反应焓为-228.2KJ/mol的钛、反应焓为-210.6KJ/mol的硼、和/或任何其它对氧原子具有大的负反应焓的（一种或多种）材料。在S112中还可以提供或替代地提供预定量（可以包括一系列的量）的材料210。例如，材料210的预定量可以是0克至约160克之间的任意量。在S112中引入的材料210的量可以有助于在（一次或多次）退火步骤期间实现特定预定范围的氧浓度”。从说明书第[0023]段的记载以及表1、图3可以看出，当没有提供碳时，衬底中的氧浓度约为55×1016个原子/cm3，进一步的，随着在S112中加入的作为材料210的碳（以重量计）增大，所述方法产生的氧浓度随之减小（参见本申请的表1和图4）。可见，本申请在容器中放置对氧具有高度反应性的碳和硼中的一种或多种以及任选地铝和钛中的一种或多种其目的在于对衬底中的氧浓度作进一步的控制。
对于区别特征（2）的作用，本申请说明书第[0022]段记载了“除其它外，可以针对加热速率、平台温度和/或冷却速率来优化退火工艺，以实现可控的氧浓度。例如，可以以小于100℃/小时的加热速率来对容器进行加热。在一些实施例中，可以缓慢地进行加热和冷却，以避免可能会由晶体衬底内的热梯度和/或热弹性应力导致的扭曲/破裂。加热和冷却工艺中也可以防止或以其它方式有助于减小由于晶体结构在晶体与容器之间的界面处和/或在衬底的表面上的摩擦所致的缺陷”，但除此文字描述之外本申请并未提供相应的实验数据，因此，本申请并没有提供有效的实验数据用于证明加热速率能够达到控制衬底氧浓度的技术效果，且现有技术中也没有加热速率能够控制衬底氧浓度的技术教导。而本领域技术人员公知的，晶片的退火过程会产生热应力，缓慢加热和冷却能够使得晶片的热应力得到有效释放，从而能够减少热应力引起的缺陷，因此加热速率在本申请中的作用为降低缺陷密度。
因此，基于上述区别特征，权利要求1相对于对比文件2实际解决的技术问题为：如何进一步控制衬底的氧浓度并降低缺陷密度。
对于区别特征（1），对比文件3公开了一种单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体，所述单晶体包括GaAs单晶、InP单晶的铸锭或从铸锭上切取的晶片，在对单晶体退火过程中，优选在支撑部件和单晶体之间放置由纯钛制成的块状部件，以吸收加热到高温时的容器中的氧气（参见对比文件3权利要求1、4及说明书第5页第3段）。同时，对比文件4公开了一种生长氮化镓结晶组合物的方法，所述方法还包括设置吸气剂，其中该吸气剂可操作地对腔室中的水或氧中的至少一种起作用，以降低水或氧的反应可获性，所述吸气剂包括Ti、Al等。将一种或多种吸气剂添加到封壳中可将不良掺杂剂例如氧的浓度降至合格水平（参见对比文件4权利要求16、18、说明书第12页第2段）。可见，对比文件3、4均通过放置易于与氧发生反应的材料对气氛中的氧进行吸附从而实现了控制Ⅲ-ⅤA族半导体衬底中氧浓度的技术效果，其给出了通过放置高氧反应性材料来控制Ⅲ-ⅤA族半导体衬底中氧浓度的技术启示，本领域技术人员在对比文件2基础上，为了进一步控制衬底中的氧浓度，能够结合对比文件3或4的技术启示，在容器中放置高氧反应性的材料，而除Ti、Al之外，碳、硼亦是本领域公知的高氧反应性材料，本领域技术人员能够根据实际需要达到的氧浓度选择合适种类、数量和质量的高氧反应性材料，且本申请中并未记载其所限定的高氧反应性材料取得了除控制氧浓度之外的技术效果。基于所述高氧反应性材料与气氛中的氧反应从而控制进入衬底中的氧浓度的作用，本领域技术人员能够想到基于衬底中常规的氧浓度需求对所述高氧反应性材料的用量进行调整。
对于区别特征（2），对比文件2（参见权利要求14）公开了，所述对砷化镓基衬底进行退火处理的步骤进一步包括在所述退火期间控制加热速率，其中所述加热速率为在约10至约48小时之内约900-约1050℃。即对比文件2明确公开了在退火步骤中要控制加热速率，由此可以认定所述10-48小时为加热时间，由上述加热时间和平台温度（(900~1050)/(10~48)）可计算得出对比文件2中加热速率约为18.75-105℃/小时，与权利要求1中加热速率范围重叠。同时，对比文件2（说明书第4页第3段）还公开了，针对加热速率、平台温度和冷却速率优化退火处理的条件，从而达到非常低LPD的水平（
