发明创造名称：液晶显示装置及其制造方法
外观设计名称：
决定号：197568
决定日：2019-12-16
委内编号：1F275287
优先权日：2014-11-27
申请（专利）号：201510633205.8
申请日：2015-09-29
复审请求人：乐金显示有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王文杰
合议组组长：钱丹娜
参审员：张一文
国际分类号：H01L27/12,H01L23/60,G02F1/1333
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征属于本领域的公知常识，而其余的区别技术特征不属于本领域的公知常识，现有技术中也没有给出将上述其余的区别技术特征应用到该最接近的现有技术中以解决其存在的技术问题的技术启示，且该其余的区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510633205.8，名称为“液晶显示装置及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为乐金显示有限公司。本申请的申请日为2015年09月29日，优先权日为2014年11月27日，公开日为2016年06月08日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年12月29日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2015年09月29日提交的说明书摘要、说明书第1-86段、摘要附图、说明书附图图1-8F；2018年10月18日提交的权利要求第1-16项。
驳回决定指出：权利要求1与对比文件1（CN103608856A，公开日为2014年02月26日）的区别在于：1）第1配线连接部49为金属层，2）第三金属层在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触。区别1）和2），是本领域技术人员的惯用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合上述惯用技术手段得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求3-4的附加技术特征，部分被对比文件1公开、部分属于本领域技术人员的惯用技术手段；因此，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5与对比文件1的区别在于：1）该第1配线连接部49为金属层，该薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；2）第一金属从栅极延伸，所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸；3）导电层连续的形成在第二绝缘层中的第二开口和第一绝缘层中的第一开口内。区别1）和2），是本领域技术人员的惯用技术手段。区别3），是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合上述惯用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6-7的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求8-13的附加技术特征，部分被对比文件1公开、部分属于本领域技术人员的惯用技术手段；权利要求14的附加技术特征属于本领域技术人员的惯用技术手段；因此，权利要求6-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15与对比文件1的区别在于：1）该第1配线连接部49为金属层，2）形成覆盖所述第二金属层的钝化层，平坦化层形成在所述钝化层上，接触孔还暴露钝化层，去除所述平坦化层的接触孔内的钝化层，3）所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，4）导电层连续的形成在平坦化层的接触孔内。区别1）和2），是本领域技术人员的惯用技术手段；区别3），是本领域技术人员在设置电极层的惯用技术手段。区别4），是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合上述惯用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求15不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求16的附加技术特征，部分被对比文件1公开、部分属于本领域技术人员的惯用技术手段，因此权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种显示装置，包括：
位于基板上的边框区域中的第一薄膜晶体管；以及
与所述第一薄膜晶体管相邻的第二薄膜晶体管，
每个薄膜晶体管包括：
依次设置于所述基板上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分，
其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触，且
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管配置为共用所述第一金属层，
其中所述第三金属层在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触。
2. 根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第一绝缘层的第一接触孔和所述第二绝缘层的第二接触孔的其中之一电连接，且
其中所述单孔桥接触部是这样的结构：其中减少了用于形成所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的接触孔的掩模数量的增加并且减小了由所述第一接触孔和所述第二接触孔导致的设计区域的增大。
3. 根据权利要求2所述的显示装置，其中所述单孔桥接触部应用于静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括位于所述显示装置的边框区域中的含有氧化物半导体的薄膜晶体管。
