发明创造名称：内连线结构的形成方法
外观设计名称：
决定号：199067
决定日：2019-12-13
委内编号：1F282963
优先权日：2010-03-15
申请（专利）号：201610031430.9
申请日：2011-02-10
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：窦明生
合议组组长：杨子芳
参审员：宋霖
国际分类号：H01L21/02，H01L21/768，H01L23/532
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，如果该多个区别技术特征部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在最接近现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610031430.9，名称为“内连线结构的形成方法”的分案发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为台湾积体电路制造股份有限公司，母案申请日为2011年02月10日，分案提交日为2016年01月18日，优先权日为2010年03月15日，公开日为2016年06月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月11日以权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，具体理由为：（1）独立权利要求1与最接近现有技术的对比文件1（CN101419915A，公开日为2009年04月29日）的区别在于：导电元件采用金属；刻蚀停止层是包含氧掺杂碳化物的单层，该刻蚀停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；含有碳的碳源气体，碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体不含二氧化碳，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，刻蚀停止层也形成在扩散阻挡层上。然而，上述区别技术特征部分被对比文件2（对比文件2：CN1514477A，公开日为2004年07月21日）公开，部分是在对比文件1的基础上本领域技术人员容易想到的，部分属于本领域的公知常识。因此，权利要求1相对于对比文件1、2以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2、3的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2、3均不具备创造性。（3）独立权利要求4与最接近现有技术的对比文件1的区别在于：导电元件采用金属；在形成该刻蚀停止层的步骤中使用的前驱物包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，刻蚀停止层接触扩散阻挡层。然而，上述区别技术特征部分是在对比文件1的基础上本领域技术人员容易想到的，部分属于本领域的公知常识。因此，权利要求4相对于对比文件1以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。（4）从属权利要求5-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件3（CN1430274A，公开日为2003年07月16日）公开，因此权利要求5-10均不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：于分案申请提交日2016年01月18日提交的说明书第1-27段、说明书附图图1-7、说明书摘要及摘要附图；于2018年10月19日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种内连线结构的形成方法，包括：
提供一介电层；
形成一扩散阻挡层和一金属图形在该介电层内，其中该扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面；以及
形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该金属图形、该扩散阻挡层和该介电层上，其中该蚀刻停止层是包括氧掺杂碳化物的单层，其中该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：
一额外前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；以及
一含有碳的碳源气体，其中，该碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体中不含二氧化碳；
其中该碳源气体的流率与该额外前驱物中气体的流率的比值大于2或4。
2. 如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一低介电常数介电层在该蚀刻停止层之上；以及
形成一金属线及一导孔在该低介电常数介电层内，其中该金属线及该导孔与该金属图形电性耦接。
3. 如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，其中该蚀刻停止层与该金属图形及该介电层接触。
4. 一种内连线结构的形成方法，包括：
形成一扩散阻挡层和一第一金属线，该扩散阻挡层围绕该第一金属线的侧壁及底表面，且该第一金属线从一第一低介电常数介电层的顶表面延伸至该第一低介电常数介电层中，其中，该第一低介电常数介电层在一基底上；以及
形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该第一金属线、该扩散阻挡层和该第一低介电常数介电层上并接触该第一金属线、该扩散阻挡层和该第一低介电常数介电层，其中该蚀刻停止层是单层，并且其中在形成该蚀刻停止层的步骤中使用的前驱物包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物；
其中该碳源气体的流率与该额外前驱物中气体的流率的比值大于2或4。
5. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该额外前驱物选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中。
6. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体还含有氢。
7. 如权利要求6所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为CxHy，且其中x与y的值大于0。
8. 如权利要求7所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为C2H4。
9. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一第二低介电常数介电层在该蚀刻停止层上；以及