因此，在对比文件2基础上结合对比文件3或4获得权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2-7、10分别对权利要求1作了进一步限定，对比文件3和4公开了吸气剂为Al和Ti，其均属于对权利要求2中对氧具有较大的负反应焓的材料；对比文件2公开了“平台温度(900℃至1050℃)时，保持恒温若干小时(10至48小时)，随后，降低加热，使得石英安瓶在一段设定的时间(6至24小时)内冷却至室温”，所述恒温时间与权利要求3的时间范围端点重叠；以室温为25℃计算，所述冷却速率约为36.5-170.8℃/小时，与权利要求4的冷却速率范围部分重叠；对比文件2也公开了以VGF法生长GaAs晶体，切割成晶片，并在石英安瓿中放入砷块；对比文件2公开的真空度<>
（3）权利要求8、9、11分别对权利要求1作了进一步限定，在衬底加工工艺中，通过边缘修圆以及清洗去除切割等加工过程造成的损伤部位以及残留颗粒杂质是本领域惯用手段；而通过在退火炉中放置多个衬底支撑架以同时对多个衬底进行退火处理亦是常用的设置方式。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求8、9、11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）权利要求12请求保护一种半导体衬底，对比文件2公开了一种通过退火实现低光点缺陷密度和可控氧浓度的Ⅲ-ⅤA族半导体单晶衬底，并且由上述评述可知，本领域技术人员在对比文件2基础上，能够结合对比文件3或4的技术启示，获得本申请的处理方法，即在容器中放置高氧反应性材料控制衬底中的氧浓度，同时基于高氧反应性材料的作用容易想到调整所述材料的用量从而将氧浓度控制在所需范围内。并且对比文件2也公开了经退火处理后的GaAs晶片其LPD能够低至
（5）权利要求13-15分别对权利要求12作了进一步限定，对比文件2公开了经退火处理后的GaAs晶片其LPD能够低至
关于复审请求人答复复审通知书时的意见陈述
对于复审请求人答复复审通知书时的意见陈述（具体参见案由部分），合议组认为：对比文件2（参见说明书第4页第3段）记载了“将这些晶片垂直地装入一个水平的石英舟中，并与所需的砷块一起插入一个水平的石英安瓿中。精确地称量这些砷块的重量，以便在退火温度下提供所需要的蒸汽压，防止砷从衬底中离解出来”，可见对比文件2精确称量砷块的重量，其目的在于在退火温度下提供所需的蒸汽压以防止砷从衬底中离解出来，由化学反应平衡原理可知，反应的平衡与反应物和产物的分压以及温度有关，但与反应本身无关的其它气体分压不会影响该化学反应平衡，因此即使向安瓿中加入碳由此产生了例如CO或CO2的气体产物，其也不会影响砷蒸汽对衬底离解的预防作用。此外，由对比文件2记载的“GaAs晶片中的氧水平通过调整石英安瓿内的真空度来控制”可知，其抽真空的目的在于在退火前减少石英安瓿内的氧气，从而控制在退火过程中进入到衬底中的氧浓度，其并不意味着在退火过程中需要维持高真空度，并且，由于残留在石英安瓿内的氧气含量非常低，因此碳与残余氧反应后产生的CO或CO2更少，即使有影响也是微乎其微。且从上述在安瓿中放置砷块的作用可知，在退火过程中需要维持一定的砷蒸汽压，可见，退火过程中不需要维持高真空度。在对比文件2的基础上，当对比文件3和4给出了通过放置高氧反应性材料来控制Ⅲ-ⅤA族半导体衬底中氧浓度的技术启示时，本领域技术人员能够想到选择其它具有高氧反应性材料加入到对比文件2的安瓿中以进一步降低衬底氧浓度。综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
根据上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年03月15日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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