4. 根据权利要求3所述的显示装置，其中通过应用所述单孔桥接触部的结构，所述静电放电保护电路的尺寸实现为不大于具有等效静电放电性能且包括含有非晶硅的薄膜晶体管的静电放电保护电路的尺寸。
5. 一种液晶显示装置，包括：
基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域，所述边框区域包括薄膜晶体管；
位于所述基板上的边框区域中的第一金属层；
位于所述第一金属层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧的第一开口；
与所述第一金属层交叠的第二金属层；
位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口；和
导电层，所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触，
其中所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上，所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上，所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层，并且其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，
其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述边框区域中的静电放电保护电路，
其中所述静电放电保护电路包括所述薄膜晶体管。
7. 根据权利要求6所述的液晶显示装置，还包括：
第一线，所述第一线位于与所述第二金属层相同的水平面上；
第二线，所述第二线位于与所述第二金属层相同的水平面上且至少部分地与所述第一线平行；和
第三线，所述第三线位于与所述第一金属层相同的水平面上且与所述第一线和所述第二线交叉，
其中所述静电放电保护电路位于所述第一线与所述第二线之间，且
其中所述薄膜晶体管位于所述第一线和所述第二线与所述第三线交叉的部分处。
8. 根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中所述第一金属层与所述栅极电极和所述第三线连接，且
其中所述第二金属层与所述源极电极和所述漏极电极的其中之一连接。
9. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述有源区域中的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管配置成驱动像素且包括含有氧化物半导体的有源层，
其中所述薄膜晶体管中的有源层的沟道长度比所述驱动薄膜晶体管中的有源层的沟道长度长。
10. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述边框区域中的电源电压线单元，
其中所述电源电压线单元包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述导电层。
11. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述薄膜晶体管的有源层与所述第二金属层的底侧接触。
12. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述导电层与所述有源层的横侧接触。
13. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述第一金属层、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述第二金属层接触。
14. 根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述源极电极和所述漏极电极上的钝化层，
其中所述钝化层与位于所述源极电极和所述漏极电极之间的有源层接触。
15. 一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极，所述制造方法包括：
在基板上在与所述栅极电极相同的水平面上形成第一金属层；
在所述栅极电极和所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
在与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上形成第二金属层，所述第二金属层部分地与所述第一金属层交叠；
形成覆盖所述第二金属层的钝化层；
在所述钝化层上形成平坦化层；
去除所述平坦化层的一部分，以形成接触孔，所述接触孔暴露位于所述第一金属层和所述第二金属层上的钝化层；
去除所述平坦化层的接触孔内的栅极绝缘层和钝化层，以暴露所述第一金属层的顶侧和所述第二金属层的顶侧；和
在所述接触孔内的第一金属层的顶侧和第二金属层的顶侧上形成导电层，以将所述第一金属层与所述第二金属层电连接，
其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，
其中所述导电层连续地形成在所述平坦化层的接触孔内。
16. 根据权利要求15所述的液晶显示装置的制造方法，还包括：
在形成所述第二金属层之前在所述栅极绝缘层上形成含有氧化物半导体的有源层，
其中所述钝化层与位于所述源极电极和所述漏极电极之间的有源层接触。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月01日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，对权利要求1进行了修改，将第三金属层“连续地形成”的特征加入到权利要求1中。