形成一第二金属线及一导孔在该第二低介电常数介电层内，其中该第二金属线及该导孔与该第一金属线电性耦接。
10. 如权利要求9所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一四乙氧基硅烷氧化层在该蚀刻停止层与该第二低介电常数介电层之间。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月16日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中在独立权利要求1、4中增加技术特征“所述碳源气体中碳原子的百分比大于20%”。复审请求人认为：对比文件1中没有公开碳源气体中碳原子的百分比大于20%，借由碳源气体所提供的额外的碳，可增加所形成的蚀刻停止层中的碳百分比，并且改善蚀刻停止层的性质，使得蚀刻停止层的蚀刻速率较传统方式较低，而且蚀刻停止层所改善的特性使得导孔的导孔电阻值随着尺寸缩减而减低很多。因此本申请修改后的权利要求1具有显著的进步。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种内连线结构的形成方法，包括：
提供一介电层；
形成一扩散阻挡层和一金属图形在该介电层内，其中该扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面；以及
形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该金属图形、该扩散阻挡层和该介电层上，其中该蚀刻停止层是包括氧掺杂碳化物的单层，其中该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：
一额外前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；以及
一含有碳的碳源气体，其中，该碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体中不含二氧化碳，所述碳源气体中碳原子的百分比大于20％；
其中该碳源气体的流率与该额外前驱物中气体的流率的比值大于2或4。
2. 如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一低介电常数介电层在该蚀刻停止层之上；以及
形成一金属线及一导孔在该低介电常数介电层内，其中该金属线及该导孔与该金属图形电性耦接。
3. 如权利要求1所述的内连线结构的形成方法，其中该蚀刻停止层与该金属图形及该介电层接触。
4. 一种内连线结构的形成方法，包括：
形成一扩散阻挡层和一第一金属线，该扩散阻挡层围绕该第一金属线的侧壁及底表面，且该第一金属线从一第一低介电常数介电层的顶表面延伸至该第一低介电常数介电层中，其中，该第一低介电常数介电层在一基底上；以及
形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层直接在该第一金属线、该扩散阻挡层和该第一低介电常数介电层上并接触该第一金属线、该扩散阻挡层和该第一低介电常数介电层，其中该蚀刻停止层是单层，并且其中在形成该蚀刻停止层的步骤中使用的前驱物包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物，所述碳源气体中碳原子的百分比大于20％；
其中该碳源气体的流率与该额外前驱物中气体的流率的比值大于2或4。
5. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该额外前驱物选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中。
6. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体还含有氢。
7. 如权利要求6所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为CxHy，且其中x与y的值大于0。
8. 如权利要求7所述的内连线结构的形成方法，其中该碳源气体为C2H4。
9. 如权利要求4所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一第二低介电常数介电层在该蚀刻停止层上；以及
形成一第二金属线及一导孔在该第二低介电常数介电层内，其中该第二金属线及该导孔与该第一金属线电性耦接。
10. 如权利要求9所述的内连线结构的形成方法，还包括：
形成一四乙氧基硅烷氧化层在该蚀刻停止层与该第二低介电常数介电层之间。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中认为：在实际生产过程中，本领域技术人员可以对碳源气体中碳原子的百分比进行设置，通过有限的试验将其设置为大于20%，不需要付出创造性劳动。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月31日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由为：（1）独立权利要求1与最接近现有技术的对比文件1的区别在于：①导电元件采用金属；②蚀刻停止层是包含氧掺杂碳化物的单层，该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：额外的前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；含有碳的碳源气体，碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体不含二氧化碳，碳源气体中碳原子的百分比大于20%，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；③在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，蚀刻停止层也形成在扩散阻挡层上。然而，上述区别技术特征部分被对比文件2公开，部分是在对比文件1的基础上本领域技术人员容易想到的，部分属于本领域的公知常识。因此，权利要求1相对于对比文件1、2以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2、3的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2、3均不具备创造性。（3）独立权利要求4与最接近现有技术的对比文件1的区别在于：①导电元件采用金属；②在形成该蚀刻停止层的步骤中使用的前驱物包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物，碳源气体中碳原子的百分比大于20%，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；③在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，蚀刻停止层接触扩散阻挡层。然而，上述区别技术特征部分是在对比文件1的基础上本领域技术人员容易想到的，部分属于本领域的公知常识。因此，权利要求4相对于对比文件1以及本领域的公知常识的结合不具备创造性。（4）从属权利要求5-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件3公开，因此权利要求5-10均不具备创造性。