复审请求人认为：权利要求1的技术特征“依次设置于所述基板上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层… 其中所述第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触”未被对比文件1公开或教导。区别技术特征“其中所述第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触”能够有助于实现减少掩模数量的有益技术效果，能够实现诸如“将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，其中接触孔包括位于第一绝缘层和第二绝缘层中的开口”等有益技术效果。上述区别技术特征不属于本领域的常用技术手段。因此，利要求1相比对比文件1具备专利法规定的创造性。对比文件1 的中的第1 配线连接部49 并未在单孔桥接触部内连续地形成在两个绝缘层的两个开口中，也未有任何其它证据证明上述一系列区别技术特征均属于本领域人员的惯用技术手段。对比文件1中的配线49是非连续形成的，对比文件1中不具有连续形成配线49的动机。因此权利要求5、15具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种显示装置，包括：
位于基板上的边框区域中的第一薄膜晶体管；以及
与所述第一薄膜晶体管相邻的第二薄膜晶体管，
每个薄膜晶体管包括：
依次设置于所述基板上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分，
其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触，且
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管配置为共用所述第一金属层，
其中所述第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月06日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）在对比文件1附图7中可见半导体层（即有源层）36之上形成有源漏电极24b、24c以及源漏配线39、40；从附图12中可见源漏配线39、40延伸到单孔桥区域，并且和配线49（相当于第三金属层）接触。从附图12中可见，该配线39和栅极绝缘膜35之间具有一层，该层未标示标号，但该层同样是与配线49在单孔桥内部接触，该层可以为有源层或其他金属层。为了节省掩膜数量，本领域技术人员可以将两个或多个层利用半色调掩膜版合并制作，例如在制作TFT有源层、源漏电极和数据线时，可以使用半色调掩膜来减少掩膜数量。在此，为了减少掩膜数量，可以将配线39与其他层采用半色调掩膜来同时制作，达到减少掩膜数量的目的。而此处，选择与有源层采用半色调掩膜来制作，从而在单孔桥内也形成了与第三金属层接触的有源层，这属于本领域技术人员的惯用技术手段。（2）在开口内连续形成互连金属层是本领域技术人员的常见做法。而对比文件1已经公开了：源极配线27的延长部27b与栅极绝缘膜35的开口部35a相比在较大范围被部分除去，其除去范围为包括铝(Al)的上层侧的金属膜40比包括钛(Ti)的下层侧的金属膜39大。由此，包括与像素电极25相同的ITO的第1配线连接部49构成为仅与包括钛的下层侧的金属膜39接触，不与包括铝的上层侧的金属膜40直接接触，因此能防止产生电化腐蚀(galvaniccorrosion)，从而能得到高连接可靠性。可见对比文件1中形成不连续的层是为了防止产生电化腐蚀，若无需防止电化腐蚀，则可以采用本领域技术人员的常规做法。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求5-11，14-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：在开口内连续形成互连金属层是本领域技术人员的常见做法。而对比文件1已经公开了：源极配线27的延长部27b与栅极绝缘膜35的开口部35a相比在较大范围被部分除去，其除去范围为包括铝(Al)的上层侧的金属膜40比包括钛(Ti)的下层侧的金属膜39大。由此，包括与像素电极25相同的ITO的第1配线连接部49构成为仅与包括钛的下层侧的金属膜39接触，不与包括铝的上层侧的金属膜40直接接触，因此能防止产生电化腐蚀(galvaniccorrosion)，从而能得到高连接可靠性。可见对比文件1中形成不连续的层是为了防止产生电化腐蚀，若无需防止电化腐蚀，则可以采用本领域技术人员的常规做法，形成为连续的第1配线连接部49，这是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。因此，权利要求5、15也不具备创造性。
复审请求人于2019年09月10日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，在独立权利要求5、15中增加了技术特征，在权利要求5中增加了“并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触”，在权利要求15中增加了“并且所述导电层在所述平坦化层的接触孔内与所述有源层接触”，对权利要求13进行了适应性修改。
复审请求人认为：对比文件1 并未公开或教导权利要求5的上述技术特征“其中所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极…并且其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触”。对比文件1 的第1 配线连接部49并不在绝缘膜38的开口和绝缘膜35的开口中连续地形成，未公开或教导其第1 配线连接部4在绝缘膜38的开口和绝缘膜35的开口内与有源层接触。
包含区别技术特征“其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内；并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触”的权利要求5的技术方案，能够实现诸如“将用于形成包括位于第一绝缘层和第二绝缘层中的第一开口和第二开口的接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，使用减少数量的掩模，减小了接触孔的尺寸且不需要接触孔之间的工艺裕度”等预想不到的有益技术效果。上述区别技术特征“其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触”也不属于本领域的惯用技术手段。所属领域的普通技术人员根据对比文件1 的实际教导找不到本申请修改后权利要求5的技术方案的动机。
权利要求15 中的技术特征“其中所述导电层连续地形成在所述平坦化层的接触孔内，并且所述导电层在所述平坦化层的接触孔内与所述有源层接触”未被对比文件1公开或教导，并且，包含上述区别技术特征的权利要求15的技术方案，能够实现诸如“配置成将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，使用数量减少的掩模，减小了接触孔的尺寸且不需要接触孔之间的工艺裕度”等预想不到的有益技术效果。上述区别技术特征也不属于本领域的惯用技术手段。所属领域的普通技术人员根据对比文件1 的实际教导找不到本申请修改后的权利要求15的技术方案的动机。
修改后的权利要求5、13、15如下：
“5. 一种液晶显示装置，包括：
基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域，所述边框区域包括薄膜晶体管；
位于所述基板上的边框区域中的第一金属层；
位于所述第一金属层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧的第一开口；
与所述第一金属层交叠的第二金属层；
位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口；和
导电层，所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触，
其中所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上，所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上，所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层，并且
其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，
其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触。”
“13. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内还与所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述第二金属层接触。”
“15. 一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，所述制造方法包括：
在基板上在与所述栅极电极相同的水平面上形成第一金属层；
在所述栅极电极和所述第一金属层上形成栅极绝缘层；
在与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上形成第二金属层，所述第二金属层部分地与所述第一金属层交叠；
形成覆盖所述第二金属层的钝化层；
在所述钝化层上形成平坦化层；
去除所述平坦化层的一部分，以形成接触孔，所述接触孔暴露位于所述第一金属层和所述第二金属层上的钝化层；
去除所述平坦化层的接触孔内的栅极绝缘层和钝化层，以暴露所述第一金属层的顶侧和所述第二金属层的顶侧；和
在所述接触孔内的第一金属层的顶侧和第二金属层的顶侧上形成导电层，以将所述第一金属层与所述第二金属层电连接，
其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，
其中所述导电层连续地形成在所述平坦化层的接触孔内，并且所述导电层在所述平坦化层的接触孔内与所述有源层接触。”
2019年12月05日，复审请求人针对2019年9月10日提交的答复复审通知书的修改文件，对权利要求书作了进一步修改，将权利要求5中的“并且所述导电层在所述第一开口和所述第二开口内与所述有源层接触”修改为“并且所述导电层在所述第一开口内与所述有源层接触”。
2019年12月05日提交的修改后的权利要求5如下：
“5. 一种液晶显示装置，包括：
基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域，所述边框区域包括薄膜晶体管；
位于所述基板上的边框区域中的第一金属层；
位于所述第一金属层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧的第一开口；
与所述第一金属层交叠的第二金属层；
位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口；和
导电层，所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触，
其中所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上，所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上，所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层，并且
其中所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，
其中所述导电层连续地形成在所述第二绝缘层中的第二开口和所述第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口内与所述有源层接触。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年12月05日提交了权利要求书的修改替换页。经审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所针对的审查文本为：申请日2015年09月29日提交的说明书摘要、说明书第1-86段、摘要附图、说明书附图图1-8F；2019年12月05日提交的权利要求第1-16项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征属于本领域的公知常识，而其余的区别技术特征不属于本领域的公知常识，现有技术中也没有给出将上述其余的区别技术特征应用到该最接近的现有技术中以解决其存在的技术问题的技术启示，且该其余的区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求的技术方案具备创造性。