复审请求人于2019年09月10日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）无论是从结构位置而言、还是从功能效果而言，多孔电介质阻挡层311均无法与本申请的蚀刻停止层34进行比对。因此，对比文件1不能作为本申请最接近的现有技术文件。如以对比文件1作为本申请最接近的现有技术文件，则至少应将对比文件1中的蚀刻终止层304与本申请的蚀刻停止层34进行比对，并以形成蚀刻终止层304的技术方案及可达到的技术效果来评价本申请形成蚀刻停止层34进而形成内连线结构的技术方案是否具备创造性。目前，由于对比文件1中的多孔电介质阻挡层311与本申请的蚀刻停止层34在各自整体结构中的位置关系及功效均完全不同，因此对比文件1所公开形成电介质阻挡层的方法并不会给出本申请所欲保护形成蚀刻停止层的方法的技术启示，本领域技术人员也不可能将对比文件1中的技术方案轻易地应用于本申请中以获得本申请的权利要求1。（2）对比文件1和对比文件2均并未公开如本申请权利要求1所欲保护的具备上述显著技术效果的蚀刻停止层，其用于止挡蚀刻溶液继续向下蚀刻介电层及金属图形，同时有效地降低内连线结构的寄生电容、避免牺牲介电层与其的蚀刻选择比、抑制了内连线结构漏电流的增加。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于 2019年05月16日提出复审请求时提交了权利要求书的全文替换页（包括权利要求第1-10项），经审查，上述修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审请求审查决定依据的审查文本为：于2019年05月16日提交的权利要求第1-10项；于分案申请提交日2016年01月18日提交的说明书第1-27段、说明书附图图1-7、说明书摘要及摘要附图。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，如果该多个区别技术特征部分被其它对比文件公开，其余部分属于本领域的公知常识，在最接近现有技术的对比文件的基础上结合其它对比文件和本领域的公知常识得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用与复审通知书和驳回决定相同的对比文件，为：
对比文件1：CN101419915A，公开日为2009年04月29日；
对比文件2：CN1514477A，公开日为2004年07月21日；
对比文件3：CN1430274A，公开日为2003年07月16日。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种内连线结构的形成方法，对比文件1公开了一种内连线结构的形成方法（参见说明书第2页第8行-第11页最后一行，权利要求第1-20项，图5）：包括步骤：提供电介质材料的接触层302，在接触层302中设置导电元件303，在导电元件303和接触层302上提供蚀刻停止层304单层，该蚀刻停止层304与该导电元件303和接触层302接触。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）导电元件采用金属；（2）蚀刻停止层是包含氧掺杂碳化物的单层，该蚀刻停止层使用多个前驱物，该前驱物包括：额外的前驱物，选自于由1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷、4-甲基硅烷以及前述的组合所组成的群组中；含有碳的碳源气体，碳源气体包括C2H4，其中该碳源气体不含二氧化碳，碳源气体中碳原子的百分比大于20%，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；（3）在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，蚀刻停止层也形成在扩散阻挡层上。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题在于如何实现良好的导电特性、如何获得具有所需性能的蚀刻停止层和如何防止金属原子扩散。
对于区别技术特征（1）：采用金属作为介电层中的导电元件以实现良好的导电性能是半导体领域形成内连线时常用的技术手段，属于本领域公知常识。
对于区别技术特征（2），对比文件2公开了一种蚀刻停止层的形成方法，并具体公开了（参见说明书第5页第1-14行）：该蚀刻停止层包括氧掺杂碳化物。因此，本领域技术人员可以从对比文件2得到技术启示，将上述技术特征应用到对比文件1中以获得所需的蚀刻停止层。且在对比文件1中还公开了一种用于形成电介质阻挡层的方法，该方法包括：采用有机硅碳化合物和碳氢化合物的混合物作为前驱物（参见说明书第5页倒数第1段，权利要求第1-10项），对比文件1还公开了有机硅碳化合物可以是1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷中的一种或多种（参见说明书第6页倒数第1段-说明书第7页倒数第2行）。在一个实施例中，在前驱物中可清除氧（参见说明书第8页第5段），前驱物为三甲基硅烷和乙烯的组合（相当于额外的前驱物和碳源），可见对比文件1该实施例中的碳源气体中不含二氧化碳，碳源气体包括C2H4（即公开了碳源气体中的碳原子的百分比大于20%）（参见说明书第8页第1行-第10页倒数第1行），由该方法获得的电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能（说明书第3页第8-9行）。可见，由对比文件1的上述方法形成的电介质阻挡层具备蚀刻停止层所需的低介电常数和抗蚀刻的特性，由此，对比文件1给出了将其公开的用于形成电介质阻挡层的方法用于形成蚀刻停止层的技术启示；同时，有机硅碳化合物包括4-甲基硅烷是本领域的常规选择。由此，本领域技术人员容易想到将对比文件1中用于形成电介质阻挡层的方法和对比文件2中形成氧掺杂碳化物蚀刻停止层的方法应用到对比文件1中，用于形成具有所需特性的蚀刻停止层。虽然对比文件1中没有公开碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值，但是本领域技术人员可以在实际生产过程中，对其进行调整，通过有限的试验将碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值设置为大于2或4，不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（3），为了防止金属的扩散，在介电层内围绕该金属图形的侧壁及底表面形成扩散阻挡层，是本领域技术人员的常用技术手段，属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备创造性。