本复审决定引用了驳回决定和复审通知书中使用的对比文件1，如下：
对比文件1：CN103608856A，公开日为2014年02月26日。
2.1、权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种显示装置，对比文件1（参见说明书第0074-0132段，附图7-13）公开了一种液晶面板，并具体公开了如下技术特征：枝线45Aa，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该枝线45Aa位于基板上（相当于第一金属层），从附图12中可见枝线45Aa、绝缘膜35、金属膜39(钛)、绝缘膜38、第1配线连接部49依次设置，其中该绝缘膜35和绝缘膜38中具有孔，在孔中暴露了枝线45Aa和金属膜39的一部分，该第1配线连接部49通过该孔与枝线45Aa和金属膜39接触（相当于单孔桥接触部）；栅极电极24a包括与栅极配线26相同的材料并且与栅极配线26在相同工序中被图案化在玻璃基板GS的正上方，例如除了铝(Al)以外还可以由铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铜(Cu)等的金属膜单体或者它们的层叠膜形成；在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A，据此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定枝线45Aa同样是与栅极同时形成，其同样是由金属形成；在形成TFT 24时，一起形成构成ESD保护电路53的保护电路用TFT 53a(参照图13)，并且从附图9中可见该ESD保护电路53形成在非显示区域NAA中，从附图7中可见该TFT在基板上依次具有栅极层24a、栅绝缘层35、半导体层26、源漏电极层24b、24c、层间绝缘层27，像素电极2，并且该第1配线连接部49包括与在保护膜38上层叠形成的像素电极25相同的材料并且在制造工序的同一工序中形成于同一层（相当于依次设置于所述基板上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层）；在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定在同一基板上多个非显示区薄膜晶体管的栅极共用同一金属层，因此与栅极电极在同一层的该配线45A的金属层被多个非显示区薄膜晶体管共用。
该权利要求与对比文件1的区别在于：1）第1配线连接部49为金属层，2）第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触。基于该区别特征，该权利要求实际所要解决的技术问题为1）如何选择配线的材料，2）如何设置有源层。
对于1），选择液晶面板中的配线为金属材料，以实现电连接，这是本领域技术人员的惯用技术手段。
对于2），对比文件1已经公开了：源极配线27的延长部27b与栅极绝缘膜35的开口部35a相比在较大范围被部分除去，其除去范围为包括铝(Al)的上层侧的金属膜40比包括钛(Ti)的下层侧的金属膜39大。由此，包括与像素电极25相同的ITO的第1配线连接部49构成为仅与包括钛的下层侧的金属膜39接触，不与包括铝的上层侧的金属膜40直接接触，因此能防止产生电化腐蚀(galvaniccorrosion)，从而能得到高连接可靠性。可见对比文件1中形成不连续的层是为了防止产生电化腐蚀，若无需防止电化腐蚀，则可以形成为连续的第1配线连接部49，这是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。但是，第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触，作为一个整体，并不是本领域的惯用技术手段，不属于本领域的公知常识，不存在将该区别技术特征应用到现有技术中从而解决本申请要解决的技术问题的技术启示。并且该区别技术特征使得权利要求1的技术方案获得了有益的技术效果，能够有助于实现减少掩模数量，能够获得将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化等有益的技术效果。
因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-4具备专利法22条第3款规定的创造性。
权利要求2-4直接或间接引用权利要求1，基于引用的权利要求相对于对比文件1和本领域公知常识具备创造性，权利要求2-4也相对于对比文件1和本领域公知常识具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求5具备专利法22条第3款规定的创造性。
权利要求5要求保护一种液晶显示装置，对比文件1（参见说明书第0074-0132段，附图7-13）公开了一种液晶面板，并具体公开了如下技术特征：这样，在阵列基板用结构物形成工序中，除了显示区域AA的各配线26、27、33以外，还形成了非显示区域NAA的各配线43～47和各配线连接部49～52，可以说在阵列基板用结构物形成工序中包括配线形成工序；从附图8中可见该非显示区域NAA围绕显示区域AA，从附图9、13中可见在非显示区域中具有保护电路53中的TFT（相当于基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域，所述边框区域包括薄膜晶体管）；枝线45Aa，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该枝线45Aa位于基板上的非显示区域中，从附图12中可见枝线45Aa、绝缘膜35、金属膜39(钛)、绝缘膜38、第1配线连接部49依次设置，该绝缘膜35包括用于暴露枝线45Aa的部分顶侧的第一开口，该枝线45Aa和金属膜39交叠设置，绝缘膜38包括用于暴露枝线45Aa部分顶侧以及金属膜39部分顶侧的第二开口，该第1配线连接部49在绝缘膜38中的第二开口内与所述枝线45Aa的所暴露的部分顶侧以及第1配线连接部49的所暴露的部分顶侧接触；栅极电极24a包括与栅极配线26相同的材料并且与栅极配线26在相同工序中被图案化在玻璃基板GS的正上方，例如除了铝(Al)以外还可以由铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铜(Cu)等的金属膜单体或者它们的层叠膜形成；在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A，据此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定枝线45Aa同样是与栅极同时形成，其同样是由金属形成；在形成TFT 24时，一起形成构成ESD保护电路53的保护电路用TFT 53a(参照图13)，并且从附图9中可见该ESD保护电路53形成在非显示区域NAA中，从附图7中可见该TFT包括有源层、源极、漏极和栅极；在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A（相当于所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上）；电容配线主干43和共用配线44均包括与源极配线27相同的材料且在制造工序的同一工序中形成于同一层，具备下层侧的金属膜39和上层侧的金属膜40（相当于所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上）；从附图7中可见绝缘膜35为位于栅极之上的栅绝缘层，绝缘膜38是使得所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层（相当于所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层）。
该权利要求与对比文件1的区别在于：1）使用金属来形成第1配线连接部，该薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；2）第一金属层从栅极电极延伸，所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸；3）导电层连续的形成在第二绝缘层中的第二开口和第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口内与所述有源层接触。
基于上述区别特征，该权利要求实际所要解决的技术问题为1）如何选择配线的材料和有源层材料，2）如何设置第一金属层和第二金属层位置，3）如何将第一和第二金属层电连接。
对于1），选择液晶面板中的配线为金属材料，以实现电连接，将TFT设置为常见的氧化物半导体TFT，这是本领域技术人员的惯用技术手段。
对于2），对比文件1已经公开了：在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A，据此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定枝线45Aa同样是与栅极同时形成；电容配线主干43和共用配线44均包括与源极配线27相同的材料且在制造工序的同一工序中形成于同一层，具备下层侧的金属膜39和上层侧的金属膜40（相当于所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上）。基于上述公开，将同层设置的枝线45Aa从所述栅极电极延伸，金属膜39从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，这是本领域技术人员的惯用技术手段。
对于3），对比文件1已经公开了：源极配线27的延长部27b与栅极绝缘膜35的开口部35a相比在较大范围被部分除去，其除去范围为包括铝(Al)的上层侧的金属膜40比包括钛(Ti)的下层侧的金属膜39大。由此，包括与像素电极25相同的ITO的第1配线连接部49构成为仅与包括钛的下层侧的金属膜39接触，不与包括铝的上层侧的金属膜40直接接触，因此能防止产生电化腐蚀(galvaniccorrosion)，从而能得到高连接可靠性。可见对比文件1中形成不连续的层是为了防止产生电化腐蚀，若无需防止电化腐蚀，则可以形成为连续的第1配线连接部49，这是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。但是，导电层连续的形成在第二绝缘层中的第二开口和第一绝缘层中的第一开口内，并且所述导电层在所述第一开口内与所述有源层接触，作为一个整体，并不是本领域的惯用技术手段，不属于本领域的公知常识，不存在将该区别技术特征应用到现有技术中从而解决本申请要解决的技术问题的技术启示。并且该区别技术特征使得权利要求5的技术方案获得了有益的技术效果，能够获得将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，使用数量减少的掩模、减小了接触孔的尺寸且不需要接触孔之间的工艺裕度等有益的技术效果。
因此，权利要求5请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求6-14具备专利法22条第3款规定的创造性。
权利要求6-14直接或间接引用权利要求5，基于引用的权利要求相对于对比文件1和本领域公知常识具备创造性，权利要求6-14也相对于对比文件1和本领域公知常识具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求15具备专利法22条第3款规定的创造性。