2.2、权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2-3是权利要求1的从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第8页第1行-第10页倒数第1行）：形成一低介电常数介电层305在该蚀刻停止层之上；形成一铜导电线309及一沟槽306在该低介电常数介电层内，其中该导电线309及该沟槽与该导电元件303直接接触（即对比文件1公开了权利要求2的附加技术特征），刻蚀停止层304与导电元件303和介电层接触（即对比文件1公开了权利要求3的附加技术特征）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
2.3、权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求4请求保护一种内连线结构的形成方法，对比文件1公开了一种内连线结构的形成方法（参见说明书第2页第8行-第11页最后一行，权利要求第1-20项，图5）：包括步骤：形成导电元件303，导电元件303从低介电常数电介质材料的接触层302的顶表面延伸至低介电常数电介质材料的接触层302中，低介电常数电介质材料的接触层302在基底301上；形成蚀刻停止层304，蚀刻停止层304直接在导电元件303和接触层302上并接触导电元件303和接触层302，蚀刻停止层304为单层。
权利要求4与对比文件1的区别技术特征在于：（1）导电元件采用金属；（2）在形成该蚀刻停止层的步骤中使用的前驱物包括碳源气体、含硼气体以及含有硅与碳的额外前驱物，碳源气体中碳原子的百分比大于20%，碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值大于2或4；（3）在介电层内形成扩散阻挡层，扩散阻挡层围绕该金属图形的侧壁及底表面，蚀刻停止层接触扩散阻挡层。基于上述区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题在于如何实现良好的导电特性、如何获得具有所需性能的蚀刻停止层和如何防止金属原子扩散。
对于区别技术特征（1）：采用金属作为介电层中的导电元件以实现良好的导电性能是半导体领域形成内连线时常用的技术手段，属于本领域公知常识。
对于区别技术特征（2），在对比文件1中还公开了一种用于形成电介质阻挡层的方法，该方法包括：前驱物为三甲基硅烷和乙烯的组合（相当于含硅与碳的额外的前驱物和碳源气体，碳源气体中的碳原子的百分比大于20%）。由该方法获得的电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能，可见，由对比文件1的上述方法形成的电介质阻挡层具备蚀刻停止层所需的低介电常数和抗蚀刻的特性，由此，对比文件1给出了将其公开的用于形成电介质阻挡层的方法用于形成蚀刻停止层的技术启示；同时，在前驱物中采用含硼前驱物是本领域技术的常规选择，属于本领域公知常识。虽然对比文件1中没有公开碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值，但是本领域技术人员可以在实际生产过程中，对其进行调整，通过有限的试验将碳源气体的流速与该额外前驱物中气体的流速的比值设置为大于2或4，不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（3），为了防止金属的扩散，在介电层内围绕该金属图形的侧壁及底表面形成扩散阻挡层，是本领域技术人员的常用技术手段，属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合公知常识容易得到权利要求4的上述技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著地进步，不具备创造性。
2.4、权利要求5-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5-9是权利要求4的从属权利要求，对比文件1还公开了有机硅碳化合物可以是1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷中的一种或多种（参见说明书第6页倒数第1段-说明书第7页倒数第2行）；同时，有机硅碳化合物包括4-甲基硅烷是本领域的常规选择；对比文件1还公开了（参见说明书第8页第1行-第10页倒数第1行）：该碳源气体包括C2H4（即对比文件1公开了权利要求6-8的附加技术特征）；形成一低介电常数介电层305在该蚀刻停止层之上；形成一铜导电线309及一沟槽306在该低介电常数介电层内，其中该导电线309及该沟槽与该导电元件303直接接触（即对比文件1公开了权利要求9的附加技术特征）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，这些权利要求也不具备创造性。
2.5、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10是权利要求9的从属权利要求，对比文件3公开了一种介电结构的形成方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页第2段）：还包括形成一四乙氧基硅烷氧化层TEOS在该蚀刻停止层与该低介电常数介电层之间，并且该四乙氧基硅烷氧化层与该蚀刻停止层及该低介电常数介电层接触以起到扩散阻挡的作用。因此，本领域技术人员可以从对比文件3得到启示，将上述技术特征应用到对比文件1中以解决相应的技术问题。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
三、对于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：在复审通知书与本复审决定书中，合议组是以对比文件1作为本申请最接近的现有技术文件，且将对比文件1中的蚀刻终止层304与本申请的蚀刻停止层34进行比对，对比文件1未公开本申请的蚀刻停止层使用的多个前驱物。但在对比文件1中还公开了一种用于形成电介质阻挡层的方法，该方法包括：采用有机硅碳化合物和碳氢化合物的混合物作为前驱物（参见说明书第5页倒数第1段，权利要求第1-10项），对比文件1还公开了有机硅碳化合物可以是1-甲基硅烷、2-甲基硅烷、3-甲基硅烷中的一种或多种（参见说明书第6页倒数第1段-说明书第7页倒数第2行）。在一个实施例中，在前驱物中可清除氧（参见说明书第8页第5段），前驱物为三甲基硅烷和乙烯的组合（相当于额外的前驱物和碳源），可见对比文件1该实施例中的碳源气体中不含二氧化碳，碳源气体包括C2H4（即公开了碳源气体中的碳原子的百分比大于20%）（参见说明书第8页第1行-第10页倒数第1行），由该方法获得的电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能（说明书第3页第8-9行）。即对比文件1中公开的电介质阻挡层具有优异的抗蚀刻性能，在此基础上本领域技术人员容易想到将该具有优异的抗蚀刻性能的低介电常数的电介质阻挡层应用于蚀刻停止层，其效果也是可期的。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月11日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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