权利要求15要求保护一种液晶显示装置的制造方法，对比文件1（参见说明书第0074-0132段，附图7-13）公开了一种液晶显示基板的制造方法，并具体公开了如下技术特征：从附图7中可见该TFT 24包括栅极24a，源漏电极24b、24c，半导体膜36；第1源极驱动器侧检查配线45A包括与栅极配线26相同的材料并且在制造工序的同一工序中形成于同一层；从第1源极驱动器侧检查配线45A以与上述延长部27b重叠的方式延出形成有枝线45Aa（相当于在基板上在与所述栅极电极相同的水平面上形成第一金属层）；栅极绝缘膜35，从附图7、12中可见形成该栅极绝缘膜35分别于栅极24a和枝线45Aa上（相当于在所述栅极电极和所述第一金属层上形成栅极绝缘层）；电容配线主干43和共用配线44均包括与源极配线27相同的材料且在制造工序的同一工序中形成于同一层，具备下层侧的金属膜39和上层侧的金属膜40，从附图12中可见该金属膜39与枝线45Aa部分交叠（相当于在与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上形成第二金属层，所述第二金属层部分地与所述第一金属层交叠）；绝缘膜38，从附图12中可见该绝缘膜38形成在金属膜39上（相当于形成平坦化层）；如图11和图12所示，第1配线连接部49以覆盖形成于栅极绝缘膜35、层间绝缘膜37和保护膜38的开口部35a、37a、38a的形式形成，由此连接通过各开口部35a、37a、38a露出的第1源极驱动器侧检查配线45A的枝线45Aa和源极配线27的延长部27b，从附图12中可见去除了绝缘膜38和35的一部分，形成暴露枝线45Aa和金属膜39顶侧的接触孔，该第1配线连接部49形成在接触孔内，并且将枝线45Aa和金属膜39电连接。
该权利要求与对比文件1的区别在于：1）使用金属来形成第1配线连接部，2）形成覆盖所述第二金属层的钝化层，平坦化层形成在所述钝化层上，接触孔还暴露钝化层，去除所述平坦化层的接触孔内的钝化层，3）所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，4）导电层连续的形成在平坦化层的接触孔内，并且所述导电层在所述平坦化层的接触孔内与所述有源层接触。
基于上述区别，该权利要求实际所要解决的技术问题分别为1）如何选择配线材料，2）如何防止金属表面的氧化，3）如何设置第一和第二金属层，4）如何将第一和第二金属层电连接。
对于区别1），选择液晶面板中的配线为金属材料，以实现电连接，这是本领域技术人员的惯用技术手段。
对于区别2），在第二金属层上还形成钝化层，以防止该金属层暴露的部分被氧化，从而该平坦化层形成在所述钝化层上，接触孔还暴露钝化层，去除所述平坦化层的接触孔内的钝化层，这属于本领域技术人员的惯用技术手段。
对于区别3），对比文件1公开了：在非显示区域NAA中，在形成栅极配线26时，一起形成第1源极驱动器侧检查配线45A（相当于所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上）；电容配线主干43和共用配线44均包括与源极配线27相同的材料且在制造工序的同一工序中形成于同一层，具备下层侧的金属膜39和上层侧的金属膜40（相当于所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上）。基于上述公开，将属于同层的所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸，这是本领域技术人员在设置电极层的惯用技术手段。
对于区别4），对比文件1已经公开了：源极配线27的延长部27b与栅极绝缘膜35的开口部35a相比在较大范围被部分除去，其除去范围为包括铝(Al)的上层侧的金属膜40比包括钛(Ti)的下层侧的金属膜39大。由此，包括与像素电极25相同的ITO的第1配线连接部49构成为仅与包括钛的下层侧的金属膜39接触，不与包括铝的上层侧的金属膜40直接接触，因此能防止产生电化腐蚀(galvaniccorrosion)，从而能得到高连接可靠性。可见对比文件1中形成不连续的层是为了防止产生电化腐蚀，若无需防止电化腐蚀，则可以形成为连续的第1配线连接部49，这是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。但是，导电层连续的形成在平坦化层的接触孔内，并且所述导电层在所述平坦化层的接触孔内与所述有源层接触，作为一个整体，并不是本领域的惯用技术手段，不属于本领域的公知常识，不存在将该区别技术特征应用到现有技术中从而解决本申请要解决的技术问题的技术启示。并且该区别技术特征使得权利要求15的技术方案获得了有益的技术效果，能够获得将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，使用数量减少的掩模、减小了接触孔的尺寸且不需要接触孔之间的工艺裕度等有益的技术效果。
因此，权利要求15请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域公知常识的结合是非显而易见的，具备突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求16具备专利法22条第3款规定的创造性。
权利要求16引用权利要求15，基于引用的权利要求相对于对比文件1和本领域公知常识具备创造性，权利要求16也相对于对比文件1和本领域公知常识具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定以及前置审查相关意见的评述
关于驳回决定及前置审查的相关意见，合议组认为：虽然金属层在接触部内连续地形成，可以认为是本领域技术人员可以根据实际需求进行调整的惯用技术手段。但是，第三金属层连续地形成并且在所述单孔桥接触部内与所述有源层接触，作为一个整体，并不是本领域的惯用技术手段，不属于本领域的公知常识，不存在将该区别技术特征应用到现有技术中从而解决本申请要解决的技术问题的技术启示。并且该区别技术特征使得权利要求1的技术方案获得了有益的技术效果，能够获得将用于形成接触孔所需的掩模数量的增加以及由接触孔导致的设计区域的增大最小化，使用数量减少的掩模、减小了接触孔的尺寸且不需要接触孔之间的工艺裕度等有益的技术效果。因此，本申请权利要求1-16相对于现有的证据组合方式，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
至于本申请是否还存在其它不符合专利法及其实施细则规定的缺陷，均留待原审查部门继续审查。
基于上述事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月29日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2015年09月29日提交的说明书摘要、说明书第1-86段、摘要附图、说明书附图图1-8F；2019年12月05日提交的权利要求第1-16项。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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